「Passivation」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

By forming the fluorescent substance layer 2 for protecting the electrode lead out part 104 by the light sensitive resin protection layer forming the passivation film 1, the static breakage of the sensor panel 100 is prevented.例文帳に追加

パッシベーション膜１を成す感光性樹脂保護層によって電極取り出し部１０４を保護して蛍光体層２を形成することによりセンサーパネル１００の静電破壊の発生を防止する。 - 特許庁

The interlayer insulation film between the electric field impressing fuse Fa and the laser fuse Fb incorporates the layout of a passivation film 24b to prevent laser damage due to pattern formation from the first layer metal wiring.例文帳に追加

電界印加フューズＦａとレーザフューズＦｂの間の層間絶縁膜中には第１層メタル配線層を用いてパターン形成されたレーザダメージを防止するための保護膜２４ｂが配置される。 - 特許庁

The layer of pillar metal is reduced in diameter, the barrier layer is selectively removed from the surface of the layer of passivation, and thereafter the reflow of the solder metal is performed, thus completing the formation of the solder bump.例文帳に追加

ピラー金属層の直径を減少させ、パシベーション層の表面からバリヤー層を選択的に除去し、その後にはんだ金属のリフロー処理を行って、本発明のはんだバンプを完成させる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a solar cell in which passivation by a method equivalent to a formation method such as a plasma CVD method can be performed even if an antireflection film is formed by a sputtering method.例文帳に追加

スパッタリング法により反射防止膜を形成した場合でも、プラズマＣＶＤ法などによる形成方法による場合と同等のパッシベーションがなされる太陽電池の製造方法を提供する。 - 特許庁

Additionally, the resistive nitride film which covers this and has field plate effect and passivation effect is brought into good contact with the Al wiring 6 through the resistive nitride film 3 used as the mask.例文帳に追加

また、その上に被覆されるフィールドフィールドプレート効果とパッシベーション効果がある抵抗性窒化膜とＡｌ配線６とがマスクとして用いた抵抗性窒化膜３を介して良好な接触を得ることができる。 - 特許庁

With such a process for fabricating a semiconductor device, an extremely thin passivation film is formed in the semiconductor device and a semiconductor device exhibiting sufficient sensitivity and strength can be fabricated.例文帳に追加

このような半導体装置の製造方法によれば、極薄のパシベーション膜が半導体装置に形成され、充分な感度且つ強度等を備えた半導体装置の製造が実現可能になる。 - 特許庁

Adverse hydrogen aging limitations in multi-element doped optical fibers are overcome by passivating these optical fibers using a deuterium passivation process.例文帳に追加

多元素をドープされた光ファイバの水素による不都合なエージングの制約が重水素による表面安定化処理プロセスを用いてこれらの光ファイバを表面安定化処理することにより克服される。 - 特許庁

In the organic EL element 13, a first electrode layer 17 (positive electrode), the organic EL layer 18 as a light-emitting layer, and a second electrode layer 19 (negative electrode) are laminated on the substrate 12 in this order, and covered by a passivation film 20.例文帳に追加

有機ＥＬ素子13は、第１電極層17（陽極）、発光層としての有機ＥＬ層18、第２電極層19（陰極）の順に基板12上に積層され、パッシベーション膜20により被覆されている。 - 特許庁

After applying a first insulating film 4 in a prescribed shape by using the organic resin material of a high glass transition temperature on a passivation film 3, the first insulating film 4 is cured at 350°C/1h.例文帳に追加

パッシベーション膜３上にガラス転移温度が高い有機樹脂材料を用いて第１絶縁膜４を所定の形状に塗布した後、当該第１絶縁膜４を３５０℃／１ｈでキュアリングする。 - 特許庁

Since a first terminal 56 and a second terminal 57 are insulated when there is the passivation film 15, a normal output signal VOUT is obtained in the VOUT pad from the vertical drive circuit 130.例文帳に追加

パッシベーション膜１５がある場合には、第１の端子５６と第２の端子５７は絶縁されているので、ＶＯＵＴパッドには垂直駆動回路１３０から正常な出力信号ＶＯＵＴが得られる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, which prevents field plates from eroding, suppresses reduction in the breakdown strength with passage of time and reduction in on-current with time, satisfies the required life time for the device and has a high reliability passivation film.例文帳に追加

腐食を防止し、経時的な耐圧低下とオン電流低下を抑制し、前記の要求寿命を満足する、高い信頼性のパッシベーション膜を有する半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an organic EL element capable of achieving excellent color reproducibility of the organic EL element by virtue of excellent transparency of a passivation layer.例文帳に追加

本発明の目的は、パッシベーション層の透明性が良好であることに起因して、有機ＥＬ素子の優れた色再現性が実現可能な、有機ＥＬ素子の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

In the polyimide layer 6, a via hole 7 that penetrates in a thickness direction thereof is formed at a position opposite to a part exposed from the passivation film 4 through the aperture 5 in the wiring 3.例文帳に追加

ポリイミド層６には、配線３における開口５を介してパッシベーション膜４から露出する部分と対向する位置に、それを厚さ方向に貫通する貫通孔７が形成されている。 - 特許庁

Etching treatment is performed with a chromium acid-free aqueous solution composed of ethylene diamine tetraacetic acid (ETDA-2Na) and water, and, passivation and Zn substitution plating are performed, and successively, tinning is performed.例文帳に追加

エチレンジアミン四酢酸２ナトリウム（ＥＤＴＡ−２Ｎａ）と水からなるクロム酸フリー水溶液によるエッチング処理を行った後、不働態化処理、Ｚｎの置換めっきを行い、引続いてすずめっきを行なう。 - 特許庁

To provide a method for forming a dense passivation film reduced in grain boundaries in order to prevent the infiltration and permeation of tritium in equipment and piping dealing with tritium.例文帳に追加

本発明はトリチウム取扱い機器及び配管におけるトリチウムの浸透並びに透過の防止のために緻密で結晶粒界の少ない不動体膜の形成方法を見出すことを課題とする。 - 特許庁

A method for forming a film for simultaneously satisfying passivation effect and reflection preventing effect is provided by a low temperature and inexpensive device by using a silicon compound material and a nitrogen radical.例文帳に追加

シリコン化合物材料と窒素ラジカルを用いることにより、低温で、かつ安価な装置により、パッシベーション効果と反射防止効果を同時に満足する膜を形成する方法が提供される。 - 特許庁

The manufacturing method of the metal separator for the fuel cell having intercalated conductive materials in a metal texture is provided with a process of injecting a passivation treatment liquid mixed with an abrasive on the separator.例文帳に追加

金属組織中に導電性介在物を有する燃料電池用金属製セパレータの製造方法において、研磨材を混合した不動態化処理液を前記セパレータに噴射する工程を備える。 - 特許庁

The contact electrode 17 is connected to one end of a second wiring electrode 45 through a contact hole 19a bored in the passivation film 19, and the second pad electrode 33 is connected to the other end of the second wiring electrode 45.例文帳に追加

第２配線電極４５は、その一端がパッシベーション膜１９に形成されたコンタクトホール１９ａを通してコンタクト電極１７に接続され、その他端が第２パッド電極３３に接続される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a p-type GaN semiconductor for stably activating a p-type impurities to reduce the contact resistance while hydrogen passivation is prevented.例文帳に追加

水素パッシベーションを防ぎつつ接触抵抗を低減するために、ｐ型不純物の活性化処理を安定的に行うことができるｐ型ＧａＮ系半導体の製造方法を提供すること。 - 特許庁

When manufacturing the TFT substrate 1, as processing for reducing the resistance of the auxiliary capacitor semiconductor layer 17, plasma processing is performed after forming a passivation layer 20 and before forming a pixel electrode 21.例文帳に追加

ＴＦＴ基板１を製造するときには、補助容量半導体層１７を低抵抗化する処理として、パシベーション層２０を形成した後で絵素電極２１を形成する前にプラズマ処理を行う。 - 特許庁

Negative fixed charges are introduced into a passivation film 23 covering the surface of a substrate 10 to surround a Schottky electrode 11 provided on an SiC substrate 10 of n-type semiconductor.例文帳に追加

ｎ型半導体であるＳｉＣ基板１０上に設けられたショットキー電極１１を取り囲むように、基板１０表面を被覆するパッシベーション膜２３の中に負の固定電荷を導入する。 - 特許庁

In this method, at least one chemosensitive electrode is covered with a glass layer or glass ceramic layer applied for passivation of any semiconductor structural element having the above one chemosensitive electrode.例文帳に追加

少なくとも１つの化学的感受性の電極を有する半導体構成素子の不動態化のために、少なくとも、該化学的感受性の電極を、ガラス層もしくはガラスセラミック層の施与によって覆い隠す。 - 特許庁

To provide a semiconductor element which is equipped with a capacitor equipped with metallic wiring capable of effectively preventing the hydrogen produced from a passivation process from being diffused into the capacitor, and its manufacturing method.例文帳に追加

パッシベーション工程から発生された水素がキャパシタ内部に拡散されることを効果的に防止し得る金属配線を備えるキャパシタを備えた半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A conductive particle 4 is connected by metallic bond with an electrode pad 2 of the bumpless IC chip, equipped with the electrode pad 2 on its surface and a passivation film 3 around the pad 2.例文帳に追加

表面に電極パッド２が設けられ、電極パッド２の周囲にはパッシベーション膜３が設けられているバンプレスＩＣチップの当該電極パッド２に、導電性粒子４を金属結合により接続する。 - 特許庁

In this bipolar junction transistor, an epitaxial silicon carbide passivation layer 350 of the first conductivity type is provided on at least a portion of the epitaxial silicon carbide base layer 320 outside the silicon carbide emitter mesa.例文帳に追加

本発明に係るバイポーラ接合トランジスタでは、第１の導電型のエピタキシャル炭化ケイ素保護層が、炭化ケイ素エミッタメサの外側にあるエピタキシャル炭化ケイ素ベース層の少なくとも一部に設けられる。 - 特許庁

An organic EL element 220 is made by laminating transparent electrodes 222, organic EL layers 224, and reflecting electrodes 226 in that order on the surface of a passivation film 209 covering the 1/4 wavelength plate 207.例文帳に追加

有機ＥＬ素子２２０は、１／４波長板２０７を覆うパッシベーション膜２０９の表面に、透明電極２２２、有機ＥＬ層２２４および反射電極２２６をこの順番で積層してなる。 - 特許庁

Preferably, the combination of metal materials is a metal alloy which contains a first component capable of forming a protective passivation coating, and a second component capable of securing sufficient corrosion of the alloy.例文帳に追加

好ましくは、該金属材料の組み合わせは金属合金であり、該金属合金は、保護不動態化被覆を形成する第１の成分、および該合金の十分な腐食を確実にする第２の成分を含む。 - 特許庁

To provide a measuring method of the re-coupling life time of a semiconductor wafer, which can use an ordinary measuring apparatus without a modification and can also use chemical passivation to use a sample which can be moved automatically.例文帳に追加

一般的な測定装置を改造せずに使用でき、かつ、自動移載可能な試料を使用するケミカルパッシベーションを用いた半導体ウェーハの再結合ライフタイムの測定方法を提供する。 - 特許庁

The organic EL element 24 is covered with a passivation film 28 having light-transmitting property in a state covering the whole surface on the side of the first electrode 26 in such a manner that the organic EL layer 25 does not contact with the outside air.例文帳に追加

有機ＥＬ素子２４は、第１電極２６側の全面が覆われる状態で、有機ＥＬ層２５が外気と接しないように、光透過性を有するパッシベーション膜２８で被覆されている。 - 特許庁

To provide means for improving the arrangement density of pads and preventing missing of a passivation film, using a probe which is used in electrical testing, in a method of manufacturing a pad and a semiconductor device.例文帳に追加

パッドと半導体装置の製造方法において、パッドの配置密度を向上させると共に、電気的試験で使用されるプローブによってパシベーション膜が欠損するのを防止する手段の提供。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor element comprises the steps of introducing a material gas between facing electrodes under a pressure near atmospheric pressure, in the case of forming the interlayer insulating film and/or the passivation film of the element, applying a pulse-like electric field between the opposed electrodes, thereby generating the glow discharge plasma in the material gas, and forming the interlayer insulating film and/or the passivation film.例文帳に追加

半導体素子における層間絶縁膜及び／又はパシベーション膜のプラズマＣＶＤ法による形成において、大気圧近傍の圧力下で対向電極間に原料ガスを導入し、該対向電極間にパルス状の電界を印加することにより、原料ガスをグロー放電プラズマ化させ、層間絶縁膜及び／又はパシベーション膜の形成を行うことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 特許庁

A connection hole 10 of a rectangular cross-section is provided so as to pass through a gate insulating film 4 and a passivation film 8 and to expose ends of the gate wiring 5b and the source/drain electrode line 7.例文帳に追加

接続孔１０は、断面矩形状であり、ゲート絶縁膜４およびパッシベーション膜８を貫通しゲート配線５ｂおよびソース／ドレイン電極線７それぞれの端部を露出させるように、１個が設けられている。 - 特許庁

The sealing resin layer 5 covers the whole of the surfaces of the passivation film 2, the stress relaxation layer 3, and the re-wiring 4, and makes a detour from the surfaces to a side face to fill the whole of the groove 11 at the semiconductor chip 1.例文帳に追加

封止樹脂層５は、パッシベーション膜２、応力緩和層３および再配線４の表面を覆い尽くし、さらに、これらの表面から側面に回り込み、半導体チップ１の溝１１を埋め尽くしている。 - 特許庁

The third passivation film 45 prevents an alkaline metal in the EL element 203 from being diffused toward a TFT(thin-film transistor), and prevents water and oxygen from invading from the TFT side into the EL element 203.例文帳に追加

また、この第３パッシベーション膜４５はＥＬ素子２０３中のアルカリ金属がＴＦＴ側へ拡散するのを防ぎ、さらにＴＦＴ側から水分や酸素がＥＬ素子２０３中へ侵入するのを防ぐ。 - 特許庁

Wiring 30 is formed so that it passes an area on the second resin layer 22 at the upper portion of the passivation film 16 from an area on the electrode 14 and reaches an area on the second resin layer 22 at the upper portion of the first resin layer 20.例文帳に追加

電極１４上から、パッシベーション膜１６の上方であって第２の樹脂層２２上を通って、第１の樹脂層２０の上方であって第２の樹脂層２２上に至るように配線３０を形成する。 - 特許庁

The protection film 15 of a resin system is formed from an external side of the protrusion 141 by the peripheral edge of the electrode pad 12 to a region on the inner side of the protrusion 142 by the guard ring 13 on the passivation film 14.例文帳に追加

パッシベーション膜１４上において、樹脂系の保護膜１５が電極パッド１２周縁による隆起部１４１の外側からガードリング１３による隆起部１４２の内側の領域にわたって形成されている。 - 特許庁

To provide a method of forming a gold bump or a gold wiring by which the difference of level of gold plating caused by a passivation film having an uneven film thickness is suppressed to form the gold bump or the gold wiring of a flat gold coating film.例文帳に追加

不均一な膜厚のパッシベーション膜に起因して生じる金めっきの段差を抑制して平坦な金皮膜の金バンプ又は金配線を形成できる金バンプ又は金配線の形成方法を提供する。 - 特許庁

To create an SiO_2 film and/or an SiN film satisfying diffusion control properties and passivation properties in a deposition method that creates the SiO_2 film and/or the SiN film patterned on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上にパターニングされたＳｉＯ_2膜および／もしくはＳｉN膜を生成する製膜方法において、拡散制御性能、またはパッシベーション性能を満たすＳｉＯ_2膜および／もしくはＳｉN膜を生成する。 - 特許庁

To provide a TAB(tape automated bonding) tape and a COF tape which improve reliability at ILB(inner lead bonding) mounting, a semiconductor device and the manufacture method by preventing the occurrence of cracks in a passivation film.例文帳に追加

パッシベーション膜へのクラックの発生を防止することにより、ＩＬＢ実装時の信頼性を向上させることが可能なＴＡＢテープ、ＣＯＦ用テープ、半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a planar photothyristor chip of such a passivation structure as an oxygen doped semi-insulating polysilicon film is deposited on a silicon oxide film in which the oxygen doped semi-insulating polysilicon film is prevented from being divided by overetching.例文帳に追加

酸化シリコン膜上に酸素ドープ半絶縁性多結晶シリコン膜を堆積したパシベーション構造のプレーナ型フォトサイリスタチップにおいて、酸素ドープ半絶縁性多結晶シリコン膜のオーバーエッチングによる分断を防止する。 - 特許庁

To provide a plating device where the passivation of an anode electrode can be prevented, and the reduction of current efficiency and the reduction of the film deposition rate in a plating film can be prevented; and to provide a method for producing a semiconductor device.例文帳に追加

アノード電極の不動態化を防止することができ、電流効率の低下およびめっき皮膜の成膜速度の低下を防止することができるめっき装置および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

By this structure, the step width of a recessed region on the surface of the passivation film 29 is relieved, a local increase in the thickness of a bonding resin 3 is prevented, and abnormal bonding resin appearance due to thermal stress is prevented.例文帳に追加

この構造により、パッシベーション膜２９表面の窪み領域の段差幅が緩和され、接着樹脂３が局所的に厚くなることを防止し、熱応力による接着樹脂の外観異常が防止される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a wiring structure which is easy to be manufactured and excellent in insulation and equipped with a passivation structure with a flat top surface (surface), is formed at a low cost and in a short lead time, and a wiring structure with small wiring resistance and high bonding tolerance.例文帳に追加

製造が容易でかつ絶縁性に優れ、平坦な上面（表面）を持つパッシベーション構造を備えた配線構造を、低コストかつ短リードタイムで形成する、半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide an organic EL element having an upper electrode with a passivation property which does not exert any bad effect on other required properties of the element, and a method capable of easily manufacturing the element.例文帳に追加

素子の他の所望される特性に悪影響を与えることなく、パッシベーション性が付与された上部電極を具えた有機ＥＬ発光素子、および該素子を簡便に作製することができる方法の提供。 - 特許庁

On a rear surface 2b of a thin silicon substrate 2, a light shielding film 5 composed of a metal or an alloy with a thermal expansion coefficient nearly equal to that of the passivation film 6 formed on a circuit forming surface is formed.例文帳に追加

薄型のシリコン基板２の裏面２ｂに、回路形成面に形成されているパッシベーション膜６の熱膨張係数とほぼ同じ熱膨張係数を有する金属あるいは合金からなる遮光膜５を形成する。 - 特許庁