「Passivation」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an epoxy resin composition which is excellent in moldability, resistance to passivation cracking, resistance to temperature cycle, resistance to solder cracking, is suitable for sealing microscopically wired semiconductor elements, and also is suitable for sealing small and thin packages for surface packaging.例文帳に追加

成形性、耐パッシベーションクラック性、耐温度サイクル性、耐半田クラック性に優れ、微細配線半導体素子の封止用に適し、且つ表面実装用の小型・薄型パッケージの封止に適したエポキシ樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device equipped with a hydrogen diffusion preventing film, which is composed of an oxidized aluminium film, capable of effectively preventing the diffusion of hydrogen generated in a passivation process inside a capacitor, and a production method therefor.例文帳に追加

パッシべーション工程で発生する水素がキャパシタ内部に拡散されることを効果的に防止することのできる酸化アルミニウム膜からなる水素拡散防止膜を備えた半導体メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a dry etching method wherein reproducibility of etching rate is good and execution is enabled by small man day and low cost in a dry etching method in which a semiconductor substrate is etched perpendicularly by alternately changing etching gas and passivation formation gas.例文帳に追加

エッチングガスと保護膜形成ガスを交互に切り替えて、半導体基板を垂直方向にエッチングするドライエッチング方法において、エッチングレートの再現性が良く、小さな工数と低コストで実施できるドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

Then flanks of the low-dielectric-constant film-wiring laminated structure part 3 and the passivation film 8 inside the groove 6 are covered with a protection film 10 made of polyimide-based resin etc., provided in the above the groove 6.例文帳に追加

そして、溝６の内側における低誘電率膜配線積層構造部３およびパッシベーション膜８の側面は、溝６内およびその上方に設けられたポリイミド系樹脂等からなる保護膜１０によって覆われている。 - 特許庁

The semiconductor device 100 comprises a pad member 11 having an electric connection region 15, passivation layer 12 formed around the electric connection region 15, and a bump electrode 20 formed on the pad member 11.例文帳に追加

本発明の半導体装置１００は、電気的接続領域１５を有するパッド部材１１と、電気的接続領域１５の周囲部に形成されたパッシベーション層１２と、パッド部材１１上に形成されたバンプ電極２０とを含む。 - 特許庁

That is, all the elements of the solid-state imaging element 1, including a color filter film 110 and lens films 109, 111 as well as insulation films 103, 105, 108 and a passivation film 107, are constituted of the inorganic materials.例文帳に追加

即ち、固体撮像素子１では、絶縁膜１０３、１０５、１０８およびパッシベーション膜１０７等は勿論、カラーフィルタ膜１１０およびレンズ膜１０９、１１１を含めた全ての要素が無機材料から構成されている。 - 特許庁

Electric elements of high quality (e.g. inductor, capacitor or resistor) are formed on a passivation layer 18 or a surface of a thick polymer layer 20.例文帳に追加

本発明は、高品質の電気素子（例えばインダクター、コンデンサ、または抵抗器）をパッシベーション層１８の上にまたは厚いポリマー層２０の表面上にさらに作製することによって、本一部継続出願の特許請求の範囲を拡大している。 - 特許庁

A basket 4 made of a titanium material which can be uniformly energized so as to use numerous objects 1 to be decontaminated as anodes and is given a passivation treatment is used in an electrolytic cell 2, and cathodes 5 and 6 are set up on the outer periphery including the bottom and an upper part of the objects 1 to be decontaminated.例文帳に追加

電解槽２は、多数個の被除染体１を陽極とするために均等通電できる不動態化処理したチタン材のバスケット４を用い、陰極５，６は、被除染体の底部，上部を含む外周部に設置する。 - 特許庁

A large number of holes 24 are made by etching in the central part of a transistor of a passivation film 22 on the drain electrode D and the source electrode S of an output transistor formed with an ordinary thickness by LSI fabrication process and a highly conductive metal film 25 of gold or aluminum is deposited on the entire surface thereof.例文帳に追加

ＬＳＩ製造工程で通常の薄さに作成された出力トランジスタのドレインの電極Ｄとソースの電極Ｓの上のパシベーション膜２２のトランジスタの中央部位置にエッチングにより多数の孔２４を設ける。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device wherein a gap to be generated on a passivation film at an end portion of an aluminum wiring can be restrained without enlarging a distance from a contact hole to an oxide film or a conducting film unnecessarily.例文帳に追加

コンタクトホールから酸化膜あるいは導電膜までの間隔を必要以上に広げることなく、アルミニウム配線端のパッシベーション膜に発生する空隙を抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Passivation films 18a, 18b made of insulating films of silicon nitride, silicon oxide nitride or the like are laminated so as to cover a light-emitting element, and a stress relaxing film containing a vinyl polymer (hereinafter called as a stress relaxing film) 18p is laid between.例文帳に追加

本発明は、発光素子を覆って窒化珪素や窒化酸化珪素などの絶縁膜からなるパッシベーション膜１８ａ、１８ｂを積層し、その間にビニルポリマーを含む応力緩和膜（以下、応力緩和膜と呼ぶ）１８ｐを設ける。 - 特許庁

To provide an active matrix substrate which can improve the pixel opening rate of a lateral electric field type active matrix substrate and suppress display of a circular stain due to a pinhole formed in a passivation film on a gate line.例文帳に追加

横電界方式のアクティブマトリクス基板の画素開口率を向上し、かつゲート線上のパッシベーション膜に発生するピンホールに起因する円形状シミの表示を抑制することができるアクティブマトリクス基板を提供する。 - 特許庁

On the passivation film 17, a shading color filter layer 18 covering a depleted layer 20 generated in a junction part among a source 12S, a drain 12D and a channel 12C in the active layer 12 of the pixel selection transistor TR1 is formed.例文帳に追加

パッシベーション膜１７上には、画素選択トランジスタＴＲ１の能動層１２内のソース１２Ｓ、ドレイン１２Ｄとチャネル１２Ｃの接合部に生じる空乏層２０覆う、遮光用のカラーフィルタ層１８が形成されている。 - 特許庁

Subsequently, when a film layer is deposited on a substrate by subjecting the substrate to the one or the plurality kinds of precursors, at least one of which has a low vapor pressure, uniformity and reproducibility is improved by the passivation layer.例文帳に追加

続いて、基板を少なくとも１種が低蒸気圧を有する１種または複数種の前駆物質にさらすことによって膜層が基板上に堆積される場合、パッシベーション層によって均一性と再現性が改良される。 - 特許庁

An integrated circuit device is provided with the ferroelectric material positioned between a first metal electrode and a second metal electrode and a passivation layer containing a titanium doped aluminum oxide positioned on the first metal electrode.例文帳に追加

本発明による集積回路デバイスは、第１の金属電極と第２の金属電極との間に位置する強誘電体材料と、第１の金属電極上に位置する、チタンドープトアルミニウム酸化物を含むパッシベーション層とを備える。 - 特許庁

A semiconductor substrate 10 is prepared at first that is comprised of integrated circuits 12, and is provided with a plurality of aluminum electrodes 14 and a passivation film 16 having an opening 18 exposing the central part 15 of the respective aluminum electrodes 14.例文帳に追加

集積回路１２が形成されてなり、複数のアルミニウム電極１４とそれぞれのアルミニウム電極１４の中央部１５を露出させる開口１８を有するパッシベーション膜１６とを有する半導体基板１０を用意する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and an organic EL element wherein a high-performance passivation film is formed of a compound out of aromatic compounds containing halogen from which a film having a superior water and oxygen shielding capability can be formed after polymerization.例文帳に追加

含ハロゲン芳香族化合物のうち、重合後に水分や酸素の遮断性に優れた膜を形成することのできる化合物を見出して、高性能なパッシベーション膜を備えた半導体装置および有機ＥＬ素子を提供する。 - 特許庁

In the thermal ink jet printer, a print head having a high density ink drop generator is realized using split heater resistors, a thin film passivation layer, and low heater resistor actuation energy.例文帳に追加

本発明の一実施例によれば、分割されたヒータ抵抗器と、薄膜パッシベーション層と、低ヒータ抵抗器起動エネルギーとを用いて高密度のインク滴発生器を有するプリントヘッドが実現された熱インクジェット印刷装置が提供される。 - 特許庁

To provide an organic light emitting display and a deposition method for depositing an electrode or a passivation layer by means of a box cathode sputtering method or a facing target sputtering method by mixing Ar with an inert gas heavier than Ar.例文帳に追加

Ａｒよりさらに重い非活性ガスをＡｒと混合してボックスカソードスパッタリング(Box Cathode Sputtering)あるいは対向ターゲットスパッタリング（Facing Target Sputtering法で電極またはペッシベーション層を蒸着させた有機発光表示装置及び蒸着方法を提供する。 - 特許庁

In the organic flattened layer, a recessed or protruded discontinuous portion for dividing a region including a light-emitting area and a region including an external connection terminal is formed, and the discontinuous portion is covered with the passivation layer.例文帳に追加

前記有機平坦化層には、発光エリアを含む領域と外部接続端子を含む領域とを区画する凹部又は凸部の不連続部が形成されており、前記不連続部はパッシベーション層で覆われていることを特徴とする。 - 特許庁

The liquid crystal display device is provided with a spacer pole 100 for maintaining the gap of a liquid crystal layer and a recessed part adjusted to the spacer pole 100 and the recessed part is formed by removing a part of an interlayer insulating film 10 and a part of a passivation film 22.例文帳に追加

本発明による液晶表示装置は、液晶層のギャップを保持するスペーサ支柱（100）と、スペーサ支柱（100）の下部が整合する凹部を備え、凹部は、層間絶縁膜（１０）及びパッシベーション膜（２２）の一部を除去して形成される。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a thin film transistor, capable of reducing etching defects generated at the time of opening a part of a passivation film by optimizing manufacture conditions, after removing fluorine stuck to the back channel part of the thin film transistor, until forming the passivation film covering the back channel part.例文帳に追加

オフリーク特性悪化の原因となるバックチャネル部に付着しているフッ素を除去するために、バックチャネル部に対して水素プラズマを用いた低プラズマ密度処理を行うと、バックチャネル部を覆う窒化膜が、下地膜との界面においてＳｉ−Ｈ結合が増加した膜質となり、特に、窒化膜の下にＩＴＯ膜が在って、ＩＴＯ膜上の窒化膜に開口部を形成する場合には、バッファード弗酸（ＢＨＦ）によるエッチングで窒化膜が逆テーパー状にエッチングされるエッチング異常（開口部の外観不良）が生じる。 - 特許庁

A method for manufacturing the integrated circuit device including a ferroelectric structure having the passivation layer includes a process for providing a deposition chamber, a process for providing the ferroelectric structure including the ferroelectric material positioned between an upper electrode and a lower electrode to the deposition chamber, a process for providing aluminum and titanium to the deposition chamber, and a process for forming titanium doped aluminum oxide passivation layer on the upper electrode.例文帳に追加

また、本発明によるパッシベーション層を有する強誘電体構造を含む集積回路デバイスを製造する方法は、堆積チャンバを提供する工程と、上部電極と下部電極との間に位置する強誘電体材料を含む強誘電体構造を堆積チャンバに提供する工程と、堆積チャンバにアルミニウムとチタンとを提供する工程と、アルミニウムおよびチタンをスパッタリングして、上部電極上にチタンドープトアルミニウム酸化物パッシベーション層を形成する工程とを包含する。 - 特許庁

The conductive route may include patterned holes formed in a dielectric passivation layer 202B, a conductive anti-reflection coating, or a layer of conductive material formed on the surface or the rear surface of the anti-reflection coating.例文帳に追加

前記導電性経路は、例えば、誘電性パッシベーション層202B内のパターン形成された正孔か、導電性反射防止コーティングか、或いは反射防止コーティングの表面上か又は裏面上に形成された導電性材料の層を含むことができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a display device, which enables a display panel in which a protective film is formed on an electrode layer of a light-emitting element, to have an improved passivation based on the protective film while suppressing the occurrence of interlayer peeling and cracks of the electrode layer.例文帳に追加

発光素子の電極層上に保護膜が形成された表示パネルにおいて、保護膜によるパッシベーション性を向上させつつ、電極層の層間剥離やクラックの発生を抑制することができる表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

At the formation of an HBT and an MIM capacitor using a III-V compound semiconductor on the same semiconductor substrate, an MIM capacitor is formed by using the contact electrode and a passivation film of the HBT, so that the HBT and the capacitor can be prepared at the same time.例文帳に追加

III−Ｖ族化合物半導体を用いたＨＢＴとＭＩＭキャパシタを同一半導体基板上に形成する場合に、ＨＢＴのコンタクト電極とパッシベーション膜を用いて、ＭＩＭキャパシタを形成し、ＨＢＴとキャパシタを同時に作製する。 - 特許庁

A third passivation film 45 is installed under an EL element 203 consisting of a picture element electrode (positive electrode) 46, an EL layer 47, and a negative electrode 48, and prevents alkaline metal in the EL element 203 formed by ink-jet printing from diffusing to the TFT side.例文帳に追加

画素電極（陽極）４６、ＥＬ層４７及び陰極４８でなるＥＬ素子２０３の下には第３パッシベーション膜４５が設けられ、インクジェット方式で形成されたＥＬ素子２０３中のアルカリ金属がＴＦＴ側へ拡散するのを防ぐ。 - 特許庁

Moreover, since the plated layer 5 covering the pad electrode 4 has no portion which extremely becomes thin, the pad electrode 4 is protected by the plated layer 5, even if substances permeate from the passivation film 9 as a generation source such as water, chemical and the like leading to erosion.例文帳に追加

また、パッド電極４を被覆するメッキ層５が極端に薄くなる部位がないので、腐食の原因となる水、薬液等の物質がパッシベーション膜９から浸入したとしても、パッド電極４はメッキ層５によって保護される。 - 特許庁

Since an interlayer film 3 is formed in such a way that it covers the proximity of a scribe line 10, the surface of a silicon wafer 2 is not damaged by anisotropic etching for forming aluminum wiring 4 and passivation films 5a and 5b during manufacturing operations.例文帳に追加

層間膜３はスクライブライン１０近傍を覆って形成されているため、製造工程において、アルミ配線４やパッシベーション膜５ａ、５ｂを形成するための異方性エッチングによってシリコンウエハー２表面がダメージを受けることがない。 - 特許庁

To provide a lead acid storage battery made of lead-calcium based lead alloy in which passivation in the interface of the lattice and active material is suppressed, softening of the active material is suppressed, and capacity recoverability after leaving standing for a long period is improved.例文帳に追加

鉛−カルシウム系鉛合金から成る鉛蓄電池において、格子−活物質界面の不動体化を抑制すると共に活物質の軟化を抑制し、且つ長期放置後の容量回復性を向上する鉛蓄電池を提供する。 - 特許庁

And an insulating film 22 extending on the main surface of the semiconductor chip along the main surface 20a and the side surface 20b of the passivation film is formed so that a second region 35 along the end of the main surface out of the first region remains.例文帳に追加

そして、このパッシベーション膜の主表面２０ａ及び側面２０ｂに沿って半導体チップの主表面上へと延在し、かつ第１の領域のうち主表面の端に沿う第２の領域３５が残存するように、絶縁膜２２を形成する。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescent device with a top emission structure, capable of eliminating complication of processes and an increase of a cost by improving passivation performance of an upper electrode, and also capable of improving freedom of a design, without making a sealing film thicker than required.例文帳に追加

封止膜を必要以上に厚くしなくても、上部電極のパッシベーション性能を向上させて工程の複雑化やコストの増大を解消できるとともに、設計の自由度を向上できるトップエミッション構造の有機ＥＬ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a fringe field type liquid crystal display panel that can increase an aperture ratio of a pixel area by forming a common electrode on a passivation film to overlap a data line, and to provide a manufacturing method of the panel.例文帳に追加

本発明は、保護膜上に形成される共通電極をデータラインと重畳するように形成することによって、画素領域の開口率を増加させることのできるフリンジフィールド型液晶表示パネル及びその製造方法に関する。 - 特許庁

The thin-film transistor comprises an electrode 105b for contact formed on the same layer as a gate electrode 105a, a passivation film 109 formed on the drain electrode, and a contact hole 109b extended from the uppermost surface of a flattening film 110 to the electrode for contact.例文帳に追加

ゲート電極１０５ａと同層に形成されたコンタクト用電極１０５ｂと、ドレイン電極上に設けられたパッシベーション膜１０９および平坦化膜１１０の最上面からコンタクト用電極に達するコンタクト用穴１０９ｂとを有する。 - 特許庁

The assembly portion is formed with at least one metal layer disposed on the substrate about a front surface region thereof, and at least one passivation layer formed to extend over the metal layer.例文帳に追加

前記アセンブリ部は、基板の上部の表面領域に周りの基板上に配置された少なくとも１つの第１の金属層、および、前記第１の金属層上に延長されるように形成された少なくとも１つのパッシベーション層から構成される。 - 特許庁

The electrode pad PAD is essentially an aluminum layer 11 connected to an inside conductive region, is formed on an interlayer insulation film 10 such as an SiO_2 film, and is so structured as to be exposed in an opening of a passivation film 12 formed in the most upper layer.例文帳に追加

電極パッドＰＡＤは、内部の導電領域と接続される実質的なアルミニウム層１１で、ＳｉＯ_2膜などの層間絶縁膜１０上に形成され、最上層のパッシベーション膜１２の開口部に露出するように構成されている。 - 特許庁

An element surface electrode 27 is formed on the interlayer insulating film 13, and a passivation film 15 having an opening 30 opened in part of the element surface electrode 27 is formed on the element surface electrode 27 and on the interlayer insulating film 13.例文帳に追加

層間絶縁膜１３上に素子面電極２７が形成され、素子面電極２７上及び層間絶縁膜１３上に、素子面電極２７の一部分が開口された開口部３０を有するパッシベーション膜１５が形成されている。 - 特許庁

In the liquid crystal display device, the common electrode 110 is formed on an organic passivation film 109 in a matted manner in plane, the interlayer insulation film 111 is formed on the common electrode 110, and a comb-teeth-shaped pixel electrode 112 is formed on the interlayer insulating film 111.例文帳に追加

有機パッシベーション膜１０９の上に平面ベタでコモン電極１１０が形成され、コモン電極１１０の上に層間絶縁膜１１１が形成され、層間絶縁膜１１１の上に櫛歯状の画素電極１１２が形成されている。 - 特許庁

Using a combination of a photoresist 4 and a resistive nitride film 3 containing the same components that are in a resistive nitride film having field plate effect and passivation effect as a mask realizes the reduction of the thickness of the photoresist 4 and the processing of Al wiring with high accuracy.例文帳に追加

フィールドプレート効果とパッシベーション効果がある抵抗性窒化膜と同一組成の抵抗性窒化膜３とフォトレジスト４を組み合わせてマスクとして使用することで、フォトレジスト４の厚さを薄くできて、高精度のＡｌ配線加工ができる。 - 特許庁

Also, by thermally treating the solid-state imaging device at or higher than 400°C, hydrogen atoms in the USG film and having the passivation film discharged and bonded with dangling bonds on the surface of the Si semiconductor substrate surface, the dark current is reduced.例文帳に追加

また、この固体撮像装置を４００℃以上で熱処理することにより、ＵＳＧ膜およびパッシベーション膜中の水素原子を放出させ、Ｓｉ半導体基板表面の未不結合手と結合することにより、暗時電流を低減する。 - 特許庁

To provide a display device and its manufacturing method having a panel structure which improves a passivation property to an external environment without generating a crack and delamination of an upper electrode of an organic EL element arranged on a display panel.例文帳に追加

表示パネルに配列された有機ＥＬ素子の上部電極においてクラックや層間剥離を生じることなく、かつ、外部環境に対するパッシベーション性を向上させたパネル構造を有する表示装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Wiring 11 composed of aluminum (Al) and a passivation film 12 composed of silicon nitride (P-SiN) are formed on the electrode on a semiconductor substrate 10 composed of silicon (Si), and a barrier layer 13 composed of e.g. titanium (Ti) is formed on the surface thereof.例文帳に追加

シリコン（Ｓｉ）からなる半導体基板１０上の電極部に、アルミニウム（Ａｌ）からなる配線１１と窒化シリコン（Ｐ−ＳｉＮ）からなるパッシベーション膜１２とをそれぞれ形成し、その表面には、例えばチタン（Ｔｉ）からなるバリア層１３を形成する。 - 特許庁

The polymer can be employed in place of conventional passivation so that a thin layer of low permittivity can be provided between an object touching the physical interface and a capacitive detection circuit existing beneath the polymer.例文帳に追加

該ポリマーは従来のパッシベーションの代わりに使用することが可能であり、それにより該物理的インターフェースにタッチする物体と該ポリマーの下側に存在する容量性検知回路との間に薄く低い誘電率の層を設けることを可能としている。 - 特許庁

In a semiconductor chip 10, an integrated circuit 12 is formed, a plurality of electrodes 14 are connected with the integrated circuit 12, and a passivation film 16 is formed to expose at least a part of each electrode 14.例文帳に追加

半導体チップ１０は、集積回路１２が形成され、集積回路１２に電気的に接続された複数の電極１４を有し、それぞれの電極１４の少なくとも一部が露出するようにパッシベーション膜１６が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor laser is a quantum well type semiconductor laser impressed with a tension strain in an active layer, and is formed by cutting an outside of an optical waveguide area by etching, and by film-forming both sides thereof by an insulating passivation film.例文帳に追加

活性層に引張り歪を印加した量子井戸型半導体レーザであって、光導波路領域の外側をエッチングにより切り出し、その両側を、絶縁性のパッシベーション膜で成膜することによって形成される量子井戸型半導体レーザ。 - 特許庁