「Passivation」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

In addition, at least one of the first insulating film 16 and the passivation film 34 is a film mainly composed of SiON, a film mainly composed of Sin, or a laminated film of these, and the interlayer dielectrics 19, 23, 27 are films of low dielectric constant.例文帳に追加

そして、前記第１の絶縁膜１６、パッシベーション膜３４の少なくとも一方はＳｉＯＮを主とする膜、若しくはＳｉＮを主とする膜、又はこれらの積層膜であり、前記層間絶縁膜１９、２３、２７は低誘電率膜である。 - 特許庁

A semiconductor device, where the gold bump electrode 56 is formed on a pad part 53 formed above a semiconductor substrate 21, is characterized in that the gold bump electrode 56 is formed more inward than an opening of a passivation film 52.例文帳に追加

半導体基板２１上に形成されたパッド部５３上に金バンプ電極５６が形成されて成る半導体装置において、前記金バンプ電極５６がパッシベーション膜５２の開口部よりも内側に形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

To prevent a missing article from being produced from a removal surface when parts corresponding to a dicing street among a layered structure of a low-permittivity film and wiring formed on a semiconductor wafer, and a passivation film are removed by irradiation of a laser beam.例文帳に追加

半導体ウエハ上に形成された低誘電率膜と配線との積層構造およびパッシベーション膜のうち、ダイシングストリートに対応する部分をレーザビームの照射により除去したとき、それらの除去面から欠落物が生じにくいようにする。 - 特許庁

To easily form a passivation film on upper electrodes by a generally used and easily applicable method in a surface-shape recognition sensor provided with openings on the upper electrodes for easily forming hollow structures.例文帳に追加

上部電極に開口部を備えることで容易に中空構造を形成できるようにした表面形状認識用センサにおいて、一般的に用いられている適用しやすい方法で、上部電極上により容易に保護膜が形成できるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of accurately performing electric test that is conducted by abutting a conductive needle against a conductive pad, while preventing damaging a passivation film, and to provide a semiconductor wafer structure, and a semiconductor manufacturing method.例文帳に追加

パッシベーション膜の損傷を防ぎつつ、導電性パッドに導電性の針を当接させて行われる電気的な試験を正確に行うことが可能な半導体装置、半導体ウエハ構造、及び半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of effectively relaxing stress by the heat-shrinking of a package applied to a wiring layer of multi-layer structure and preventing the occurrence of a crack of a passivation film which is a film to protect a chip, or the like.例文帳に追加

本発明の課題は、多層構造の配線層に加わるパッケージの熱収縮による応力を効果的に緩和し、チップの保護膜であるパッシベーション膜のクラックの発生などを防止できる半導体装置を提供することである。 - 特許庁

To prevent the occurrence of a defective semiconductor chip caused in an overlapping TCP semiconductor device due to the break of a passivation film or oxidized film, by reducing the stress in the curing stage of a potting resin and applied to the main surface of the chip.例文帳に追加

オーバーラップ型ＴＣＰ半導体装置において、ポッティング樹脂のキュアの段階で発生する半導体チップ主面への応力を低減し、これによってパッシベーション膜や酸化膜が破壊されることによるチップの不良を防止する。 - 特許庁

A potential is applied while a etching target part of a metal surface is brought into contact with an electrolyte, and the potential is swept upwardly from a natural potential 1 to a return point of an optional value exceeding a passivation potential 2 to form a passive film in the etching target part.例文帳に追加

金属表面の腐食対象部位を電解液に接しさせて電位を加え、該電位を自然電位(1)から不動態化電位(2)を超えた任意値の折り返し点(R)まで上昇方向に掃引し、腐食対象部位に不動態皮膜を形成する。 - 特許庁

A first shielding part 16 being a gap which has an opening on the surface of a passivation film 15 and is formed in a groove shape reaching an embedded oxide film 11b is arranged in a region between an LDMOS 12 and a CMOS 13 of an element forming substrate 11c.例文帳に追加

素子形成基板１１ｃのＬＤＭＯＳ１２とＣＭＯＳ１３との間の領域には、パッシベーション膜１５の表面に開口を有し、埋込酸化膜１１ｂに到達する溝状に形成された空隙部である第１遮蔽部１６が設けられている。 - 特許庁

A nonlinear resistance film 13, in which a resistance value falls off if an electric field gets high, is formed in an electric field relaxation region of a high breakdown voltage semiconductor device comprising a semiconductor substrate 1, an epitaxial layer 2, and a semiconductor region 4, and further, a passivation film 12 is formed.例文帳に追加

半導体基板１、エピタキシャル層２および半導体領域４からなる高耐圧半導体装置の電界緩和領域に、電界が高くなると抵抗値が低下する非線形抵抗膜１３を形成し、さらに、パッシベーション膜１２を形成する。 - 特許庁

An open loop control and/or a closed loop control can be performed so that the temperatures of micromachining type constitution elements 120 and 300 and/or a passivation material 160 surrounding the micromachining type constitution elements 120 and 300 may be set by heating elements 200, 210, 220, 230, 240 and 250.例文帳に追加

マイクロマシニング型の構成エレメント（１２０，３００）および／または該マイクロマシニング型の構成エレメントを包囲するパッシベーション材（１６０）の温度が加熱エレメント（２００，２１０，２２０，２３０，２４０，２５０）により設定可能に開ループ制御および／または閉ループ制御されることができるようにした。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: a resin projection 18 arranged on a passivation film 16; and a plurality of wires 20 that are extended so that they reach an area on the resin projection 18 from an area on a plurality of pads 14 and are arranged with a gap mutually on the resin projection 18.例文帳に追加

半導体装置は、パッシベーション膜１６上に配置された樹脂突起１８と、複数のパッド１４上から樹脂突起１８上に至るように延び樹脂突起１８上では相互に間隔をあけて配置されている複数の配線２０と、を有する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device by which the characteristics, such as breakdown voltage, leakage current, etc., of a semiconductor device can be prevented from being deteriorated by the moisture entering into the device from a passivation film when a high voltage is applied between the source and drain of the device.例文帳に追加

パッシベーション膜から水分が侵入し、ソースとドレインの間に高電圧を印加したときに、水分による半導体デバイスの耐圧低下やリーク電流増加等のデバイス特性の劣化が生じるのを防止する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor element through stable glow discharge plasma treatment, by continuously generating a uniform glow discharge plasma under a pressure close to the atmospheric pressure, when manufacturing an interlayer insulating film and/or a passivation film in the step of manufacturing the element.例文帳に追加

半導体素子の製造工程における層間絶縁膜及び／又はパシベーション膜の製造において、大気圧近傍の圧力下で均一なグロー放電プラズマを継続して発生させ、安定してグロー放電プラズマ処理により製造する方法の提供。 - 特許庁

Under cut of a passivation insulating layer generated, for to remove the aluminum layer in an opening part on a drain electrode, is dissolved by the addition of a manufacturing process widening the opening part, by adopting the source-drain wiring comprising lamination of a heat-resistant metal layer and the aluminum layer.例文帳に追加

耐熱金属層とアルミニウム層との積層よりなるソース・ドレイン配線を採用し、ドレイン電極上の開口部内のアルミニウム層を除去して生じたパシベーション絶縁層のアンダカットを、前記開口部を拡大する製造工程の追加で解消する。 - 特許庁

Since the titanium basket 4 which is given the passivation treatment is used as an anode conductive material, the differentially-shaped objects to be decontaminated can be uniformly decontaminated through the electrolytic manipulation of the oxalic acid decontamination liquid without the work for electrically connecting the anode to each of the objects 1 to be decontaminated.例文帳に追加

不動態化処理したチタンバスケット４を陽極導電材としたので、それぞれの被除染体１に陽電極を電気的に接続する作業をすることなく、シュウ酸除染液の電解操作で不定形の被除染体を均等に除染できる。 - 特許庁

An element substrate 10 which is one substrate of the pair of substrates includes a light transmissible substrate 18, a pixel TFT 20 formed thereon, a passivation film 38, a planarization film 40, a pixel electrode 42, the FFS insulating film 44 and a common electrode 46.例文帳に追加

一対の基板の一方の基板である素子基板１０は、透光性基板１８と、その上に形成される画素ＴＦＴ２０と、パッシベーション膜３８と、平坦化膜４０と、画素電極４２と、ＦＦＳ絶縁膜４４と、共通電極４６とを含んで構成される。 - 特許庁

When a material whose specific dielectric constant is 4 is used for the passivation film 107 and the sensor electrode 105 on them is 2 μm thick, the sensor electrode 105 and earth electrode (fixed electrode) 106 are at a distance of 2 μm.例文帳に追加

その中で、パシベーション膜１０７に比誘電率４の材料を用いそのセンサ電極１０５上の膜厚を２μｍとしたとき、センサ電極１０５とその周囲に配置されているアース電極（固定電極）１０６との距離は２μｍとすることが良い。 - 特許庁

A semiconductor element 301 comprises a substrate 1, a truncated quadrangular pyramid-shaped mesa 15 in which a plurality of III-V compound semiconductor layers are laminated on the substrate 1 and a passivation layer 7 of a III-V compound semiconductor covering a top face and lateral faces of the mesa 15.例文帳に追加

半導体素子３０１は、基板１と、基板１上に複数のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の層が積層された四角錐台状のメサ１５と、メサ１５の上面及び側面を覆うＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のパッシベーション層７と、を備える。 - 特許庁

To prevent a thin film of a dielectric material or ferroelectric material having a high dielectric constant from deteriorating owing to hydrogen or water that an inter-layer insulating film or passivation film of an element of a memory semiconductor device using the thin film contains and stress of those films.例文帳に追加

高誘電率を有する誘電体材料または強誘電性材料の薄膜を用いたメモリ半導体装置の素子の層間絶縁膜やパッシベーション膜に含まれる水素や水およびこれら膜の応力が原因となる上記薄膜の劣化を防止する。 - 特許庁

In a solar cell element 10 comprising a semiconductor substrate 1 having a p-type semiconductor layer, the p-type semiconductor layer has an Si-N bond internally and a passivation layer 7 is provided on the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ型半導体層を有する半導体基体１を備えた太陽電池素子１０であって、前記ｐ型半導体層は内部にＳｉ−Ｎ結合を有しており、前記ｐ型半導体層の上にパッシベーション層７が設けられている太陽電池素子１０とする。 - 特許庁

A passivation film 11 (film for preventing diffusion of movable ions) is formed on the surface of the device side of a glass substrate 10 by a sputtering method, a CVD method, a dipping method or the like in order to intercept the thermal diffusion of Na ions in the substrate 10 to the surface of the device side of the substrate 10.例文帳に追加

ガラス基板１０のデバイス側表面には、基板１０中のＮａイオンの該デバイス側基板表面への熱拡散を遮断すべく、スパッタ法、ＣＶＤ法、ディップ法等により形成されたパッシベーション膜１１（可動イオン拡散防止膜）が成膜されている。 - 特許庁

An electrooptical device is provided with a third passivation film 45 below an EL element 203 consisting of a pixel electrode (an anode) 46, an EL layer 47, and a cathode 48 to prevent an alkaline metal in the EL element 203 formed by the ink jet system from being diffused to a TFT (Thin Film Transistor) side.例文帳に追加

画素電極（陽極）４６、ＥＬ層４７及び陰極４８でなるＥＬ素子２０３の下には第３パッシベーション膜４５が設けられ、インクジェット方式で形成されたＥＬ素子２０３中のアルカリ金属がＴＦＴ側へ拡散するのを防ぐ。 - 特許庁

Thus, the removed surface caused by irradiation of laser beam to the passivation film 7, the low-dielectric-constant film 4 and the wiring 5 is covered with the protective film 9, so that a falling object can be surely prevented from being caused from the removed surface at the early stage, as much as possible.例文帳に追加

これにより、パッシベーション膜７、低誘電率膜４および配線５のレーザビームの照射による除去面が保護膜９によって覆われるので、当該除去面から欠落物が生じるのを可及的に早い段階で確実に防止することができる。 - 特許庁

Accordingly, since the removal surfaces by the irradiation of the laser beam of the passivation film 7, the low-permittivity film 4 and the wiring 5 are covered with the protective film 9, a missing article is reliably prevented from being produced from the removal surfaces in an early stage as much as possible.例文帳に追加

これにより、パッシベーション膜７、低誘電率膜４および配線５のレーザビームの照射による除去面が保護膜９によって覆われるので、当該除去面から欠落物が生じるのを可及的に早い段階で確実に防止することができる。 - 特許庁

A third passivation film 45 is provided beneath an EL element 203 made up of a pixel electrode (positive electrode) 46, an EL layer 47, and a negative electrode 48, and prevents an alkaline metal in the EL element 203 formed by an ink-jet mode from being diffused toward a TFT(thin-film transistor).例文帳に追加

画素電極（陽極）４６、ＥＬ層４７及び陰極４８でなるＥＬ素子２０３の下には第３パッシベーション膜４５が設けられ、インクジェット方式で形成されたＥＬ素子２０３中のアルカリ金属がＴＦＴ側へ拡散するのを防ぐ。 - 特許庁

The passivation layer functions (i) to separate the one of the electrically conductive elements from the at least one of the cavities, and (ii) as a dielectric for a capacitor formed between the one of the electrically conductive elements and the switching fluid.例文帳に追加

パッシベーション層は、(i)導電性素子のうちの前記１つをキャビティのうちの少なくとも１つから分離する働きをすると共に、(ii)導電性素子のうちの前記１つとスイッチング流体との間に形成されるコンデンサのための誘電体としても機能する。 - 特許庁

To make it less likely for objects to fall from a removed surface, when a portion corresponding to dicing streets is removed by giving a laser beam among a laminated structure of a low-dielectric-constant film and wiring, and a passivation film which are formed on a semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウエハ上に形成された低誘電率膜と配線との積層構造およびパッシベーション膜のうち、ダイシングストリートに対応する部分をレーザビームの照射により除去したとき、それらの除去面から欠落物が生じにくいようにする。 - 特許庁

In the manufacturing method of the TFT LCD pixel unit, in addition to formation of a first insulating layer (gate insulating layer) and a passivation layer, a second insulating layer is adopted to cover a gate island and an opening part is formed such that a channel region, a source region and a drain region of the TFT are exposed on the gate island.例文帳に追加

第一の絶縁層（ゲート絶縁層）及びパッシベーション層を形成する事に加えて、第二の絶縁層でゲート・アイランドが覆われ、ゲート・アイランド上にＴＦＴのチャネル領域、ソース領域、ドレイン領域が露出されるように開口部を形成する。 - 特許庁

A cell 1 obtained after cutting has at least one end visible as a uniform cutting position, and the various films 7 and 11 to constitute the assembly is free from visible deformation and the peripheral end of the film of the anode has an electrically insulating passivation film 3.例文帳に追加

切断後に得られた電池１は、均一な切断箇所として見える少なくとも一端を有し、組立体を構成する色々な膜７、１１は肉眼的変形が生ぜず、陽極の膜の縁部は電気的絶縁性の不動態化膜３を有している。 - 特許庁

A storage capacitance electrode 7a and a capacitance line 3b are connected through an island-like bridge connection conductive film 9b that is simultaneously formed with the pixel electrode 9a above the passivation film 4, and through a second contact hole 82 and a third contact hole 83.例文帳に追加

また、保持容量電極７ａと容量線３ｂとは、パッシベーション膜４の上層に画素電極９ａと同時形成された島状のブリッジ接続用導電膜９ｂ、第２のコンタクトホール８２、および第３のコンタクトホール８３により接続されている。 - 特許庁

The diode comprises: a Group III nitride heterojunction diode with a p-type Group III nitride contact layer; an ohmic contact to the p-type contact layer; and a diode with a sputter-deposited silicon nitride composition passivation layer on the ohmic contact.例文帳に追加

前記ダイオードは、ｐ型ＩＩＩ族窒化物コンタクト層を有するＩＩＩ族ヘテロ接合ダイオード、前記ｐ型コンタクト層に対するオーミックコンタクト、及び前記オーミックコンタクト上に存在するスパッタ堆積された窒化珪素組成物パッシベーション層を有するダイオードを含む。 - 特許庁

The semiconductor device 100 comprises a lower layer DL formed of a transistor element and a silicon substrate 1 including wirings or the like; and an upper-most layer UL including an input and output portion 10, a large capacity wiring 30, a capacitor 40, a signal wiring 50, and a passivation film 80.例文帳に追加

半導体装置１００は、トランジスタ素子および配線部等を含むシリコン基板１からなる下層ＤＬと、入出力部１０、大容量配線３０、キャパシタ４０、信号配線部５０およびパッシベーション膜８０を含む最上層ＵＬとを備える。 - 特許庁

A first passivation film 8 having a thickness of 100 nm or smaller is formed on both side walls of a ridge portion 5A formed on a portion of a second p-type cladding layer 5, and flat portions (the top face of the second p-type cladding layer 5) on both sides of the ridge portion 5A.例文帳に追加

ｐ型第２クラッド層５の一部に形成されたリッジ部５Ａの両側壁およびリッジ部５Ａの両側の平坦部（ｐ型第２クラッド層５の上面）には、１００ｎｍ以下の薄い膜厚を有する第１パッシベーション膜８が形成されている。 - 特許庁

A thin auxiliary depletion layer 24 is thereby formed directly under the passivation film 23 and since the curve of a corner portion 15 becomes gentle at the end of a main depletion layer 14 directly under a Schottky metal layer 11, the concentration of electric field is relaxed and backward breakdown voltage is enhanced.例文帳に追加

これにより、パッシベーション膜２３直下に薄い補助空乏層２４が形成され、ショットキー金属層１１直下の主空乏層１４の端部のコーナー部１５の曲がりが緩やかになるため電界集中が緩和され、逆方向耐圧が向上する。 - 特許庁

The pool formation material such as bottom plate 10 with a welding section W2 or the like is made of an austenite stainless steel, the welding section W2 of a site coming into contact with pool water is made to carry out polishing treatment with electrolytic polishine or the like and, a passivation film is formed to make the whole pool as an unpainted state.例文帳に追加

溶接部Ｗ２を伴う底板１０等プール形成材をオーステナイト系ステンレス鋼製とし、プール水と接触する部位の溶接部Ｗ２は、電解研摩等により研摩処理すると共に不動態化皮膜を形成し、プール全体を無塗装としている。 - 特許庁

A fourth insulating film 22 is flattened and provided below a filter 23 of each color, and between the filter 23 and fourth insulating film 22, neither an antireflective SiON film nor a plasma SiN film 25 for passivation and hydrogen sintering is left and provided, as is the conventional case.例文帳に追加

各色のフィルタ２３の直下に第４絶縁膜２２が平坦化されて設けられており、フィルタ２３と第４絶縁膜２２との間に、従来のような反射防止用のＳｉＯＮ膜や、パッシベーションおよび水素シンター用のプラズマＳｉＮ膜２５を残さず設けていない。 - 特許庁

The electronic device has advantages that a water-soluble organic compound can be used as the conductive layer, the conductive layer can be formed by a wet process, a biodegradable material can be used for the substrate, etc. by protecting the top and bottom of the conductive layer by the passivation layer.例文帳に追加

本発明の電子デバイスは、このように導電性層の上下をパッシベーション層により保護することで、導電性層に水溶性有機化合物を使用できる、導電性層をウェットプロセスで形成できる、基板に生分解性材料を使用できる、等の利点を有する。 - 特許庁

A passivation film 8 used as a hydrogen supply source is set to have different residual hydrogen quantities on a pixel portion 11A and a peripheral circuit part 11B (since etching removal of either film thickness and/or film quality or film quality is carried out after film formation, it is constant on the pixel portion 11A and the peripheral circuit part 11B).例文帳に追加

水素供給源となるパッシベーション膜８が、画素部１１Ａ上と周辺回路部１１Ｂ上とで異なる残留水素量に設定（膜厚および／または膜質、膜質は成膜してからエッチング除去するので画素部１１Ａ上と周辺回路部１１Ｂ上とで一定）されている。 - 特許庁

To realize a more efficient solar cell by contriving a forming state of silicon nitride film formed as a rear-surface passivation film, by taking into consideration the interference between reflecting light at a rear-surface metallic electrode layer surface and reflecting light at a boundary of silicon single-crystal substrate/silicon nitride film.例文帳に追加

裏面パッシベーション膜として形成する窒化シリコン膜の形成形態を、裏面金属電極層表面での反射光とシリコン単結晶基板／窒化シリコン膜境界での反射光との干渉を考慮に入れて工夫することにより、より高効率の太陽電池を具現する。 - 特許庁

By using a Γ-shaped electrode having an extension part extending in a drain direction as a gate electrode, each thickness of a passivation film and a cap layer is set up so that an equipotential plane under the gate electrode near the edge of the drain is deformed corresponding to the extension part.例文帳に追加

ゲート電極としてドレイン方向に延在する延在部を有するガンマ型電極を使い、前記電極延在部直下のパッシベーション膜およびキャップ層の厚さを、前記ゲート電極のドレイン端近傍の等ポテンシャル面が、前記延在部に対応して変形するように設定する。 - 特許庁

The Hall element comprises a GaAs substrate 101, an InAs layer 102 formed on the GaAs substrate 101, a surface layer 103 formed on the InAs layer 102, a passivation layer 104 formed on the surface layer 103, and electrodes 105 that ohmic-contact the InAs layer 102.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１０１と、ＧａＡｓ基板１０１の上に形成されたＩｎＡｓ層１０２と、ＩｎＡｓ層１０２の上に形成された表面層１０３と、表面層１０３の上に形成されたパッシべーション層１０４と、ＩｎＡｓ層１０２とオーミック接触する電極１０５とを備える。 - 特許庁

To realize an efficient solar battery by devising the formation form of a silicon nitride film that is formed as a rear surface passivation film by considering the interference between reflection light on the surface of a rear surface metal electrode layer and reflection light at the boundary of a silicon single-crystal substrate and the silicon nitride film.例文帳に追加

裏面パッシベーション膜として形成する窒化シリコン膜の形成形態を、裏面金属電極層表面での反射光とシリコン単結晶基板／窒化シリコン膜境界での反射光との干渉を考慮に入れて工夫することにより、より高効率の太陽電池を具現する。 - 特許庁

By oxidizing the surface layer of a polysilicon layer Sn to be an n-type layer formed on a polysilicon substrate Sp to be a p-type layer by using plasma and depositing a silicon nitride film by CVD treatment thereafter, passivation films A1 and A2 are formed on the surface layer of the polysilicon layer Sn.例文帳に追加

ｐ型層となる多結晶シリコン基板Ｓｐ上に形成されたｎ型層となる多結晶シリコン層Ｓｎの表層を、プラズマを用いて酸化処理し、その後ＣＶＤ処理によりシリコン窒化膜を堆積することにより、多結晶シリコン層Ｓｎの表層にパッシベーション膜Ａ１、Ａ２を形成する。 - 特許庁

The coated film H comprises a nickel coated part N which is formed on the surface of the driven part 11, a chrome coated part C which is formed on the nickel coated part N, and a metal oxide film part O which is coated on the chrom coated part C by a passivation process with ozone.例文帳に追加

この被覆膜Ｈは、被駆動部１１の表面に形成されたニッケル被膜部Ｎと、このニッケル被膜部Ｎ上に形成されたクロム被膜部Ｃと、このクロム被膜部Ｃ上にオゾンによる不動態化処理により形成された金属酸化膜部Ｏとからなっている。 - 特許庁