「Vapor Deposition」に関連した英語例文の一覧と使い方(102ページ目) - Weblio英語例文検索

A method for manufacturing the separator 1 for the fuel cell is that a coating layer 14 (a carbon layer as a corrosion resistant layer) is formed on a metallic substrate 12 by combining a filterless arc ion plating method with a vapor deposition method different from the filterless arc ion plating method, and a conductive part is formed on the carbon layer by the filterless arc ion plating method.例文帳に追加

燃料電池用セパレータ１の製造方法は、フィルターレスアークイオンプレーティング法及び前記フィルターレスアークイオンプレーティング法と異なる蒸着法を併用して、金属基板１２上に被覆層１４（耐食層としてのカーボン層）を形成すると共に、前記フィルターレスアークイオンプレーティング法により、前記カーボン層に導電部を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a functional film, which can develop a target gas barrier performance according to a film thickness and also stably form a gas barrier film excellent in temporal stability when forming an inorganic film by a plasma chemical vapor deposition (CVD) while conveying a long substrate having a surface formed of an organic material in a longitudinal direction.例文帳に追加

有機材料からなる表面を有する長尺な基板を長手方向に搬送しつつ、プラズマＣＶＤによって、無機膜を成膜する際に、膜厚に応じた、目的とするガスバリア性能を発現でき、しかも経時安定性にも優れるガスバリア膜を、安定して形成することを可能にする機能性フィルムの製造方法を提供する。 - 特許庁

The alignment film 3 and alignment film 4 are both formed by an oblique vapor-deposition method, in which alcohol is chemically bonded to a hydroxyl group present at least on the surface of an inorganic oxide film having a plurality of pores, alcohol of the alignment film 3 having a larger average molecular weight than alcohol of the alignment film 4.例文帳に追加

配向膜３および配向膜４は、いずれも、斜方蒸着法により形成され、複数の細孔を有する無機酸化物膜の少なくとも表面に存在する水酸基にアルコールを化学結合させてなるものであり、配向膜３のアルコールの平均分子量が、配向膜４のアルコールの平均分子量より大きくなっている。 - 特許庁

The coefficient of variation of the activator concentration in a phosphor layer surface of this radiological image conversion panel having the phosphor layer formed by a vapor-deposition method and comprising a parent component and an activator component is preferably below 40 %, more preferably below 30%, furthermore preferably below 20%, and most preferably below 10%.例文帳に追加

気相堆積法により形成された、母体成分と付活剤成分とからなる蛍光体層を有する放射線像変換パネルの蛍光体層面内の付活剤濃度の変動係数は４０％以下とすることが好ましく、より好ましくは３０％以下、さらに好ましくは２０％以下、特に好ましくは１０％以下とした。 - 特許庁

This gas analyzer 1 for analyzing a gas sample by detecting a light from the transmission window 31 provided in a measuring cell 3 supplied with the gas sample is provided with a film-like heating body 61 formed by vapor deposition onto the transmission window 31, and a pair of electrodes contacting with the film-like heating body 61 and provided opposedly.例文帳に追加

試料ガスが供給される測定セル３に設けられた透過窓３１から光を検出して、前記試料ガスを分析するガス分析計１であって、前記透過窓３１に蒸着して形成された膜状発熱体６１と、前記膜状発熱体６１に接触し、対向して設けられた一対の電極と、を備えている。 - 特許庁

The method for forming the layered coating film having the metallic appearance includes processes of forming a coating film of a metallic coating material having 3 to 14% pigment mass concentration (PWC) of the glossy pigment produced by pulverizing a vapor deposition metal film into metal chips directly on the object or after a base coating film is formed, and then forming a clear overcoat layer on the metallic coating film.例文帳に追加

被塗物の上に直接又は下塗り塗膜層を形成した後に、蒸着金属膜を粉砕して金属片とした光輝性顔料の顔料質量濃度（ＰＷＣ）が３〜１４％である金属調塗料の塗膜層を形成し、形成した金属調塗膜層の上に、クリヤ上塗り塗膜層を形成する。 - 特許庁

An Ni or Ti barrier metal layer 2 in the range of 50-150 nm thickness which is not directly reactive with Cu is formed by vapor deposition or sputtering film forming method on regions 4 times as wide as the area of a surface for laminating a semiconductor light emitting element 5 at the surface for laminating the light emitting element 5 and a light emitting surface.例文帳に追加

その後、半導体発光素子５を接着する面および光出射される側の面に、半導体発光素子５の接着面の面積の４倍に値する領域に、蒸着およびスパッタ成膜法により、銅と直接反応しないNiまたはTiからなるバリア金属層２を50ｎｍ以上150ｎｍ以下の膜厚で形成する。 - 特許庁

A pin fixedly disposed at a ring plate turnably supported to the turbocharger, to set the angle of a nozzle vane for controlling the amount of exhaust gas rotating a turbine rotor, is formed with a hard coating with a thickness of about 2 μm on austenite stainless steel used as a base material by physical vapor phase deposition of Al, Cr, Si and N.例文帳に追加

ターボチャージャに回動可能に支持されているリングプレートに固定配置され、タービンロータを回転させる排気ガスの量を制御するノズルベーンの翼角を設定するピンとして、母材であるオーステナイト系ステンレスにＡｌ、Ｃｒ、Ｓｉ、及びＮからなる物理気相蒸着した厚さ約２μｍの硬質皮膜を形成したものを用いる。 - 特許庁

A mask body 6 in a vapor deposition mask 1 is composed of thin film-shaped first mask layers 3 provided with opening patterns 3a and second mask layers 5 having opening windows 5a including the opening patterns 3a and provided so as to be superimposed on the first mask layers 3, thus the film thickness of the mask body 6 is made large while holding the shape accuracy of the opening patterns 3a.例文帳に追加

開口パターン３ａが設けられた薄膜状の第１マスク層３と、開口パターン３ａを包含する開口窓５ａを有し第１マスク層３に重ね合わせて設けられた第２マスク層５とで、蒸着マスク１におけるマスク本体６を構成することにより、開口パターン３ａの形状精度を維持しつつマスク本体６を厚膜化した。 - 特許庁

In detail, the N type thermoelectric thin film layer 3, the insulating thin film layer 5, the P type thermoelectric thin film layer 7 and the electrode thin film layer 9 are conductive thin films manufactured by a vapor deposition process, and the N type thermoelectric thin film layer 3 is electrically connected to the P type thermoelectric thin film layer 7 by the electrode thin film layer 9 at a side end thereof.例文帳に追加

詳しくは、Ｎ型熱電薄膜層３、絶縁薄膜層５、Ｐ型熱電薄膜層７、電極薄膜層９は、気相成長プロセスによって作製された導電薄膜であり、Ｎ型熱電薄膜層３とＰ型熱電薄膜層７とは、その側端部にて電極薄膜層９により電気的に接続されている。 - 特許庁

Otherwise, oxygen is doped into the gallium nitride crystal via a non-C-plane facet face by using a seed crystal having a C-plane surface, supplying material gases including a gallium material, a nitrogen material and oxygen to be doped, generating the non-C-plane facet face, and growing the gallium nitride crystal in the direction of the c-axis with vapor deposition, while maintaining the facet face.例文帳に追加

または、Ｃ面を表面にもつ種結晶を使って、ガリウム原料と窒素原料とドーピングすべき酸素を含む原料ガスを供給しながらＣ面以外のファセット面を発生させ当該ファセット面を保ちつつ窒化ガリウム結晶をｃ軸方向に気相成長させることによりファセット面を通して窒化ガリウム結晶中に酸素をドーピングする。 - 特許庁

To provide a method of forming a film by a catalytic chemical vapor deposition method using a unit layer post-treatment, the method improving within-wafer nonuniformity of a silicon nitride film or the like, stepper coverage, and film quality such as an I-V breakdown voltage characteristic, and laminating and forming a thin film by forming films on a unit layer basis and thereafter executing surface treatment thereto.例文帳に追加

シリコン窒化膜などの面内均一性の向上、ステップカバレッジの向上及びＩ−Ｖ耐圧特性などの膜質の向上を図ることができるとともに、単位層ごとに成膜後、表面処理して薄膜を積層形成することができる単位層ポスト処理を用いた触媒化学蒸着法による成膜方法を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor manufacturing method including repeating insertion of a wafer W into a chamber 1 of a CVD (chemical vapor deposition) treatment apparatus and filming treatment to form a film over a plurality of wafers W, a reduced gas is fed into the chamber 1 for every filming and conditioning treatment is applied into the chamber 1 with a plasma resulting from applying a high frequency power.例文帳に追加

ＣＶＤ処理装置のチャンバ１内へのウエハＷ挿入と、成膜処理とを繰り返すことにより複数のウエハＷ上に成膜することを含む半導体製造方法において、成膜の毎にチャンバ１内に還元性ガスを供給し、高周波電力を印加して発生させたプラズマでチャンバ１内をコンディショニング処理する。 - 特許庁

In a manufacturing method of a holding jig including an elastic member 6A provided with an adhesive part 7A and a non-adhesive part 8A on the surface thereof, a metal thin film 11 is formed on the surface by vapor deposition or sputtering, and laser 12 is irradiated on an area in which the adhesive part 7A is provided to remove the metal thin film 11.例文帳に追加

表面に粘着部７Ａと非粘着部８Ａとが配置された弾性部材６Ａを備えて成る保持治具を製造する方法であって、蒸着又はスパッタリングで表面に金属薄膜１１を形成し、粘着部７Ａが配置される領域にレーザー１２を照射して金属薄膜１１を除去する保持治具の製造方法。 - 特許庁

In the method of manufacturing the adhesive tape having an aggregation layer of glancing pillar structures mounted on a surface of a support, each glancing pillar structure protruding at an angle of elevation of less than 90 degrees from the surface and having an aspect ratio of not less than 1, wherein the glancing pillar structure is formed by a glancing angle vapor deposition method.例文帳に追加

本発明の粘着テープの製造方法は、支持体の表面に該表面からの仰角が９０度未満で突出した斜め柱状構造体の集合層を備え、該斜め柱状構造体のアスペクト比が１以上である粘着テープの製造方法であって、該支持体の表面に該斜め柱状構造体を斜め蒸着法によって形成する。 - 特許庁

This radiographic image conversion panel is provided with a photostimulable phosphor layer 12, containing a photostimulable phosphor formed on a support body 11 by a vapor-deposition method, and a Pb layer 15 having 50-300 μm of film thickness is provided at 0-3.0 mm of distance from the under face of the photostimulable phosphor layer 12 directed toward a support body 11 side.例文帳に追加

放射線像変換パネルは、支持体１１上に気相堆積法により形成された輝尽性蛍光体を含有する輝尽性蛍光体層１２を備えており、この輝尽性蛍光体層１２の下面から支持体１１側に向けて０ｍｍ〜３．０ｍｍの距離に、５０μｍ〜３００μｍの膜厚を有するＰｂ層１５を設ける。 - 特許庁

In the method where a base materia 14 is arranged inside a growth chamber 10, a gaseous starting material is fed thereto, and a carbon nanotube is oriented and grown on the base material 14 by a CVD (Chemical Vapor Deposition) method, both of electric fields and plasma are not used for the growth of the carbon nanotube, and heat emitted by a filament 12 arranged inside the growth chamber is utilized.例文帳に追加

成長室１０内に基材１４を配置し、原料ガスを供給してＣＶＤ法により基材１４上にカーボンナノチューブを配向成長させる方法であって、カーボンナノチューブの成長に、電界及びプラズマのいずれも用いず、且つ成長室内に配置したフィラメント１２の発する熱を利用する方法とする。 - 特許庁

The oriented bulk structure of the double-walled carbon nanotubes, which is the assembly of a plurality of oriented double-walled carbon nanotubes and has a height of ≥0.1 μm, and the double-walled carbon nanotubes are produced by subjecting carbon nanotubes to chemical vapor deposition in the presence of a metal catalyst, whose particle diameter and film thickness have been controlled, and preferably in the presence of moisture.例文帳に追加

複数の配向二層カーボンナノチューブの集合体からなり、高さが0.1μｍ以上である配向二層カーボンナノチューブ・バルク構造体および二層カーボンナノチューブについて、金属触媒の存在下、該触媒の粒子径、膜厚を制御し、好ましくは水分の存在下にカーボンナノチューブを化学気相成長（ＣＶＤ）させて製造する。 - 特許庁

To provide an active energy ray-curable resin composition which is excellent in storage stability, and whose cured coated film is excellent in appearance, heat resistance and base material adhesivity; and to provide an active energy ray-curable resin composition for FRP metal vapor-deposition, and a coated article having an undercoat layer excellent in heat resistance and base material adhesivity, using the resin composition.例文帳に追加

貯蔵安定性に優れ、かつ硬化塗膜が外観、耐熱性、及び基材密着性に優れる活性エネルギー線硬化型樹脂組成物、これを用いたＦＲＰ金属蒸着用活性エネルギー線硬化型樹脂組成物、及び耐熱性と基材密着性に優れるアンダーコート層を有する塗装物を提供すること。 - 特許庁

In the method of producing a selenium plane sensor where a selenium layer 5 is formed on a glass substrate 3 by vacuum heating vapor deposition, the glass substrate 3 is warped at a curvature radius (R) in the range of 1,000 to 10,000 mm in advance, and also, the temperature of the glass substrate is controlled to the range of 45 to 80°C to form the selenium layer 5.例文帳に追加

ガラス基板３上にセレン層５を真空加熱蒸着によって形成するセレン平面センサの製造方法において、前記ガラス基板３を曲率半径（Ｒ）＝１０００〜１００００ｍｍの範囲で予め反らせた状態とし、且つガラス基板温度を４５〜８０℃の範囲でセレン層５を形成することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a jet-type microwave-excited plasma treatment device that causes low-temperature non-thermal equilibrium plasma to be stably jetted from a nozzle by microwave power at atmospheric pressure or a pressure near atmospheric pressure to perform CVD (chemical vapor deposition), etching, or ashing using plasma on a workpiece, or material processing such as fusing, welding or surface reforming on a workpiece.例文帳に追加

大気圧下で又は大気圧付近の圧力で、マイクロ波電力により低温の非熱平衡プラズマを安定して、ノズルから吹き出させ、被加工物にプラズマを使用したＣＶＤ（化学蒸着）、エッチング、アッシング、被加工物に溶断又は溶接、表面改質等の材料プロセシングを行う吹き出し形マイクロ波励起プラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

After isolation grooves 4 are formed in the main surface of a semiconductor substrate 1S, an insulation film 6 having a thickness of not less than D+W/2, wherein D denotes the depths of the isolation grooves 4 and W denotes a minimum width of active regions surrounded by the isolation grooves 4, is deposited on the main surface by a high density plasma chemical vapor phase deposition method.例文帳に追加

半導体基板１Ｓの主面に分離溝４を形成した後、その主面上に、分離溝４の深さをＤ、その分離溝４により囲まれる活性領域の最小幅をＷとした場合に、Ｄ＋Ｗ／２またはそれ以上となるような厚さを持つ絶縁膜６を高密度プラズマ化学気相成長法により堆積する。 - 特許庁

The SiC film is coated on the glassy carbon material by a chemical vapor deposition(CVD) method, the X-ray diffraction peak strength of the SiC crystal face (111) of the film is ≤10 kc.p.s, and the diffraction peak strength of the SiC crystal face (111) is ≥80% of the diffraction peak strength of the whole crystal faces (hkl).例文帳に追加

ＣＶＤ法によりＳｉＣ膜を被覆したＳｉＣ膜被覆ガラス状炭素材において、Ｘ線回折によるＳｉＣ膜のＳｉＣ（１１１）結晶面の回折ピーク強度が１０ｋｃ．ｐ．ｓ以下であり、該ＳｉＣ（１１１）結晶面の回折ピーク強度が全結晶面（ｈｋｌ）の回折ピーク強度の８０％以上であることを特徴とする。 - 特許庁

In the vapor deposition equipment for an organic compound composed of a heating vessel with a deep bottom charged with an organic compound and a heater for heating the heating vessel from the side faces and vaporizing or subliming the organic compound, columns each composed of a stock having satisfactory thermal conductivity and standing vertically to the evaporation face of the organic compound are arranged in the heating vessel.例文帳に追加

有機化合物を充填した深底の加熱容器と該加熱容器を側面から加熱して有機化合物を気化または昇華させるためのヒータからなる有機化合物の蒸着装置において加熱容器内に、有機化合物の蒸発面に対して垂直に並ぶ熱伝導性の良好な素材から成る柱を配している。 - 特許庁

After an Al layer 3 and a metal seed layer 4 are formed, by a vapor deposition method, on a surface of an aluminum substrate 1 where an alumite coating 2 as an insulating film is formed using anodization, the Al layer 3 and alumite coating 2 are partially changed into a boehmite layer through hydration processing to form the boehmite layer 3a between the alumite coating 2 and metal seed layer 4.例文帳に追加

陽極酸化処理を用いて絶縁膜であるアルマイト皮膜２を形成したアルミニウム基板１の表面に、気相成長法によりＡｌ層３と金属シード層４を形成した後、水和処理によりＡｌ層３とアルマイト皮膜２の一部をベーマイト層に変化させ、アルマイト皮膜２と金属シード層４との間にベーマイト層３ａを形成する。 - 特許庁

To provide a polyimide film which satisfies properties of high elastic modulus, low thermal expansion coefficient, low heat shrinking rate and flatness after vapor deposition when used as a base material for a metal circuit board having a metal circuit on its surface such as a flexible printed circuit, CSP, BGA or TAB tape.例文帳に追加

その表面に金属配線を施してなる可撓性の印刷回路，ＣＳＰ，ＢＧＡまたはＴＡＢテープ用の金属配線板基材に適用した場合に、高弾性率、低熱膨張係数、低熱収縮率、および蒸着後の平面性を同時に満足したポリイミドフィルム、及びそれを基材としてなる金属配線回路板を提供する。 - 特許庁

Accordingly, the constituent particles of the vapor deposition material are emitted to the outside of the cavity, without being disturbed by the redeposited constituent particles, thereby keeping a quantity of the constituent particles emitted on every trigger discharge from the inside of the anode 30 constant, and the thickness of the thin film formed on the surface of the substrate by one discharge constant.例文帳に追加

従って、蒸着材料の構成粒子は、再付着した構成粒子により妨げられることなく空洞外部へ放出され、各トリガ放電ごとにアノード電極３０内部から放出される構成粒子の量を一定に保ち、一回の放電で基板表面に成膜される薄膜の膜厚を一定にすることができる。 - 特許庁

To provide a packaging material enhanced in stiffness strength and excellent in impact resistance by forming a sandwich structure from resin layers and to provide gas barrier laminate excellent in shading properties, friendly to environment and excellent in gas barrier properties by applying metal vapor deposition to at least the single surface of an intermediate layer constituting the sandwich structure.例文帳に追加

樹脂層でサンドイッチ構造を形成させることにより腰強度が高く、しかも耐衝撃性に優れた包装材料を提供し、さらにサンドイッチ構造を構成する中間層の少なくとも片面に金属蒸着を施すことにより遮光性優れ環境に易しいと共にガスバリア性に優れる積層体を提供することを課題とする。 - 特許庁

The laminated body includes a sealant layer 3 to form a heat sealing layer laminated on a transparent easily tearable aliphatic polyester stretched film 1 through an electrostatic induction preventing layer 2, and furthermore, a vapor deposition layer 10 is arranged as an intermediate layer between the easily tearable aliphatic polyester stretched film and the electrostatic induction preventing layer.例文帳に追加

透明な易引き裂き性脂肪族ポリエステル系延伸フィルム１に、静電誘導防止層２を介してヒートシール層を形成するシーラント層３が積層されて形成され、さらに前記易引き裂き性脂肪族ポリエステル系延伸フィルムと静電誘導防止層との層間に、中間層として蒸着層１０を設けたこと特徴とする。 - 特許庁

The method for forming a metal oxide film on the substrate in a reactor of an atomic layer vapor deposition apparatus using plasma includes: a step of supplying a metallic source compound into the reactor; a step of supplying oxygen gas into the reactor; and a step of generating oxygen plasma during a predetermined time in the reactor.例文帳に追加

プラズマを用いる原子層蒸着装置の反応器内において基板上に金属酸化物膜を形成する方法であって、反応器内に金属原料化合物を供給する段階と、反応器内に酸素ガスを供給する段階と、反応器内に所定時間中に酸素プラズマを生じさせる段階と、を含む金属酸化物膜の形成方法。 - 特許庁

In the method of manufacturing the carbon nanotube formed by a chemical vapor deposition, a metallic fiber used as a catalyst has 1-100 nm diameter and ≥100 μm length and is mounted in a reaction furnace, heated to a prescribed temperature and grown around the catalytic metallic fiber to enclose the metal by passing a raw material gas.例文帳に追加

化学気相法を用いて作製されるカーボンナノチューブの製造方法において、触媒として用いる金属繊維が１ｎｍ〜１００ｎｍの径で、長さが１００μｍ以上であって、該金属繊維を反応炉内に設置し、所定温度に加熱し、原料ガスを流し、触媒金属繊維の周囲に金属を包むようにして成長させる。 - 特許庁

When a dielectric thin film is formed on a substrate by a chemical vapor growth method, a method of manufacturing a semiconductor device comprises the process for depositing a part of the dielectric thin film on the substrate, the process for heat-treating this dielectric thin film and moreover, the process for depositing the dielectric thin film at a deposition rate higher than that of the dielectric thin film.例文帳に追加

基板上に、化学気相成長法により誘電体薄膜を形成するときに、基板上に誘電体薄膜の一部を堆積する工程と、この誘電体薄膜を熱処理する工程と、さらに上記誘電体薄膜の堆積速度より速い堆積速度で、誘電体薄膜の堆積を行う工程を含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁

To provide a gas seal between a pre-treatment chamber and a surface treatment chamber with a simple structure which can ensure the sufficient performance even when a sheet-like material is wide in a surface treatment device for performing the surface treatment by plasma, sputtering, CVD, vapor deposition, or the like, while allowing the sheet-like material to continuously travel in a vacuum chamber.例文帳に追加

真空室内においてシート状材料を連続走行させつつ、プラズマやスパッタ、ＣＶＤ、蒸着等によって表面処理を行なう表面処理装置において、前処理室と表面処理室との間のガスシールとして、簡易な構造でありながら、シート状材料が広幅になった場合でも十分な性能が得られるものを提供する。 - 特許庁

The organic electroluminescence element and its manufacturing method are such that by thin forming an inorganic pixel defining film layer having an opening exposing at least a part of the upper part of a first electrode by a vapor deposition method, breakage of the formed organic film layer pattern caused by the step between the first electrode and the inorganic pixel defining film can be prevented.例文帳に追加

前記有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法は、第１の電極の上部の少なくとも一部を露出させる開口部を具備する無機画素定義膜を蒸着法を用いて薄く形成することにより、形成される有機膜層パターンが第１の電極と無機画素定義膜との段差によって切れることを防ぐといった効果がある。 - 特許庁

The method of manufacturing the coated substrate is also disclosed in which a coating layer containing titanium oxycarbonitride or titanium aluminum oxycarbonitride are deposited by MT-CVD (Medium Temperature - Chemical Vapor Deposition) on a substrate in the temperature range of about 750 to about 950°C using a mixture of gases wherein a ratio of the hydrogen gas to the nitrogen gas is greater than 5.例文帳に追加

上記コーティング付き基材を作製する方法も開示され、その方法では、チタンオキシカーボナイトライドまたはチタンアルミニウムオキシカーボナイトライドを含むコーティング層は、ガスの混合物を使用して、約７５０℃〜約９５０℃で基材に中温化学蒸着（ＭＴ−ＣＶＤ）により堆積され、水素ガスの窒素ガスに対する比率は５を超える。 - 特許庁

The vapor deposition material for heating system including the silicon and silicon oxide has an atomicity ratio of oxygen to silicon (O/Si) of 1.2-1.8, and bulk density of 0.8-1.8 g/cm^3, and the silicon oxide is silicon dioxide including at least 20% or more crystal structures.例文帳に追加

珪素と珪素酸化物とを混合させた加熱方式の蒸着用材料であって、珪素と酸素の原子数の比（Ｏ／Ｓｉ）が１．２〜１．８であり、嵩密度が０．８〜１．８ｇ／ｃｍ３の範囲であり、かつ、前記珪素酸化物が結晶構造を少なくとも２０％以上含んでいる二酸化珪素であることを特徴とする蒸着用材料。 - 特許庁

A silica porous body obtained by depositing silica microparticles by the vapor phase axial deposition (VAD) method is impregnated with a solution containing a dopant consisting of at least one kind selected from metals and metal oxides, freeze-dried under vacuum, and then vitrified by heating and fusing to obtain a doped silica glass in which the dopant is contained with a uniform concentration distribution.例文帳に追加

ＶＡＤ法によりシリカ微粒子を堆積させて得たシリカ多孔質体に、金属および金属酸化物から選ばれた少なくとも１種からなるドーパントを含有する溶液を含浸させ、真空凍結乾燥後、加熱溶融してガラス化させることにより、シリカガラス中にドーパントが均一な濃度分布で含まれたドープシリカガラスを得る。 - 特許庁

When a wafer 9 is accommodated in a chamber 2, and an aluminum film which forms a wire having line width of at most 10 μm is formed on the wafer 9 by using electron beam thermal vapor deposition at a degree of vacuum not lower than 10^-5 Pa, the aluminum film is formed in a state that a vanadium film as a residual gas component eliminating material exists in the chamber 2.例文帳に追加

チャンバ２内にウエハ９を収納し、１０^−５Ｐａ未満の真空度での電子ビーム加熱蒸着によりウエハ９に１０μｍ以下の線幅を有する配線を形成するアルミニウム膜を形成するに際し、チャンバ２内に残留ガス成分除去材料であるバナジウム膜を存在させた状態でアルミニウム膜を形成する。 - 特許庁

The matte acrylic resin film for vapor deposition of a metal comprises a (meth)acrylic resin composition with an acid value of 0.2-1.5 mmol/g, wherein the (meth)acrylic resin composition contains 20 pts.wt. or less of acrylic crosslinking particles with an average particle diameter of 2-10 μm based on 100 pts.wt. of a resin component.例文帳に追加

酸価が０．２〜１．５ｍｍｏｌ／ｇの（メタ）アクリル系樹脂組成物からなる金属蒸着用艶消しアクリル系樹脂フィルムであって、（メタ）アクリル系樹脂組成物が、平均粒子径２〜１０μｍのアクリル系架橋粒子を樹脂成分１００重量部に対して２０重量部以下含有する、金属蒸着用艶消しアクリル系樹脂フィルムである。 - 特許庁

To provide a holding tray for a substrate with which at least a part or more of a substrate holding means is contained so that the substrate is fixedly supported on the flat-plate surface of the vertical substrate holding tray for vacuum process, and the high accurate alignment can be obtained by holding and supporting the substrate arranged at the vertical-state and the stable vapor-deposition process is performed.例文帳に追加

真空工程用鉛直基板固定トレイの平板面上に前記基板が固定支持されるように少なくとも一部分以上基板固定手段を含んでなり、鉛直に配置された基板を固定及び支持して高精密の整列が可能で、かつ安定した蒸着工程がなされる基板固定トレイを提供すること。 - 特許庁

This method of manufacturing a semiconductor device contains (a) a step of preparing a semiconductor substrate having an insulating layer in which a trench for wiring is formed; and (b) a step of irradiating the semiconductor substrate with light from a lamp, and a conductive layer substantially composed of copper is formed by chemical vapor deposition on the surface of the semiconductor substrate including the inside of the trench for the wiring.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、（ａ）配線用凹部を備えた絶縁層を有する半導体基板を準備する工程と、（ｂ）前記半導体基板にランプ光照射を行ない、前記配線用凹部内を含む前記半導体基板表面に実質的に銅から成る導電層を化学気相堆積で成膜する工程とを含む。 - 特許庁

In a substrate chuck for holding a wafer 7 as a substrate and measuring the height of the wafer 7 by means of measuring system including a capacitance sensor, a conductor 2, which is formed by either vapor deposition or plating, is provided on a face opposite to the face 21 of a chuck body 1 which absorbs to hold the wafer 7, and is electrically earthed by a lead wire 4.例文帳に追加

基板としてのウエハ７を保持し静電容量センサを含む計測系で該ウエハ７の高さを計測する基板チャックであって、ウエハ７を吸着保持するウエハチャック１本体の保持面２１の反対側の面に、蒸着またはメッキのどちらかにより形成した導体２を有し、該導体２からリード線４により電気的なアース接地を施す。 - 特許庁

The multilayered molded product comprises at least a thermoplastic polyester layer (A) obtained from a molten polyester after melt polycondensation and a thermoplastic polyester layer (B) with a cyclic trimer content of 8,000 ppm or below, wherein a vapor deposition film formed by a plasma CVD method is laminated on a content contact surface.例文帳に追加

少なくとも、溶融重縮合反応後の溶融物から得られる熱可塑性ポリエステル（Ａ）層と、環状３量体含有量が８０００ｐｐｍ以下の熱可塑性ポリエステル（Ｂ）層とを含む多層成形体であり、内容物接触面にプラズマＣＶＤ法によって形成される蒸着膜が積層されていることを特徴とする多層成形体。 - 特許庁

This manufacturing method comprises the steps of depositing a silicon oxide film 450 on the surface of the semiconductor substrate 100 having the convex 300 on this surface according to high density plasma chemical vapor deposition and etching the silicon oxide film according to isotropic etching so that the deposited silicon oxide film has a height less than that of the summit of the convex portion.例文帳に追加

表面に凸状部３００を有する半導体基板１００の前記表面に高密度プラズマ−化学気相成長法によりシリコン酸化膜４５０を堆積させる堆積工程と、堆積させたシリコン酸化膜の表面が前記凸状部の頂上よりも低い高さになるように等方性エッチングにより前記シリコン酸化膜をエッチングするエッチング工程とを備える。 - 特許庁

To provide a packaging material high in stiffness strength and excellent in impact resistance by forming a sandwich structure from resin layers and to provide a gas barrier laminate excellent in transparency, not lowered in gas barrier properties even after sterilization, excellent in stiffness strength and impact resistance and having heat resistance by using a vapor deposition film having sterilization resistance.例文帳に追加

樹脂層でサンドイッチ構造を形成させることにより腰強度が高く、しかも耐衝撃性に優れた包装材料を提供し、さらに殺菌耐性がある蒸着フィルムを用いることにより透明性に優れると共に殺菌後もガスバリア性の低下がない腰強度と耐衝撃性に優れた耐熱性を有するガスバリア性積層体を提供することを課題とする。 - 特許庁