「Vapor Deposition」に関連した英語例文の一覧と使い方(101ページ目) - Weblio英語例文検索

In this method for manufacturing this MgO vapor deposition material, MgO powder having a purity ≥98.0% is electrofused and gradually cooled to manufacture an ingot, thereafter a pellet having a predetermined size is manufactured by crushing, and thereafter the surface of the pellet is polished to set its surface roughness Ra in the range of 1.0-10 μm.例文帳に追加

ＭｇＯ蒸着材を製造する方法において、純度が９８．０％以上のＭｇＯ粉末を電融し、徐冷してインゴットを作成した後解砕により所定の大きさのペレットを製造し、その後、該ペレットの表面を研磨してその表面粗さＲａを１．０μｍ〜１０μｍの範囲に設定することを特徴とするＭｇＯ蒸着材の製造方法。 - 特許庁

In a collector for lithium ion battery comprising a film base material composed of a resin composition and a collection layer composed of a thin layer that is formed by vapor deposition of copper or aluminium on a single side or both sides of the film base material, the portion constituting the electrode extraction side is formed thicker than other thin film portions.例文帳に追加

樹脂組成物からなるフィルム基材と、前記フィルム基材の片面或いは両面に銅或いはアルミニウムの蒸着により形成された薄膜からなる集電層とを有するリチウムイオン電池用集電体において、リチウムイオン電池形成時に電極引出し側となる部分が他の薄膜部分よりも厚く膜形成されている。 - 特許庁

A method for growing an Al_2O_3 thin film on a substrate by a sequential chemical vapor deposition including a plurality of cycles includes: bringing a part into contact with gaseous trimethyl aluminum (TMA); stopping the gaseous TMA supply; removing the gaseous TMA from a chamber; and bringing the part into contact with atomic oxygen in each cycle.例文帳に追加

複数のサイクルを含むシーケンシャル気相成長法による、基板上へのＡｌ_２Ｏ_３薄膜の成長方法において、それぞれのサイクルは、ガス状のトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）にパーツを接触させること、ガス状のＴＭＡの供給を停止すること、チャンバからガス状のＴＭＡを除去すること、及び原子状酸素にパーツを接触させることを含む。 - 特許庁

The method for depositing thin films of metal oxides on a substrate in a reaction vessel of an atomic layer vapor deposition apparatus using plasma includes a step of supplying raw metal compounds into the reaction vessel, a step of supplying gaseous oxygen into the reaction vessel, and a step of generating oxygen plasma in the reaction vessel during the predetermined time.例文帳に追加

プラズマを用いる原子層蒸着装置の反応器内において基板上に金属酸化物膜を形成する方法であって、反応器内に金属原料化合物を供給する段階と、反応器内に酸素ガスを供給する段階と、反応器内に所定時間中に酸素プラズマを生じさせる段階と、を含む金属酸化物膜の形成方法。 - 特許庁

In the laminate having a barrier layer comprising an inorganic oxide and a metal vapor deposition layer on one side, on the opposite side to the barrier layer of a base material comprising one material of a polyester, a polyamide, or a polyolefin, an adhesive layer and a sealant layer are formed in turn, and the adhesive layer comprises a polyurethane containing a urea bond.例文帳に追加

片側に無機酸化物や金属蒸着層からなるバリア層を有するポリエステル、ポリアミドまたはポリオレフィンのいずれか１つの材料からなる基材のバリア層と反対の側に、接着剤層、シーラント層がこの順序で設けられていて、接着剤層が尿素結合を含むポリウレタンで構成されている特徴とする積層体。 - 特許庁

To provide a mask cleaning method or a method for cleaning (peeling) the top face of a mask while cleaning (peeling) the back face in a dry cleaning system, and to provide an apparatus for producing an organic EL element having a high operation rate in which a mask can be cleaned in a short time by disposing the mask cleaning device adjoining to a vapor deposition device.例文帳に追加

本発明は、ドライ洗浄方式において、表面を洗浄(剥離)しながら裏面も洗浄(剥離)できるマスク洗浄装置または洗浄方法を提供すること、あるいは上記マスク洗浄装置を蒸着装置に隣接して設けることで短時間に洗浄できる稼働率の高い有機ＥＬ製造装置を提供することである。 - 特許庁

Since a movable holder 34 inclines a mounted substrate 20 at a prescribed angle toward a peripheral direction in the outer peripheral side of a substrate holder 31, the vapor deposition with substantially uniform film can be performed on a material DS to be deposited which is provided to the substrate 20 in the substrate holder 31 even on the peripheral side at which the distance from a spherical surface is easy to be separate in a flat plate.例文帳に追加

可動ホルダ３４が、基板ホルダ３１の外周側において、装着された基板２０を周方向に所定の角度に傾斜させているため、平板では球面から距離が離れやすい外周側であっても基板ホルダ３１内の基板２０に設けられた被蒸着物ＤＳに略均一な膜厚で蒸着することができる。 - 特許庁

In a method of manufacturing an AIN semiconductor for an electronic device, NH_3 gas and aluminum chloride gas, which is a result from sublimation or evaporation with absolute aluminum chloride, of which the total of impurity components other than group III elements is 0.001 wt.% or less, that has been heated are caused to react each other by a hydride vapor-phase deposition, to allow crystal growth of AIN on a substrate.例文帳に追加

III族元素以外の不純物成分の合計が０．００１重量％以下である無水塩化アルミニウムを加熱して昇華又は気化させた塩化アルミニウムガスとＮＨ_3ガスとをハイドライド気相成長法により反応させ、基板上にＡｌＮを結晶成長させる電子デバイス用のＡｌＮ半導体の製造方法である。 - 特許庁

The vapor-deposited amount of the group IB element in the zone 12 is controlled based on the predicted value so that the composition ratio of the XYZ_2 compound thin film at the end point of the film deposition zone 12 becomes a target value of the composition ratio between the group IB element and the group IIIB element in the XYZ_2 thin film at a previously set end point of the zone 12.例文帳に追加

製膜ゾーン１２の終点におけるＸＹＺ_2化合物薄膜の組成比が予め設定されたゾーン１２の終点におけるＸＹＺ_2薄膜の第ＩＢ族元素と第ＩＩＩＢ族元素の組成比の目的値となるように前記予測値に基づきゾーン１２における第ＩＢ族元素の蒸着量を制御する。 - 特許庁

To provide an air conditioner, in particular, including a fixing structure for an extrusion molded product capable of being inexpensively and easily demounted from a front panel, with respect to the air conditioner in which the extrusion molded product on a surface (design surface) of which vapor deposition process (for example, metal-effect, grain pattern and the like) is performed, is attached to the front panel of an indoor unit.例文帳に追加

表面（意匠面）に蒸着処理（例えば金属調や木目柄など）を施した押出成形品が室内ユニットの前面パネルに取り付けられる空気調和機であって、特に、安価で容易に前面パネルへの取り外しが可能な押出成形品の固定構造を備えた空気調和機を提供することを課題とする。 - 特許庁

The production method is directed at forming the zinc oxide film on the article to be film-formed by using a zinc complex and alcohol with a chemical vapor-phase deposition method, and employs a zinc complex containing β-diketonate having an alkoxyalkyl methyl group as a ligand.例文帳に追加

本発明の課題は、亜鉛錯体とアルコールとを用いて、化学気相蒸着法により、成膜対象物上に酸化亜鉛薄膜を製造する方法において、亜鉛錯体として、アルコキシアルキルメチル基を有するβ-ジケトナトを配位子とする亜鉛錯体を使用することを特徴とする、酸化亜鉛薄膜の製造方法によって解決される。 - 特許庁

The method for producing the barrier film is provided in which an inorganic oxide is vacuum-deposited on a base material, and the method is characterized in that oxygen containing an inert gas in an amount required for preventing the electrification of the barrier film is introduced into a space between the base material and a vapor deposition source heated by electron beams while generating microwaves.例文帳に追加

基材に無機酸化物を真空蒸着するバリア性フィルムの製造方法において、マイクロ波を発生させながら、基材と、電子線で加熱する蒸着源との間に、バリア性フィルムの帯電を防止するために必要な量の不活性ガスを含んだ酸素を導入することを特徴とするバリア性フィルムの製造方法を提供する。 - 特許庁

Copper or silver having a high antimicrobial effect is adhered in a range of 10-30 μg/cm^2 on at least one surface of a resin fiber screen made of a synthetic resin by a vapor deposition method, and stainless steel is adhered thereafter in a range of 8-24 μg/cm^2 on top of it.例文帳に追加

合成繊維からなる樹脂繊維網の少なくとも一方の面に、気相堆積法に従い、高い抗菌作用を有する銅または銀を１０μｇ／ｃｍ^２〜３０μｇ／ｃｍ^２の範囲で付着せしめ、続いてその上から、ステンレスを８μｇ／ｃｍ^２〜２４μｇ／ｃｍ^２の範囲で付着せしめることによって達成される。 - 特許庁

A vapor deposition film is obtained by successively laminating a primer layer 2 containing a silane coupling agent having an org. functional group or a hydrolysate of the silane coupling agent and a composite of a polyol and an isocyanate compd. and an inorg. oxide membrane layer 3 with a thickness of 5-300 nm comprising inorg. oxide on at least the single surface of a plastic base material 1.例文帳に追加

プラスチック材料からなるプラスチック基材の少なくとも片面に、有機官能基を有するシランカップリング剤あるいはシランカップリング剤の加水分解物と、ポリオールおよびイソシアネート化合物との複合物を含むプライマー層、厚さ５〜３００ｎｍの無機酸化物からなる無機酸化物薄膜層を順次積層したことを特徴とする蒸着フィルム。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a fibrous carbon by a chemical vapor deposition method which can effectively add a nitrogen-containing compound by forming a stable reaction site for synthesizing the fibrous carbon and which can synthesize the fibrous carbon with high-efficiency with reduced contamination of a reaction container and the fibrous carbon.例文帳に追加

化学気相成長法による繊維状炭素を製造する方法において、繊維状炭素合成のための安定した反応場を作り出すことにより、効果的な窒素含有化合物の添加を可能とし、反応容器や繊維状炭素の汚染を軽減するとともに繊維状炭素を高効率で合成する方法を提供すること。 - 特許庁

In a gas discharge display device having a dielectric layer 17b which covers electrodes arranged in a row on a substrate and extending to the whole area of a display region, the dielectric layer is made as a laminate consisting of a first layer 171 composed of silicon dioxide and a second nitride layer 172 denser and thinner than the first layer, and the first layer is formed by chemical vapor deposition.例文帳に追加

基板上に配列された電極を覆って表示領域の全域に拡がる誘電体層１７ｂを有したガス放電表示デバイスにおいて、誘電体層を二酸化ケイ素からなる第１層１７１とそれより緻密で且つ薄い窒素化合物の第２層１７２との積層体とし、第１層を化学気相成長法によって形成する。 - 特許庁

In the manufacturing method of the electrophotographic photoreceptor prepared by laminating the organic photosensitive layer and the surface protective layer on the conductive base in this order, the surface protective layer is deposited according to a plasma vapor deposition method at a temperature of the photosensitive layer of 80 to 150°C and a degree of vacuum of 10^-1 to 10^-6 Pa.例文帳に追加

導電性支持体上に、感光層及び表面保護層を順次積層した電子写真感光体の製造方法において、前記表面保護層を感光層の温度を８０℃〜１５０℃で、且つ、真空度１０^−１Ｐａ〜１０^−６Ｐａでプラズマ気相成長法により形成することを特徴とする電子写真感光体の製造方法。 - 特許庁

In the vapor deposition apparatus equipped with substrate supporting means, the substrate supporting means includes a substrate supporting part for supporting one side of the substrate along the same direction as the carrying-in direction of the substrate to be carried into the inside of a chamber, and a substrate auxiliary supporting part for supporting the other side not supported by the substrate supporting part, inside the chamber.例文帳に追加

本発明は、基板支持手段を具備する蒸着装置において、前記基板支持手段は、チャンバ内部で、前記チャンバ内部に搬入される基板の搬入方向と一致する基板の側辺を支持する基板支持部と、前記基板支持部で支持されない基板の他の側辺を支持する基板補助支持部と、を含んでいる蒸着装置である。 - 特許庁

This production method of a semiconductor base material comprises: forming crystal nucleus of SiGe or Ge on a base material, such as an amorphous, a polycrystal and a metal using a heat CVD method which is performed at a temperature of 550°C or lower using a germanium halide and silanes as raw materials; and forming a Si polycrystal film on the crystal nuclei by a vapor phase deposition method.例文帳に追加

５５０℃以下の温度でハロゲン化ゲルマニウムとシラン類を原料とする熱ＣＶＤ法を用いて、非晶質、多結晶あるいは金属などの基材上にＳｉＧｅあるいはＧｅの結晶核を形成し、該結晶核上に気相堆積法でＳｉ多結晶膜を形成する半導体基材の製造方法により、上記課題を解決する。 - 特許庁

The solar cell module backsheet laminate is characterized in that an anchor coat later, a vapor deposition thin film layer of inorganic oxide and a gas barrier coating layer are sequentially laminated on one side or both sides of a fluororesin base layer, and the gas barrier coating layer is constituted of a water-soluble polymer and at least one kinds of metal alkoxide and/or hydrolyzate thereof.例文帳に追加

フッ素系樹脂基材層の片面もしくは両面にアンカーコート層、無機酸化物の蒸着薄膜層、ガスバリア性被膜層が順次積層された積層体において、ガスバリア性被膜層が、水溶性高分子と一種以上の金属アルコキシド及び／またはその加水分解物からなることを特徴とする、太陽電池モジュールバックシート用積層体 - 特許庁

To provide a highly practical gas barrier film excellent in flexibility, excellent in transparency, having high gas barrier properties and reduced in the deterioration of gas barrier properties after bag making or molding processing after bonded to other material or the like, by incorporating the component of the gas barrier film layer of the gas barrier film in a vapor deposition thin film layer to bond the same.例文帳に追加

ガスバリアフイルムのガスバリア性被膜層の成分を蒸着薄膜層の中に入り込ませ結合させることにより、透明性に優れ、かつ、高いガスバリア性を有すると共に、他の材質等と貼り合わせた後の製袋加工や成形加工後もガスバリア性の劣化の少ない可撓性に優れた実用性の高いガスバリアフイルムを提供することにある。 - 特許庁

In the silicon oxide coating film formed on a plastic base material, the silicon oxide coating film is characterized by being formed by chemical vapor deposition of an organic silicone compound and an IR characteristic absorption of SiCH_3 at a wavenumber of 845-833 cm-1 being substantially zero and an IR absorbance ratio (A) of SiOH/SiO being at most 0.25.例文帳に追加

プラスチック基材上に形成されたケイ素酸化物被膜において、有機ケイ素化合物の化学蒸着により形成され、波数８４５〜８３３ｃｍ−１におけるＳｉＣＨ_３の赤外特性吸収が実質上ゼロであり、且つＳｉＯＨ／ＳｉＯの赤外吸光度比（Ａ）が０．２５以下であることを特徴とするケイ素酸化物被膜。 - 特許庁

The method for producing the oxide superconducting film, which forms a thick oxide superconducting film by repeating: a thin film forming step of forming an oxide superconducting thin film on a substrate by using a physical vapor deposition method, and repeating the process to form a film having a predetermined thickness; and a smoothing step of smoothing a surface of the formed oxide superconducting thin film.例文帳に追加

基板上に物理蒸着法を用いて酸化物超電導薄膜を形成することを繰り返して所定の厚みの成膜を行う薄膜成膜工程と、成膜された酸化物超電導薄膜の表面を平滑化する平滑化工程とを繰り返して厚膜の酸化物超電導膜を形成する酸化物超電導膜の製造方法。 - 特許庁

To provide a decoration sheet which can be colored and form a pattern-like or a semitransparent hologram layer and is resultantly excellent in design effect and useful for forming cards or the like, wherein the decoration sheet may be insufficient in the heat-resistance of a base material to be transferred and further has a hologram layer which does not use a vapor deposition method, and its manufacturing method.例文帳に追加

被転写基材の耐熱性が不十分であってもよく、さらに蒸着方法を使用しないホログラム層を有する装飾シートであって、しかも、着色あるいはパターン状若しくは半透明のホログラム層も形成でき、従って意匠性に優れ、カードなどの形成に有用な装飾シートおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

This method for manufacturing a titanium dioxide photocatalyst powder by utilizing chemical vapor deposition comprises the steps of injecting a titanium salt into a reaction vessel utilizing a carrier gas by a continuous method to react the titanium salt with oxygen, and collecting the resultant photocatalyst powder through a cooler/collector connected to the outlet of the reaction vessel, whereby the photocatalyst powder is produced in a continuous and effective manner.例文帳に追加

化学蒸着法を利用して二酸化チタン光触媒粉体を製造する方法であって、キャリヤガスによりチタニウム塩類を連続方式で反応槽内に注入して酸素と反応させ、反応槽の出口に接続される冷却収集器を介して収集して光触媒粉体を連続的かつ効果的に生成する。 - 特許庁

The gas supply unit for supplying a reactive gas for a chemical vapor deposition can include a hot wire part configured to pyrolyze the reactive gas, an ejection part configured to eject the reactive gas towards the hot wire part, and a suction part disposed adjacent to the hot wire part and configured to suck in and exhaust a by-product of the reactive gas.例文帳に追加

本発明に係るガス供給ユニットは、化学気相蒸着工程時に反応ガスを供給するユニットであって、反応ガスを熱分解する熱線部と、熱線部を向かって反応ガスを噴射する噴射部と、熱線部に隣接して配置され、反応ガスの反応副産物を吸入し排出する吸入部とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

This method of manufacturing the conductive catalyst particles comprises arranging the conductive powder 1 and balls 3, etc., as vibration amplifying means on a vibration surface 20 and simultaneously vibrating both in depositing a catalyst material 18, such as Pt, by a physical vapor deposition method, such as sputtering, to the surface of the conductive powder while vibrating the conductive powder 1, such as carbon.例文帳に追加

カーボン等の導電性粉体１を振動させながら、この導電性粉体１の表面に、スパッタ等の物理蒸着法によりＰｔ等の触媒物質１８を付着させる際、導電性粉体１と、振動増幅手段としてのボール３等とを振動面２０上に配置し、これらを同時に振動させる、導電性触媒粒子の製造方法。 - 特許庁

The gas barrier laminate has a transparent primer layer 2, a 5 to 300 nm thick inorganic-vapor deposition layer 3, a composite coat layer 4, and a stress relaxation layer 5 containing 5 to 60 wt.% of an inorganic filler, these layers orderly overlying at least one surface of a plastic base material 1 containing 5 to 60 wt.% of an inorganic filler.例文帳に追加

本発明のガスバリア積層体は、無機フィラーを５〜６０重量％含むプラスチック基材１の少なくとも一方の面に、透明プライマー層２、厚さ５〜３００ｎｍである無機蒸着層３と、複合皮膜層４．無機フィラーを５〜６０重量％含む応力緩和層５とを順次積層してなることを特徴とする。 - 特許庁

In a method of forming storage electrodes of a semiconductor device and also a method of forming a semiconductor, the composition and vapor-deposition conditions of each of a bit line hard mask nitride film and a bit line nitride film spacer are varied so that the two nitride films are formed to have different compositions and also to have different etching ratios.例文帳に追加

本発明は半導体素子の格納電極形成方法に関し、ビットラインハードマスク窒化膜と窒化膜スペーサそれぞれの成分と蒸着条件を変化させることにより、前記２つの窒化膜の組成が異なるよう形成され互いに異なる食刻比率を有するようにする半導体素子の形成方法に関するものである。 - 特許庁

To provide a heat insulating mold not generating release caused by the removal of a masking material in a heat-resistant polymeric film when the insulating mold for molding a synthetic resin characterized by that the inner surface thereof comprises an area coated with a heat-resistant polymeric film and an area free from the heat-resistant polymeric film is produced by vapor deposition polymn.例文帳に追加

金型内面が耐熱性高分子膜で被覆された領域と耐熱性高分子膜を欠落させた領域とからなる合成樹脂成形用の断熱性金型を蒸着重合によって製造する場合に、耐熱性高分子膜にマスキング材の除去に伴う剥離を生じない断熱性金型およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

An opening of a regulation part for regulating a vapor deposition region is biased toward an exit side of substrate carrying part to increase an oblique incident component of evaporated material incident on a substrate at the closing period of a thin film-forming process, by the above, crystallinity of the MgO thin film and electron emitting property is improved, and gas discharge responsiveness of a plasma display panel is heightened.例文帳に追加

蒸着領域を規制する規制部の開口を基板搬送の出口側に偏在させて、薄膜形成過程の終期において蒸発材料の基板への斜め入射成分を多くすることにより、保護膜としてＭｇＯ薄膜の結晶性を高めて電子放出性能を向上させ、プラズマディスプレイパネルのガス放電応答性を高める。 - 特許庁

To provide a useful physical vapor deposition apparatus which implements all treatment steps of efficiently and stably forming an oxide film of high purity particularly having superior thermostability such as an alumina coating consisting mainly of an α-type crystal structure, on a practical hard coating of TiN, TiCN, TiAlN or the like, without arranging a particular intermediate layer.例文帳に追加

ＴｉＮ，ＴｉＣＮ，ＴｉＡｌＮ等の実用的な硬質皮膜の上に、特別な中間層等を配することなく、α型結晶構造を主体とするアルミナ被膜などの特に高耐熱性に優れた高純度の酸化物系皮膜を効率よく安定して形成するための全ての処理工程を実施し得る有益な物理的蒸着装置を提供すること。 - 特許庁

The metal thin film with plastic 100 has a support body 1, a first metal layer 2 formed on the support body 1 by a vapor deposition method, a second metal layer 3 formed on the first metal layer 2, and a resin layer 4 comprising an insulating resin composition formed on the second metal layer.例文帳に追加

上記課題を解決するために、本発明は、支持体１と、該支持体１上に蒸着法により形成された第１の金属層２と、該第１の金属層２上に形成された第２の金属層３と、該第２の金属層３上に形成された絶縁性の樹脂組成物からなる樹脂層４とを備える樹脂付き金属薄膜１００を提供する。 - 特許庁

To provide an epoxy resin composition for forming an overcoat which satisfies conventional requirements such as adhesiveness, visible light transparency and high surface hardness, and is also excellent in high temperature resistance, particularly in ITO vapor deposition resistance, particularly when it is used as an overcoat of a colored resin film for color filters for liquid crystal displays.例文帳に追加

従来からの要求性能である密着性、可視光透過性を満足し、かつ高い表面硬度を有する保護膜を形成するとともに、特に液晶表示用カラーフィルター着色樹脂膜の保護膜として使用した場合の、高温耐性、特にはＩＴＯ蒸着耐性に優れた保護膜形成用エポキシ樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

Regarding the method for forming a thin film, in a formation method of forming a tin oxide film on a substrate utilizing a chemical vapor deposition reaction, the substrate is heated during the formation, and simultaneously, the substrate is irradiated with ultraviolet rays having an ultraviolet irradiation intensity of 0.03 to 1 mW/cm^2.例文帳に追加

気相化学成長反応を利用して酸化錫膜を基体上に形成する形成方法において、形成中に基体を加熱すると同時に、紫外線の紫外線照射強度が０．０３ｍＷ／ｃｍ^２以上１ｍＷ／ｃｍ^２以下の紫外線を基体に照射することを特徴とする薄膜形成方法を提供する。 - 特許庁

This radiogram conversion panel which has a phosphor layer formed by a vapor phase deposition method, is characterised in that the phosphor layer is composed of an alkali metal halide-based photostimulable phosphor activated with an activator, and the lattice distortion of crystal lattice of the phosphor layer is within the range of 0.035 to 0.30%.例文帳に追加

気相堆積法により形成された蛍光体層を有する放射線像変換パネルであって、該蛍光体層が付活剤で付活したアルカリ金属ハロゲン化物系輝尽性蛍光体からなり、そして該蛍光体層の結晶格子の格子歪みが０．０３５乃至０．３０％の範囲にあることを特徴とする放射線像変換パネル。 - 特許庁

In the method of manufacturing the optical fiber preform ingot 11 by sintering vitrifying the soot preform 9, which is obtained by heaping fine glass particles on a starting core preform through outside vapor-phase deposition; the method features coating the end of the preform ingot 11 in cylindrically grinding the ruggedness generated on the surface of the ingot 11.例文帳に追加

外付け法により出発コア母材上にガラス微粒子を堆積して得たスート母材９を、焼結・透明ガラス化して光ファイバ母材インゴット１１を製造する方法において、該母材インゴット１１の表面に生じた凹凸を円筒研削する際、該母材インゴット１１の端部にコーティング加工を施すことを特徴としている。 - 特許庁

A process where a C60 fullerene thin film having film thickness of penetration depth of low-energy nitrogen ions is fist vapor-deposited by the flash method and simultaneously low-energy nitrogen ions are implanted by the desired total dose is repeated until the desired thin film thickness is obtained by controlling film deposition rate in the flash method, by which the nitrogen-implanted C60 fullerene thin film can be manufactured.例文帳に追加

本発明は、フラッシュ法による成膜速度調節により、先ずフラッシュ法により低エネルギー窒素イオンの侵入深さ膜厚のC60フラーレン膜を蒸着し、同時に低エネルギーの窒素イオンを所望のドーズ量注入する工程を所望の薄膜厚になるまで繰り返すことにより窒素注入C60フラーレン薄膜を作製する。 - 特許庁

This method for forming an ohmic layer comprises a first step of forming injecting hydrogen or argon gas with a semiconductor substrate stored in the plasma chamber of a chemical vapor deposition system, a second step of injecting a Ti-containing source gas into the a plasma chamber, and a third step of forming a RF plasma in the plasma chamber to deposit a titanium film.例文帳に追加

半導体基板を化学蒸着装置のプラズマチャンバーに入れて水素およびアルゴンガスを注入する第１工程と、前記プラズマチャンバーにＴｉを含んだソースガスを注入する第２工程と、前記プラズマチャンバーにＲＦプラズマを形成してチタン膜を蒸着する第３工程とを備えることを特徴とするＰＣＶＤによるオーミック層形成方法。 - 特許庁

A grid 17 is interposed between a plasma and a substrate 15 when a passivation layer is formed on the substrate 15 by exposing the substrate 15 in a vacuum to a flow of particles which were generated by plasmaenhanced chemical vapor deposition, thereby reducing the flow of charged particles towards the substrate 15 while conserving the flow of neutral particles.例文帳に追加

プラズマ強化化学的気相成長のプラズマによって発生した粒子の流れに真空状態で基板１５を曝露させることによって、基板１５上に不活性化層を形成する際にプラズマと基板１５との間に格子１７が挿入され、これによって中性粒子の流れを保持しながら基板１５に向かう帯電した粒子の流れを低減する。 - 特許庁

To provide a chemical vapor deposition use copper complex solution of a bivalent copper complex with β-diketonato having a silyl ether linkage as a ligand, which is present as a solid at room temperature or present as a melt having high viscosity even in a liquid, can be fed into a vaporizer by a liquid transport pump and reduces a load on the vaporizer.例文帳に追加

本発明は、室温で固体で存在するか、或いは液体であっても粘性の高い融液として存在する、シリルエーテル結合を持つβ−ジケトナトを配位子とする２価の銅錯体の液体搬送ポンプによる気化器への送入が可能で、気化器への負荷が低減された化学気相蒸着用銅錯体溶液の提供を課題とする。 - 特許庁

The shielding apparatus for the cathode arc vapor deposition system including a contactor 22 having a shaft 24 formed of a conductive material and extending in an axial direction and a cathode 24, includes a cup member 26 formed of the conductive material to enclose part of the shaft 24 of the contactor 22 and a shielding apparatus for preventing the material from depositing on the cup member 26.例文帳に追加

導電性材料で形成され、軸方向に伸びるシャフト２４と陰極１４とを有するコンタクタを２２含む陰極アーク蒸着装置結用のシールド装置は、導電性材料から形成されコンタクタ２２のシャフト２４の一部を取り囲むカップ部材２６、および材料がカップ部材２６に堆積するのを防ぐためのシールド装置を含んでいる。 - 特許庁

In the method of extracting and cleaning the metal wire film, a metal wire film formed on a semiconductor wafer by a plating method or a vapor-phase deposition method is processed by being exposed for a certain period in carbon dioxide or an inert gas or fluid at high pressure relative to ordinary pressure.例文帳に追加

また、配線構造を形成する過程で配線あるいはデバイス構成材料中に取り込まれた不純物を除去し、配線膜の比抵抗値の上昇を防止し、信頼性を高めることのできる金属配線膜の抽出洗浄方法、抽出洗浄処理された金属配線およびこの金属配線を有するデバイスを提供する。 - 特許庁

The method for correcting pattern defects includes the steps for: feeding raw material gas to a correcting portion of a correcting object mask in a reduced-pressure atmosphere, applying an energy beam thereto, and depositing a material including silicon by energy beam-induced chemical vapor deposition; and performing either of an oxidation treatment, a nitriding treatment, and an oxynitriding treatment for at least a part of the deposited material.例文帳に追加

減圧雰囲気中で被修正マスクの修正部位に原料ガスを供給するとともにエネルギビームを照射してエネルギビーム誘起化学蒸着によりシリコンを含有する材料を堆積させる工程と、前記堆積した材料の少なくとも一部に対して酸化処理、窒化処理、或いは、酸窒化処理のいずれかを行う工程とを設ける。 - 特許庁

A CVD apparatus 1 for forming the thin film on the substrate 5 by chemical vapor deposition with the use of a production gas 6 in a chamber 10 has a gas introduction pipe 20 for introducing the production gas 6 arranged so as to contact to a wall of the chamber 10 and connected to an upper plate 11 which is arranged in the chamber 10 and supplies the production gas 6 to the substrate 5.例文帳に追加

チャンバー１０内で生成ガス６を用いて化学気相成長により基板５上に薄膜を成膜するＣＶＤ装置１において、生成ガス６を導入するガス導入管２０がチャンバー１０の内壁に接して配管され、チャンバー１０内に配置され基板５に生成ガス６を供給する上部プレート１１に接続されている。 - 特許庁