「Vapor Deposition」に関連した英語例文の一覧と使い方(103ページ目) - Weblio英語例文検索

When the SiC single crystal film is formed on an SiC single crystal substrate 4 by a chemical vapor deposition method using a raw material gas containing Si and C, the SiC single crystal substrate 4 is heated at a first heating section and an Si material 5 is heated separately from the SiC single crystal substrate 4 at a second heating section provided at the upstream side of the flow direction of the raw material gas.例文帳に追加

ＳｉおよびＣを含んだ原料ガスを用いて化学気相成長法によってＳｉＣ単結晶基板４上にＳｉＣ単結晶膜を形成する際、ＳｉＣ単結晶基板４を第１加熱部で加熱し、ＳｉＣ単結晶基板４とは別に原料ガス流通方向上流側に設けられた第２加熱部でＳｉ材料５を加熱する。 - 特許庁

The catalytic chemical vapor deposition apparatus comprises: a process chamber 1; a shower head 2 constituted to draw a process gas into the process chamber 1; a catalytic wire structure 3 constituted in the process chamber 1 to crack the gas drawn from the shower head 2 and capable of exerting tension; and a substrate 4 on which the gas cracked by the catalytic wire structure 3 is deposited.例文帳に追加

工程チャンバ１と、前記工程チャンバ１内に工程ガスを引入するように構成されるシャワーヘッド２と、前記シャワーヘッド２から引入されるガスを分解させるように前記工程チャンバ１内に構成される張力付加の可能な触媒ワイヤ構造体３と、前記触媒ワイヤ構造体３で分解されたガスが蒸着される基板４と、を含んでなる。 - 特許庁

Regarding the method for producing a metal-containing thin film using a ruthenium-containing thin film as a lower layer metal film, an organic ruthenium complex is subjected to a chemical vapor deposition process, so as to produce a ruthenium-containing thin film, and then, an organic metal complex is formed on the ruthenium-containing thin film by a CVD process, so as to deposit a metal-containing thin film.例文帳に追加

本発明の課題は、有機ルテニウム錯体を化学気相蒸着法によりルテニウム含有薄膜を製造させた後、次いで、そのルテニウム含有薄膜の上に、有機金属錯体をＣＶＤ法により金属含有の薄膜を形成させることを特徴とする、ルテニウム含有薄膜を下層金属膜とした金属含有薄膜の製造法によって解決される。 - 特許庁

The chemical vapor deposition apparatus introduces gas among a substrate holder supporting a substrate and having a heating means, the gas jet plate having a plurality of holes at the position confronted with the substrate holder and a support fixing the gas jet plate and deposits a film on the substrate using the gas, wherein a seal material made of carbon as the main component is arranged between the gas jet plate and the support.例文帳に追加

基体を支持し加熱手段を有する基体ホルダーと、基体ホルダーに対向した位置に複数の穴を有するガス噴出板と、ガス噴出板を固定する支持体との間にガスを導入し、基体に前記ガスを用いて成膜する化学的気相蒸着装置において、主成分が炭素からなるシール材が、ガス噴出板と支持体との間に配置されている構造を有する。 - 特許庁

The method for producing the silicon carbide sintered compact includes: a process of firing a mixture containing ethyl silicate and phenol resin under an inert atmosphere to extract powder of a silicon source that contains a silicon simple substance generated during the generation of a silicon carbide powder body; and a vapor deposition process of depositing the silicon source to a surface of the silicon carbide sintered compact.例文帳に追加

炭化ケイ素焼結体の製造方法は、不活性雰囲気下において、エチルシリケートとフェノール樹脂とを含む混合物を焼成し、炭化ケイ素粉体を生成する過程で生成され、ケイ素単体と一酸化ケイ素とを含むケイ素源の粉体を抽出する工程と、炭化ケイ素焼結体の表面に前記ケイ素源を蒸着させる蒸着工程を有する。 - 特許庁

To provide a vapor-deposition material for use in producing a layer having a high refractive index of at least 2.0, which has high durability, is insensitive to moisture, acids and alkalis, has low radioactivity, is transparent, is non-absorbent over a broad spectral range, does not change its original composition during melting and evaporation and is suitable for use in producing the layer of high refractive index having the same properties.例文帳に追加

耐久性があり、湿度、酸およびアルカリに非感受性で、低放射性で、透明であり、広範囲のスペクトルに非吸収性であり、その元の組成を溶融と蒸発の間に変化させず、かつ、同じ特性を有する高屈折率の層の製造に適した、少なくとも２．０の高屈折率を有する層を製造するための蒸着材料を提供する。 - 特許庁

The extrusion molded product can be mounted on the front panel by a claw structure so that the design face of the extrusion molded product on which the vapor deposition process (for example, metal-effect, grain pattern and the like) is performed, can be seen at a front face of the front panel, the front panel can be decorated by the integral extrusion molded product having surface finish free from a cut line, and a mold is inexpensive.例文帳に追加

本発明によれば、蒸着処理（例えば金属調や木目柄など）された押出成形品の意匠面が前面パネル正面に見えるように、爪構造により、押出成形品を前面パネルに取り付けることが可能となり、切れ目の無い表面仕上げの一体押出成形品を前面パネルに装飾することができ、金型代も安価となる。 - 特許庁

Reflection emitted from the vapor-deposition source O is shielded by the shielding part 8 and the shielding part 9 to partially form a reflection part on the screen material 11 and the reflection part is formed on the screen material 11 at an ideal angle by parallel movement of a virtual center rotation axis 10 and revolution around a virtual center rotation axis 10 between the winding part 6 and the winding part 7.例文帳に追加

蒸着源Ｏで射出された反射は、遮蔽部８と遮蔽部９により遮蔽されることでスクリーン材料１１に部分的に反射部を形成し、且つ、仮想中心回転軸１０の平行移動と、巻き取り部６と巻き取り部７の仮想中心回転軸１０を中心とした公転により、理想の角度でスクリーン材料１１に反射部を形成する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for producing a nitride thin film for producing a high-quality nitride thin film using ablation released ions, by which a thin film close to the stoichiometric ratio of a target can be formed in pulse laser vapor deposition of a two-component decomposable nitride ceramic material or a nitride semiconductor, and intrusion of impurities into a produced film can be suppressed as far as possible, and to provide the nitride thin film.例文帳に追加

２成分系分解性窒化物セラミックスあるいは窒化物半導体のパルスレーザー蒸着において、ターゲットの化学量論比に近い薄膜を形成させることができ、且つ、生成膜への不純物混入を極力抑えることができる、アブレーション放出イオンを用いた良質の窒化物薄膜を作製する方法および作製装置並びに窒化物薄膜を提供する。 - 特許庁

Wiring patterns 3-5 are integrally molded by dual component molding inside an insulating body 2 using a synthetic resin in which nickel is blended in dispersion as a conductive filler, nickel thin coats are formed by direct vapor deposition on end faces of wiring exposed from an end surface 2a of the body 2, and the obtained products are used as conductive terminals 6-8.例文帳に追加

二色成形により、絶縁性の本体部分２の内部に導電性フィラーであるニッケルが分散混合された合成樹脂を用いて各配線パターン部３〜５を一体形成し、本体部分２の端面２ａから露出している各配線パターン部３〜５の端面に、ダイレクト蒸着法によりニッケル薄膜を形成し、これらを導通端子６〜８として用いる。 - 特許庁

Further, the organic glass is manufactured by a primer layer forming process for forming the primer layer 2 comprising the resin primer on the surface of the transparent resin substrate 1 and a hard coat layer forming process for forming the hard coat layer 3 comprising silicon oxide on the primer layer 2 by a physical vapor deposition method while holding the temperature of the substrate 1 to 100°C or below.例文帳に追加

また、本発明の有機ガラスの製造方法は、透明性樹脂基板１の表面に樹脂プライマーからなるプライマー層２を形成するプライマー層形成工程と、物理的蒸着法によりプライマー層２の上に基板１の温度を１００℃以下に保って酸化ケイ素からなるハードコート層３を形成するハードコート層形成工程と、を有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a plasma source device as a novel composite vapor deposition device usable for an ion source and a radical source, capable of forming a good quality thin film on a base board by selectively emitting only a radical of film forming species particularly at operation time as the radical source, usable in common to the ion source and the radical source, and capable of forming respective superior thin films.例文帳に追加

イオン源及びラジカル源に用いることができ、とくにラジカル源としての運用時には、成膜種のラジカルのみを選択的に放出して基板に良質の薄膜を形成し得るようにし、イオン源とラジカル源とに共用してそれぞれの良好な薄膜を形成することができる新規な複合型蒸着装置としてのプラズマ源装置を提供する。 - 特許庁

The production method of single-walled carbon nanotubes in which chirality is controlled is characterized by forming and growing single-walled carbon nanotubes by an alcohol chemical vapor deposition method while irradiating the carbon nanotubes with a free electron laser beam having a light absorption wavelength or a wavelength approximate to the light absorption wavelength which corresponds to the transition energy of the single walled carbon nanotubes having predetermined diameters, that is searched from Kataura plot.例文帳に追加

片浦プロットから求められた所定の直径の単層カーボンナノチューブの遷移エネルギーに対応する光吸収波長又はその近似の波長の自由電子レーザーを照射しながら、アルコール化学気相成長法によって単層カーボンナノチューブを生成、成長させることを特徴とするカイラリティの制御された単層カーボンナノチューブの製造法。 - 特許庁

The method of producing the metal powder to be used for producing the ultraviolet-curing inkjet composition to be jetted through an inkjet method includes: a film-forming step of forming a film made of a metal material on a base material through a vapor-phase deposition method; and a pulverizing step of pulverizing the film in a liquid containing a surface treating agent.例文帳に追加

本発明の製造方法は、インクジェット方式により吐出される紫外線硬化型インクジェット組成物の製造に用いられる金属粉末を製造する方法であって、基材上に気相成膜法により金属材料で構成された膜を形成する成膜工程と、表面処理剤を含む液体中で前記膜を粉砕する粉砕工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁

In order to solve the above-described problem, the invention according to Claim 1 of the present invention relates to a roll-to-roll type plasma CVD system capable of depositing ineffective deposits on a conductive sheet by forming the conductive sheet on an exposed part of a drum electrode except a part at which the drum electrode is abutted on a base material for vapor deposition.例文帳に追加

上記課題を解決するため、本発明の請求項１記載の発明は、ロールツーロール方式のプラズマＣＶＤ装置において、前記ドラム電極と前記被蒸着基材とが当接する箇所を除く前記ドラム電極の露出箇所に、導電性のシートを形成することにより、該導電性のシートへと無効蒸着物を堆積させることを特徴とする、プラズマＣＶＤ装置である。 - 特許庁

In order to solve the above-described problem, the invention according to Claim 1 of the present invention relates to a roll-to-roll type plasma CVD system capable of depositing ineffective deposits on a conductive sheet by forming the shielding base material on an exposed part of a drum electrode except a part at which the drum electrode is abutted on a base material for vapor deposition.例文帳に追加

上記課題を解決するため、本発明の請求項１記載の発明は、ロールツーロール方式のプラズマＣＶＤ装置において、前記ドラム電極と前記被蒸着基材とが当接する箇所を除く、前記ドラム電極の露出箇所に、該露出箇所への成膜を防止するための遮蔽基材を形成したことを特徴とする、プラズマＣＶＤ装置である。 - 特許庁

This is the method of manufacturing the electrode for lithium secondary battery in which a thin film containing an active material is formed on a current collector, and is provided with an interfacial layer forming process of forming an interfacial layer on the current collector by an ion plating method and an active material layer forming process of forming an active material layer on the interfacial layer by a vapor deposition method.例文帳に追加

本発明方法は、活物質を含む薄膜を集電体上に形成するリチウム二次電池用電極の製造方法であって、集電体上にイオンプレーティング法により界面層を形成する界面層形成工程と、界面層上に蒸着法により活物質層を形成する活物質層形成工程とを具えることを特徴とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the radiation image conversion panel 1 comprises a process for dipping a phosphor panel 4 in which a stimulable phosphor layer 3 is formed on a prescribed substrate 2 by a vapor deposition method into a halogenation agent; and a process for heating the phosphor panel 4 at 60-200°C under an atmosphere of vacuum, air, or inert gas after the dipping process.例文帳に追加

本発明に係る放射線画像変換パネル１の製造方法は、所定の基板２上に気相堆積法で輝尽性蛍光体層３が形成された蛍光体パネル４をハロゲン化溶剤に浸漬する浸漬工程と、前記浸漬工程の後に蛍光体パネル４を真空、空気又は不活性ガスの雰囲気下で６０〜２００℃に加熱する加熱工程とを、有する。 - 特許庁

The hard film 1 having composition of, by atom, 60-95% carbon and 5-40% silicon is manufactured by using an apparatus by a physical vapor deposition method such as a sputtering apparatus with a carbon target and a silicon target, or a sputtering apparatus with a target having composition consisting of, by atom, 60-95% carbon and 5-40% silicon.例文帳に追加

組成割合６０〜９５原子％の炭素と組成割合５〜４０原子％の珪素を含む硬質皮膜１を、炭素ターゲットと珪素ターゲットを備えたスパッタリング装置、或いは、組成割合６０〜９５原子％の炭素と組成割合５〜４０原子％の珪素から構成されるターゲットを備えたスパッタリング装置等の物理蒸着法による装置を用いて製造する。 - 特許庁

The gas barrier film is constituted by successively laminating an anchor coating layer containing a urethane bond, a vapor deposition layer comprising an inorganic compound, a composite coating layer containing at least one or more kinds of a hydroxy group-containing polymeric compound, metal alkoxide, a silane coupling agent and hydrolysates of them and a moisture-resistant layer comprising water-resistant resin, on at least one surface of a film base material.例文帳に追加

フィルム基材の少なくとも片面に、ウレタン結合を含むアンカーコート層と、無機化合物からなる蒸着層と、水酸基含有高分子化合物と金属アルコキシドとシランカップリング剤及び／またはそれらの加水分解物の少なくとも１種類以上を含む複合被膜層と、耐水性樹脂からなる耐湿層とを、順次積層してなることを特徴とするガスバリアフィルムである。 - 特許庁

To provide a power saving thermal head of low thermal capacity exhibiting high thermal response and ensuring high speed printing and high print quality, and its fabricating method, by forming a heat insulation layer having a thermal conductivity lower than that of a conventional glaze heat insulation layer and exhibiting excellent adhesion properties by vapor deposition and forming a thin protective layer using the same material as that of the heat insulation layer.例文帳に追加

本発明は、従来のグレーズ保温層よりも、更に熱伝導率が小さく、密着性に優れた保温層を蒸着法で形成し、この保温層と同じ材料で保護層を薄く形成して、熱容量が小さくて熱応答性の良い、印字の高速化や印字品質の良好な省電力サーマルヘッド、およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a contact structure by which impact energy at the time of contact closing is reduced and a contact surface shape is hardly denatured by solving the problem that the contact surfaces are fastened each other to reduce opening and closing responsiveness of the contact because the contact surface becomes a mirror state when a contact is formed by means such as vapor deposition, and provide a micro relay using the contact structure.例文帳に追加

蒸着等の手段によって接点を形成すると、接点表面は鏡面状態となり、接点表面同士が固着しやすく、接点の開閉応答性が低下するという問題点を鑑みて発明されたもので、接点閉成時における衝撃エネルギーを緩和し、接点表面形状を変性させにくくする接点構造及びそれを用いたマイクロリレーを提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an optical device in which reinforcement in members is unnecessary and the number of vapor deposition steps is not increased in the manufacturing process of an optical device including steps of stepwisely layering and adhering planar glass members subjected to film forming treatment and cutting and dividing the layered body into a plurality of pieces at a predetermined inclination angle, and to provide an optical device.例文帳に追加

成膜を施した平板状ガラス部材を階段状に積層、接着し、この積層体を所定の傾斜角度で複数個に切断分割するという工程を経る光学デバイスの製造工程において、部材間を補強する必要がなく、蒸着処理の工数増大を招くことがない光学デバイスの製造方法、及び光学デバイスを提供する。 - 特許庁

A method and system for vapor deposition on a substrate that disposes a substrate in a process space of a processing system that is isolated from a transfer space of the processing system, processes the substrate at either of a first position or a second position in the process space while maintaining isolation from the transfer space, and deposits a material on the substrate at either the first position or the second position.例文帳に追加

基板上の蒸着のための方法およびシステムであって、処理システムの移送空間から分離（アイソレーション）された処理システムの処理空間に基板を配置し、移送空間から分離が維持されている間、処理空間の第１の位置または第２の位置のいずれかで基板を処理し、前記第１の位置または第２の位置のいずれかで前記基板に材料を堆積させる。 - 特許庁

In a catalyst assisted chemical vapor deposition method, a porous composite metal oxide containing, in a specific ratio, oxides of one or more metals selected from the first metal group consisting of magnesium, calcium and aluminum, and oxides of one or more metals selected from the second metal group consisting of nickel, iron and cobalt is used as the catalyst.例文帳に追加

触媒支援化学的気相成長法において、マグネシウム、カルシウム及びアルミニウムからなる第１の金属群から選ばれる少なくとも１種以上の金属の酸化物と、ニッケル、鉄及びコバルトからなる第２の金属群から選ばれる少なくとも１種以上の金属の酸化物とを、特定の割合で含有する多孔質複合金属酸化物を触媒として用いる。 - 特許庁

This manufacturing method of this conical structure by plasma-enhanced chemical vapor deposition includes processes of: arranging a silicon substrate in a plasma generation region; introducing a mixture gas of methane gas and hydrogen gas in the plasma generation region; generating plasma by microwave power lower than 400 W; and applying a bias voltage of -120 to -50 V to the silicon substrate.例文帳に追加

プラズマ発生領域内にシリコン基板を配置する工程と、プラズマ発生領域内にメタンガス及び水素ガスの混合ガスを導入する工程と、４００Ｗ未満のマイクロ波電力によりプラズマを発生させる工程と、シリコン基板に—１２０Ｖを超え—５０Ｖ未満のバイアス電圧を印加する工程と、を含むプラズマ化学気相成長法による円錐状構造物の製造方法。 - 特許庁

A method of manufacturing the magnetic recording medium includes steps of: forming a magnetic recording layer on a substrate; forming a protection overcoat layer on the magnetic recording layer; exposing the surface of the protection overcoat layer in an ambient atmosphere including perfluorocycloalkane and oxygen; and polymerizing the perfluorocycloalkane using a plasma enhanced chemical vapor deposition to deposit a layer including perfluoropolyether on the protection overcoat layer.例文帳に追加

基板上に磁気記録層を形成すること、該磁気記録層上に保護オーバーコート層を形成すること、該保護オーバーコート層の表面をパーフルオロシクロアルカン及び酸素を含む雰囲気に暴露すること、及び該パーフルオロシクロアルカンをプラズマ強化化学気相成長法を用いて重合して、該保護オーバーコート層上にパーフルオロポリエーテル含有層を堆積すること、を含む磁気記録媒体の製造方法。 - 特許庁

To provide a highly productive method and an apparatus for cutting a radiograph conversion plate which does not cause any crack on the radiograph conversion plate produced by a vapor phase deposition method, can prevent the edge of the cut portion from being fused by laser-beam for cutting and can ensure high quality of the radiograph conversion plate including its edge and stability of the product dimensions.例文帳に追加

本発明は、気相堆積法を用いて生成した放射線画像変換プレートに対しても、亀裂が生じることがなく、またレーザー光により切断する場合に切断部の端部の溶融を防止でき、端部まで高品質で製品寸法の安定性を確保することのできる生産性のよい放射線画像変換プレートの断裁方法及び断裁装置を提供する。 - 特許庁

In the manufacturing method of the semiconductor device in which the gate insulation film is formed on a silicon single crystal substrate for the gate insulation film, an oxide layer is formed by an organic metal chemical vapor deposition method using a gaseous mixture having an oxidizing gas and an organic metal gas composed of the cyclopentadienyl complex of elements composed of one or more kinds of Ln (Ln is rare earth element).例文帳に追加

本発明は、シリコン単結晶基板上に、ゲート絶縁膜を形成する半導体装置の製造法において、前記ゲート絶縁膜を、Ｌｎ（Ｌｎは希土類元素）の１種類以上からなる元素のシクロペンタジエニル錯体からなる有機金属ガスと酸化性ガスとを有する混合ガスを用いた有機金属化学気相成長法によって酸化物層を形成することを特徴とする。 - 特許庁

The ultrasonic conversion apparatus comprises the vibrating diaphragm 11 which vibrates on an ultrasonic frequency band, an upper electrode 12 which is a ferromagnetic substance such as a nickel membrane integrally formed on the upper surface of the vibrating diaphragm 11 by vapor deposition or the like, and a lower electrode 13 with characteristics as a permanent magnet such as a conductive plastic magnet disposed facing the lower surface of the vibrating diaphragm 11.例文帳に追加

超音波周波数帯域で振動する振動膜１１と、振動膜１１の上面に蒸着等で一体形成されたニッケル薄膜等の強磁性体である上電極１２と、振動膜１１の下面に対向して配置された導電性を有するプラスチックマグネット等の永久磁石としての特性を有する下電極１３とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

The resin laminated film comprises a resin surface layer comprising a fluoroplastic resin and having a total light transmittance of at least 70% or above, a transparent resin layer comprising a vinyl chloride resin and/or a polyester resin and having a total light transmittance of at least 70% or above and the metal layer formed on the back of the transparent resin layer by vapor deposition.例文帳に追加

フッ素系樹脂からなり、少なくとも７０％以上の全光線透過率を有する樹脂表面層、塩化ビニル系樹脂及び／またはポリエステル系樹脂からなり、少なくとも７０％以上の全光線透過率を有する透明樹脂層、該透明樹脂層の裏面に蒸着により形成された金属層を有する積層体により上記課題を解決する。 - 特許庁

In forming a thin film comprising catalyst metal particles on the surface of a substrate and growing carbon nanotubes on the thin film by chemical vapor deposition by using the catalyst particles on the thin film as nuclei, a specifically patterned chromium layer that prevents carbon nanotube growth is interposed between the substrate and the thin film to allow the carbon nanotubes to grow on only an area where no thin film chromium layer is present.例文帳に追加

基板表面に触媒金属粒子からなる薄膜を形成し、該薄膜の触媒粒子を核として薄膜上に化学蒸着法によりカーボンナノチューブを成長させるに当たり、基板と上記薄膜の間に、カーボンナノチューブの成長を阻止するクロム層を所要パターンで介在させることにより、薄膜のクロム層非介在部のみにカーボンナノチューブを成長させる。 - 特許庁

In the electrode having the active material layer 13 formed by a vapor deposition method and comprising spaces and zigzag columnar particles 15, carried on a projecting part of a current collector 14 having a recessed and projecting pattern on the surface, the thickness of a layer forming the zigzag is made wider in the lower part than the upper part of the columnar particles 15 to secure spaces in the electrode surface part.例文帳に追加

蒸着法により製造され、表面に凹凸のパターンを有する集電体１４の凸部上に担持された空間とジグザグ形状の柱状粒子１５から成る活物質層１３を有する電極において、ジグザグ形状を形成する層の厚みが柱状粒子１５の上部より下部で広い形状とすることで、電極表面部分での空間を確保する。 - 特許庁

The method for producing a copper-containing film comprises producing a ruthenium-containing thin film on a film formation object by a chemical vapor deposition method, exposing the resulting thin film to atmospheric air, and bringing the ruthenium containing thin film into contact with an inert gas to produce the copper-containing film on the resulting film by using an organocopper complex.例文帳に追加

本発明の課題は、化学気相蒸着法により、成膜対象物上に有機ルテニウム錯体を用いてルテニウム含有薄膜を製造後に大気中に暴露し、次いで、ルテニウム含有薄膜を不活性ガスと接触させた後に、当該膜上に有機銅錯体を用いて銅含有薄膜を製造することを特徴とする銅含有膜の製造方法によって解決される。 - 特許庁

The silica-titania composite oxide particle produced by a vapor deposition method has a titania content of 50 wt.% or more, a BET specific surface area of 100 m^2/g or less, a containing rate of a silica single particle and a titania single particle by electron microscope observation of 10% or less, favorably 5% or less, and a hydrophobic surface.例文帳に追加

気相法によって製造されたシリカ・チタニア複合酸化物粒子であって、チタニアの含有量が５０重量％以上、ＢＥＴ比表面積が１００ｍ^2／ｇ以下、電子顕微鏡観察下においてシリカ単独粒子およびチタニア単独粒子の割合が１０％以下、好ましくは５％以下であり、表面が疎水化されているシリカ・チタニア複合酸化物粒子。 - 特許庁

To provide a chemical vapor deposition process which includes: vaporizing a metal chloride starting material, and then allowing the vaporized metal chloride starting material to react with a reducing gas containing hydrogen to deposit ceramics on an object, in which a lower metal chloride which has been discarded as a byproduct so far is recovered and returned to the original metal chloride so as to be re-utilized.例文帳に追加

金属塩化物原料を気化させた後、該気化した金属塩化物原料と、水素を含む還元ガスとを反応させて、対象物上にセラミックスを析出させる化学気相析出プロセスにおいて、従来副生物として廃棄されていた低級金属塩化物を回収し、これをもとの金属塩化物に戻して再利用できる化学気相析出プロセスを提供する。 - 特許庁

This process for depositing at least one layer (3) based on tungsten W and/or molybdenum Mo by chemical vapor deposition on a glass, ceramic or glass-ceramic substrate (1) by means of at least one tungsten and/or molybdenum precursor in the form of a metal halide and/or of an organometallic compound, and by means of at least one reducing agent, such as hydrogen or silane.例文帳に追加

少なくとも１種の金属ハロゲン化物及び／又は有機金属化合物の形のＷ及び／又はＭｏ先駆物質を使用し、且つ少なくとも１種の還元剤、例えば水素又はシランを使用することによって、化学気相堆積で、少なくとも１つのＷ及び／又はＭｏに基づく層（３）を、ガラス、セラミック、又はガラス−セラミック基材（１）に堆積させることによる。 - 特許庁

This growth method of carbon nanotube contains a step in which a gas containing carbon is introduced to the reaction unit and carbon nanotube is grown by chemical vapor-phase deposition method, a step in which the inner pressure of the reaction vessel of the reaction unit is continuously decreased at a specified speed, and a step in which carbon nanotubes with different tips are grown in the reaction vessel.例文帳に追加

また、本発明に係るカーボンナノチューブの成長方法は、前記反応装置にカーボンを含むガスを導入させて、化学気相堆積法でカーボンナノチューブを成長させる段階と、所定のスピードにより前記反応装置の反応容器の内部圧力を連続的に低減させる段階と、前記反応容器に先端が異なるカーボンナノチューブを成長させる段階と、を含む。 - 特許庁

The improved solution raw material for organic metal chemical vapor deposition obtained by dissolving one or more organic metal compounds in an organic solvent is characterized in that the organic solvent is a mixed solvent obtained by mixing an essential solvent composed of cyclohexane and one or more solvents selected from the group consisting of alcohols, alkanes, esters, aromatic series, alkyl ethers and ketones.例文帳に追加

１種又は２種以上の有機金属化合物を有機溶媒に溶解した有機金属化学蒸着法用溶液原料の改良であり、その特徴ある構成は、有機溶媒がシクロヘキサンを必須溶媒とし、上記シクロヘキサンにアルコール、アルカン、エステル、芳香族、アルキルエーテル及びケトンからなる群より選ばれた１種又は２種以上の溶媒を混合した混合溶媒であるところにある。 - 特許庁

The substrate fixing device for the thin-film vapor deposition device contains a mask pressurization plate which is located on the substrate and moves toward the substrate and which is allowed to contact with the substrate in a prescribed pressure, a magnetic body which is located on the mask pressurization plate, moves toward the mask pressurization plate so that the mask may be stuck on the substrate by using magnetic force and a driving means for moving the magnetic body.例文帳に追加

薄膜蒸着装置用の基板固定装置は、基板上に位置して、基板に向かって移動して所定圧力で前記基板に接触するマスク加圧プレートと、マスク加圧プレート上に位置して、磁力を用いて前記基板に対してマスクを密着させるようにマスク加圧プレートに向かって移動する磁性体と、磁性体を移動させる駆動手段とを含む。 - 特許庁

The alignment assisting means is provided with the plurality of apertures corresponding to the plurality of apertures for vapor deposition formed on the mask and is provided with the one or more pins longer in length than the penetration length of the pinholes formed in the positions fitting to the one or more pinholes formed at the mask, wherein the one or more pins are movable so as to penetrate the one or more pinholes.例文帳に追加

前記整列補助手段は、前記マスクに形成された複数の蒸着用開口部に対応する複数の開口部を備え、前記マスクに形成された一つ以上のピンホールに相応する位置に形成された、前記ピンホールの貫通長さより長さの長い一つ以上のピンを備え、そして前記一つ以上のピンが前記一つ以上のピンホールを貫通するように移動可能である。 - 特許庁

To provide a fluorine added glass article having a core material having small curvature and small eccentricity even when one having a fine diameter, one formed from a silica material having a low softening temperature or one formed by depositing a large quantity of low bulk density glass soot is used as the core material in the manufacture of the fluorine added glass article such as a fluorine added optical fiber preform by the outside vapor phase deposition method.例文帳に追加

外付け法によりフッ素添加光ファイバ母材などのフッ素添加ガラス物品を製造する際、コア材として細径のものを使用した場合、軟化温度が低いシリカなどからなるものを使用した場合、あるいは多量の嵩密度の低いガラススートを堆積した場合でも、コア材の湾曲が少なく、偏心が小さいフッ素添加ガラス物品を得る。 - 特許庁

The method for manufacturing vibration-proof rubber comprises a coating step of forming a para-xylylene resin layer on the surface of the vulcanized rubber of a rubber composition comprising a rubber component based on natural rubber, preferably, depositing the para-xylylene resin layer on the surface of the vulcanized rubber by using a vapor deposition polymerization method.例文帳に追加

天然ゴムを主成分とするゴム成分を含有するゴム組成物の加硫ゴム表面にパラキシリレン樹脂層を形成するコーティング工程を含むことを特徴とする防振ゴムの製造方法であって、好ましくはコーティング工程が、気相蒸着重合法により加硫ゴム表面にパラキシリレン樹脂層を形成するものであることを特徴とする防振ゴムの製造方法。 - 特許庁

The method for manufacturing the transparent conductive film includes: a polycrystalline film-forming step of forming a polycrystalline film, which contains zinc oxide, on a substrate by a vapor-phase deposition method; and a transparent conductive film-forming step of forming the transparent conductive film, in which the polycrystalline film is crystal-grown with Joule heating caused by energizing the polycrystalline film.例文帳に追加

本発明の透明導電膜の製造方法は、気相蒸着法により基板上に酸化亜鉛を含む多結晶膜を形成する多結晶膜形成工程と、前記多結晶膜に通電してジュール加熱を行うことにより前記多結晶膜を結晶成長させた透明導電膜を形成する透明導電膜形成工程と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The resin product containing a bright and discontinuously structured metal film 12 comprising a resin base material 11 and indium on the resin base material 11, is characterised by having an under anti-corrosive protection film 13 for improving the corrosion resistance of the metal film 12 comprising silicon oxonitride, aluminum nitride, aluminum oxonitride or chromium oxide formed by a physical vapor deposition method only under the metal film 12.例文帳に追加

樹脂基材１１と、樹脂基材１１上にインジウムからなる光輝性でかつ不連続構造の金属皮膜１２とを含む樹脂製品であって、金属皮膜１２の下にのみ、物理的蒸着法により形成された、酸窒化ケイ素、窒化アルミニウム、酸窒化アルミニウム又は酸化クロムからなる金属皮膜１２の耐食性を向上させる下耐食保護膜１３を有することを特徴とする。 - 特許庁