意味 | 例文 (999件) |
Vapor Depositionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 5223件
The improvement for minimizing the susceptor temperature rise in the low-temperature PECVD chamber during cleaning includes using the cleaning gas essentially comprising NF_3 for cleaning diluted with helium in the sufficient amount to carry away the heat generated during cleaning of the plasma enhanced low-temperature chemical vapor deposition chamber.例文帳に追加
クリーニング中の低温PECVDチャンバ内のサセプタ温度上昇を最小化するための改善には、プラズマ低温化学気相成長チャンバのクリーニング中に発生した熱を運び去るのに十分な量のヘリウムで希釈された、クリーニングのためのNF_3から本質的になるクリーニングガスを使用すること、が含まれる。 - 特許庁
The method for producing an oxide superconductive film by a laser vapor deposition process includes a step of simultaneously or alternately irradiating a target with a plurality of laser beams having different energy densities to thereby form an oxide superconductive film containing a normal conductor on a base material.例文帳に追加
レーザー蒸着法で酸化物超電導膜を製造する方法であって、エネルギー密度が異なる複数種のレーザー光を、ターゲットに同時又は交互に照射することで、基材上に常電導体を含む酸化物超電導膜を形成する工程を有することを特徴とする酸化物超電導膜の製造方法。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing conductive catalyst particles which is capable of depositing a uniform catalyst material on all the conductive powders by using a physical vapor deposition process, a method of manufacturing gas diffusive catalyst electrode and an apparatus and vibration device used for the method of manufacturing the conductive catalyst particles.例文帳に追加
物理蒸着法を用いて、全ての導電性粉体に均一な触媒材料を付着することができる、導電性触媒粒子の製造方法及びガス拡散性触媒電極の製造方法、並びに導電性触媒粒子の製造方法に用いる装置及び振動装置を提供すること。 - 特許庁
By irradiating the principal surface of the optical substrate 200 with ion beams of xenon gas, the barium fluoride film 210 is formed by vapor deposition supported by the ion beams of the xenon gas on the smoothened principal surface of the optical substrate 200, and further the zinc selenide film 220 is formed on the barium fluoride film 210.例文帳に追加
光学基材200の主表面にキセノンガスのイオンビームを照射することによって光学基材200の平滑化された主表面上に、キセノンガスのイオンビームで支援された蒸着により、弗化バリウム膜210を形成し、弗化バリウム膜210の上にセレン化亜鉛膜220を形成する。 - 特許庁
When depositing an aluminum-impurities added zinc oxide thin film by using an evaporation source comprising a solid formed mainly of zinc (Zn) or a compound containing Zn by a differential pressure arc plasma vacuum vapor deposition method, a compound containing Al is continuously or intermittently introduced into arc plasma in a gaseous mode.例文帳に追加
亜鉛(Zn)またはZnを含む化合物を主原料とする固形物から成る蒸発源を用い、圧力差アークプラズマ真空蒸着法を用いてアルミニウム不純物添加酸化亜鉛系薄膜を形成する際に、Alを含む化合物を気体の形態でアークプラズマ中に連続的または間欠的に導入すること。 - 特許庁
It is preferable that the adhesive material is an acrylic resin or silicone-based resin, and the reflecting layer comprises either a resin layer containing at least either one of white granular powders comprising barium sulfate and calcium carbonate or a metal vapor deposition layer, or a combination thereof.例文帳に追加
粘着材料が、アクリル系樹脂またはシリコーン系樹脂の何れかからなり、反射層が、硫酸バリウムおよび炭酸カルシウムからなる白色系粉粒状体の中の少なくともいずれか一種を含有する樹脂層と金属蒸着材層のいずれかまたはこれらを組み合わせたものからなることが好ましい。 - 特許庁
The method of depositing the hard carbon nitride film on the surface of a material to be treated is characterised by heating and sublimating raw material carbon and the like by utilizing a hollow cathode discharge while introducing gaseous ammonia in a process chamber, thereby depositing the hard carbon nitride film by vapor deposition on the surface of the material to be treated.例文帳に追加
被処理材の表面に硬質窒化炭素膜を形成するための方法であって、処理室内において、アンモニアガスを導入しながら、原料炭素類をホローカソード放電を利用して加熱、昇華させ、前記被処理材の表面に硬質窒化炭素膜を蒸着形成することを特徴とする。 - 特許庁
To solve the problem wherein a multicolor multilayered film generally obtained by laminating a metal oxide or the like by a vapor deposition technique can be decorated and is beautiful but, especially a crack occurs or adhesion can not kept when a hard thin metal oxide film or the like is formed on the surface of the flexible elastomer resin.例文帳に追加
一般的に酸化金属等を蒸着技術等で積層した多色多層膜は加飾でき美しいものであるが、特に、軟質素材であるエラストマー樹脂の表面に硬くて薄い酸化金属膜等を形成することはクラックの発生や密着性が維持できず商品化がされていない。 - 特許庁
Moreover, the method of manufacturing the electrode for the lithium battery includes interface part forming step of forming the interface part containing the lithium metal oxide on the current collector by a sputtering method, and an upper layer part forming step of forming the upper layer part containing the lithium metal oxide on this interface part by a vapor-deposition method.例文帳に追加
また、本発明のリチウム電池用電極の製造方法は、集電体上にスパッタリング法によりリチウム金属酸化物を含む界面部を形成する界面部形成工程と、この界面部上に蒸着法によりリチウム金属酸化物を含む上層部を形成する上層部形成工程とを備える。 - 特許庁
The food package bag comprises a sealant layer (A)1 made of a molten composite having a low melting point polyolefin resin and a polyester resin, a vapor deposition layer (B)2 and a biaxially stretched polyester film layer (C)3 laminated in this sequence, and the layer (A)1 is placed inside the bag.例文帳に追加
低融点ポリオレフィン樹脂とポリエステル樹脂とからなる溶融組成物から形成されたシーラント層(A)1と、蒸着層(B)2と、二軸延伸ポリエステルフィルム層(C)3とがこの順に積層されてなる包装材料を用いて、前記層(A)1が袋の内側になるように形成された食品包装用袋。 - 特許庁
In the method for successively forming the buffer layer of zinc oxide and the zinc oxide crystalline film on the substrate of, for example, sapphire by an organic vapor deposition process, the zinc oxide buffer layer is formed by utilizing gas of an organic metallic compound like zinc acetylacetonate containing zinc and oxygen without using other gases containing oxygen.例文帳に追加
例えばサファイアの基板上に酸化亜鉛のバッファ層と酸化亜鉛結晶膜とを有機金属気相堆積法で順次形成する方法において、その酸化亜鉛バッファ層は亜鉛と酸素を含む亜鉛アセチルアセトナートのような有機金属化合物のガスを利用して、酸素を含む他のガスを用いることなく形成される。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a low core loss grain oriented magnetic steel sheet in which excellent film adhesion is maintained on a film even when the heat treatment such as baking of tension application type coating and stress relief annealing are further performed on the film after the formation of the film by a chemical vapor deposition method.例文帳に追加
化学気相蒸着法によって被膜を被成した後に、さらに該被膜上への張力付与型コーティングの焼き付けや歪取焼鈍等の熱処理を行った場合にあっても、優れた被膜密着性が上記被膜において維持される、低鉄損方向性電磁鋼板の製造方法について提案する。 - 特許庁
To provide a film forming method capable of embedding even a fine recessed section with a high step coverage by forming a Mn containing thin film, a CuMn containing alloy thin film, or the like by heat treatment such as CVD (Chemical Vapor Deposition) and greatly reducing the cost of a device by performing continuous processing with one and the same processor.例文帳に追加
Mn含有膜やCuMn含有合金膜等を、CVD等の熱処理によって形成することにより、微細な凹部でも、高いステップカバレッジで埋め込むことができ、しかも、同一の処理装置で連続的な処理を行うようにして装置コストを大幅に低減化することができる成膜方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for forming a thin film, which forms a thin film on the inner surface of the tubular material with a chemical vapor deposition process while forming a tubular material by drawing a base material having a shape resembling to the tubular material; an apparatus for forming the thin film ; and a method for manufacturing such a tubular material.例文帳に追加
管状材と相似する形状を有する母材を延伸することにより管状材に成形するとともに、化学的気相成長法によりその管状材の内面に薄膜を形成することができる薄膜形成方法及び薄膜形成装置、並びに、そのような管状材の製造方法を提供する。 - 特許庁
The first reflection layer 32 and the second reflection layer 34 are formed by vacuum vapor deposition or sputtering, the light made incident from the translucent window 31 repeats total reflection on the first reflection layer 32, the second reflection layer 34 and the total reflection surface, illumination distribution is equalized and the light is emitted from the translucent pattern 33.例文帳に追加
第1反射層32及び第2反射層34は真空蒸着あるいはスパッタによって成膜され、前記透光窓31から入射した光が、第1反射層32、第2反射層34及び全反射面で全反射を繰り返し、照度分布が均一化されて透光パターン33より出射される。 - 特許庁
To provide a vapor deposition mask 1 for an organic EL element maintaining a good junction between a mask body 2 and a frame 3 by preventing deterioration of an adhesive layer 8 interposed between the mask body 2 and the frame 3, contributing to improvement of reliability of precision reproducibility of a light-emitting layer, and to provide a manufacturing method of the same.例文帳に追加
マスク本体2と枠体3との間に介在された接着剤層8の変質を防いで、マスク本体2と枠体3との良好な接合状態を長期にわたって維持し、以て発光層の再現精度の信頼性向上に寄与できる有機EL素子用蒸着マスク1およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a metal vapor deposition biaxially oriented polyester film which maintains the characteristics of practical use without losing heat resistance, aroma retention, water resistance and the like which are outstanding characteristics, has good twist retention and bending properties, enables twist wrapping, bending packaging or secured bending and is excellent in gas barrier properties.例文帳に追加
優れた特性である耐熱性、保香性、耐水性等を失うことなく実用面の特性を維持し、良好なひねり保持性、折曲げ性を具備し、ひねり包装や折曲げ包装、又は折曲げ固定の可能で、かつ、ガスバリア性に優れた金属蒸着二軸延伸ポリエステルフィルムを供給すること。 - 特許庁
To avoid the problem that a threshold voltage of a transistor is shifted to the negative side to deteriorate a channel mobility, by previously forming a nitrogen-silicon bond layer on a surface of a silicon oxide film, eliminating a hiding period of forming a silicon nitride film by a chemical vapor deposition method, and suppressing nitriding of a silicon oxide-silicon boundary.例文帳に追加
酸化シリコン膜表面に予め窒素−シリコン結合層を形成して、化学的気相成長法による窒化シリコン膜形成の潜伏時間を解消し、酸化シリコン−シリコン界面の窒化を抑えることで、トランジスタのしきい値電圧が負側にシフトし、チャネル移動度を劣化させる問題を回避する。 - 特許庁
This manufacturing method for forming a phosphor layer by a vapor deposition method in a closed vacuum chamber 12 has a process for setting a substrate 70 in the vacuum chamber 12, a process for removing dust from a surface 70d of the substrate under the condition where the substrate 70 is set, and a process for forming the phosphor layer on the substrate.例文帳に追加
閉塞された真空チャンバ12内で、気相堆積法により蛍光体層を形成する製造方法であって、真空チャンバ12内に基板70をセットする工程と、基板70がセットされた状態で基板の表面70dを除塵する工程と、蛍光体層を基板上に形成する工程とを有する。 - 特許庁
An apparatus for manufacturing a semiconductor device is provided with a reaction chamber (124) for performing chemical vapor deposition on a semiconductor wafer within the chamber, a source gas injector (125) for supplying the source gas into the reaction chamber, and vacuum pumps (106, 107) for reducing pressure in the source gas injector as well as in the reaction chamber.例文帳に追加
内部の半導体ウェハ上に化学気相堆積を行うための反応室(124)と、反応室内に原料ガスを供給するための原料ガスインジェクタ(125)と、反応室内のみならず原料ガスインジェクタ内をも減圧するための真空ポンプ(106,107)とを有する半導体装置の製造装置が提供される。 - 特許庁
The polypropylene film for vapor deposition, one side of which has been provided with corona discharge treatment, has a static coefficient of friction μs between the corona discharge-treated side and the other side of ≥0.02, a dynamic coefficient of friction μd therebetween of ≥0.07, and an area heat shrinkage factor of ≤5.0%.例文帳に追加
片面にコロナ放電処理を施したポリプロピレンフィルムにおいて、コロナ放電処理面と他方の面との静摩擦係数μsが0.20以上、動摩擦係数μdが0.07以上であって、かつ面積熱収縮率が5.0%以下であることを特徴とする蒸着用ポリプロピレンフィルム、及びその製造方法。 - 特許庁
In this manufacturing method, after forming the titanium nitride film 12 on a semiconductor substrate, provided with a contact hole 10 by using the organic metal raw material gas containing titanium and chlorine by the chemical vapor deposition method, the titanium nitride film 12 is patterned into a desired shape, and then a wiring composed of a conductive material is formed on the titanium nitride film 12.例文帳に追加
コンタクトホール10を含む半導体基板1上に、化学的気相成長法によりチタン及び塩素を含む有機金属原料ガスを使用して、窒化チタン膜12を成膜した後、同窒化チタン膜12を所望の形状にパターニングし、次に同窒化チタン膜12上に導電性材料からなる配線を形成する。 - 特許庁
The gas barrier film comprises: a base material comprising a resin; a first inorganic layer being the vapor deposition film and formed on the base material; and a second inorganic layer being a film formed on the first inorganic layer and formed of ultrafine particles.例文帳に追加
本発明は、樹脂からなる基材と、上記基材上に形成され、蒸着膜である第1無機層と、上記第1無機層上に形成され、超微粒子で形成された膜である第2無機層とを有することを特徴とするガスバリアフィルムを提供することにより、上記目的を達成するものである。 - 特許庁
A full color light-emitting device is realized by a plurality of kinds of light-emitting elements which has between a pair of electrodes a first material layer formed selectively by a liquid drop injection device and a second material layer formed by a vapor deposition method using a conductive surface substrate on which surface a layer containing an organic compound is formed.例文帳に追加
液滴吐出装置で選択的に形成した第1の材料層と、表面に有機化合物を含む層が形成された導電表面基板を用いる蒸着法で形成した第2の材料層との積層を、一対の電極間に設けた複数種類の発光素子でフルカラーの発光装置を実現する。 - 特許庁
In the hydrogen barrier-coated article and the surface treatment method, the surface of a stainless steel pipe, vessel or the like is coated with aluminum, an aluminum alloy, the nitride of aluminum or the nitride or carbide of titanium so as to form at least one or more layers of 0.1 to 10 μm by a physical vapor deposition method.例文帳に追加
アルミニウム、アルミニウム合金、あるいはアルミニウム窒化物もしくはチタニウムの窒化物、炭化物をステンレス鋼パイプ及び容器類の表面に、物理的蒸着方法により0.1〜10μmを少なくとも1層以上被覆することにより水素バリヤ被覆物品及びその表面処理方法を提供するものである。 - 特許庁
A CVD(chemical vapor deposition) system 300 is provided with a plurality of film formation nozzles 112 to supply a film formation gas into a film formation chamber 110, cleaning gas nozzles 310 to supply a cleaning gas, and a film formation target supporting body 118 to position a film formation target subjected to a film formation step within the film formation chamber.例文帳に追加
成膜室110の内部に成膜ガスを供給するための複数の成膜ガスノズル112と、クリーニングガスを供給するためのクリーニングガスノズル310と、成膜工程の対象となる成膜ターゲットを成膜室の内部に位置づけるための成膜ターゲット支持体118が設けられている。 - 特許庁
To provide a method and an apparatus for supplying a gas, in which the mass of a source gas to be supplied and the total flow rate of a mixed gas and a dilute gas becomes constant, when a mixture gas of the source gas obtained by vaporizing a liquid material and a carrier gas is supplied as a reaction gas to a chemical vapor deposition unit.例文帳に追加
液体原料を気化した原料ガスとキャリアガスとの混合ガスを希釈ガスと共に反応ガスとして気相成長装置に供給する際、供給される原料ガスの質量および混合ガスと希釈ガスの総流量が一定となるようなガス供給方法およびその装置を提供すること。 - 特許庁
To provide a magnetic recording medium which is obtained by a vacuum vapor deposition process for forming a thin magnetic metallic film under introduction of oxygen and has a high recording capacity to make a high output obtainable in spite of the low noise applicable to an ALT3 format and a method for manufacturing the same.例文帳に追加
酸素を導入しながら、金属磁性薄膜を形成する真空蒸着プロセスによって得られる磁気記録媒体およびその製造方法において、AIT3フォーマットに適用できる低ノイズでありながら高出力が得られる高記録容量の磁気記録媒体並びにその製造方法を提供する。 - 特許庁
In the manufacturing method of the CNT, an iron salt as a main catalyst 16 and a molybdate as an auxiliary catalyst 18 are placed inside a reaction tube 12, and a carbon source is passed through the reaction tube 12 together with an inert gas and reacted at a prescribed temperature to perform vapor deposition of the carbon nanotube (CNT).例文帳に追加
本発明に係るCNTの製造方法は、反応管12内に、主触媒16として鉄塩を、副触媒18としてモリブデン酸塩を配置し、炭素源を不活性ガスと共に反応管12内に流して、所要温度で反応させて、カーボンナノチューブ(CNT)を気相成長させることを特徴とする。 - 特許庁
The surface protection sheet for a solar cell module is formed by laminating gas barrier sheets on the opposite surface of a light irradiation surface of a base material sheet, and as for the gas barrier sheet, at least two or more gas barrier sheets which have an inorganic oxide vapor deposition thin film layer, a resin coated layer and a polymer film are laminated.例文帳に追加
基材シートの光照射面の反対側の面に、ガスバリアシートが積層された太陽電池モジュール用表面保護シートであって、該ガスバリアシートが、無機酸化物蒸着薄膜層、樹脂コート層、高分子フィルムを有するガスバリアフィルムが少なくとも2枚以上積層された太陽電池モジュール用表面保護シート。 - 特許庁
In the organometal chemical vapor deposition apparatus 3 for depositing a film on a substrate 2 by evaporating raw materials 1a and 1b of an organometallic complex, all or one part of the portion contacting with the raw materials 1a and 1b of the organometallic complex or the vaporized raw materials of the organometallic complex are formed of a insulating material 4.例文帳に追加
有機金属錯体原料1a、1bを気化させて基板2上に膜を堆積させる有機金属化学気相成長装置3において、有機金属錯体原料1a,1b乃至気化した該有機金属錯体原料が接触する部分の全部又は一部を絶縁材料4により形成している。 - 特許庁
The radiation image conversion panel 1 comprises the substrate 2 formed to have circular angle parts with a curvature radius R, the stimulable phosphor layer 3 formed on the surface of the substrate 2 by vapor phase deposition method, and protective films 4 and 5 covering and sealing the whole surface of the substrate 2 having the phosphor layer 3 formed thereon.例文帳に追加
放射線画像変換パネル1に、角部が曲率半径Rの円弧状となるように形成された基板2と、基板2の表面に気相堆積法により形成された輝尽性蛍光体層3と、輝尽性蛍光体層3が形成された基板2の全表面を覆って封止する保護フィルム4,5と、を設ける。 - 特許庁
To provide a stable manufacturing method by vapor deposition of a rare-earth magnet powder whose surface is coated with an aluminum film which is useful for manufacturing a rare-earth bonded magnet having high corrosive resistance and oxidation resistance and superior in adhesiveness and film quality, and which is composed of fine crystal grains having superior magnetic characteristics.例文帳に追加
耐食性や耐酸化性に優れた希土類系ボンド磁石を製造するために有用な、密着性や膜質に優れたアルミニウム被膜で表面被覆され、かつ、優れた磁気特性を有する、微細な結晶粒で構成される希土類系磁石粉末の気相成長法による安定な製造方法を提供すること。 - 特許庁
The optical member is configured by forming a protective layer such as a magnesium fluoride layer or an aluminum oxide layer by vapor deposition or another method on a light transmissive substrate of a cubic structure such as a magnesium oxide substrate, disposing an adhesive layer on the protective layer, and fixing an element layer of a polarizing element or a viewing angle compensating element.例文帳に追加
光学部材の構成を、酸化マグネシウムなどの立方晶構造の光透過性の基板上に、フッ化マグネシウム層や酸化アルミニウム層などの保護層を蒸着などにより形成し、該保護層上に粘着層を設けて偏光素子や視野角補償素子の素子層を固定する構成とする。 - 特許庁
Pretreatment using plasma of a reactive ion etching (RIE) mode is applied to at least one surface of a polyethylene naphthalate (PEN)/polyethylene terephthalate (PET) co-extrusion film and a vapor deposition layer consisting of a metal or an inorganic compound of 5-100nm thickness is provided on the treated surface of the co-extrusion film to constitute the high performance barrier film.例文帳に追加
ポリエチレンナフタレート(PEN)/ポリエチレンテレフタレート(PET)共押し出しフィルムの少なくとも一方の面に、リアクティブイオンエッチング(RIE)モードのプラズマを利用した前処理を施し、その上に厚さ5〜100nmの金属もしくは無機化合物からなる蒸着層を設けることを特徴とする高性能バリアフィルムである。 - 特許庁
To provide a device for supplying a raw liquid material which converts a liquid state of the raw liquid material into a gaseous state without using an additional gasification means, and can improve a uniformity of a film quality in a vapor deposition process and a reproducibility of the process, and to provide a method for forming a copper layer using the device.例文帳に追加
別途の気化手段を使用することなく液体状態の原料を気体状態に変化させるとともに、蒸着工程の際に膜質の均一性及び工程の再現性が改善できるようにした液体原料供給装置及びこれを用いた銅層形成方法を提供すること。 - 特許庁
A vacuum vapor deposition apparatus 10 comprises a vacuum chamber 11, an evaporation source 13 installed in the vacuum chamber, a stage 15 arranged opposite to the evaporation source, a rotating means 18 for rotating the stage in the plane, and an angle adjustment means 19 for changing the installation angle of the stage with respect to the evaporation source.例文帳に追加
本発明に係る真空蒸着装置10は、真空チャンバ11と、真空チャンバ内に設置された蒸発源13と、蒸発源に対向して配置されたステージ15と、ステージを面内で回転させる回転手段18と、蒸発源に対するステージの設置角度を変化させる角度調整手段19とを備える。 - 特許庁
The tube body 2 made of PBN and the protective coat 3 made of PG are formed by a chemical vapor deposition method(CVD method), to thereby manufacture the stable and dense tube body 2 and protective coat 3 having the excellent heat resistance and thermal shock resistance sufficiently endurable against the temperature at 1,400°C or higher, namely the protecting tube 1 for a thermocouple A can be manufactured.例文帳に追加
又、PBN製の管本体2及びPG製の保護膜3を化学的気相成長法(CVD法)で形成することにより、1400℃以上の温度に十分に耐える耐熱性と耐熱衝撃性に優れた安定な緻密質の管本体2及び保護膜3を製造、つまり、熱電対A用の保護管1を製作し得るようにした。 - 特許庁
The lower clad 2, the core 3, and an upper clad 4 are formed by a chemical vapor deposition (CVD) method, in which at least one kind of an oxygen additive amount, a nitrogen additive amount, and a silicon additive amount for a silicon oxynitride film is adjusted so that the core 3 has a desired refractive index higher than those of the clads 2 and 4.例文帳に追加
下部クラッド2、コア3及び上部クラッド4が化学気相成長法(CVD法)により形成されており、コア3がクラッド2,4に比して所望の高屈折率となるように、シリコン酸窒化膜の酸素添加量、窒素添加量及びシリコン添加量の少なくとも一種が調節される。 - 特許庁
This manufacturing method of an optical element, which is formed by providing a color filter on an insulating film, is a method, where the insulating film consisting of a silicon nitride film 8 formed by a plasma CVD(chemical vapor deposition) method is formed and after a surface layer in the film 8 is etched, a color filter 9 consisting of a pigment negative photoresist material is formed on the film 8.例文帳に追加
絶縁層上にカラーフィルタを設けてなる光学素子の製造方法であって、プラズマCVD法によって形成された窒化シリコン膜8からなる絶縁層を形成し、窒化シリコン膜8の表面層をエッチングした後、窒化シリコン膜8上に顔料系のネガ型フォトレジスト材料からなるカラーフィルタ9を形成する。 - 特許庁
A lower side of a cavity 4 of the crucible 1 for vapor deposition to store the sintered pellets 2 is a first cavity part 4A of the size in which the sintered pellets can be fitted, an upper side thereof is a second cavity part 4B, and a stepped part 5 is provided on a connection part of the first and second cavity parts 4A and 4B.例文帳に追加
焼結ペレット2を収容する蒸着用るつぼ1の空洞4を、下部側を焼結ペレット2が嵌合し得る大きさの第1の空洞部4Aとし、上部側をこれより大きい第2の空洞部4Bとし、第1、第2の空洞部4A,4Bの接続部に段状部5を設ける。 - 特許庁
In a method for manufacturing the optical waveguide device, an under clad layer 2 and a core layer 3 are deposited on a quarts substrate 1 and further a cap layer 4 whose refractive index is equal to that of the under clad layer 2 is deposited on the core layer 3 successively under the same value of high frequency power by the use of a plasma CVD(chemical vapor deposition) device.例文帳に追加
本発明に係る光導波路デバイスの作製方法によれば、プラズマCVD装置を用いて、高周波電力値同一の下で、石英基板1上にアンダークラッド層2とコア層3と、さらにコア層3の上に、屈折率がアンダークラッド層2と等しいキャップ層4とが順次形成される。 - 特許庁
In the EB vapor deposition device, a shielding plate 12 made of a metal having a high melting point such as hafnium(Hf), ruthenium(Ru), iridium(Ir), niobium(Nb), molybdenum(Mo), tantalum (Ta), rhenium(Re) and tungsten(W) is disposed along the inner wall of a magnesia(MgO) crucible 4 so as to prevent direct contact between the cobalt(Co) 13 and the crucible 4.例文帳に追加
このEB蒸着装置においては、マグネシア(MgO)製ルツボ4の内壁に沿ってハフニウム(Hf),ルテニウム(Ru),イリジウム(Ir),ニオブ(Nb),モリブデン(Mo),タンタル(Ta),レニウム(Re),タングステン(W)等の高融点金属からなる遮蔽板12を配置し、コバルト(Co)13と、ルツボ4とが直接接触しないようにしている。 - 特許庁
A method of manufacturing an antireflection film includes: step S3 of applying a hard coat to a substrate such as a plastic lens; step S4 of curing the hard coat; step S5 of cleaning the coat with a liquid; moisture percentage reduction step S6 of reducing the moisture percentage of the substrate; and step S13 of forming an antireflection film by vapor deposition of a metal oxide on the substrate.例文帳に追加
プラスチックレンズ等の基板にハードコートを塗布する工程S3と、ハードコートを硬化する工程S4と、液体で洗浄する工程S5と、基板の水分率を低下する水分率低下工程S6と、この基板に金属酸化物を蒸着して反射防止膜を形成する工程S13とを有する。 - 特許庁
A porous insulation layer having a thickness of not thinner than 0.3 μm and not thicker than 3 μm is deposited on an activator layer of either a positive electrode plate having a positive electrode activator layer or a negative electrode plate having a negative electrode activator layer containing negative electrode activator particles, by a sputtering method, an ion plating method, or a CDV method (chemical vapor deposition method).例文帳に追加
正極活物質層を備えた正極板、または負極活物質粒子を含む負極活物質層を備えた負極板のうち、少なくともいずれかの活物質層上に厚みが0.3μm以上3μm以下の多孔質絶縁層をスパッタリング法、イオンプレーティグ法、CVD法で堆積させる。 - 特許庁
When the metal foil is formed on the polymer film, after performing vapor deposition by the conductor metal film thickness of 1 μm or less, and being subjected to irradiation with a low-speed electron beam, electroplating is formed for 1 μm or more and 30 μm or less, and a film base material for a wiring board with enhanced adhesion of a resin film and a metal film is manufactured.例文帳に追加
ポリマーフィルム上に金属箔を形成する際、低速電子線を照射しながら導電体金属膜厚を1μm以下の厚さで蒸着形成した後、電気メッキを1μm以上30μm以下形成して、樹脂フィルムと金属膜との密着性を高めた配線基板用フィルム基材を作製する。 - 特許庁
The O plate 86 is disposed between the liquid crystal display element 51 and a polarization beam splitter 48 in such a way that a direction L8 of the pretilt of a liquid crystal molecule 75 of a liquid crystal layer 69 and the fast axis L6 are parallel to each other, and further the vapor deposition direction 96 and the direction L8 are opposed to each other with respect to the z-axis.例文帳に追加
液晶層69の液晶分子75がプレチルトする方向L8と進相軸L6とが平行になるように、かつ、蒸着方向96と方向L8とがz軸に対して反対側となるように、液晶表示素子51と偏光ビームスプリッタ48との間にOプレート86は配置される。 - 特許庁
In this method for manufacturing the capacitor, the capacitor is manufactured by forming the internal electrodes on the organic high polymer substrate which is provided with external electrode by vapor deposition or sputtering so that the internal electrodes come into contact with the external electrodes, and the dielectric film is formed by evaporating and polymerizing at least one or more kinds of monomers.例文帳に追加
また、本発明の薄膜コンデンサの製造方法は、外部電極付き有機高分子基板上に外部電極とコンタクトが取れるように内部電極を蒸着法、スパッタ法により形成し、誘電体膜を少なくとも一種類以上のモノマ−を蒸発させ、重合させることによりコンデンサ素を製造する。 - 特許庁
When a film of a titanium compound is formed on a substrate by a chemical vapor deposition method, a gaseous starting material containing titanium tetrachloride is passed through the surface of metal titanium, so as to be a gas containing titanium trichloride, thereafter, the titanium trichloride-containing gas is introduced into a film forming furnace, and a film of a titanium compound is formed on the substrate in the film forming furnace.例文帳に追加
化学的気相成長法により、基板上にチタン化合物を成膜するに際し、四塩化チタンを含有する原料ガスを、金属チタン上に通して三塩化チタンを含有するガスとしたのち、この三塩化チタン含有ガスを成膜炉内に導き、該成膜炉内で基板上にチタン化合物を成膜する。 - 特許庁
An oxide film modification apparatus 1 is provided with: a treatment furnace 3 which stores a substrate 2 with the oxide film (for example, silicon oxide film) deposited thereon by the chemical vapor deposition, and which is supplied with ozone-containing gas; and a light source 4 which irradiates the oxide film on the substrate 2 in the treatment furnace 3 with light having ultraviolet light.例文帳に追加
酸化膜改質装置1は、化学蒸着法によって酸化膜(例えばシリコン酸化膜)が形成された基板2を格納すると共にオゾン含有ガスが供給される処理炉3と、この処理炉3内の基板2上の酸化膜に紫外光を有する光を照射する光源4を備える。 - 特許庁
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