意味 | 例文 (999件) |
Vapor Depositionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 5223件
The vapor deposition source 10 equipped with a plurality of injection openings 11 within a vacuum chamber 1 is provided with branch points 14c between a crucible 14 for housing a deposition material and the plurality of the injection openings 11, and a supply flow passage 14a nearer the crucible 14 side than the branch points 14c is provided with a valve 12.例文帳に追加
真空チャンバー1内に複数の放出口11を備えた蒸着源10において、成膜材料を収容する坩堝14と複数の放出口11の間に分岐点14cを設け、分岐点14cより坩堝14側の供給流路14aにバルブ12を設ける。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing an optical fiber preform which is uniform in a longitudinal direction and is free of fluctuation in its external diameter by improving the deposition rate of soot without lowering the manufacturing speed over the entire part in manufacturing a large size preform for the optical fiber by an OVD (outside vapor phase deposition) soot method.例文帳に追加
外付けスート法によって、光ファイバ用母材となる大型のプリフォームを製造するにあたり、全体の製造速度を低下させることなくスートの堆積速度を向上させ、長さ方向に均一で外径変動のない光ファイバ母材用のプリフォームの製法を提供するものである。 - 特許庁
At this time, the Cr-V-B-N alloy film is formed preferably by a physical vapor deposition method, particularly, an ion plating method, a vacuum deposition method or a sputtering method, and, preferably, the content of V is 0.1 to 30 wt.%, and the content of B is 0.05 to 20 wt.%.例文帳に追加
このとき、Cr−V−B−N合金皮膜が、物理的蒸着法、特にイオンプレーティング法、真空蒸着法またはスパッタリング法で形成されることが好ましく、V含有量が0.1〜30重量%およびB含有量が0.05〜20重量%であることが好ましい。 - 特許庁
When a boron nitride film in which a c-BN content is ≥50% is deposited on a base material by a physical vapor deposition process using a target material comprising boron in an atmosphere including an inert gas, the film deposition is performed in a mixed gas atmosphere mixed with at least two kinds of Ar and He.例文帳に追加
基材に、不活性ガスを含む雰囲気中でホウ素を含むターゲット材料を用いた物理蒸着法でc−BNの含有率が50%以上である窒化ホウ素膜を成膜する際、少なくともArとHeの2種が混合された混合ガス雰囲気中で成膜を行う。 - 特許庁
In the production apparatus for a thin film device where the surface of a substrate 29 for film deposition is successively stacked with at least two layers by a hot wire CVD (Chemical Vapor Deposition) method, to the components in a heating element used for depositing the former thin film, the components in a heating element used for depositing the latter thin film are made different.例文帳に追加
被成膜用基板29上にホットワイヤーCVD法により少なくとも2層を順次積層する薄膜デバイス用製造装置において、先の薄膜の成膜に用いる発熱体の成分に対し、その後の薄膜の成膜に用いる発熱体の成分を違える。 - 特許庁
To provide a thin film deposition apparatus and a method for manufacturing a sheet with a thin film capable of realizing slight effect of pinholes generated in a thin film deposition step of an electric-insulating sheet, in particular, a plastic film, and realizing slight effect of the thermal deformation and of wrinkles of a non-vapor-deposited part.例文帳に追加
電気絶縁性シート、特にプラスチックフィルムの薄膜形成工程で発生する、ピンホールの影響を軽微にし、さらに熱変形や未蒸着部のシワの影響を軽微にする薄膜形成装置ならびに薄膜付きシートの製造方法を提供することである。 - 特許庁
In the deposition chamber 1, there are provided a mask supporting table 12 for supporting the mask 14 and a mask supporting table shifting mechanism 13 which moves the mask supporting table 12 to a position not interfering with the vapor deposition source 11 after a positioning of the mask 14 and the substrate 20 is conducted and they are connected tight.例文帳に追加
成膜室1内には、マスク14を支持するマスク支持台12と、マスク14と基板20との位置合わせを行い、密着させた後に、蒸着源11と干渉しない位置にマスク支持台12を移動させるためのマスク支持台移動機構13と、が設けられる。 - 特許庁
The method of forming a film on a substrate by the chemical vapor deposition method comprises a step of feeding (i-C_3H_7)_2Si(OCH_3)_2, and a step of depositing a deposition product by depositing the fed (i-C_3H_7)_2Si(OCH_3)_2 onto the substrate.例文帳に追加
化学気相成長方法により基板上に膜を形成する方法であって、 (i−C_3H_7)_2Si(OCH_3)_2を供給する供給工程と、 前記供給工程で供給された(i−C_3H_7)_2Si(OCH_3)_2の分解による分解生成物が前記基板上に堆積する堆積工程とを具備する。 - 特許庁
To consistently manufacture an optical element for which the severe specification is requested by controlling the refractive index to the high accuracy while controlling the optical film thickness without using any iterative calculation to make the control complicated, and without being affected by the fluctuation or the like in the film deposition rate which is possible with the vacuum vapor deposition.例文帳に追加
制御が複雑となる反復計算を用いることなく、また、真空蒸着にありがちな成膜速度変動等の影響を受けることなく、光学膜厚を制御しながら屈折率を高精度に制御し、厳しい仕様が求められる光学素子を安定して製造する。 - 特許庁
Particles 17 are evaporated from vapor deposition materials 13 provided so as to face a substrate 11 in a chamber 14 and are deposited on the surface of the substrate, so as to form a protective film on the surface of the substrate.例文帳に追加
チャンバ14内で基板11に対向して設けられた蒸着材13から粒子17を蒸発させて基板表面に堆積させることにより基板表面に保護膜を形成する。 - 特許庁
A non-magnetic film for covering at least a free layer F in a GMR element for each GMR bar-12a-2 is formed between the GMR element and a CVD (Chemical Vapor Deposition) oxide film 11o.例文帳に追加
GMR素子とCVD酸化膜11oとの間には、GMR素子における少なくともフリー層FをGMRバー12a−2毎に覆う非磁性膜が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁
To produce a metallic member provided with ceramic heat shield coating deposited by a physical vapor deposition method and having higher resistance to the break of the heat shield coating and to provide a method for forming the heat shield coating.例文帳に追加
セラミック遮熱コーティングの破砕に対し、より抵抗性のある、物理蒸着法で堆積された遮熱コーティングを備えた金属部材及びその遮熱コーティングを形成する方法を提供する。 - 特許庁
To provide a support structure of a catalyst body, which keeps its shape at a high temperature even if the length of the catalyst body of a catalytic chemical vapor-deposition apparatus is increased, and can endure cycles of heating and cooling.例文帳に追加
触媒体触媒化学気相成長装置の触媒体の長さを長くしてもその形状を高温で維持すると共に、冷熱サイクルに耐えられる触媒体支持構造を提供する。 - 特許庁
To provide an inorganic oxide vapor deposition film which is excellent in peeling strength under a high water content, not decreased in laminate strength though treatments of boiling and the like are carried out and excellent in laminated characteristics on a heat fusion weldable film.例文帳に追加
高水分下での剥離強度に優れ、且つボイル等の処理を行ってもラミネート強度が低下しない、熱融着性フィルムとのラミネート特性に優れた無機酸化物蒸着フィルムを提供する。 - 特許庁
To provide a vapor deposition mask for an organic EL element, allowing the formation of a luminous layer having a uniform shape in a highly precise and well reproductive manner and being inexpensive to manufacture, and its manufacturing method.例文帳に追加
均一な形状を有する発光層を高精度に再現性良く形成することができ、さらに安価に製造可能な有機EL素子用蒸着マスクとその製造方法を得るにある。 - 特許庁
To efficiently manufacture an organic EL light-emitting device which has a plurality of divided light emitting segments connected in series without individually painting organic EL light emitting layers using a vapor-deposition mask.例文帳に追加
蒸着マスクを用いて有機EL発光層を塗り分ける操作をすることなく、複数に分割した発光セグメントを直列接続させた有機EL発光装置を効率よく製造すること。 - 特許庁
Thereby, the holder 102 can support a wafer 101 while a contact area is small, and adhesion of the wafer 101 to the holder 102 can be reduced when executing vapor deposition.例文帳に追加
これにより、ホルダ102は接触面積が小さい状態でウェハ101を支持することができ、気相成長を行なった場合にウェハ101のホルダ102への貼りつきを低減することができる。 - 特許庁
Because the ionized vapor deposition material flies toward the bias electrode 63, a thin film 12 having a film thickness nearly identical with that on the surface 10A of the substrate 10 can be deposited also on the side wall 11A of the hole 11.例文帳に追加
イオン化された蒸着物質は、バイアス電極63に向かって飛翔するため孔11の側壁11Aにも基板10の表面10Aと略同一の膜厚の薄膜12が形成される。 - 特許庁
To obtain an organometallic compound having a low melting point, excellent in volatilization characteristics and having a low film-forming temperature on a substrate and to prepare a ruthenium-containing thin film using the same as a raw material by CVD (chemical vapor deposition) method.例文帳に追加
融点が低く、気化特性に優れ、かつ基板上での成膜温度が低い有機金属化合物を提供し、それを原料としてCVD法によりルテニウム含有薄膜を製造する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a multi-layered thin film structure having different physical properties on a base material using a plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) process.例文帳に追加
プラズマ化学気相成長(Plasma−Enhanced Chemical Vapor Deposition:PECVD)工程で基材上に相異なる物性の多層薄膜構造を製造する方法を提供する。 - 特許庁
A conductive layer 2 is formed on the front surface of a reflection plate 1 by vacuum vapor deposition, electroplating, etc., by which both functions of 'reflection of light' and 'electrical conduction' may be embodied with one part.例文帳に追加
真空蒸着・電気メッキ等によって、導電層を反射板の表面上に形成することにより、「光の反射」と「電気的導通」の両機能を一つの部品で実現することが可能である。 - 特許庁
And the shadow mask 200 and a vapor deposition source 202 that is arranged opposed to it are fixed to the vacuum chamber not shown in the figure, and the glass substrate 201 is moved along the shadow mask 200 by a moving mechanism.例文帳に追加
また、シャドウマスク200及び対向配置された蒸着源202は不図示の真空チャンバーに対して固定されており、ガラス基板201を移動機構によりシャドウマスク200に沿って移動させる。 - 特許庁
To provide a biaxially oriented polyester film for molding which has elongation and flexibility and is excellent in heat resistance, vapor deposition properties, and surface processing properties such as printability.例文帳に追加
本発明は、伸度、柔軟性を有するとともに、耐熱性、蒸着性、印刷性等の表面加工特性にも優れた成形加工用二軸延伸ポリエステルフィルムを提供せんとするものである。 - 特許庁
To provide a vacuum deposition system capable of preventing the peeling of a vapor-deposited material deposited on the mask and the occurrence of metal fatigue in the shadow mask part of the mask without applying a heat history to a mask.例文帳に追加
マスクに熱履歴を与えることがなく、マスクに堆積した蒸着物の剥がれ、マスクのシャドーマスク部の金属疲労の発生等を防ぐことができる真空蒸着装置を提供すること。 - 特許庁
After the crystal growth of an ABX layer 12, which is a Group III-V compound semiconductor layer, on a semiconductor substrate 11, it is set in the reactor of an MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) apparatus and etching is performed.例文帳に追加
半導体基板11上にIII -V族化合物半導体層であるABX層12を結晶成長した後、MOCVD装置のリアクタ内にセットして、エッチング処理プロセスを行う。 - 特許庁
This cold cathode is formed in the physical properties by the rubbing process, the oblique vapor- deposition process, or the whiskers process, and an electro emission area is formed by the silk-screen process or the spin coating process.例文帳に追加
このような冷陰極は、ラビング法、斜め蒸着法、または、ウイスカーで物理的形状を形成し、スクリーン印刷法、または、スピンコート法で電子放出領域を形成することにより製造される。 - 特許庁
After a layer insulation film 6 is formed by constant-pressure chemical vapor deposition, rapid heating treatment is performed by applying a temperature of 700 to 800°C to the layer insulation film 6 for about 60 sec.例文帳に追加
酸化膜4の表面に、層間絶縁膜6を定圧気相成長法で形成した後、この層間絶縁膜6に700℃から800℃の温度を60秒程度加えて高速加熱処理を施す。 - 特許庁
To provide an apparatus for use with chemical vapor infiltration and deposition (CVI/CVD) processes where porous structures are rapidly and singly made dense as the cost and complexity are suppressed to the minimum.例文帳に追加
コストと複雑性を最小限に押さえた上で、急速に且つ単一に多孔質構造体を緻密化する化学浸透および析出(CVI/CVD)に使用するための装置を提供する。 - 特許庁
The non-fixed side substrate 22 is arranged in a treatment chamber 4 provided with an exhaust system 41, and a porous film is formed as the getter part 3 by vacuum vapor deposition on the surface of the non-fixed side substrate 22.例文帳に追加
排気系41を備えた処理チャンバー4内に非固定側基板22を配置し、非固定側基板22の表面に真空蒸着により多孔質性の膜をゲッタ部3として形成する。 - 特許庁
To provide an optical member having a cured film which is excellent in scratching resistance, moisture resistance, weatherability, etc., and is substantially free of degradation in these characteristic even when a vapor deposition film of an inorganic oxide is applied thereon.例文帳に追加
耐擦傷性、耐湿性、耐候性などに優れると共に、その上に無機酸化物の蒸着膜を施しても、上記特性の低下がほとんどない硬化被膜を有する光学部材を提供する。 - 特許庁
The vapor deposition material 15 for forming the base part 17a of a protective film 17 on the surface of the substrate is placed in the first hearth 11 formed on the centerline of the substrate opposingly to the surface of the substrate.例文帳に追加
基板の中心線上に基板表面に対向して設けられた第1ハース11に、基板表面に保護膜17のベース部17aを形成するための保護膜用蒸着材15が入れられる。 - 特許庁
The light shielding film is formed on the surface of the projecting part of the light transmissive resin, by depositing ink to become the light shielding film, forming a plating film or depositing a vapor deposition film.例文帳に追加
光透過性樹脂の凸部表面に遮光膜を形成するにあたっては、遮光膜となるインクを付着させる、めっき膜を形成する、あるいは、蒸着膜を形成することにより行う。 - 特許庁
To provide chemical vapor deposition equipment which is capable of stabilizing the flow rate of a treatment gas supplied to a reaction chamber, and to provide a semiconductor device manufactured by the equipment.例文帳に追加
反応室内に供給される処理用ガスの流量を安定させることのできる化学気相成長装置、および、それにより製造される半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
Prior to a deposition process in a process chamber (10), a flow of delivery gas comprising CO is established through a vaporization system (50) to transport a precursor vapor to an exhaust system while bypassing the process chamber (10).例文帳に追加
プロセスチャンバ(10)内での堆積プロセス前、気化系(50)を介して先駆体を排気系へ輸送する、COを有する供給ガスの流れが確立される一方でプロセスチャンバ(10)を通過する。 - 特許庁
The Si substrate 20A held in the holder 18 is heated by a heater 28, and is simultaneously film-formed by a film-forming material 32 emitted from a vapor deposition source 30.例文帳に追加
そして、ホルダ18に保持されたSi基板20Aがヒータ28によって加熱されると共に、蒸着源30から成膜材料32が放出されることによって、Si基板20Aの成膜がおこなわれる。 - 特許庁
Further, since the plurality of divided apertures are arrayed in a relative moving direction of a substrate, and a thin film of a desired film thickness distribution can be deposited without degrading the vapor deposition efficiency.例文帳に追加
また、分割された複数の開口部を基板の相対移動方法に配列させているので、蒸着効率を低下させることなく所望の膜厚分布の薄膜を形成することができる。 - 特許庁
To reduce, while eliminating necessity to perform a process from vapor deposition of a protection film to sealing in a vacuum atmosphere, a risk of panel cracking and the like due to residual stress in a sealing process with passage of time.例文帳に追加
保護膜の蒸着から封着までの工程を真空雰囲気で行うことを不要としながら、時間経過に伴う封着工程での残留応力に起因するパネル割れ等のリスクを軽減する。 - 特許庁
To provide a vessel treatment device using plasma for performing microwave plasma CVD (chemical vapor deposition) coating onto the surface of a three-dimensional hollow vessel such as a plastic bottle and a paper vessel using plastics and paper as raw materials.例文帳に追加
プラスチックや紙を原料としたプラスチックボトルや紙容器等の3次元中空容器の表面にマイクロ波プラズマCVDコーティングを行うプラズマを使用した容器処理装置に関する。 - 特許庁
To provide a method for forming a silicon carbonitride-containing film from a compound as a source material suitable for a PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) device, and to provide a gas barrier film and a semiconductor device using the obtained film.例文帳に追加
PECVD装置に適した化合物を原料として炭窒化ケイ素含有膜を形成する方法を提供し、また得られた膜を用いたガスバリア膜及び半導体デバイスを提供する。 - 特許庁
The method of manufacturing the positive electrode body for the nonaqueous electrolyte battery includes steps of: preparing a conductive base material for a positive collector 11; and forming a positive active material layer 12 on the stacked surface of the conductive base material by a vapor deposition method.例文帳に追加
正極集電体11となる導電性基材を用意する工程と、導電性基材の積層面に正極活物質層12を気相法により形成する工程とを備える。 - 特許庁
To provide a positioning device for a workpiece, which enables a vapor-deposition film with uniform film quality on a region to be film-formed thereon of a three-dimensional curved surface shape, while avoiding the upsizing and complication of the device structure.例文帳に追加
装置構成の大型化、複雑化を回避しつつ、三次元曲面形状の成膜領域に均一な膜質で蒸着膜を形成することができるワークの位置決め装置を提供する。 - 特許庁
On a substrate 1, a first β-FeSi_2 layer 2 comprising fine polycrystal whose particle size is 10 to 100 nm is formed as an initial layer by a sputtering method, a vapor deposition method or a laser ablation method.例文帳に追加
基板1上に、スパッタ法、蒸着法又はレーザアブレーション法により粒径が10乃至100nmの微細多結晶からなる第1のβ−FeSi_2層2を初期層として形成する。 - 特許庁
The conductor 4 is comprised of silver or silver alloy or the like and is formed on at least one surface of the base plate 3 through vapor deposition, plating or printing and is capable of instantaneous separation from the base plate 3 due to the energy of electrical discharge.例文帳に追加
導電体4は、銀、銀合金等からなり、ベース板3の少なくとも片面に蒸着、メッキ、印刷等の方法により形成され、放電の勢いで瞬時に剥離可能なものである。 - 特許庁
To provide a method for efficiently and stably producing a quartz glass preform of 50 kg or more in mass or a quartz glass preform having a diameter of 400 mmϕ or more, by a VAD (vapor phase axial deposition) method.例文帳に追加
VAD法により、質量50kg以上の石英ガラス母材、または、径400mmφ以上の石英ガラス母材を効率よく、かつ、安定的に製造する方法を提供する。 - 特許庁
A metal vapor deposition layer 3 is provided to the single surface of a paper base material 1 through an adhesive layer 2 and pressed to the paper base material under heating to produce a paper laminated material having metal gloss.例文帳に追加
紙基材1の片面に、接着層2を介して金属蒸着層3を設け、この金属蒸着層側から、加熱プレスする、金属光沢を有する紙積層材の製造方法である。 - 特許庁
A plurality of sets of alternate multilayered films combined with ZnSe or Zns as low-refractive index layers and Ge as high-refractive index layers on a silicon or oxygen-free silicon substrate are formed by ion assisted vapor deposition.例文帳に追加
シリコンまたは無酸素同基材の上に、低屈折率層としてZnSeまたはZnSを、高屈折率層としてGeを組み合わせた交互多層膜を複数組、イオンアシスト蒸着する。 - 特許庁
A reflection mirror 15 is formed into a smooth, recessed part by press-machining a metal plate, and the recessed surface is subjected to surface machining such as plating and vapor deposition, for example, with silver as the material.例文帳に追加
反射鏡15は、金属板をプレス加工して滑らかな凹状に形成したものであり、その凹面上には、例えば銀を材料として鍍金や蒸着等の表面加工が施されている。 - 特許庁
To provide a laminated structure having sufficient gas barrier properties and the high adhesive strength with a sealant layer and not lowering these capacities even if printing is applied to a vapor deposition surface.例文帳に追加
十分なガスバリア性を有し、且つ、シーラント層との高い接着強度を有し、更には蒸着面に印刷を施してもそれらの性能が低下することのない積層構造体を提供する。 - 特許庁
To provide a method for performing thermal barrier coating on a base metal, or a method for repairing thermal barrier coating which is already performed on a lower layer aluminide dispersion film to cover the base metal through physical vapor deposition.例文帳に追加
金属基材に遮熱コーティングを施工する方法、又は、金属基材を覆う下層アルミナイド拡散皮膜に既に物理蒸着で施工されている遮熱コーティングを補修する方法。 - 特許庁
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