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「Vapor Deposition」に関連した英語例文の一覧と使い方(77ページ目) - Weblio英語例文検索
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Vapor Depositionの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 5223



例文

A nitride semiconductor layer is grown on an XB_2(X = Zr, Ti) substrate by the organic metal chemical vapor deposition method, and then the XB_2(X = Zr, Ti) and the nitride semiconductor layer are partly removed.例文帳に追加

有機金属化学気相成長法によりXB_2(X=Zr,Ti)基板上に窒化物半導体層を成長させた後、XB_2(X=Zr、Ti)と窒化物半導体層の一部を除去する。 - 特許庁

A plasma P using a processing gas containing at least a rare gas is directed onto an insulation film formed by vapor-phase deposition that is arranged on a base material for electronic device, thereby modifying the insulation film.例文帳に追加

電子デバイス用基材上に配置された気相堆積に基づく絶縁膜に対して、希ガスを少なくとも含む処理ガスに基づくプラズマPを照射して、該絶縁膜を改質する。 - 特許庁

The bar-shaped cathode electrode 12 integrated with the vapor deposition material 11 is automatically driven synchronously with the arc discharge by the linear driving mechanism 62 receiving the signal from the discharge controller 65.例文帳に追加

蒸着材料11と一体的な棒状のカソード電極12は、放電コントローラ65からの信号を受けた直線駆動機構62により、アーク放電に同期して自動的に駆動される。 - 特許庁

To provide a raw material for chemical vapor deposition which allows a film to be deposited at a low temperature of 300-500°C and which contains an organic silicon-containing compound providing a process having good reactivity.例文帳に追加

300〜500℃といった低温での成膜が可能であり、さらに、反応性が良好なプロセスを与える有機シリコン含有化合物を含有してなる化学気相成長用原料を提供すること。 - 特許庁

例文

To provide a laminate having a high degree of adhesion even when vapor deposition layers formed by a vacuum film making method is formed on a base material formed of an organic material.例文帳に追加

本発明は、有機材料で形成された基材上に真空製膜法で形成された蒸着層を形成された場合でも、高度な密着性を有する積層体を提供することを主目的とする。 - 特許庁


例文

A conductive fine rugged layer formed by vapor deposition or a fine rugged shape 5a generated by being mechanically roughened by a file and the like is formed on the surface of a terminal 5 of the flexible printed board 4.例文帳に追加

フレキシブルプリント基板4の端子5の表面には、蒸着による導電性の微細な凹凸層又はヤスリ等により機械的に荒らされて生じた微細な凹凸5aが形成されている。 - 特許庁

Furthermore, surface treatment such as metallic plating, vapor-deposition or painting is applied to the surface of the decoration section 5 and a decoration pattern in the form of mat, sun ray, stripe or geometrical pattern is applied to the surface.例文帳に追加

また、装飾部5の表面には、金属メッキ、蒸着、塗装等の表面処理が施され、その表面に梨地状、旭光状、ストライブ状、幾何学状の装飾模様が施されている。 - 特許庁

Reaction is carried out by introducing the gas obtained by evaporating the alcohol or the aqueous alcohol solution by spontaneous vaporization at the outside of the reaction zone of the chemical vapor deposition unit.例文帳に追加

化学気相成長装置の反応部の外部でアルコールまたはアルコールの水溶液を自然蒸発などで気化させることにより得られるガスをこの反応部に導入することにより反応を行う。 - 特許庁

The laminate layer 7 is formed by winding spirally or longitudinally reinforcingly a tape-like laminate sheet laminated with a resin film on anyone selected from the group of the metal foil the metal film and a reinforcing material, and the metal vapor-deposition layer.例文帳に追加

ラミネート層7は金属箔、金属箔及び補強材、金属蒸着層のいずれかに樹脂フイルムを積層したテープ状のラミネートシートを、螺旋巻き又は縦添え巻きすることにより形成される。 - 特許庁

例文

A substrate supporting device for CVD (Chemical Vapor Deposition) having a substrate supporting region includes: a substrate supporting surface which is a continuous surface defining a reference plane on which a substrate is placed; and a plurality of dimples having bottom surfaces lower than the reference plane.例文帳に追加

基板保持領域を有するCVD用の基板保持装置は、基板が載置される基準面を画成する連続面である基板保持面と、基準面より低い底面を有する複数のディンプルとを含む。 - 特許庁

例文

PROCESS FOR PREPARING BIS(CYCLOPENTADIENYL)RUTHENIUM DERIVATIVE, BIS(CYCLOPENTADIENYL)RUTHENIUM DERIVATIVE PREPARED THROUGH THE PROCESS AND CHEMICAL VAPOR DEPOSITION PROCESS FOR RUTHENIUM FILM OR RUTHENIUM COMPOUND FILM例文帳に追加

ビス(シクロペンタジエニル)ルテニウム誘導体の製造方法及びその方法により製造されるビス(シクロペンタジエニル)ルテニウム誘導体並びにルテニウム薄膜又はルテニウム化合物薄膜の化学気相蒸着方法 - 特許庁

The light of the plasma of a reaction gas is detected by an optical sensor 20 during the vapor deposition treatment of the film in the reaction chamber 12 of a plasma treatment chamber 10, and sent to a processor 50 through an amplifier 30.例文帳に追加

プラズマ処理室10の反応チャンバ12内における膜の蒸着処理中に、反応ガスのプラズマの光が光センサ20で受光され、アンプ30を介して処理装置50へ送られる。 - 特許庁

The vapor deposition material (2) is arranged between the crucible (11) and the carbon rod (23), and is nearly uniformly heated by both of the crucible (11) heated by the heater (21) and the carbon rod (23) and is evaporated.例文帳に追加

蒸着材料(2)は、前記るつぼ(11)とカーボンロッド(23)との間に配置され、ヒータ(21)にて加熱されたるつぼ(11)およびカーボンロッド(23)の双方により、ほぼ均一に加熱されて蒸発する。 - 特許庁

The decorative material is applied by a method for applying adhesive, spraying and fixing foil or powder of gold, silver and copper thereto, by a coloring method by applying lacquer paint or acrylic paint, a vapor deposition method, etc.例文帳に追加

装飾材は、接着剤を塗布して金、銀、銅などの箔や粉末を振り掛けて固定する方法、ラッカー系塗料やアクリル系塗料を塗布して着色する方法、蒸着法などにより付与される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a rear earth metal based permanent magnet on the surface of which a metal vapor-deposition film is formed as a uniform corrosion resistant coating film having excellent adhesion.例文帳に追加

均一かつ密着性に優れた耐食性被膜としての金属蒸着被膜を磁石の表面に安定して形成することができる希土類系永久磁石の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The organic EL element is formed by performing patterning by an optical etching method, so that the organic EL display device is manufactured inexpensively with high accuracy compared with a case wherein coating is carried selectively by different colors using vapor-deposition masks.例文帳に追加

光エッチング法によりパターニングを行って有機EL素子を形成するため、蒸着マスクを用いて塗り分けを行う場合に比べ、低コストかつ高精度に有機EL表示装置を製造できる。 - 特許庁

Since alignment is performed in a self-aligned manner, no misalignment occurs, and the oblique vapor deposition layer precursor 18a' can be removed with high shape accuracy to prevent display unevenness.例文帳に追加

自己整合的に位置合わせが行えるため、アライメントずれ等が発生せず、高い形状精度を持った状態で斜方蒸着層前駆体18a’を除去でき、表示むらの発生が抑えられる。 - 特許庁

To provide a catalytic chemical vapor deposition apparatus capable of suppressing a discharge from a catalyst line or a connection terminal connected to the catalyst line even when a large current is supplied through the catalyst line.例文帳に追加

大電流が触媒線に流された場合でも、触媒線又は触媒線と接続された接続端子からの放電を抑制することができる触媒化学気相成長装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a solventless adhesive composition which provides a good coating appearance and exhibits satisfactory adhesion performance even when various plastic films and a metal vapor deposition film or metal foil are stuck together.例文帳に追加

各種プラスチックフィルムと金属蒸着フィルムまたは金属箔とを貼り合わせた場合でも良好な塗装外観が得られ、接着性能も満足の行く無溶剤型接着剤組成物を提供する。 - 特許庁

In the decoration paper product P for a name card, etc., a transparent vapor deposition colored layer 14 made of dielectric material is formed on an existing name card 12 formed with a printing layer 12b on a mount 12a.例文帳に追加

台紙12a上に印刷層12bが形成された既成名刺12上に、誘電体材料からなる透明蒸着着色層14が形成されている名刺等の加飾紙製品P。 - 特許庁

The barrier laminate includes an organic layer and an inorganic layer in the order, wherein the organic layer includes a water-based polymer latex (A), and a water-based oxazoline crosslinking agent (B), and the inorganic layer is made by vapor deposition.例文帳に追加

有機層と、無機層とを該順に有するバリア性積層体において、有機層は水系ポリマーラテックス(A)及び水系オキサゾリン架橋剤(B)を含み、該無機層は蒸着により作成する。 - 特許庁

When the magnetic field is formed by an induction coil 10, each heating plate 1 itself generates the heat uniformly by the dielectric heating, the mounted film material 5 is also uniformly heated, and the vapor deposition rate becomes consistent.例文帳に追加

誘電コイル10によって磁界が形成されると、各加熱板1自体が誘電加熱によって斑なく発熱し、載せられた膜材料5も均一に加熱されるため、蒸着レートが安定する。 - 特許庁

The insulator film (42) which is a tube made of resin which is externally fitted to the electrode body (36), or a thin ceramic film so on which are made by thermal spray, vapor deposition or the like, is formed integrally with the electrode body (36).例文帳に追加

絶縁体膜(42)は、電極本体(36)に外嵌された樹脂製チューブ、又は、溶射や蒸着などで作られたセラミックス薄膜などであり、電極本体(36)と一体になっている。 - 特許庁

Because the fine particles of a vapor deposition material have positive charges, they are attracted to the electron clouds and reach, in a state collected by the lines of magnetic force, the surface of a substrate 22 to grow a thin film.例文帳に追加

蒸着材料の微小粒子は正電荷を有しているため、その電子雲に引きつけられ、磁力線で捕集された状態で基板22表面に到達し、薄膜を成長させる。 - 特許庁

This organic EL element can be manufactured by the manufacturing method including a process in which a vacuum vapor deposition is carried out at combustible gas partial pressure of 0.5×10-4 to 10×10-4 Pa.例文帳に追加

この有機EL素子は、支燃性ガス分圧0.5×10^-4Pa〜10×10^-4Paで真空蒸着を行って有機EL膜を形成する工程を含む製造方法によって製造することができる。 - 特許庁

While rocking and rotating a lens 4 by a rocking mechanism 5, vapor deposition particles from a resistance heating evaporation source 2 are formed through the opening 3a of a shielding plate 3, so as to deposit a fluoride thin film.例文帳に追加

レンズ4を、揺動機構5によって揺動及び回転させながら、遮蔽板3の開口3aを通して抵抗加熱蒸発源2からの蒸着粒子を被着させ、フッ化物薄膜を成膜する。 - 特許庁

In the manufacturing method for a plastic lens with the antireflective film, the antireflective film is formed by vaporizing the vapor deposition material for antireflective film formation and depositing the produced vaporized matter on the plastic lens.例文帳に追加

反射防止膜形成用蒸着材料を蒸発させ、発生した蒸発物をプラスチックレンズ上に析出させて反射防止膜を形成する、反射防止膜を有するプラスチックレンズの製造方法。 - 特許庁

To provide a method which forms an insulating film of a low dielectric constant having a dielectric constant lower than 2.7, and a barrier insulating film having a dielectric constant lower than 4 using a chemical vapor deposition method.例文帳に追加

2.7より低い比誘電率を有する低誘電率絶縁膜及び4より低い比誘電率を有するバリア絶縁膜を化学気相成長法により成膜する方法を提供するものである。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for vapor deposition of one of film forming apparatus, which raises utilization efficiency of EL material excellent in homogenity and throughput of an EL layer forming.例文帳に追加

本発明は、EL材料の利用効率を高め、且つ、EL層成膜の均一性やスループットの優れた成膜装置の一つである蒸着装置及び蒸着方法を提供するものである。 - 特許庁

A method whose process temperature is lower like vapor-phase deposition can be employed by using the method of forming the thin film 2 of nickel oxide and the 2nd sapphire substrate 3 in order.例文帳に追加

酸化ニッケルからなる薄膜2及び第2のサファイヤ基板3を順次成膜する方法を取ることにより、気相成長などのようにプロセス温度がより低い方法を用いることが出来る。 - 特許庁

Desirably, further, a PVD(Physical Vapor Deposition) layer 4 is arranged on the radical nitriding treatment layer 3 and particularly, the PVD layer 4 is composed of AlTiN or CrN having low stickiness on an aluminum alloy.例文帳に追加

好ましくは、さらに、ラジカル窒化処理層3上にPVD層4が設けられ、そして特にPVD層4は、アルミニウム合金に対する付着性の低いAlTiNまたはCrNよりなる。 - 特許庁

To obtain a forming method of an insulating film for semiconductors that has superior coherency with a film formed by a CVD (Chemical Vapor Deposition) method as an interlayer insulating film material in a semiconductor device or the like.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、CVD(Chemical Vapor Deposition)法で形成される 膜との密着性に優れた半導体用絶縁膜の形成方法を得る。 - 特許庁

To provide a vacuum vapor deposition device which is capable of continuously and uniformly forming a mixture film consisting of different elements and having a prescribed composition ratio and target thickness on a traveling film surface.例文帳に追加

走行中のフィルム表面に異なる元素からなり、所定の組成比および目標厚みを有する混合膜を、連続的、且つ均−に形成できる真空蒸着装置を提供する。 - 特許庁

The selective gas-permeable film is manufactured by elongating a gas barrier film formed of a vapor deposition film layer 20 having a thickness of 5 to 50 nm prepared by supplying an organic silicon compound, metal or metal oxide on a base film 10.例文帳に追加

基材フィルム10に、有機珪素化合物、金属または金属酸化物を供給してなる厚さ5〜50nmの蒸着膜層20を設けたガスバリア性フィルムを伸長させてなる。 - 特許庁

This film for use in molding comprises a polyester film with a 200 to 550% elongation at break at 100°C and a 1 to 130 MPa stress at break at 100°C and an indium vapor deposition layer formed on the polyester film.例文帳に追加

100℃における破断伸度200〜550%かつ100℃における破断応力1M〜130MPaのポリエステルフィルムと、このうえに設けられたインジウム蒸着層とからなる、成型用フィルム。 - 特許庁

To deposit a thin film of a superconductor having a high critical current density in the method of producing a thin film by a vapor deposition method such as a laser abrasion method.例文帳に追加

レーザーアブレーション法などの気相蒸着法による薄膜の製造方法であって、高い臨界電流密度を有する超電導体の薄膜を形成できる薄膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve both embeddability and film quality, while maintaining the merit that a substrate temperature is low at forming of a titanium nitride film through CVD(chemical vapor deposition) method, using organic metal raw material gas.例文帳に追加

有機金属原料ガスを用いたCVD法により窒化チタン膜を成膜するにあたり、基板温度が低いという利点を維持したままで、埋め込み性及び膜質の向上を両立させる。 - 特許庁

When films of the ground electrode layer 5 and the main electrode layer 4 are deposited on the piezoelectric substrate 2 by the vapor deposition method, a float potential is applied to the piezoelectric substrate 2 so as to stabilize the surface potential of the piezoelectric substrate 2.例文帳に追加

圧電基板2上に、蒸着法によって、下地電極層5および主電極層4を成膜するにあたって、圧電基板2をフロート電位にし、圧電基板2の表面電位を安定させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can firmly bond the wiring layer to a base material in the case where a wiring layer is formed by a chemical vapor deposition(CVD) method, and the manufacturing method of the device.例文帳に追加

化学気相蒸着(CVD)によって配線層を形成する場合においても、該配線層を下地材と強固に接合することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The silicon wafer is curved such that when the susceptor 20 of a vapor deposition device rotates in a state wherein the silicon wafer is placed on the susceptor 20, a portion of the wafer circumferential edge 11 does not come into contact with the surface of the susceptor 20.例文帳に追加

シリコンウェーハは、気相成長装置のサセプタ20に載せた状態でサセプタ20が回転するときウェーハ周縁部11の一部がサセプタ20の表面に接触しないような反りを付ける。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a substrate for safely and inexpensively manufacturing a fine copper layer high in copper purity and suitable for semiconductor substrates, electronic substrates or the like, and a vapor deposition apparatus used therefor.例文帳に追加

半導体基板や電子基板等に好適な、銅の純度が高くかつ微細な銅層を安全かつ安価に製造するための基板の製造方法及びこれに用いる蒸着装置を提供する。 - 特許庁

A gas supply system provides gas for vapor deposition into a treatment container, and let the gas pass near the surface of a thermal catalyst 3 heated by a heating arrangement at a predetermined temperature.例文帳に追加

ガス供給系によって処理容器内に蒸着用ガスを供給し、加熱機構により所定温度に加熱された熱触媒体3の表面付近を蒸着用ガスが通過するようする。 - 特許庁

About surface condition of the piston ring 10, shot blast is performed to the sliding surface 11 to form a film with a physical vapor deposition method, and the surface of the piston ring 10 is desirably ground for formation.例文帳に追加

上記したピストンリング10の表面性状は、摺動面11にショットブラストがなされ、物理蒸着法により皮膜が形成され、研磨されることにより形成されることが好ましい。 - 特許庁

The transfer film where the laminated film having an adhesive resin layer, an inorganic vapor deposition layer and a resist layer is formed on a support film, and the forming method of the inorganic pattern using the transfer film are provided.例文帳に追加

粘着樹脂層、無機蒸着層およびレジスト層を有する積層膜が支持フィルム上に形成されている転写フィルムと、当該転写フィルムを用いた無機パターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

In this case, it is preferable that the conductive material constituting the conductive material layer is a metal or an oxide semiconductor, and the conductive material layer is formed by a vapor phase method such as vacuum deposition.例文帳に追加

ここで、導電性素材層を構成する導電性素材が金属又は酸化物半導体であり、導電性素材層の形成が真空蒸着の如き気相法により行われることが好ましい。 - 特許庁

To prevent the occurrence of particles by a wafer bevel portion and a W film reaching the rear face when forming the tungsten film W by chemical vapor deposition method wherein SiH_4 and WF_6 are alternately supplied.例文帳に追加

SiH_4とWF_6を交互に供給する化学気相成長法でタングステンWを成膜時に、ウエハべベル部および裏面に回りこんだW膜によるパーティクルの発生を防止する。 - 特許庁

The transparent film 2 has many polishing grooves 4 which constitute the polishing grain pattern nicked in the surface to be bonded to the metal sheet 1 and a metal vapor deposition layer 5 formed in the entire surface including the polishing grooves 4.例文帳に追加

透明フィルム2は、金属板1に接着される面に研磨目模様を構成する多数の研磨溝4が刻設され、研磨溝4を含む全面に金属蒸着層5が設けられている。 - 特許庁

To provide a solution material for an organic metal chemical vapor deposition method having excellent film composition controllability and step coverage, and a composite oxide series dielectric thin film prepared using the material.例文帳に追加

優れた膜の組成制御性及び段差被覆性を有する有機金属化学蒸着法用溶液原料及び該原料を用いて作製された複合酸化物系誘電体薄膜を提供する。 - 特許庁

Further, by forming the hydrophilic layer 20 by the vapor deposition of silicon dioxide without introducing oxygen, the hydrophilic layer 20 becomes a state near to a bulk and has high density and does not become porous.例文帳に追加

しかも、酸素を導入しないで二酸化珪素を蒸着して親水層20を形成することで親水層20がバルクに近い状態となり、しかも、密度が高く且つ多孔質とはならない。 - 特許庁

例文

Such precursors are liquids at room temperature, and can be employed in vapor deposition processes such as ALD to form zirconium-containing films, e.g., high k dielectric films on microelectronic device substrates.例文帳に追加

そのような前駆体は、室温で液体であり、ジルコニウム含有膜、たとえば高κ誘電体膜をマイクロ電子デバイス基板上に形成するためのALDなどの気相堆積プロセスで利用されうる。 - 特許庁




  
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