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「Vapor Deposition」に関連した英語例文の一覧と使い方(80ページ目) - Weblio英語例文検索
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Vapor Depositionの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 5223



例文

To provide a method and an apparatus for manufacturing a magnetic recording medium, capable of surely checking the irradiation position of a electron beam from the outside even when the supplying power or the electron beam is increased, efficiently carrying out vapor deposition work, and providing a stable quality vapor diposition film.例文帳に追加

たとえ電子ビームの投入パワーが増大しても、電子ビームの照射位置を外部から確実に確認することが可能で、効率よく蒸着作業を行なうことができるとともに、品質の安定した蒸着膜を得ることができる磁気記録媒体の製造方法および製造装置を提供する。 - 特許庁

The light absorbing films 3, 5 are formed by vapor deposition by using a metal material Ti as the source material and contains oxides TiOx of the metal material produced by introducing a mixture gas containing oxygen during the deposition while keeping a constant vacuum degree in the range from 1×10^-3 Pa to10^-2 Pa.例文帳に追加

記光吸収膜3,5は、金属材料Tiを原料として蒸着により成膜されたものであり、酸素を含む混合ガスを成膜時に導入し、真空度を1×10^-3Paないし1×10^-2Paの間で一定に維持した状態で生成した金属材料の酸化物TiOxを含有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a surface coated cutting tool having excellent oxidation resistance, excellent chipping resistance and excellent wear resistance by depositing a conductive oxide film on a surface of a base material, capable of executing the film deposition by the physical vapor deposition method, and having the high commodity value by representing the beautiful appearance color.例文帳に追加

導電性を有する酸化物膜を基材表面上に成膜することにより耐酸化性、耐欠損性、耐摩耗性の全てに優れ、また、物理蒸着法により成膜可能であり、さらに美しい外観色を呈することにより商品価値の高い表面被覆切削工具の製造方法を提供する。 - 特許庁

The λ/2 retardation film 6 is formed by oblique vapor deposition of dielectric material and, therefore, the antireflection film 9 onto the λ/2 retardation plate 6 can be prepared by high-temperature film deposition.例文帳に追加

偏光変換素子27には、偏光分離膜1と反射膜2とを備えた透明部材3、λ/2位相差膜6と反射防止膜9とが形成されたガラス基板8からなるλ/2位相差板6、および短冊状の反射膜15と反射防止膜9とを備えた入射側ガラス基板12が設けられている。 - 特許庁

例文

Using a multistep process, after cleaning, in the meanwhile till the succeeding deposition, a chemical vapor deposition chamber is subjected to conditioning, and this conditioning is performed by removing residual fluorine from the chamber by hydrogen plasma, successively depositing a solid compound on an interior surface of the chamber and covering any particulates remaining in the chamber.例文帳に追加

マルチステッププロセスを使用して、洗浄後に、後続堆積の合間に、化学的気相堆積チャンバをコンディショニングし、このコンディショニングは、残留フッ素をチャンバから水素プラズマにより除去し、続いて、固体化合物をチャンバ内に引続いて堆積してチャンバ内に残留するいずれかの粒子を被包することによって行われる。 - 特許庁


例文

A vacuum deposition device 100 for forming a thin film includes a substrate supply mechanism 120 for sending a substrate 10 in the longitudinal direction, a vapor deposition source 130 disposed at a position facing one surface of the substrate 10, and a mask moving mechanism 140 for sending a metal mask 12 in the longitudinal direction.例文帳に追加

本発明のある態様において、基板10を長手方向に送るための基板給送機構120と、基板10の一方の面に向かう位置に配置される蒸着源130と、メタルマスク12を長手方向に送るためのマスク移動機構140とを備える薄膜を形成する真空蒸着装置100が提供される。 - 特許庁

Moreover, EL layers 18R, 18G and 18B to be provided to a couple of electrode layers 15 and 19 are formed on the electrode layer 15 by locating the first aperture 7 side of the vapor deposition mask 20 in a manner to be opposed to the electrode layer 15 and carrying out vacuum deposition from the first aperture 7 side.例文帳に追加

また、一対の電極層15、19に設けられるEL層18R、18G、18Bは、蒸着用マスク20の第1の開口窓7側を一方の電極層15に対向配置させた後、この第1の開口窓7側から真空蒸着してこの一方の電極層15上に形成する。 - 特許庁

The inorganic alignment layer forming apparatus used for manufacturing the inorganic alignment layer by a vapor phase film deposition method using a target for film deposition in a chamber is characterized in that at least a part of an inner wall surface of the chamber is constituted of the same material as the constitution material of the target.例文帳に追加

本発明の無機配向膜形成装置は、チャンバ内において、成膜用のターゲットを用いて、気相成膜法により無機配向膜を製造するのに用いられるものであって、チャンバの内壁面の少なくとも一部が、ターゲットの構成材料と同一の材料で構成されていることを特徴とする。 - 特許庁

In the reactive sputtering deposition device, the partition plate is provided between the target and the substrate, a vapor deposition chamber is divided into a substrate-side reaction chamber and a target-side sputtering chamber and a hole enabling a metallic substance separated from the target to reach the substrate is formed at the central part of the partition plate.例文帳に追加

本発明による反応性スパッタリング蒸着装置は、ターゲットと基板の間に仕切り板を設け、蒸着チャンバーを基板側の反応チャンバーとターゲット側のスパッタリングチャンバーとに区分し、仕切り板の中央部にはターゲットから分離された金属物質が基板に到達できるようにする穴を形成してなる。 - 特許庁

例文

To provide a raw material gas jetting nozzle capable of attaining low surface roughness of a film deposited on the surface of a substrate when the nozzle is used for depositing the film on the substrate by the CVD method, and also suitable for the application to aerosol floating gas to be used for film deposition of a large substrate, and a chemical vapor deposition apparatus having the same.例文帳に追加

CVD法によって基板に膜を形成するのに用いられた際、基板表面に生成される膜の表面粗度が低く、大型基板の成膜にも用いることができるエアロゾル浮遊ガスにも適用が可能な原料ガス噴出用ノズル、及び、これを備えた化学的気相成膜装置を得る。 - 特許庁

例文

A mask pattern 11a obtained by performing a photo-processing of a resist film is formed on a substrate 1, and then, a metal mask 20 having an opening part 22 formed slightly larger than a deposition area on the substrate is arranged on the mask pattern, then, for example, optical interference filters 2 and 2a are formed by introducing a vapor-deposition method and a sputtering method, etc.例文帳に追加

基板1上に、たとえばレジスト膜のフォトプロセスによって形成されたマスクパターン11aを形成し、その上に基板上の成膜領域よりも僅かに大きく形成された開口部22を有するメタルマスク20を配置して、たとえば蒸着法やスパッタリング法などによって光干渉フィルタ2、2aを形成する。 - 特許庁

In the method for producing the zinc oxide thin film on the object for film deposition by a chemical vapor deposition method using a zinc complex and water, a zinc complex containing β-diketonate having at least one alkoxyalkylmethyl group as ligand is used as the zinc complex.例文帳に追加

本発明の課題は、亜鉛錯体と水とを用いて、化学気相蒸着法により、成膜対象物上に酸化亜鉛薄膜を製造する方法において、亜鉛錯体として、アルコキシアルキルメチル基を有するβ-ジケトナトを配位子とする亜鉛錯体を使用することを特徴とする、酸化亜鉛薄膜の製造方法によって解決される。 - 特許庁

To prevent the occurrence of the phenomenon that only a solvent first vaporizes, and an organometallic compound as a solute remains and is solidified in a spray type CVD (Chemical Vapor Deposition) film deposition system where a liquid raw material obtained by dissolving an organometallic compound as a solute into a solvent is directly sprayed on the inside of a thin film growth vessel.例文帳に追加

溶質である有機金属化合物を溶媒に溶解した液体原料を薄膜成長容器内へ直接噴霧する噴霧型CVD成膜装置において、溶媒のみが先に気化して溶質である有機金属化合物が残留物となって固化するという事態の発生を防止する。 - 特許庁

This cutting insert 5 is provided with the coat layer 5b made by a chemical vapor deposition method, on the surface of the ceramic base body 5a.例文帳に追加

本発明の目的は、セラミック基体の表面にコート層を設けて耐摩耗性の向上を図り、同時にコート層を設けたことにより発生する強度劣化現象が効果的に抑制できる切削インサートを提供することにある。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering device high in a vapor deposition rate, film-forming a multi-element thin film at a high speed, flexible in the compositional control of the film, easily covering a dense multi-element thin film at a high speed and furthermore easily capable of the maintenance.例文帳に追加

蒸着速度が早く、多元素薄膜を高速で成膜し、膜の組成制御がフレキシブルで、緻密な多元素薄膜を高速で容易に被覆し、さらにはメンテナンスの容易なマグネトロンスパッタ装置を提供。 - 特許庁

To provide a chemical vapor deposition apparatus which deposits a thin film with superior step coverage and film quality without bringing damage to a substrate and a circuit element, while keeping a fast evaporation speed at low temperature.例文帳に追加

基板及び回路素子の損傷をもたらさず、低温で速い蒸着速度を確保し、優れたステップカバレッジ及び膜質特性を有する薄膜を蒸着させる化学気相蒸着装置を提供すること。 - 特許庁

The substrate 5 to be parallelly moved is supported by bringing it into contact with supporting members 11 which are provided at the outside of the vapor deposition zone A and is heated with non-contact by the radiant heat from a heating member 9 heated by a heater 10.例文帳に追加

平行移動させる基板5は、蒸着領域A外に設けた支持部材11と接触させて支持すると共に、ヒータ10により加熱された加熱部材9からの輻射熱により非接触で加熱する。 - 特許庁

To improve electrical characteristics caused by a film structure, while keeping the alignment characteristics by an oblique vapor deposition alignment layer, as they are, and to suppress conduction of ions through an alignment layer and achieve long-term reliability.例文帳に追加

斜方蒸着配向膜による配向特性を維持したまま、その膜構造に起因する電気的な特性を改善し、イオン等が配向膜を導通することを抑制して長期信頼性を実現する。 - 特許庁

In the mask vapor deposition system, a substrate supporting face 55 at which the face 200b on the side opposite to the face 200a to be film-deposited in the substrate 200 to be treated is superimposingly arranged, and a magnet unit 50 provided with magnets 52 are used.例文帳に追加

マスク蒸着装置においては、被処理基板200の被成膜面200aとは反対側の面200bが重ねて配置される基板支持面55、および磁石52を備えた磁石ユニット50を用いる。 - 特許庁

Thereby, occurrence of many defects of non-emission due to repeated contact with a vapor deposition mask 100 in the blue color organic layer 16B which becomes thinnest of the total film thickness when a resonator structure is introduced is prevented.例文帳に追加

共振器構造を導入した場合に総膜厚が最も薄くなる青色有機層16Bに、蒸着マスク100との度重なる接触に起因して多くの非発光欠陥が発生することが防止される。 - 特許庁

This vapor-deposition apparatus has a baffle structure installed inside a stainless pipe, which prevents the particle formed by arc discharge from flowing into a vacuum film-forming chamber, by blocking an orbit of the particle flowing toward the film-formed face.例文帳に追加

ステンレスパイプの内側に、成膜面に流入しようとするパーティクルの軌道を遮って、アーク放電により発生したパーティクルが真空成膜チャンバへ流入することを阻止するためのバッフル構造を備える。 - 特許庁

A metal film 2 is formed on the upper surface of the conductive SiC substrate 1 doped with impurities by vapor deposition or sputtering by selecting one metal from Ni, Ti, Pd, Fe, Ru, Os, Ge, Sn, V, Ta and Nb.例文帳に追加

不純物がドープされた導電性SiC基板1の上面に、Ni、Ti、Pd、Fe、Ru、Os、Ge、Sn、V、Ta、Nbから一つの金属を選んで蒸着、もしくはスパッタで金属膜2を形成する。 - 特許庁

A silicon carbide single crystal thin film is subjected to the epitaxial growth on a (000-1) surface of a silicon carbide single crystal substrate with the surface roughness of ≤1.0 nm at the growing temperature of ≤1,500°C by the thermochemical vapor deposition method.例文帳に追加

表面粗さが1.0nm以下である炭化珪素単結晶基板の(000−1)面上に、熱化学蒸着法により、1500℃以下の成長温度で炭化珪素単結晶薄膜をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

To provide a heating method for strictly controlling the diameter of a glass tube, particularly the outside diameter and/or the inside diameter of the glass tube in a process of heating the glass tube for example, in the modified chemical vapor deposition (MCVD) method or the collapse method.例文帳に追加

例えばMCVD法やコラプス等における、ガラス管を加熱する工程において、ガラス管の径、特に被加熱部分のガラス管の外径及び/又は内径を厳密に制御するための加熱方法を提供する。 - 特許庁

To provide material for a lamp housing of a lighting apparatus for vehicle, where the material does not lower diffuse reflectance even when omitting an undercoating treatment step in a preparatory step of aluminium vapor deposition treatment and has excellent impact resistance.例文帳に追加

アルミニウム蒸着処理の準備工程でのアンダーコート処理工程を省略しても、拡散反射率が低下することなく、また耐衝撃性にも優れた車輌用灯具のランプハウジング材料の提供。 - 特許庁

To use a selective deposition modeling apparatus in an office environment by an inexpensive ventilation and cooling system capable of removing a massive amount of local heat and preventing discharge of vapor to the environment.例文帳に追加

大量の局所熱を除去することができ、同時に蒸気の環境への放出を防止することもできる、安価な換気及び冷却システムにより、選択堆積模型作成装置をオフィス環境で使用可能にする。 - 特許庁

The first barrier ribs 20 have a shape or a height which prevents that a negative electrode layer 15 formed by vapor deposition on a region of the substrate 10 to become the negative electrode climbs over the first barrier rib 20 and extends.例文帳に追加

第1障壁20は、基板10上の領域への蒸着により形成されて陰極となる陰極層15が第1障壁20を乗り越えて延在することを妨げる形状または高さを有する。 - 特許庁

To provide a cleaning gas useful for removing unnecessary deposits accumulated on inner walls, parts or the like in a device for producing thin films, thick films, powders or whiskers by CVD, sputtering, sol-gel or vapor deposition method.例文帳に追加

CVD法、スパッタリング法、ゾルゲル法、蒸着法を用いて薄膜、厚膜、粉体、ウイスカを製造する装置において装置内壁、冶具等に堆積した不要な堆積物を除去するためのクリーニングガスを提供する。 - 特許庁

The metal oxide-based film having a high dielectric constant such as a TiO_2 film or a ZrO_2 film having an amorphous structure is deposited on a silicon substrate using a plasma chemical vapor deposition method, and this film is used as the gate insulation film.例文帳に追加

プラズマ化学気相成長法を用いてシリコン基板上にアモルファス構造のTiO_2膜またはZrO_2膜などの金属酸化物系高誘電体膜を堆積し、これをゲート絶縁膜として用いる。 - 特許庁

To provide a gas barrier film using SiO as a vapor deposition material, which has excellent gas barrier properties while having high transparency without exhibiting yellow even if a reaction gas is not introduced therein, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

SiOを蒸着材料としたガスバリア性フィルムにおいて、反応ガスを導入しなくても、黄色を呈さず高い透明性を備えながら、優れたガスバリア性を有するガスバリア性フィルムおよびその製造方法の提供。 - 特許庁

A thin metallic film is formed on the upper surface of an aluminum substrate 4 by vapor deposition, printing, etc., and a wiring pattern 3 is formed from the metallic film in photolithography and etching processes.例文帳に追加

回路基板上に有機膜を形成し、RIEでパターン形成する工程において、耐RIE性に優れている金属をRIEレジストとして使用して、有機膜上にリフトオフ法によりRIEレジストパターン形成する。 - 特許庁

The Si-containing film is formed by supplying an inert gas with a stoichiometric mixture ratio of 0 to 5 mol with respect to a trisiloxane compound of 1 mol represented by a general expression (1) using a plasma-excited chemical vapor deposition method.例文帳に追加

下記一般式(1)で表されるトリシロキサン化合物1molに対し、0〜5molの量論比の不活性ガスとをチャンバー内に供給し、プラズマ励起化学気相成長法によりSi含有膜を成膜する。 - 特許庁

When a carbon-based protective film 5 to cover a magnetic layer 4 on a board 1 is formed by a chemical vapor phase deposition method or sputtering method, water is added to the reaction gas to incorporate hydroxyl groups into the carbon-based protective film 5.例文帳に追加

基板1上の磁性層4を覆うカーボン系保護膜5を化学気相堆積法或いはスパッタリング法を適用して成膜する際に反応ガスに水を添加して該カーボン系保護膜5に水酸基を含有させる。 - 特許庁

The production method comprises performing cooling which follows the formation of a photostimulable phosphor layer by a chemical vapor deposition process in an atmosphere having an oxygen partial pressure in the range: 0%<O_2<25% and having a degree of vacuum of 1 Pa to atmospheric pressure.例文帳に追加

気相堆積法によって輝尽性蛍光体層を形成した後の冷却を、酸素分圧が0%<O_2<25%、真空度が1Pa〜大気圧の雰囲気下で行なうことにより、前記課題を解決する。 - 特許庁

To provide a chemical-vapor deposition method for fabricating a low-dielectric-constant organic silicate (OSG) having improved mechanical characteristics by adjusting the quantity of an organic radical, for example, a methyl radical etc., in a mixture.例文帳に追加

機械的特性の向上した低誘電率有機ケイ酸塩(OSG)を、混合物中の例えばメチル基等の有機基の量を調整することにより製造するための化学気相成長法を開示する。 - 特許庁

To provide a manufacturing apparatus of a fluorescent sheet of high quality capable of forming a dense fluorescent layer when manufacturing the fluorescent sheet in which an (accumulative) fluorescent layer is formed by vacuum vapor deposition.例文帳に追加

真空蒸着によって(蓄積性)蛍光体層を形成する蛍光体シートの製造において、緻密な蛍光体層を形成することが可能な、高品質な蛍光体シートの製造装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a magnetic recording medium with excellent manufacturing efficiency by eliminating the problem of a traveling defect due to electrostatic charge in a process for manufacturing a vapor deposition type medium by using an aromatic PA film.例文帳に追加

芳香族PAフィルムを用いた蒸着型媒体の製造工程における、帯電に起因する走行不良の問題を解消して、製造効率に優れた磁気記録媒体の製造方法を提供する。 - 特許庁

The plate for a battery is formed by integrally providing a collector core material 19 made of a metal foil formed by vapor deposition or electric casting with a surface of active material layers 13A and 13B.例文帳に追加

電池用極板は、活物質層13A、13Bの一面に、蒸着法または電鋳法の何れかにより形成された金属箔からなる集電用芯材19を一体に設けた構成になっている。 - 特許庁

The method for producing a thin film consisting of oxide or multiple oxide is performed by a chemical vapor deposition method in which a metallic compound is used as a precursor, and gas obtained by respectively vaporizing water and acid is used as a reactive gas.例文帳に追加

金属化合物を前駆体として使用し、水と酸とをそれぞれ気化させたガスを反応性ガスとして使用する化学気相成長法による酸化物又は複合酸化物からなる薄膜の製造方法。 - 特許庁

In the release film, a release layer is laminated on a part or the whole of one side of a plastic film, and a belt-shaped printing layer or a vapor deposition layer is laminated on a part of the opposite side.例文帳に追加

プラスチックフィルムの片面の全面または一部に離形層が積層され、かつその反対面の一部に帯状の印刷層または蒸着層が積層されていることを特徴とする離形フィルム。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a radiation image transformation panel of excellent brightness excellent in adhesiveness (bonding property) between a photostimulable phosphor and a support body, the radiation image transformation panel obtained by the manufacturing method, and a vapor deposition device.例文帳に追加

輝尽性蛍光体と支持体との付着性(接着性)が良好で、輝度に優れた放射線画像変換パネルの製造方法、該製造方法で得られる放射線画像変換パネル及び蒸着装置の提供。 - 特許庁

Before the Os film is formed, a preparatory protective film comprising at least one kind of a component selected from the group consisting of Pt, Au, Pd, Pt-Pd and Au-Pd is formed by a vacuum vapor deposition method.例文帳に追加

Os膜を形成する前に、Pt、Au、Pd、Pt−Pd、Au−Pdからなる群から選ばれる1種以上からなる予備保護膜を真空蒸着法により形成する前記記載の作製方法。 - 特許庁

The pneumatic tire is obtained by carrying out a vacuum vapor deposition of a metal onto a protective layer B( or C ) comprising the rubber component and sulfur and laminating these protective layers B( and C ) on a molding drum to mold a raw tire, which is then vulcanized.例文帳に追加

該空気入りタイヤは、ゴム成分と硫黄からなる保護層B(又はC)に金属を蒸着し、該保護層B(及びC)を成形ドラム上に貼り付けて生タイヤを成形し、該生タイヤを加硫することで得られる。 - 特許庁

To provide Group 4 precursors which exhibit lower molecular weight, lower melting point (e.g., 100°C or below), and higher vapor pressure (e.g., 0.5 torr or greater) and deposition processes for fabricating conformal metal containing films on substrates.例文帳に追加

低分子量、低融点(100℃以下)、及び高蒸気圧(0.5torr以上)の性質を示す第4族前駆体、及び共形(コンフォーマル)な金属含有膜を基板上に製造するための堆積プロセスの提供。 - 特許庁

The barrier film is made from silicon nitride (SiN_x) having a ratio [N/(Si+N)] indicating an atomic ratio relation between nitrogen N and silicon Si in the range of 0.60 to 0.65, by using a surface wave plasma chemical vapor deposition (CVD) device.例文帳に追加

表面波プラズマCVD装置を用いて、窒素Nと珪素Siの原子比率を表す比率N/(Si+N)が0.60から0.65の間である窒化珪素(SiN_x)からなるバリヤ膜を形成する。 - 特許庁

A PVD (physical vapor deposition) coating film 41 of CrN (chrome nitride) or DLC (diamond-like carbon) is formed in at least either one of the sliding surfaces of the cam ring inner peripheral surface 8 and the partial cylindrical surface 7.例文帳に追加

さらに、カムリング内周面8と部分円筒面7との摺動面の少なくともいずれか一方にCrN(クロムナイトライド)またはDLC(ダイヤモンドライクカーボン)のPVD(物理蒸着)被膜41を形成する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the metal film, a metal vapor-deposited film is deposited on the surface of the base material formed of iron or its alloy at an atmospheric pressure of 0.1-3.0 Pa, and at an average film deposition rate of 0.01-10 μm/min.例文帳に追加

またその製造方法は、鉄またはその合金によって形成された母材の表面に、雰囲気圧力0.1〜3.0Pa、平均成膜速度0.01〜10μm/分で、金属蒸着被膜を形成する。 - 特許庁

A doped semiconductor layer 40 is deposited, by using a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) to form a self-aligned junction at the edge of a self-aligned insulating region, thereby executing highl-accuracy gate/lead matching.例文帳に追加

ドープ半導体層40をプラズマエンハンスト化学蒸着法(PECVD)を用いて付着し、自己整合絶縁領域のエッジで自己整合接合を生成することにより高精度なゲート/リード整合を行う。 - 特許庁

The slits are formed so that a thickness of the carbon rod between the tip face and the slit and that between respective slits are slightly thicker than a thickness matching a carbon quantity used in approximately one vapor deposition.例文帳に追加

先端面とスリット間のカーボン棒の厚さ及び各スリット間のカーボン棒の厚が、大体1回の蒸着で使用されるカーボン量に対応した厚さより少し多めになるように、スリットが形成されている。 - 特許庁

例文

To provide a method for manufacturing a thin oxide film by a chemical vapor deposition (CVD) method at a low temperature by using a fluorine-containing β-diketone metal complex which is a raw material useful for forming a functional thin film.例文帳に追加

機能性薄膜を形成させるための有用な原料である含フッ素β−ジケトン金属錯体を用い、低温で気相化学反応法(CVD)による酸化物薄膜の製造方法を提供する。 - 特許庁




  
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