「Vapor Deposition」に関連した英語例文の一覧と使い方(79ページ目) - Weblio英語例文検索

The film of sulfonated polyimide resin formed by vapor deposition polymerization reaction is preferably subjected to a heat imidization process by holding at 70-180°C for one hour.例文帳に追加

また、蒸着重合反応により成膜されたスルホン酸化ポリイミド樹脂に対して、さらに、７０〜１８０℃の温度範囲及び保持時間１時間以上にて、熱イミド化処理をおこなうことが望ましい。 - 特許庁

In the vapor deposition process, two or more of pixel electrodes 24 lined up in any row are disposed inside the respective through holes 40, and the plurality of luminescent layers 30 are formed on the plurality of pixel electrodes 24.例文帳に追加

蒸着工程で、それぞれの貫通穴４０の内側に、いずれかの列に並ぶ２つ以上の画素電極２４を配置して、複数の画素電極２４上に複数の発光層３０を形成する。 - 特許庁

A desired cold cathode is formed by depositing an electrode-shaped object composed of a high melting point metal material such as tungsten, molybdenum, tantalum, niobium or others on a die surface by chemical vapor deposition.例文帳に追加

化学蒸着により型表面にタングステン、モリブデン、タンタル、ニオブその他の高融点材料の電極形状物を析出させて所望の冷陰極を形成させることを特徴としている。 - 特許庁

The inductor 13 made of a copper pattern by means of vapor deposition, plating or the like, a wiring pattern for a bump, and the bump for electrically connecting with a printed board or the like are formed on the rewiring layer 12.例文帳に追加

再配線層１２には蒸着、メッキ等の方法によりに銅パターンからなるインダクタ１３とバンプ用の配線パターンと、プリント基板等と電気的に接続するためのバンプが形成されている。 - 特許庁

In the film forming process, film forming gas (containing SiH_2Cl_2 and NH_3) is supplied into a reaction furnace 1 accommodating a wafer 10 to form an Si_3N_4 film on the wafer 10 through heat CVD (chemical vapor deposition) method.例文帳に追加

成膜工程では、ウェーハ１０を収容した反応炉１内に成膜ガス（ＳｉＨ_２Ｃｌ_２とＮＨ_３とを含むガス）を供給して熱ＣＶＤ法によりウェーハ１０上にＳｉ_３Ｎ_４膜を形成する。 - 特許庁

A liquid organic compound is impregnated and stuck to a thermally conductive porous material or a thermally conductive fibrous material, the liquid organic compound is hardened to form a solid compound, and the same is used as an vapor deposition source.例文帳に追加

液状有機化合物を熱伝導性多孔質材または熱伝導性繊維状物質に含浸、付着させ、該液状有機化合物を硬化させ固体の化合物にし、蒸着源とする。 - 特許庁

To present a means of deterring secular changes such as air oxidation, vapor condensation, solidification, deposition, etc., of a processing composition while a processing agent composition in an unsealed container is used on a batch basis.例文帳に追加

開栓した容器中の処理剤組成物を回分方式で使用する間に処理組成物が被る空気酸化、蒸発濃縮、固形化・析出などの経時劣化を抑止する手段を提示すること。 - 特許庁

To provide a tableting pestle capable of securing further excellent demolding property by polish-finishing the surface of a PVD (Physical Vapor Deposition) coating film applied on the surface of a pestle and improving demolding property.例文帳に追加

杵表面に施されているＰＶＤコーティング膜の表面を研磨仕上げすることにより、離型性を向上できて、一段と優れた離型性を確保できる打錠用杵を提供する。 - 特許庁

To provide a mask for CVD (Chemical Vapor Deposition) where the pattern precision of a thin film layer can be improved by suppressing the strain of a mask stay.例文帳に追加

本発明は、マスクステーの歪みを抑制することにより、薄膜層のパターン精度を向上させることが可能なＣＶＤ用マスク及びそれを用いたディスプレイの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To assure the adhesion strength between a film of each tool and a base metal in a cutting tool having a cylindrical base metal whose surface is coated with a hard film by physical vapor deposition method.例文帳に追加

物理蒸着法により硬質被膜を表面にコーティングする母材が円筒状の切削工具において、個々の工具の被膜と母材との密着強度を保証することを可能とする。 - 特許庁

This prevents strong adhesion of the chips 20 onto the supporting substrate 30 at parts not bonded with an adhesive, even when the mask for vapor deposition 10 is subjected to a wet process.例文帳に追加

このため、ウエットプロセスに晒された蒸着用マスク１０であっても、接着剤で接合されていない領域でチップ２０と支持基板３０とが強固に貼り付くという事態が発生しない。 - 特許庁

The vapor deposition material and the optical thin film have a composition expressed by GdTa_xO_y [where x and y are actual numbers satisfying 10/90≤x≤90/10 and (3+3x)/2≤y≤(3+5x)/2, respectively], and the production method therefor is also disclosed.例文帳に追加

ＧｄＴａ_xＯ_y〔１０／９０≦ｘ≦９０／１０の実数、（３＋３ｘ）／２≦ｙ≦（３＋５ｘ）／２の実数〕で表わされることを特徴とする蒸着材料、光学薄膜及びそれらの製造方法。 - 特許庁

To provide a recess gate which can reduce the height of a recess gate without generating voids in the vapor deposition of a gate electrode substance to be buried in a recess, and to provide a method for manufacturing a semiconductor device equipped with the same.例文帳に追加

リセスに埋め込まれるゲート電極物質の蒸着時にボイドを発生させずに、リセスゲートの高さを低減できるリセスゲート及びそれを備えた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a vacuum vapor deposition method capable of preventing failure caused by splash, and forming a functional thin film of high quality with less spot-like defect and forming a functional thin film stable in film thickness.例文帳に追加

スプラッシュによる故障を防止し、スポット状欠陥の少ない高品質な機能性薄膜形成と、膜厚が安定した機能性薄膜形成が可能な真空蒸着方法の提供。 - 特許庁

A chemical vapor deposition reactor is equipped with a plurality of chambers (951, 952, 953) and at least one of a common reaction gas supply system (960) and a common gas exhausting system (970).例文帳に追加

化学気相成長反応装置は、複数のチャンバ（９５１，９５２，９５３）と、共通の反応ガス供給システム（９６０）及び共通のガス排出システム（９７０）の少なくとも一方とを備える。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a plastic molding for vapor deposition, the plastic molding including a surface suitable for forming a gas barrier thin film containing AlOx by a heating element CVD method.例文帳に追加

本発明の目的は、ＡｌＯｘを含有するガスバリア薄膜を発熱体ＣＶＤ法で形成するのに適した表面を有する蒸着用プラスチック成形体の製造方法を提供することである。 - 特許庁

The discharge tube 2 is characterized in that a reflection coating 10 is formed on the outer peripheral surface of a cylindrical glass bulb 9 by metal-vapor deposition and that the reflection coating 10 is vapor-deposited in an area of 240° or more in the circumferential direction and is vapor-deposited in an area where the central portion 14 is larger than the respective end portions 12 in the axial direction.例文帳に追加

本発明の放電管２は、円筒状のガラスバルブ９の外周面に金属の蒸着による反射膜１０が形成され、反射膜１０は、周方向において２４０°以上の範囲で蒸着されると共に、軸心方向における各端部１２よりも中央部１４の方が大きい範囲で蒸着されて構成されることを特徴とする。 - 特許庁

A space between two electrode layers composed of materials selected from the groups consisting of tin, indium, aluminum, copper, chromium, titanium, iron, nickel and platinum or thin oxide or indium tin oxide whose surfaces may have oxide layers is provided with a sensitive layer composed of an organic vapor deposition film obtd. by vapor-depositing a molecular photoconducting material at a vapor depositing rate of ≤0.07 nm/sec.例文帳に追加

表面に酸化物層を有していても良いスズ、インジウム、アルミニウム、銅、クロム、チタニウム、鉄、ニッケル及び白金からなる群から選ばれる材料、あるいは酸化スズ又はインジウムチンオキシドからなる２つの電極層間に、分子性光導電材料を蒸着速度０．０７ｎｍ／秒以下で蒸着して得られる有機蒸着膜からなる感光層を有する光半導体素子。 - 特許庁

The manufacturing method of an organic EL element having a pair of electrodes and a light-emitting layer arranged between the electrodes, and an intermediate layer includes a process in which the intermediate layer is formed by vapor-depositing metal or a metal compound, under the condition of a vapor-depositing rate of 0.006 nm/sec by an electron beam vapor-deposition method.例文帳に追加

一対の電極と、該電極間に設けられる発光層および中間層とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、電子ビーム蒸着法によって蒸着レート０．００６ｎｍ／秒以下の条件で金属又は金属化合物を成膜することにより、前記中間層を形成する工程を有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 特許庁

The gas barrier layer forming process is composed of a process of forming a first gas barrier layer 30a on the second electrode 50 by a physical vapor deposition method, and a process of forming a gas barrier layer 30b on the first gas barrier layer 30a by the chemical vapor deposition method.例文帳に追加

基体２００上に、第２の電極５０の基体２００上で露出する部位を覆った状態でガスバリア層３０を形成するガスバリア層形成工程を有し、ガスバリア層形成工程が、物理的気相蒸着法によって第２の電極５０上に第１のガスバリア層３０ａを形成する工程と、化学的気相蒸着法によって第１のガスバリア層３０ａ上に第２のガスバリア層３０ｂを形成する工程とを備えている。 - 特許庁

The present method for manufacturing the tool 10, equipped with a base material 11 and a polymer membrane 13 provided on the base material 11 through a silicon dioxide membrane 12, comprises a step A of forming the silicon dioxide membrane 12 on one side 11a of the base material 11 by a physical vapor deposition method; and a step B of forming the polymer membrane 13 on the silicon dioxide membrane 12 by a vapor deposition polymerization method.例文帳に追加

本発明の治具１０の製造方法は、基材１１と、基材１１上に二酸化ケイ素膜１２を介して設けられた高分子膜１３とを備え、基材１１の一方の面１１ａに、物理蒸着法により二酸化ケイ素膜１２を形成する工程Ａと、二酸化ケイ素膜１２上に、蒸着重合法により高分子膜１３を形成する工程Ｂとを有することを特徴とする。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element manufacturing method comprises a first step of forming a ground layer on a substrate at a first metalorganic chemical vapor deposition apparatus, and a second step of sequentially laminating a first n-type semiconductor layer, a second n-type semiconductor layer, a light-emitting layer and a p-type semiconductor layer on the ground layer at a second metalorganic chemical vapor deposition apparatus.例文帳に追加

第一有機金属化学気相成長装置において、基板上に下地層を形成する第一工程と、第二有機金属化学気相成長装置において、前記下地層上に第一ｎ型半導体層、第二ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を順次積層する第二工程と、を具備してなることを特徴とする半導体発光素子の製造方法を採用する。 - 特許庁

Further, the vapor deposition film roll is formed by taking up a vapor deposition film, which is obtained by laminating the covering layer, which contains a melamine compound and a polyvinyl alcohol polymer as essential components, on the base material comprising a high-molecular resin composition and specified in the average value and fluctuation width of oxygen permeability and the average value and fluctuation width of steam permeability.例文帳に追加

また、高分子樹脂組成物からなる基材上に、メラミン系化合物及びポリビニルアルコール系重合体を必須成分とした被覆層を積層し、かつその被覆層上に無機薄膜層を蒸着した蒸着フィルムを巻き取った蒸着フィルムロールであって、特定の酸素透過度の平均値およびの変動幅、ならびに特定の水蒸気透過度の平均値および変動幅を有する蒸着フィルムロール。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an ultrasonic probe in which an organic piezoelectric element having no variation in composition, increasing physical properties, excellent in piezoelectric performance, and being highly sensitive can be easily manufactured and managed, manufacturing quality is stabilized, high yield, cheap price and easy manufacturing can be achieved by considering vapor deposition polymerization using an oligomer, regarding vapor deposition polymerization conventionally related to more than two kinds of monomers.例文帳に追加

本発明の目的は、従来２種以上のモノマーがかかわっていた蒸着重合について、オリゴマーを用いる蒸着重合を考慮することにより、組成の変動がなく、物性を高め、圧電性能に優れた、高感度の、有機圧電素子を製造管理がし易く製造品質が安定に、高収率、安価、容易に、製造できる超音波探触子の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

The tinsel is obtained by microslitting a vapor deposition film that is made by laminating plastic film as the substrate with at least metallized layer with a metal or metal oxide deposited and protective layer comprising a silicone resin having polysilane skeleton and/or polysiloxane skeleton; wherein, the protective layer is situated on the outermost layer of one side or both sides of the vapor deposition film.例文帳に追加

基材となるプラスチックフィルムに、少なくとも、金属又は金属酸化物を蒸着してなる金属蒸着層と、ポリシラン骨格又はポリシロキサン骨格の何れか若しくは双方を有する珪素樹脂、を含有する保護層と、を積層してなる蒸着フィルムをマイクロスリットして得られる金銀糸であって、前記保護層が、前記蒸着フィルムの片側若しくは両側の最外層に位置する、という構成を備えた金銀糸とした。 - 特許庁

In the surface-coated plastic material having the vapor deposition film formed on the surface of a plastic base material, the vapor deposition film has an organosilicon polymer layer formed on the interface side with the surface of the plastic base material, a silicon oxide layer formed on the organosilicon polymer layer and a zirconium oxide containing layer or a titanium oxide containing layer formed on the silicon oxide layer.例文帳に追加

プラスチック基材表面に蒸着膜が形成された表面被覆プラスチック材において、該蒸着膜は、プラスチック基材表面との界面側に形成された有機ケイ素重合体層と、有機ケイ素重合体層上に形成されたケイ素酸化物層と、ケイ素酸化物層上に形成されたジルコニウム酸化物含有層又はチタニウム酸化物含有層とを有していることを特徴とする。 - 特許庁

This manufacture comprises the steps of forming a bottom silicon oxide film HTO1 on a polycrystalline or amorphous silicon layer by high-temperature chemical vapor deposition(HT-CVD), forming an intermediate silicon nitride film SiN on the bottom silicon oxide film HTO1 by chemical vapor deposition(CVD) and forming a top silicon oxide film HTO2 on the intermediate silicon nitride film SiN by HT-CVD.例文帳に追加

多結晶または非晶質のシリコン層上に、ボトム酸化シリコン膜ＨＴＯ１を高温化学的気相堆積（ＨＴ−ＣＶＤ）により成膜する工程と、ボトム酸化シリコン膜ＨＴＯ１上に、中間窒化シリコン膜ＳｉＮを化学的気相堆積（ＣＶＤ）により成膜する工程と、中間窒化シリコン膜ＳｉＮ上に、トップ酸化シリコンＨＴＯ２をＨＴ−ＣＶＤにより成膜する工程とを有する。 - 特許庁

The plating-method two-layer copper polyimide laminated film which keeps a metal vapor deposition layer overlying one side or both sides of a polyimide film with a conductive metal layer which is composed of copper overlaying the metal vapor deposition layer to unify them is characterized in that a surface modification depth index after eliminating the conductive metal layer by etching is 25 or smaller and a surface modification strength index is 1.1 or more.例文帳に追加

ポリイミドフィルムの片面または両面に、金属蒸着層を設け、その金属蒸着層上に銅からなる導電性金属層を積層し一体化したメッキ法２層銅ポリイミド積層フィルムであって、その導電性金属層をエッチングにより除去した後の表面改質深さ指数が２５以下であり、そしてその表面改質強度指数が１．１以上のメッキ法２層銅ポリイミド積層フィルム。 - 特許庁

The laminate which has the base material formed of the organic material, intermediate layers made by the vacuum film making method on one or both surfaces of the base material and the vapor deposition layers made of an inorganic oxide by the vacuum film making method on the intermediate layers and in which the intermediate layers are vapor deposition films having an organic component and an inorganic component is provided.例文帳に追加

本発明は、有機材料で形成された基材と、上記基材の片面または両面に真空製膜法で形成された中間層と、上記中間層上に無機酸化物を真空製膜法で製膜した蒸着層とを有し、上記中間層が有機成分と無機成分とを有する蒸着膜であることを特徴とする積層体を提供することにより上記目的を達成するものである。 - 特許庁

The lid material in which a vapor deposition film of an inorganic oxide is formed on one side of a base material film, a primer layer, a printed pattern layer, an adhesive layer for lamination are formed in turn on the vapor-deposition film, and a heat-sealing resin layer is formed on the adhesive layer and the aseptically packed rice with the use of it are concerned.例文帳に追加

基材フィルムの一方の面に、無機酸化物の蒸着膜を設け、次いで、該無機酸化物の蒸着膜の上に、プライマ−剤層、印刷模様層、および、ラミネ−ト用接着剤層を順次に設け、更に、該ラミネ−ト用接着剤層の上に、ヒ−トシ−ル性樹脂層を設けたことを特徴とする無菌米飯充填容器用蓋材およびそれを使用した無菌包装米飯に関するものである。 - 特許庁

In the observatory apparatus having the camera 2 to observer the condition of the target inside the vacuum container 1 in the hot vacuum vapor deposition apparatus, a crucible 6 provided with a water-cooling block 8 therearound is arranged on a bottom of the vacuum container 1, the target 7 placed in the crucible 1 is irradiated with a electron beam to generate the vapor.例文帳に追加

周囲に水冷ブロック８を設けたるつぼ６を真空容器１の底部に配置し、そのるつぼ１内に置かれたターゲット７に電子ビームを当てて蒸気を発生させるようにした高温真空蒸着装置における真空容器１内部のターゲット７の状態を観測するカメラ２を備えた観測装置である。 - 特許庁

To provide a vaporizer which is used for supplying a gaseous CVD (chemical vapor deposition) material into a CVD system for use in semiconductor fabrication, etc., and by which high-quality vapor gas can be obtained by efficiently performing vaporization at desired concentration and flow rate even in the case where a solid CVD material is used.例文帳に追加

半導体の製造等に用いられる化学気相成長（ＣＶＤ）装置にガス状のＣＶＤ原料を供給するための気化器において、固体ＣＶＤ原料を用いた場合においても、所望の濃度及び流量で効率よく気化させることにより高品質の気化ガスが得られる気化器を提供する。 - 特許庁

In the organic EL device manufacturing apparatus, the substrate is conveyed in the vacuum environment with its vapor-deposition surface set as an upper surface, a conveying surface of the substrate is retained so as not to slide at least when the substrate moves, the substrate is delivered in a vacuum chamber, and then, the substrate is vapor-deposited by erecting the substrate in a vertical or approximately vertical state.例文帳に追加

真空内を基板の蒸着面を上面にして搬送し、少なくとも前記基板が移動する場合には前記基板の搬送面が摺動しないように保持し、前記真空チャンバ内で前記基板を受渡し、その後前記基板を垂直または略垂直にたてて蒸着する。 - 特許庁

To provide a surface-coated plastic material having on its surface a vapor deposition film that excels in transparency and gas barrier property such as oxygen barrier property and water vapor barrier property and that at the same time excels in alkali resistance, maintaining the excellent film performance without causing the film performance to drop even if brought into contact with an alkaline solution.例文帳に追加

透明性や酸素バリアー性、水蒸気バリアー性などのガスバリアー性に優れていると同時に、耐アルカリ性に優れ、アルカリ溶液に接触させた場合にも、膜性能の低下を生じることがなく、優れた膜性能が維持させる蒸着膜を表面に備えた表面被覆プラスチック基材を提供する。 - 特許庁

In the piezoelectric component, a member including a built-in piezoelectric element and securing the air tight of the piezoelectric element is formed from non-conductive material on which metal can be vapor-deposited or sputtered, and on the surface of the member, a metal film is deposited by vapor deposition or sputtering, thereby the piezoelectric component is given shield effect on external noise.例文帳に追加

本発明は、圧電素子を内蔵し、かつ、該圧電素子を内部に気密確保する金属を蒸着あるいはスパッタリング可能な非導通材料からなる部材の表面に金属膜を蒸着またはスパッタリングにより形成し、外来ノイズのシールド効果をもたせたことを特徴とする圧電部品に関する。 - 特許庁

Alternating layers of tantalum and tantalum nitride are deposited onto the semiconductor device substrate by chemical vapor deposition from a tantalum pentafluoride precursor vapor, with intermittent ammonia plasma treatment of the tantalum and tantalum nitride such that each tantalum layer and each tantalum nitride layer are treated at least once to thereby reduce the evolution of HF gas.例文帳に追加

タンタル及び窒化タンタルの交互層を、各タンタル層及び各窒化タンタル層を少なくとも一回処理することによりＨＦガスの発生を減少させるようなタンタル及び窒化タンタルの断続的なアンモニアプラズマ処理と共に、五フッ化タンタル前駆体の蒸気から化学蒸着によって半導体デバイスの基板上へ堆積させる。 - 特許庁

In the method for synthesizing carbon nanotubes 4 by catalytic vapor deposition of carbon from a vapor phase on a catalyst layer 3 formed on a support member 1, in order to alter the physical, chemical and/or electrically conductive properties of carbon nanotubes, ion beams 2 are used before, during and/or after formation of the carbon nanotubes 4.例文帳に追加

カーボンナノチューブの物理的、化学的及び／又は導電性特性を変更するために、イオンビーム２をカーボンナノチューブ４形成の前、間及び／又は後に用いる、気相からのカーボンの触媒蒸着により、支持体部材１上に形成された触媒層３にカーボンナノチューブ４を合成する方法とする。 - 特許庁

This weak current is detected by a first control device 18 installed in the outside of a vapor-deposition chamber, electric power which is applied to the heater 13 of the evaporation source is controlled by a second control device 12 using signals from the first control device 18, and the thickness of a vapor deposited film is thereby controlled.例文帳に追加

この微弱電流を蒸着室の外部に設置された第１の制御装置１８によって検出し、第１の制御装置１８からの信号を用いる第２の制御装置１２によって蒸発源のヒーター１３に加える電力を制御することによって蒸着膜厚を制御する。 - 特許庁

A solid electrolyte membrane deposition method works in such a way that a magnet is placed on one side of a tray of a vapor growth device and, while the nonaqueous electrolyte battery electrode is being fixed to the other side of the tray by magnetic forces of the magnet, a solid electrolyte membrane is deposited over the surface of the nonaqueous electrolyte battery electrode through a vapor growth method.例文帳に追加

気相成長装置のトレイの一方の面にマグネットを配置し、非水電解質電池用電極をマグネットの磁力によりトレイの他方の面に固定した状態で、非水電解質電池用電極の表面全体に気相成長法を用いて固体電解質膜を成膜する固体電解質膜の成膜方法。 - 特許庁

This radiological image conversion panel having a stimulable phosphor layer on a support has a characteristic wherein the stimulable phosphor layer is formed by a vapor-phase method (namely, a vapor-phase deposition method) so as to have the film thickness of 50μm -1 mm and a thermoplastic resin is provided on the support.例文帳に追加

支持体上に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、輝尽性蛍光体層が気相法（気相堆積法ともいう）により５０μｍ〜１ｍｍの膜厚を有するように形成され、該支持体上に熱可塑性樹脂膜を有することを特徴とする放射線画像変換パネル。 - 特許庁

Or a masking guide formed to be a pipe to conduct masking for vapor- deposition at a prescribed pitch is used to apply masking with a masking tape so as to expose only a surface of a dielectric body that becomes a helical element of the dielectric pipe and a prescribed metal is vapor-deposited to form the helical radiation element pattern.例文帳に追加

あるいは、パイプ状に形成されあらかじめ所定のピッチを持ち蒸着の際のマスキングを行うマスキングガイドを使用して、誘電体パイプのヘリカル素子となる部分の誘電体表面のみが露出するようマスキングテープによりマスキングを施し、所定の金属を蒸着してヘリカル放射素子パターンを形成する。 - 特許庁

Especially, the device for manufacturing multilayered film optical filters vapor-deposits a plurality of dielectric multilayered films on a substrate, and a plurality of film thickness monitors are installed in the peripheral direction of the substrate, and the evaporation rate profile is recognized by the plurality of film thickness monitors and is fed back to control the vapor-deposition source.例文帳に追加

特に、基板上に複数の誘電体多層膜を蒸着する多層膜光学フィルターの形成装置であって、基板周方向に複数個の膜厚モニターを設置し、前記複数個の膜厚モニターによって蒸着速度分布を把握し、フィードバックして蒸着源を制御することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an organic EL panel by which highly accurate electroluminescent layers can be formed and in which the attachment and removal between a vapor-deposition mask and a vapor-deposited substrate are easy, to provide a manufacturing apparatus of an organic EL panel with a simple structure for implementing the manufacturing method, and to provide an organic EL panel manufactured with the manufacturing apparatus.例文帳に追加

高精細なエレクトロルミネッセンス層を形成することができ、また蒸着マスクと被蒸着基板の着脱が容易な有機ＥＬパネルの製造方法、この製造方法を実施するための簡便な構成の有機ＥＬパネルの製造装置及びこの製造装置で製造された有機ＥＬパネルを提供する。 - 特許庁

While having a vapor deposition metal electrode 2 in a base film 1 and forming a margin 4 at the single-sided end of a width direction, a slit 5 wherein metal is not vapor-deposited is formed in a polygonal line shape into a metallization film 10 which makes the other end of the width direction a heavy edge 9 from a margin 4 to a heavy edge 9.例文帳に追加

ベースフィルム１に蒸着金属電極２を有し、幅方向の片側一端部にマージン部４を設けるとともに、幅方向の他端部をヘビーエッジ部９とした金属化フィルム１０に、マージン部４からヘビーエッジ部９にかけて、金属の蒸着されていないスリット５を折れ線状に形成する。 - 特許庁

And the producing method of the alcohol vapor stop-off film by depositing silica, titania or zirconia on the surface of the inorganic porous body by chemical vapor deposition using oxygen and at least one kind selected from a group composed of silicon alkoxide, titanium alkoxide, titanium tetrachloride, silicon tetrachloride and zirconium tetrachloride is provided.例文帳に追加

２．シリコンアルコキシド、チタンアルコキシド、四塩化チタン、四塩化ケイ素および四塩化ジルコニウムからなる群より選択される少なくとも１種と酸素とを用いて、無機多孔体の表面に化学蒸着法によりシリカ、チタニアまたはジルコニアを堆積することを特徴とする上記項１に記載のアルコール蒸気阻止膜の製造方法。 - 特許庁