「Vapor Deposition」に関連した英語例文の一覧と使い方(82ページ目) - Weblio英語例文検索

The liquid crystal display element has at least two layers in between the liquid crystal layer, and an electrode layer arranged by coating or vapor deposition, wherein at least one layer thereof is a flat layer with 1μm or smaller unevenesses on the electrode-layer side surface.例文帳に追加

液晶層と塗布又は蒸着により設けた電極層の間に少なくとも２つの層を有し、その内少なくとも一方の層は電極層側の面の凹凸が、１μｍ以下の平坦層である。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for cassette read processing that can realize handling property for the best image read for a cassette containing a recording medium made of columnar crystal grown by a vapor deposition method.例文帳に追加

気相成長法により成長した柱状結晶からなる記録媒体を収容するカセッテに最適な画像読取の取扱性を実現できるカセッテ読取処理装置及びカセッテ読取処理方法を提供する。 - 特許庁

As a result of the adjustment trying means, it is judged that the adjustment to either right or left area of the excitation electrode membrane is needed, an adjustment area is decided, a partial vapor deposition is conducted, and a spurious vibration adjusting means is executed.例文帳に追加

調整試行手段の結果、励振電極膜の左右いずれかの領域への調整が必要であると判断し、調整領域を決定し、パーシャル蒸着を行いスプリアス振動調整手段を実施する。 - 特許庁

To provide a coating device for glass bottles in which the glass bottles are subjected to hot end coating and which prevents the occurrence of weak segments of hot end coating films by blowing vapor deposition gas evenly to the outer peripheral surfaces of the glass bottles.例文帳に追加

ホットエンドコーティングを行うガラスびんのコーティング装置において、蒸着ガスがガラスびんの外周面にまんべんなく吹きかかるようにして、ホットエンドコーティング被膜の弱い部分が生じるのを防止する。 - 特許庁

In the outside vapor deposition (OVD) method performed by supplying a glass gaseous starting material, gaseous hydrogen and gaseous oxygen to a large number of the burners, the gas flow rate to each burner is uniformized by a pressure equalizer provided at the tip of a gas supply source.例文帳に追加

ガラス原料ガス、Ｈ_２ガス、Ｏ_２ガスを多本数バーナーに供給するＯＶＤ法において、ガス供給源の先に設けた圧力平均化装置によって、各バーナーへのガス流量が均一になるようにする。 - 特許庁

The food preparation material 10a is formed in such a way that a metallic vapor deposition film 24 is laminated on one side of a substrate 22, which is supported by a support layer 26 to constitute an exothermic sheet 12, and the sheet is made cubic by folding it with certain widths.例文帳に追加

飲食品調理用素材１０ａは、基体２２の片面に金属蒸着膜２４を積層し、これを支持層２６で支持してなる発熱シート１２を、一定の幅で折曲げて立体的にしたものである。 - 特許庁

In the biodegradable film, a substrate film including at least one layer which is made of a biodegradable resin and has an oxygen transmittance of 10-10,000 cc×μm/(m^2×day×atm) and an inorganic vapor deposition film are laminated.例文帳に追加

生分解性樹脂からなって酸素透過率が１０〜１００００ｃｃ・μｍ／（ｍ^2・ｄａｙ・ａｔｍ）の層を少なくとも一層含む基材フィルムと、無機蒸着膜とが積層されている生分解性フィルム。 - 特許庁

The metal complex is, for example, used as the precursor for adhering a metal or a metal-containing film onto a substrate by a condition of atomic layer sedimentation or chemical vapor deposition.例文帳に追加

一部の態様においては、ここに記載され金属錯体は、例えば原子層堆積又は化学蒸着条件により基材上に金属又は金属含有フィルムを被着させるための前駆物質として使用可能である。 - 特許庁

The gas-barrier film keeps an inorganic vapor deposition layer 3 of a thickness of 5-300 nm and an inorganic filler-containing layer 5 containing 5-60 vol.% of an inorganic filler overlying at least one side of a plastic substrate 1 one after another.例文帳に追加

プラスチック基材１の少なくとも一方の面に、厚さ５〜３００ｎｍの無機蒸着層３と、無機フィラーを５〜６０体積％含む無機フィラー含有層５とを順次積層することを特徴とするガスバリアフィルム。 - 特許庁

The coated cubic boron nitride sintered compact is composed of a base material of a sintered compact containing ≥99.5 vol.% cubic boron nitride and a hard coated film having a thickness of 0.1 to 10 μm and being formed on at least part of the base material by a physical vapor deposition method.例文帳に追加

99.5体積％以上の立方晶窒化ホウ素からなる焼結体の基材と、この基材表面の少なくとも一部に物理蒸着法によって形成された厚さ0.1〜10μmの硬質被膜とを具える。 - 特許庁

The vapor deposition mask 20 is provided with a metallic sheet 34 which has a first face 34a and a second face 34b on the side opposite from the first face, and which is formed with through holes 25 elongating in the space between the first face and the second face.例文帳に追加

蒸着マスク２０は、第１面３４ａおよび第１面とは反対側の第２面３４ｂを有し、第１面と第２面との間を延びる貫通孔２５が形成された金属製シート３４を備える。 - 特許庁

Such a tool member forms an intermediate layer on a base material surface, and forms the silicon-containing amorphous carbon film having an atomic ratio of Si_0.03 to 0.25C_0.30 to 0.75H_0.22 to 0.50 by using a plasma CVD (chemical vapor deposition) after applying activation processing.例文帳に追加

このような工具部材は基材表面に中間層を形成し、活性化処理を施した後、プラズマＣＶＤを用いて原子比率がＳｉ_0.03_〜_0.25Ｃ_0.30_〜_0.75Ｈ_0.22_〜_0.50である珪素含有非晶質炭素膜を形成する。 - 特許庁

To provide an apparatus for manufacturing compound semiconductor for uniforming the film thickness of a compound semiconductor that is subjected to vapor phase deposition simultaneously on a plurality of substrates, even if the film thickness is extremely thin, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

複数の基板に同時に気相成長させる化合物半導体を、それが極薄膜であっても、膜厚を均一化できる化合物半導体製造装置および化合物半導体製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a magnetic recording medium with high manufacturing efficiency by eliminating the problem of base cutting due to blocking in a process for manufacturing a vapor deposition type medium using a PEN film.例文帳に追加

ＰＥＮフィルムを用いた蒸着型媒体の製造工程において、ブロッキングに起因するベース切れの問題を解消することにより、製造効率に優れた磁気記録媒体の製造方法を提供する。 - 特許庁

There is provided a method for producing a ruthenium-containing thin film having a film density of 10.5 to 12.2 g/cm^3 and a specific resistance value of 8 to 100 μΩcm through the heat treatment of the thin film formed by a chemical vapor deposition method.例文帳に追加

化学気相蒸着法により形成したルテニウム含有薄膜を加熱処理して、膜密度が１０．５〜１２．２ｇ／ｃｍ^３で、且つ比抵抗値が８〜１００μΩｃｍであるルテニウム含有薄膜を製造する。 - 特許庁

A discotic liquid crystal, the conductivity of which varies in the normal direction of the surface of the photosensitive layer by irradiation with laser light, is formed by vapor deposition on a conductive supporting body and then a charge transfer layer is formed thereon to constitute the photosensitive layer.例文帳に追加

導電性支持体上に、レーザー照射により感光層表面の法線方向の導電率が変化するディスコティック液晶を蒸着し、その上に電荷輸送層を形成して感光層とする。 - 特許庁

In the process of forming a protecting layer 8 composed of a metal oxide MgO film, the film formation is carried out within a definite range of a partial pressure, for example of oxygen gas partial pressure in a vapor deposition room 21 which is the film forming room.例文帳に追加

金属酸化膜であるＭｇＯ膜による保護層８を形成する工程において、その際の成膜は、成膜室である蒸着室２１内の、例えば酸素ガスの分圧を一定範囲内として行う。 - 特許庁

A sintering tray base material is formed of alumina, and the base material surface is coated with a metal film of the same quality as a metal of the ceramic capacitor by a coating method performing deposition in a form of a vapor phase or an ion, such as a sputtering method.例文帳に追加

焼結用トレイ基材をアルミナで形成すると共に基材表面にセラミックコンデンサーの金属と同質の金属膜をスパッター法などの気相、イオンなどの形態で堆積するコーティング法により被覆する。 - 特許庁

To provide a method for imparting electric conductivity to silicon carbide where a silicon carbide layer can be imparted with electric conductivity by lowering the resistance of the silicon carbide layer consisting of silicon carbide formed by a chemical vapor deposition method without lowering purity.例文帳に追加

純度を低下させることなく化学気相成長法により形成された炭化珪素を、炭化珪素層の抵抗を低くして炭化珪素層を導電化させることができる炭化珪素導電化方法の提供。 - 特許庁

The compound has a high melting point and a high glass transition temperature, and a thin film formed by the vapor deposition or the like is transparent, forms a stable amorphous state even at a room temperature or higher, and exhibits smooth and excellent film quality.例文帳に追加

本発明の化合物は、融点やガラス転移温度が高く、その蒸着等により成膜される薄膜は、透明で室温以上でも安定なアモルファス状態を形成し、平滑で良好な膜質を示す。 - 特許庁

To provide a photocatalyst having excellent durability and a method for its production by using a film which is different from a fullerene vapor deposition film although the film of this invention belongs to fullerene compounds, and o provide a device and method for decomposition of gas.例文帳に追加

同じフラーレン系に属しながら、フラーレン蒸着膜とは異なる膜を用いて、耐久性に優れた光触媒及びその製造方法、さらにはガス分解装置並びにガス分解方法を提供すること。 - 特許庁

The vapor-deposition material for use in producing the optical layer of medium refractive index includes aluminum oxide and at least one compound selected from the group consisting of gadolinium oxide, dysprosium oxide and ytterbium oxide.例文帳に追加

酸化アルミニウム、ならびに、酸化ガドリニウム、酸化ジスプロシウムおよび酸化イッテルビウムからなる群より選択される少なくとも一つの化合物を含む、中程度の屈折率の光学層を製造するための蒸着材料。 - 特許庁

In the metalized film capacitor, at least one of metal vapor deposition electrodes 4a and 4b of a pair of metalized films 1 and 2 contains aluminum as a main constituent, and the surface thereof is formed with a MgAl_2O_4 film.例文帳に追加

本発明の金属化フィルムコンデンサは、一対の金属化フィルム１、２の金属蒸着電極４ａ、４ｂのうち少なくとも一方は、アルミニウムを主成分とし、表面にＭｇＡｌ_2Ｏ_4膜が形成されたものとした。 - 特許庁

Organic EL layers (hole transporting layer 4, luminous layer 5) are formed on the positive electrode by an ink-jet method and a metallic film of such a thickness as to transmit light is coated on the organic EL layers by a vapor deposition method, and thereby, a negative electrode 6 is formed.例文帳に追加

陽極上に有機ＥＬ（正孔輸送層４、発光層５）をインクジェット法により形成し、有機ＥＬ上に蒸着法により、光を透過する厚さの金属薄膜を被着して陰極６を形成する。 - 特許庁

The mask moving mechanism 140 holds a developed part of a belt-like metal mask 12 so as to cross the space between the substrate 10 and the vapor deposition source 130 and sends it while keeping a state of being separated from the substrate 1.例文帳に追加

マスク移動機構１４０は、帯状のメタルマスク１２の展開された部分を、基板１０と蒸着源１３０との間の空間を仕切るように渡して基板１から離間した状態を保って送る。 - 特許庁

In the method for supporting the substrate of a horizontal vapor phase growing device comprising a susceptor 2 which is for supporting the substrate 11 so that the deposition surface 28 faces the lower side, a step part 21 is formed at the edge of the outer periphery of the substrate 11.例文帳に追加

成膜面２８が下側を向くように基板１１を支持するためのサセプタ２を備える横型の気相成長装置の基板支持方法であって、基板１１の外周の縁に、段差部２１を形成する。 - 特許庁

To provide a plastic molding of unique decoration and quality by providing color effect on the light transmissive plastic molding by vapor deposition of metal.例文帳に追加

光透過性プラスチック成形品への金属蒸着による出色効果を付与することを技術的課題とし、もって独特な装飾性、高級感の付与されたプラスチック成形品を提供することを目的とする。 - 特許庁

The film capacitor element is constructed using a laminated structure formed by laminating at least one of dielectrics including at least one of vapor deposition polymerization films 16 and at least one of evaporated metal films 14a and 14b.例文帳に追加

蒸着重合膜１６を少なくとも一つ含む誘電体の少なくとも一つと、金属蒸着膜１４ａ，１４ｂの少なくとも一つとを積層してなる積層構造体を用いて構成した。 - 特許庁

The polyester film for vapor deposition has an ultraviolet transmittance of 20% or less at 380 nm, film haze of 1.5% or less, and a difference in a friction coefficient Δμ as defined by formula (1) of 0.15 or less.例文帳に追加

３８０ｎｍの紫外線透過率が２０％以下であり、フィルムのヘーズが１．５％以下であり、下記式（１）で定義される摩擦係数の差Δμが０．１５以下であることを特徴とする蒸着用ポリエステルフィルム。 - 特許庁

A substrate surface 301 of the developing sleeve 2032 is subjected to surface roughening treatment by indeterminate form blasting treatment and is then coated with a a coating layer 302 of ta-C by vapor deposition treatment of an FCVA system.例文帳に追加

現像スリーブ２０３２の基体表面３０１は、不定形ブラスト処理により粗面化処理が施された後、ＦＣＶＡ方式による蒸着処理により、ｔａ−Ｃのコーティング層３０２により被覆されている。 - 特許庁

The sheet for manufacturing the tinsel yarn is constituted by making a polyimide resin layer overlie both sides of the polyester film and characterized by laminating a metal vapor deposition layer on at least one side of the polyester film.例文帳に追加

本発明の金銀糸製造用シートは、ポリエステルフィルムの両面にポリイミド樹脂層が積層されており、かつ、その少なくとも片面に金属蒸着層が積層されていることを特徴とするものである。 - 特許庁

The manufacturing method of a semiconductor circuit device includes a step of forming a first film subjected to plasma treatment after a TiN film is deposited by a chemical vapor deposition method (CVD) with tetrakis dimethylamino titanium (TDMAT) taken as a stock material.例文帳に追加

半導体回路装置の製造方法は、テトラキスジメチルアミノチタン（ＴＤＭＡＴ）を原料としてＴｉＮ膜を化学気相蒸着法（ＣＶＤ）にて成膜後、プラズマ処理した第１膜を形成するステップを備えている。 - 特許庁

A transparent speaker is configured with a transparent piezoelectric diaphragm where a transparent piezoelectric material, and transparent electrode pattern are formed through vacuum vapor-deposition or photoetching and with a frame supporting the surrounding of the diaphragm.例文帳に追加

透明な圧電材料と透明な電極パターンが真空蒸着やフォトエッチングによって形成される透明圧電振動板と、この振動板の周辺を保持するフレームとによって透明スピーカを構成する。 - 特許庁

To provide the viewport of a chemical vapor deposition device for manufacturing semiconductors that can prevent heat loss in a chamber, can minimize polymer adhesion to a silhouette window for facilitating the management, and can reduce the fail rate of products.例文帳に追加

チャンバー内の熱損失を防止し、透視窓へのポリマー凝着を極小化させてその管理を容易にし、製品不良率を低減することができる半導体製造用化学蒸着装置のビューポートを提供する。 - 特許庁

A thin SiO_2 film is deposited on the semiconductor substrate 2 including the polyimide film 1 through CVD, and a conductive film 5 as a material for a heater is deposited thereon by vacuum vapor deposition method or sputtering method.例文帳に追加

ポリイミド膜１を含む半導体基板２上に薄いＳｉＯ_２膜をＣＶＤにより堆積し、さらにその上に、ヒータの材料となる導電性膜５を真空蒸着法またはスパッタ法により堆積する。 - 特許庁

Further, the surfaces of fibers forming the base part 2 and the fiber layer 8 are provided with a coating layer of one or more kinds selected from silicon carbide, carbon, alumina and silicon nitride by a vapor deposition process.例文帳に追加

また、前記ベース部２及び繊維層８を形成している繊維の表面に、炭化珪素、炭素、アルミナ及び窒化珪素から選択される１又は２種以上の気相蒸着法によりコーティング層を有する。 - 特許庁

On an organic film layer 1 including an organic matter having a benzothiadiazole skeleton (BT unit), an organic electronic device has the interface formed by a metal oxide layer 2 film-formed by a vacuum vapor deposition method.例文帳に追加

ベンゾチアヂアゾール骨格（ＢＴユニット）を有する有機物を含む有機膜層１上に、真空蒸着法により成膜された金属酸化物層２により形成される界面を有することを特徴とする有機電子デバイス。 - 特許庁

The device can be manufactured by forming the light dispersion layer of which the surface is formed with a plurality of small protrusions on the reflective layer by using, for example, a spatter vapor deposition method.例文帳に追加

この有機発光ディスプレイ装置は、分布ブラッグ反射層上に、例えばスパッタ蒸着法を用いて複数の小突起を表面に備える光散乱層を形成することによって製造することができる。 - 特許庁

Therefore, coatings 49 and 51 can be easily and surely formed on the end faces 71 and 73 of the piezoelectric element 33 in polymer atmosphere gasified by vapor deposition polymerization, without reduction in the yield of the piezoelectric element 33.例文帳に追加

従って、圧電素子３３の歩留まりを低下させることなく、蒸着重合によるガス化したポリマー雰囲気で圧電素子３３の端面７１，７３にコーティング４９，５１を容易且つ確実に形成することができる。 - 特許庁

As a second method heat treatment is performed in a diluted oxygen atmosphere in order to repair crystal defects occurred during growth of the silicon oxide film by chemical vapor deposition.例文帳に追加

第２の方法として、化学気相成長によりシリコン酸化膜を成長させた後、その際に発生してしまった結晶欠陥を修復すべく、希釈酸素雰囲気中で熱処理を行う方法を提供する。 - 特許庁

The diamond film-deposited silicon is manufactured by forming the silicon substrate having ≤500 μm thickness by the plate-like crystal growth method and depositing the conductive diamond on the silicon substrate by the chemical vapor deposition method.例文帳に追加

板状結晶成長法により厚さが５００μｍ以下のシリコン基材を製造し、このシリコン基材をケミカルベーパーデポジションにより導電性ダイヤモンドで成膜することにより、ダイヤモンド成膜シリコンを製造する。 - 特許庁

To provide a method for easily producing a raw material solution of high purity (n-butoxy)tris(pivaloylmethanato)zirconium for using in the vaporized solution source of chemical vapor deposition method, and a PZT film-forming method using the solution.例文帳に追加

溶液気化の化学気相成長法に用いるための高純度の（ノルマルブトキシ）トリス（ジピバロイルメタナト）ジルコニウムの原料溶液を容易に製造する方法および該溶液を用いたＰＺＴ膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

In the process related to a plasma-enhanced chemical vapor-phase deposition (PECVD) for depositing a nitrogen-doped silicon carbide (Si-C-N) material, a nitrogen gas (N_2) aids chemical precursors for silicon and carbon.例文帳に追加

炭素窒化物シリコン（Ｓｉ−Ｃ−Ｎ）材料を蒸着するための処理はプラズマ強化化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）に関し、そこではシリコン及び炭素用の化学前駆物質が窒素ガス（Ｎ２）によって補助される。 - 特許庁

Carbon is put on oxidized graphite particles under chemical vapor deposition treatment with a fluid bed reactor to manufacture a graphite/ carbon complex material with a coating layer of crystalline carbon on the surface of the graphite.例文帳に追加

酸化処理した黒鉛粒子に、流動床反応炉を用いて炭素を化学蒸着処理することにより、黒鉛粒子の表面に結晶性炭素の被覆層を有する黒鉛—炭素複合材料を製造する。 - 特許庁

To avoid cracking of a silicon wafer by preventing the silicon wafer from sliding on a susceptor in a reactor of a vapor deposition apparatus and thus preventing a circumferential edge of the wafer from coming into contact with a surface of the susceptor.例文帳に追加

気相成長装置の反応炉内部のサセプタ上においてシリコンウェーハが滑ることを防止し、それによりウェーハの周縁部がサセプタの表面に接触することを防止してそのウェーハの割れを回避する。 - 特許庁