「region below」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

A reflection plate 19 for limiting an incident region is provided below a photosensor 18 for detecting brightness.例文帳に追加

明るさを検知する光センサ１８の下方に光の入射領域を制限する反射板１９が設けてある。 - 特許庁

A heavily-doped region 18 is formed below the second substantially horizontal face of the trench in a substrate.例文帳に追加

高濃度ドープ領域１８が基板内において、トレンチの第２の実質的に水平な面の下方に形成される。 - 特許庁

A part of the charge holding portions 10A, 10B are situated below an interface between the gate insulating film 12 and the channel region.例文帳に追加

また、電荷保持部１０Ａ，１０Ｂの一部は、ゲート絶縁膜１２とチャネル領域との界面よも下に存する。 - 特許庁

As described below, `the five kings of Wa' is assumed to be the king of Kyushu, not the king of the Kinai region (the five capital provinces surrounding the ancient capitals of Nara and Kyoto). 例文帳に追加

以下のことから、「倭の五王」は畿内ではなく九州の大王であったと考えられる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Below, we analyze this question by industry and region, focusing on MIC's Establishment and Enterprise Census of Japan.例文帳に追加

以下では、総務省「事業所・企業統計調査」を中心に、業種別・地域別の観点から分析を行う。 - 経済産業省

The larger the n-value of the wire becomes, the smaller the generated voltage in a low-current region below Ic becomes, whereby heat generation is reduced.例文帳に追加

n値の大きい線材の方がIc以下の低電流域での発生電圧が小さく、発熱も小さくなる。 - 特許庁

Consequently, the structure is made in which the rigidity of the region immediately below is reinforced by the copper member 6 in the insulating layer 20.例文帳に追加

このため、絶縁層２０のうち直下領域の剛性が銅部材６により補強された構造となる。 - 特許庁

Impurities are implanted into a region of the conductive film located below the sidewall film adjoined to the first lateral face.例文帳に追加

第１の側面に接するサイドウォール膜の下に位置する導電膜の領域内に不純物を注入する。 - 特許庁

Below, then, we provide an overview of the investment environment in the NIEs bearing in mind how investment in the region intersects with investment in China. 例文帳に追加

そこで、以降では対中投資との接点を踏まえながらNIES諸国の投資環境について概観する。 - 経済産業省

The low-doping region of the second-type well is positioned adjacent to the first-type one, and a high-doping region in the second-type well is positioned below one portion of the first-type well and the low-doping region.例文帳に追加

第２タイプウエルの低ドーピング領域は前記第１タイプウエルの隣に位置させ、前記第２タイプウエルの高ドーピング領域は前記第１タイプウエルの一部と前記低ドーピング領域の下に位置する。 - 特許庁

In part of the Si layer 14 located between the source and drain regions 17, a channel region 18 constituted of the p-type Si layer, and a body region 19 located below the channel region 18 are formed.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域１７の間に位置する領域には、上記ｐ型Ｓｉ層からなるチャネル領域１８と、チャネル領域１８の下方に位置するボディ領域１９とが設けられている。 - 特許庁

An n--type region 10 is formed near an area comprising a place immediately below a boundary between a gate oxide film 11 and a second gate oxide film 14a between a drift region and a p-type channel region 3 for relaxing field concentration immediately below a boundary between the gate oxide film 11 and the second gate oxide film 14a and depletion immediately below the gate oxide film 11 is accelerated.例文帳に追加

ゲート酸化膜１１と第２ゲート酸化膜１４ａの境界直下での電界集中を緩和するために、ドリフト領域とｐ型チャネル領域３の間にゲート酸化膜１１と第２ゲート酸化膜１４ａの境界直下を含む近傍に、ｎ^- 型領域１０を形成し、ゲート酸化膜１１直下での空乏化を早める。 - 特許庁

The JTE region 6 consists of a first p-type region 6a formed in a region including below the edge of an anode electrode 3 above the drift layer 2, and a second p-type region 6b formed on the outside thereof and having impurity surface concentration lower than that of the first p-type region 6a.例文帳に追加

ＪＴＥ領域６は、ドリフト層２の上部におけるアノード電極３のエッジの下を含む領域に形成された第１のｐ型領域６ａと、その外側に形成され第１のｐ型領域６ａよりも不純物面濃度が低い第２のｐ型領域６ｂとから成る。 - 特許庁

An inversely conductive high concentration region for suppressing the stretch of a depletion layer is formed immediately below at least a drain layer while a threshold voltage regulating high concentration region, higher in impurity concentration than that of a channel region, is formed between a source region and the channel region.例文帳に追加

少なくともドレイン領域の直下に、空乏層の延びを抑制する逆導電型の高濃度領域と、ソース領域とチャネル領域との間に、チャネル領域より不純物濃度が高い逆導電型の閾値電圧調整用高濃度領域とを形成する。 - 特許庁

Further, variable capacity is provided with a conductor 12 connecting the well region 3 positioned below the insulating film 4 and exposed from a cut-out 11, and a region below the diffusion layer 6.例文帳に追加

さらに、当該切り欠かれた部分１１から露出している、絶縁膜４の下方に位置するウエル領域３と、拡散層６の下方の領域とを接続する導電体１２を、本発明に係る可変容量はさらに備えている。 - 特許庁

This SOIMOSFET is equipped with a channel region 18 consisting of the section corresponding to the section right below the gate electrode 15 out of a top silicon layer 13, and the source region 16 and the drain region 17 consisting of the sections adjacent to this channel region 18 out of the top silicon layer 13.例文帳に追加

トップシリコン層１３のうちゲート電極１５直下に相当する部分からなるチャネル領域１８と、トップシリコン層１３のうちこのチャネル領域１８に隣接する部分からなるソース領域１６およびドレイン領域１７を備える。 - 特許庁

An upper face 35N of a portion of the element-isolation insulating film, adjacent to a first source region 21N and a first drain region 22N of the n-type MOSFET, is positioned below an upper face 25N of the first source region and the first drain region.例文帳に追加

ｎ型ＭＯＳＦＥＴでは、素子分離絶縁膜のうちの第１ソース領域２１Ｎ及び第１ドレイン領域２２Ｎに隣接する部分の上面３５Ｎは、第１ソース領域及び第１ドレイン領域の上面２５Ｎよりも下方に位置する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of forming a diffusion layer which serves as a bit line by thermal diffusion only immediately below a region which serves as a channel region.例文帳に追加

チャネル領域となる領域の直下だけに熱拡散によってビット線となる拡散層を形成することができる半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

To contribute to improvement in device characteristics by making it possible to set a resist size difference between an element formation region and an element isolation region during ion injection to be a desired value or below.例文帳に追加

イオン注入時における素子形成領域と素子分離領域とのレジスト寸法差を所望の値以下とすることができ、デバイス特性の改善に寄与する。 - 特許庁

To provide a distance sensor and a distance image sensor capable of appropriately distributing an electric charge generated in a region immediately below a photo gate electrode to each semiconductor region.例文帳に追加

フォトゲート電極の直下の領域に発生した電荷を各半導体領域に適切に振り分けることが可能な距離センサ及び距離画像センサを提供すること。 - 特許庁

In such situations, the techniques reallocate the excess transmit power of transmission channels operated in the saturation region to other transmission channels operated below the saturation region.例文帳に追加

このような状態において、本技術は、飽和領域で作動する送信チャネルの余剰な送信出力を、該飽和領域以下で作動する他の送信チャネルに再分配する。 - 特許庁

The area ratio AR of the region above the reference line as the border and the area of the region below the reference line is calculated from the areas At and Ab thus calculated.例文帳に追加

こうして算出された面積Ａｔと面積Ａｂとから、基準線を境にした上側の領域の面積と下側の領域の面積との面積比ARを算出する。 - 特許庁

In this case, the diffusion depth of the p-type diffusion layer region 7 may be shallower than the light receiver A at least in part of the region below the anode electrode 9.例文帳に追加

この場合、ｐ型拡散層領域７の拡散深さは、アノード電極９の下部領域の少なくとも一部で受光部Ａより浅くなるものとすることができる。 - 特許庁

Among the regions in the semiconductor layer including the top face of the semiconductor layer, a second semiconductor region is formed in at least a part of a region below the semi-insulating layer.例文帳に追加

半導体層の上面を含む半導体層内の領域のうち、半絶縁層の下側の少なくとも一部の領域に、第２半導体領域が形成されている。 - 特許庁

A first dielectric stressor element having a horizontally extending upper surface extends below a portion of the active semiconductor region, such as a northwest portion of the active semiconductor region.例文帳に追加

水平に延びる上面を有する第１の誘電体ストレッサ要素は、活性半導体領域の北西部分など、活性半導体領域の１つの部分の下に延びる。 - 特許庁

Among regions in the semiconductor layer including a top face of the semiconductor layer, a first semiconductor region is formed in a region below an end part of the semi-insulating layer.例文帳に追加

半導体層の上面を含む半導体層内の領域のうち、半絶縁層の端部の下側の領域に、第１半導体領域が形成されている。 - 特許庁

One detection region where the absolute value of the calculated variance value of the speed is below a designated threshold and detects the extracted detection region as a disappearance line.例文帳に追加

算出した速度の分散値の絶対値が所定の閾値以下となる１つの検出領域を抽出して、抽出した検出領域を消失線として検出する。 - 特許庁

A second dielectric stressor element having a horizontally extending upper surface extends below one second portion of the active semiconductor region, such as a southeast portion of the active semiconductor region.例文帳に追加

水平に延びる上面を有する第２の誘電体ストレッサ要素は、活性半導体領域の南東部分など、活性半導体領域の第２の部分の下に延びる。 - 特許庁

The magnetic flux density in a region from the circumferential face to the point 2 mm from the face in the radial direction is controlled not to be below 400 mT.例文帳に追加

周面から径方向に２ｍｍ離れた位置までの磁束密度が４００ｍＴを下回らないようにする。 - 特許庁

The board 10 also has a ceramic core board 111 which is formed of ceramic, and has a through hole 115 just below the loading region 105.例文帳に追加

また、セラミックからなり、搭載領域１０５の直下に貫通孔１１５を有するセラミックコア基板１１１を備える。 - 特許庁

The structure includes a mask for protection from etching of a wafer region, and a sealing ring to be stuck below the lower surface of the mask.例文帳に追加

該構造にはウェハー区域のエッチングからの防護用マスクおよびマスク下面の下に貼り付けられるシールリングがある。 - 特許庁

To obtain a diffusion layer for a fuel cell that is operable in a wide temperature region ranging from below freezing point up to high temperatures.例文帳に追加

氷点下から高温までの広範囲温度領域で運転可能な燃料電池用拡散層を得ること。 - 特許庁

In particular, the charge multiplication region 35 is formed immediately below the multiplication gate electrode 41 across the gate oxide film 39.例文帳に追加

特に、電荷増倍領域３５は、ゲート酸化膜３９を挟んで、増倍ゲート電極４１の直下に形成されている。 - 特許庁

In other words, the nitrogen introduced region 20 wherein nitrogen is introduced is formed at least below the end of the gate electrode 8.例文帳に追加

すなわち、少なくともゲート電極８の端部下に窒素を導入した窒素導入領域２０を形成する。 - 特許庁

In addition to the types described below, natto can be classified according to the soybean grain size, and large-size soybeans are generally preferred in the Tohoku region. 例文帳に追加

下記の他に、大豆の粒の大小による区別もあり、概して東北地方は大粒が目立つ傾向がある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Also, a region 17 where a contact resistance with the p-type layer 13 is higher than that in the other region of the transparent electrode 14 is formed in the region positioned right below the p pad electrode 15 of the transparent electrode 14 by the thermal treatment, and since the area 12a positioned below the region 17 of an active layer 12 does not emit light, light emitting efficiency is improved.例文帳に追加

また、熱処理により透明電極１４のｐパッド電極１５直下に位置する領域に、他の透明電極１４の領域よりもｐ型層１３とのコンタクト抵抗が高い領域１７が形成され、活性層１２の領域１７下方に位置する領域１２ａが発光しないため、発光効率を向上させることができる。 - 特許庁

Thus, the collector region 3c of a low impurity concentration is provided right below the base layer, and the collector resistance is set to the low resistance by the annular collector region 3b where the impurity concentration is increased around the collector region.例文帳に追加

これによりベース層直下に不純物濃度が低いコレクタ領域３ｃを持ち、コレクタ領域の周囲は不純物濃度を高めた環状のコレクタ領域３ｂによってコレクタ抵抗を低抵抗に設定できる。 - 特許庁

A first silicon high concentration region 12 consisting of a buried N^+-region is formed inside a porous oxide film region 2c which constitutes a part of the buried oxide film 2 in a position immediately below a drain electrode 7.例文帳に追加

そして、埋め込みＮ^＋領域からなる第１シリコン高濃度領域１２が、ドレイン電極７の真下位置の埋め込み酸化膜２の一部を構成する多孔質酸化膜領域２ｃ内に形成されている。 - 特許庁

The second MIS transistor Trh includes a second pocket region 9B of the second conductivity type formed below a second extension region 8B of the first conductivity type in a second active region 1b.例文帳に追加

第２のＭＩＳトランジスタＴｒｈは、第２の活性領域に１ｂおける第１導電型の第２のエクステンション領域８Ｂの下に形成された第２導電型の第２のポケット領域９Ｂとを備えている。 - 特許庁

In the region of a diode 100 below a guard ring 14 being the rear side of a substrate 10, a raised part 18 which encloses an active region and is higher than the rear side of the active region in height is formed.例文帳に追加

ダイオード１００は、基板１０の裏面であってガードリング１４の下方の領域に、活性領域を囲んでいるとともに活性領域の裏面よりも盛り上がっている隆起部１８が形成されている。 - 特許庁

A region of a resist 6 on a substrate 2 below the entire outer circumference or at least either one side of the outer circumference of a collectively molded sealing resin 9, or a region below the air vent 11 of a molding die is removed by a specified width.例文帳に追加

基板２上のレジスト６のうち、一括モールドされた封止用樹脂９の全外周または外周の少なくともいずれか１辺の下、あるいは成形金型のエアベント１１の下に位置する領域を所定の幅を持って除去する。 - 特許庁

The shift amount S2 of the stacked via structure 83 positioned right below the outer peripheral part 5b of the electronic component loading region 5 is larger than the shift amount S1 of the stacked via structure 82 positioned right below the center part 5a of the electronic component loading region 5.例文帳に追加

電子部品搭載領域５の外周部５ｂの直下に位置するスタックドビア構造体８３のシフト量Ｓ２は、電子部品搭載領域５の中央部５ａの直下に位置するスタックドビア構造体８２のシフト量Ｓ１よりも大きい。 - 特許庁

A body region is formed in the single crystal Si layer below the gate electrode, a body contact region 26 joined to the body region for electrical connection is formed in the single crystal Si layer, and one portion of the body contact region is positioned at the lower portion of the hammer head.例文帳に追加

ゲート電極下の単結晶Ｓｉ層にはボディー領域が形成され、ボディー領域に繋げられ電気的に接続されたボディーコンタクト領域２６が単結晶Ｓｉ層に形成され、ボディーコンタクト領域の一部は前記ハンマーヘッド部分の下方に位置する。 - 特許庁

In addition to n-type impurity regions 33b and 33c functioning as a channel forming region 33a and a source region or a drain region, a semiconductor layer 33 has an impurity region 33d where boron is added below the channel forming region 33a, i.e., in the vicinity of the surface of the channel forming region 33a on the side touching an insulating layer 32.例文帳に追加

半導体層３３は、チャネル形成領域３３ａとソース領域又はドレイン領域として機能するｎ型を示す不純物領域３３ｂ、３３ｃとに加えて、チャネル形成領域３３ａの下方、ここではチャネル形成領域３３ａの絶縁層３２と接する側の表面付近にボロンが添加された不純物領域３３ｄを有している。 - 特許庁

A center of gravity of the club is located outside of an envelope defined by the outer surface of the club head below the raised central region.例文帳に追加

クラブの重心は、隆起中央領域の下側でクラブヘッドの外面によって形成される範囲の外側に配置される。 - 特許庁