「source-region」に関連した英語例文の一覧と使い方(48ページ目) - Weblio英語例文検索

A terminal 41 with a power-supply potential Vdd is connected to the drain region 11 of a first semiconductor element 1, and a terminal 42 with a ground potential Vgnd is connected to the source region 22 of a second semiconductor element 2.例文帳に追加

第１の半導体素子１のドレイン領域１１に電源電位Ｖｄｄの端子４１が接続され、第２の半導体素子２のソース領域２２に接地電位Ｖｇｎｄ の端子４２が接続される。 - 特許庁

In this method, mask pillars 40 are formed by exposing and developing resist films at positions corresponding to contact hole forming areas on a source region 16 and a drain region 18 of a polycrystalline silicon film 14 and a gate electrode 34.例文帳に追加

多結晶シリコン膜１４のソース領域１６、ドレイン領域１８およびゲート電極３４の上の、コンタクトホール形成領域に対応した位置のレジスト膜を露光、現像してマスクピラー４０を形成する。 - 特許庁

To set a lower gamma voltage region to be same as an upper gamma voltage region in different buffers, when a negative power supply voltage is symmetric or asymmetric to a positive power supply voltage, in a source driver of a liquid crystal display device.例文帳に追加

液晶表示装置のソースドライバーでネガティブ電源電圧がポジティブ電源電圧に対称的であるか、または非対称的な場合上位ガンマ電圧範囲と同一に下位ガンマ電圧範囲を設定する。 - 特許庁

The semiconductor device is constituted in such a way that a region with a plurality of source electrodes formed therein and a region with a drain electrode formed therein are formed at substantially symmetrical positions via a semiconductor element.例文帳に追加

本願発明に係る半導体装置は、複数のソース電極が形成された領域とドレイン電極が形成された領域とは、半導体素子を介して実質的に対称な位置に形成されている。 - 特許庁

A gate electrode 102, a gate insulating film 123g, a drain region 10d and a source region 105s can be extended to specified lengths along the depth direction in the figure regardless of a pitch of the pixel part 201.例文帳に追加

ゲート電極１０２、ゲート絶縁膜１２３ｇ、ドレイン領域１０ｄ及びソース領域１０５ｓは、画素部２０１のピッチとは関係なく、図中奥行き方向に沿って所要の長さに延在させることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor apparatus having a source-drain region in which a semiconductor layer that generates sufficient distortion in a channel region is buried, without reducing short channel characteristics, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

短チャネル特性を低下させることなく、チャネル領域に十分な歪みを生じさせることのできる半導体層が埋め込まれたソース・ドレイン領域を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Side etching of the gate insulation film of the channel region through region selective etching of the silicon oxide film by dry etching of poor selectivity, or leaving of the gate insulation film on the source and drain regions will be involved in the process.例文帳に追加

選択性の悪いドライエッチングで酸化シリコン膜の領域選択エッチングをしてチャネル領域のゲート絶縁膜をサイドエッチングしたり、ソース、ドレイン領域上のゲート絶縁膜を残したりすることがない。 - 特許庁

Polysilicon plugs 14a, 14b are formed in a contact hole 13 penetrating a silicification prevention protective film 8 and a first interlayer insulating film 12 on the source region 7a and the drain region 7b of the transistor for memory.例文帳に追加

メモリ用トランジスタのソース領域７ａ、ドレイン領域７ｂ上には、シリサイド化防止保護膜８及び第１の層間絶縁膜１２を貫通するコンタクトホール１３内にポリシリコンプラグ１４ａ、１４ｂが形成されている。 - 特許庁

Before or after implanting p-type impurity ions for forming a source region 4 and a drain region 5 in an n^-type epitaxial layer 2, a silicon oxide film 6 is formed on the n^-type epitaxial layer 2 as a cap layer.例文帳に追加

ｎ^-型エピ層２にソース領域４、ドレイン領域５を形成するためのｐ型不純物のイオン注入を行う前あるいは後、ｎ^-型エピ層２の上にキャップ層としてシリコン酸化膜６を成膜する。 - 特許庁

A wiring 301a positioned in the upper part of the drain diffusion region 201a and the source diffusion region 201b of a transfer transistor QNi is short-circuited to a gate electrode 203 by a short-circuit wiring 302.例文帳に追加

転送トランジスタＱＮｉのドレイン拡散領域２０１ａ、ソース拡散領域２０１ｂの上方に位置する配線３０１ａは、短絡配線３０２によりゲート電極２０３と短絡されてダミー配線とされている。 - 特許庁

Polycrystalline silicon 119 is deposited for etching the polycrystalline silicon 119 and the insulating film 116, the sidewall of a PMOS is formed, and the external base region of the NPN and the source/drain region of the PMOS are a formed.例文帳に追加

次に、多結晶シリコン１１９を堆積し、多結晶シリコン１１９と絶縁膜１１６をエッチングし、ＰＭＯＳのサイドウォールを形成し、ＮＰＮの外部ベース領域とＰＭＯＳのソース／ドレイン領域を形成する。 - 特許庁

The DC signal by the DC signal source 24 shifts the AC exciting signal, in such a way that magnetism in the entire positive region or the entire negative resion of the AC exciting signal becomes the magnetically saturated region of the core 2.例文帳に追加

直流信号源２４による直流信号は、交流励磁信号の正部分全域又は負部分全域における磁化がコア２の磁化飽和領域になるように交流励磁信号をシフトする。 - 特許庁

A gate electrode 27 is formed on the end of the source region 24a and the drain region 24b via the gate insulating film 26 and the active layer 25 so that both the ends are arranged overlapping in a prescribed state.例文帳に追加

ゲート絶縁膜２６および活性層２５を介してソース領域２４ａおよびドレイン領域２４ｂの端部上に両端部が所定状態で重ねて配置されるようにゲート電極２７を形成する。 - 特許庁

To provide a light source having a low threshold current and a nearly double output power of a conventional SLD by dividing a super luminescent diode for use in an external cavity laser into an SLD region and an SOA region.例文帳に追加

外部共振型レーザーに使われるスーパールミネッセンスダイオードをＳＬＤ領域及びＳＯＡ領域に分けてしきい電流が低く且つ出力が従来のＳＬＤより２倍程度高い光源を提供する。 - 特許庁

An integrated circuit fabricated in a single silicon substrate includes a high-voltage output transistor having source and drain regions separated by a channel region, and a gate disposed over the channel region.例文帳に追加

単一のシリコン基板上に作製された集積回路は、チャネル領域によって分離されたソース領域及びドレイン領域と、チャネル領域上に配置されたゲートを有する高電圧出力トランジスタを含んでいる。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a pair of source/drain regions 4 formed on a substrate 1 so as to sandwich a channel region 3, and a gate electrode 6 formed on the channel region 3 via a gate insulating film 5.例文帳に追加

この半導体装置は、シリコン基板１にチャネル領域３を挟むように形成された一対のソース／ドレイン領域４と、チャネル領域３上にゲート絶縁膜５を介して形成されたゲート電極６とを備えている。 - 特許庁

Moreover, the top of the conductor layer of the trench gate 4 is made equal to or slightly higher than the main face of the semiconductor substrate by etching the semiconductor substrate, and then a channel region and a source region are formed through ion implantation.例文帳に追加

また、半導体基板をエッチングしてトレンチゲートの導体層の上面を半導体基板の主面と同等若しくはそれよりも高く形成した後、チャネル領域及びソース領域をイオン打込みで形成する。 - 特許庁

A dopant 120 is implanted, at the same time, into a polysilicon region 130 used for forming the gate electrode of an NMOS transistor and a source line 77 in the flash memory array region 90.例文帳に追加

ＮＭＯＳトランジスタのゲート電極を形成するために使用することになる多結晶シリコン領域１３０とフラッシュ・メモリ・アレイ領域９０内のソース線７７とに一緒に同時にドーパント１２０を打ち込む。 - 特許庁

To enhance whiteness of total reflection light of reflection light from a reflection region and reflection light from a transmission region, in a transflective liquid crystal display wherein a reflection member is disposed on the rear side of a backlight light source.例文帳に追加

バックライト光源の背後に反射部材を配設した半透過型液晶表示装置において、反射領域からの反射光および透過領域からの反射光を合わせた反射光の白色度を向上させる。 - 特許庁

In an SOI board 4 composed of a p-type silicon board 1, a buried oxide film 2 and a single-crystal silicon layer 3, a source region 10 and a drain region 11 are formed on the single-crystal silicon layer 3.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１、埋め込み酸化膜２、及び単結晶シリコン層３から構成されるＳＯＩ基板４において、単結晶シリコン層３にソース領域１０およびドレイン領域１１を備える。 - 特許庁

This constitution can decrease the number of source lines 32 as compared with a comparison example wherein an effective display region V is all set as a display region of high resolution and then reduce the power consumption correspondingly.例文帳に追加

この構成によれば、有効表示領域Ｖ内を全て高解像度の表示領域に設定した比較例と比較してソース線３２の本数を減らすことができ、その分、消費電力を低減することができる。 - 特許庁

In a MOS transistor having a nonsalicide structure, a silicide film 9d, 9e is formed only at a portion corresponding to the contact hole on a surface of a gate electrode 7b, a source region 4b, and the drain region 5b.例文帳に追加

そして、非サリサイド構造とするＭＯＳトランジスタに関しては、ゲート電極７ｂ、ソース領域４ｂ及びドレイン領域５ｂの表面のうちコンタクトホールに対応する部位のみにシリサイド膜９ｄ、９ｅを形成する。 - 特許庁

At least a part of a region A2 of the light guide body 3 where the low-refractive-index layer 104 is not formed exists at a position separated from the light source 2 in comparison with the region A1 where the low-refractive-index layer 104 is formed.例文帳に追加

低屈折率層１０４が形成されていない導光体３の領域Ａ２は、少なくとも一部が、低屈折率層１０４の形成領域Ａ１に比べて光源２から離れた位置にある。 - 特許庁

The impurity concentration of an n-offset region 8 and a p-offset region 5 on a source side is enhanced, so that the mutual conductance of the high breakdown-strength MOS transistor is raised, resulting in a reduced special area of the high breakdown-strength MOS transistor.例文帳に追加

ソース側のｐオフセット領域５およびｎオフセット領域８の不純物濃度を高くして、高耐圧ＭＯＳトランジスタの相互コンダクタンスを大きくし、高耐圧ＭＯＳトランジスタの専有面積を縮小する。 - 特許庁

A floating diffusion(FD) region 21 and a source follower amplifier 5 are formed to two photoelectric conversion sections 1, 51 in common and the two photoelectric conversion areas are connected to the FD region 21 via a MOS transistor switch.例文帳に追加

フローティングディフュージョン（ＦＤ）領域２１とソースフォロワアンプ５を２つの光電変換部１，５１に１個だけ形成し、２つの光電変換領域を、ＭＯＳトランジスタスイッチを介してそのＦＤ領域２１に接続した。 - 特許庁

A first radiation source is arranged so as to emit radiation to a first region of the insulating layer and a first electric contact is arranged so as to apply a first bias voltage to the first region.例文帳に追加

第１の放射線源は、絶縁層の第１の領域へ放射線を放出するように構成され、且つ、第１の電気接点は、第１の領域へ第１のバイアス電圧を印加するように構成される。 - 特許庁

The MOSFET is made in a first conductivity P type of well 11, and it has a gate insulating layer 14, a gate electrode 20, a sidewall insulating layer 16, a second conductivity N type of source region 30, and a drain region 40.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴは第１導電型Ｐ型のウェル１１に形成され、ゲート絶縁層１４、ゲート電極２０、側壁絶縁層１６、第２導電型Ｎ型のソース領域３０及びドレイン領域４０を有する。 - 特許庁

To ehnace utilizing efficiency of an illumination light by putting leakage light from a light source in a light guide body again and to enhance display quality by shielding the region except a display region of a liquid crystal panel.例文帳に追加

光源からの漏れ光を導光体へ再入射させて照明光の利用効率を向上させ、かつ、液晶パネルの表示領域を除く領域を遮蔽して表示品質を向上させることができる。 - 特許庁

Furthermore, pinch-off voltage Vdsat can be reduced by providing a channel region including a P^- layer 80 and P^--, and a retrochannel implantation region 20 continuous to the underside of the source 60 and drain 70.例文帳に追加

さらに、Ｐ^-層８０及びＰ^--を含むチャネル領域と、ソース６０とドレイン７０との下方に連続してレトロチャネルインプラ領域２０を設けることによって、ピンチオフ電圧Ｖｄｓａｔを小さくすることが可能である。 - 特許庁

In this way, an n+ type drain region 4 is positioned away from the end of the film 3 and an n-type drain region 10 is formed in the vicinity thereof, whereby a breakdown voltage between the source and drain can be made high.例文帳に追加

このように、ｎ＋型ドレイン領域４は、フィールド酸化膜３の端から離れて配置されており、その周辺には、ｎ−型ドレイン領域１０が形成されているため、ソースドレイン間耐圧を高くできる。 - 特許庁

This nonvolatile semiconductor storage device is divided into first and second regions I, II, and in the first region I, an n+ layer 9 is formed so as to extend from a source region 3 into under a floating gate 6.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、第１、第２の領域Ｉ，ＩＩに分割され、第１の領域Ｉにおいて、ソース領域３から浮遊ゲート６の下に拡張してｎ＋層９が形成されている。 - 特許庁

To provide a fluorescent substance using excitation light expanded from an ultraviolet region to a visual light region to enable an easily available LED to be used as an excitation light source, and emitting a wide range light of from yellow to red.例文帳に追加

励起光を紫外域から可視光領域付近まで拡張して、入手の容易なＬＥＤを励起光源として使用すると共に、黄色から赤色まで広範囲に発光する蛍光体を提供する。 - 特許庁

A depletion layer spreading from the drain side toward the source side is effectively deterred using difference in band structure between the Si_xGe_1-x region 105 and an Si region 106 to which germanium is not added.例文帳に追加

このＳｉ_ｘＧｅ_１−ｘ領域１０５とゲルマニウムが添加されなかったＳｉ領域１０６とのバンド構造の差を利用して、ドレイン側からソース側に向かって広がる空乏層を効果的に抑止する。 - 特許庁

The silicon film on the source region/drain region is not single crystal, but, even it is single crystal, silicon film with high transition concentration grown on it will become single crystal or polycrystalline with high transition concentration.例文帳に追加

ソース領域／ドレイン領域上は単結晶ではないか、たとえ単結晶であっても転位密度が高いのでその上に成膜されるシリコン膜も転位密度の大きい単結晶あるいは多結晶となる。 - 特許庁

In the region of semiconductor substrate 1, a source electrode 7 and an LDD region 5b are formed on one side, while a drain electrode 6 and an LDD layer 5a are formed on the other side, with a gate electrode 4 therebetween.例文帳に追加

半導体基板１の領域には、ゲート電極４を挟んで一方にソース電極７およびＬＤＤ領域５ｂが形成され、他方にドレイン電極６およびＬＤＤ層５ａが形成されている。 - 特許庁

A gate electrode 10 is formed via a gate insulating film between the source region 2 and an extension drain region 3, and the gate electrode 10 and the surface of the semiconductor substrate 1 are covered with an insulating film 12.例文帳に追加

ソース領域２と延長ドレイン領域３との間にはゲート絶縁膜を介してゲート電極１０が形成され、ゲート電極１０および半導体基板１の表面は絶縁膜１２により覆われている。 - 特許庁

A semiconductor element array includes a plurality of access transistors having an active region 1 as a pair of source and drain regions and a gate electrode 2 formed on the active region 1 as a word line.例文帳に追加

半導体素子アレイは、一対のソース領域及びドレイン領域となる活性領域１と、活性領域１上に形成され且つワードラインとなるゲート電極２とから構成される複数のアクセストランジスタを有している。 - 特許庁

A gate insulation film 6, a gate electrode 9, a source electrode 8 and a drain electrode 7 are formed such that the first region Re1 of the Si substrate 1 and the n-epitaxial layer 3 becomes an operating region.例文帳に追加

そして、ＳｉＣ基板１およびｎ−エピタキシャル層３のうち第１領域Ｒｅ１が動作領域となるように、ゲート絶縁膜６，ゲート電極９，ソース電極８およびドレイン電極７を形成する。 - 特許庁

The floating gate electrode 6 is formed aligning itself with the control gate 7, a drain region 4 with the control gate electrode 7, and a source region 3 with the floating gate electrode 6.例文帳に追加

そして、浮遊ゲート電極６は制御ゲート電極７に対して、ドレイン領域４は制御ゲート電極７に対して、ソース領域３は浮遊ゲート電極６に対して、それぞれ自己整合的に形成されている。 - 特許庁

Thereafter, by selectively introducing impurities into the polysilicon thin film 12 via the gate insulation film 13 by ion implantation method or the like, an LDD region 19 and a source/drain region 18 are formed at the same time.例文帳に追加

その後、イオン注入法等によりゲート絶縁膜１３を介してポリシリコン薄膜１２に選択的に不純物を導入するとＬＤＤ領域１９とソース・ドレイン領域１８が同時に形成される。 - 特許庁

The circuit analyzing part 204 performs circuit analysis by converting a magnetic field value in each port connecting the first analytic region and the second analytic region and a circuit element, which is calculated by each analyzing part, to set a current source.例文帳に追加

回路解析部２０４は、各解析部で求めた、第１の解析領域、第２の解析領域と回路素子とを接続する各ポートにおける磁界値を変換して電流源を設定し、回路解析を行なう。 - 特許庁

An MOSFET structure may be incorporated into a device adjacent to the source region, or, alternatively, the MOSFET structure may be omitted to produce a high-voltage transistor structure having a stand-alone drift region.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ構造は、ソース領域近傍のデバイスに組み込まれるか、あるいはＭＯＳＦＥＴ構造を省略して、スタンドアロンのドリフト領域を有する高電圧トランジスタ構造を製造することができる。 - 特許庁

A low-concentration LDD region 15a and an ultra-shallow high-concentration LDD region 15b spaced from a region immediately below a gate electrode 13 are formed on a sidewall 14 formed on the side wall of the gate electrode 13, and source-drain regions 16 are formed outside these.例文帳に追加

ゲート電極１３の側壁に形成されたサイドウォール１４の下に、低濃度ＬＤＤ領域１５ａと、極浅でかつゲート電極１３直下の領域から離して高濃度ＬＤＤ領域１５ｂを形成し、これらの外側にソース・ドレイン領域１６を形成する。 - 特許庁

While disposing a first shutter 10A so that the first region of the principal surface of a substrate 200 contained in a vacuum vessel 50 is exposed to a vapor deposition source 60 and the second region is shielded, a first thin film is deposited on the first region by first deposition conditions.例文帳に追加

真空容器５０内に収められた基板２００の主面の第１の領域を蒸着源６０へ露出しかつ第２の領域を遮蔽するように第１のシャッター１０Ａを配置しながら、第１の成膜条件によって第１の領域の上に第１の薄膜が成膜される。 - 特許庁

In a block 1 adjoining the route from a clock-supplying source to a clock-supplying destination, the disturbance to a signal line passing through a wiring inhibiting region 5 can be avoided by generating an arrangement inhibiting region 5 and the wiring inhibiting region 5 in the block 1 along the clock-wiring path-side edge.例文帳に追加

クロック供給源からクロック供給先までの経路に隣接するブロック１において、前記クロック配線経路側の辺沿いに配置禁止領域７と配線禁止領域５を作成することで、配線禁止領域５を通過する信号線の経路を妨害することを避けられる。 - 特許庁