「source-region」に関連した英語例文の一覧と使い方(49ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor device of high reliability can be prepared because electric field formed by drain voltage is relaxed, by allowing the source region or the drain region to contact the side of the island semiconductor film which is the channel formation region, thereby allowing a depletion layer to spread in a film thickness direction and in a lateral direction.例文帳に追加

かつチャネル形成領域である島状半導体膜の側面にソース領域又はドレイン領域が接することにより、空乏層が膜厚方向だけでなく横方向に広がり、ドレイン電圧による電界が緩和されるため信頼性の高い半導体装置を作製することができる。 - 特許庁

The active region R1' includes an N-type first diffusion region 48 serving as a source or drain of a transistor, and a P-type second diffusion region 71 having a higher impurity concentration than the P-type semiconductor 52 and supplying a potential to the P-type semiconductor 52.例文帳に追加

アクティブ領域Ｒ１’には、トランジスタのソース又はドレインとなるＮ型の第１の拡散領域４８と、Ｐ型の半導体５２よりも不純物濃度が高く、Ｐ型の半導体５２に電位を供給するためのＰ型の第２の拡散領域７１とが形成されている。 - 特許庁

A p^+ region 89 is formed within a source neighborhood p-type region 83 in an n-well 33 and then arsenic is injected into a shallow substrate surface in the p^+ region 89 by applying an ion implantation method using a ring-shaped gate electrode 35 as a mask to form a surface n^+ layer 90.例文帳に追加

ｎウェル３３中のソース近傍ｐ型領域８３内にｐ^+領域８９を形成した後、リング状ゲート電極３５をマスクとしたイオン注入法を適用して、ｐ^+領域８９中の浅い基板表面にひ素を注入して、表面ｎ^+層９０を形成する。 - 特許庁

A diffraction grating dividing a luminous flux emitted from a laser light source into three luminous fluxes is divided into four regions as shown in the figure and a grating groove periodically disposed in each region is disposed so that phase relation of the disposition of the grating grooves periodically disposed in each region is made to be a prescribed phase relation between each region.例文帳に追加

レーザ光源から出射した光束を３本の光束に分割する回折格子を、例えば図に示すように４領域に分割し、各領域内で周期的に配置される格子溝をその配置の位相関係が各領域間で所定の位相関係になるように配置する。 - 特許庁

A source region is formed beneath a trench, a drain region is formed along the surface of a substrate, and a channel region between them includes a first part stretching vertically along the side wall of the trench and a second part stretching horizontally along the surface of a substrate.例文帳に追加

ソース領域はトレンチの下に形成され、ドレイン領域は基板の表面に沿って形成され、両者の間のチャネル領域は、トレンチの側壁に沿って垂直に伸張する第１部分と、基板表面に沿って水平方向に伸張する第２部分とを含んでいる。 - 特許庁

An impurity is then injected in the logical region covering the DRAM region on a substrate and exposed with an opening for at least partly exposing the logical region to form source and a rain extended parts 135 and 136 of the logical device, and then a mask is removed from the substrate.例文帳に追加

次に、基板上のＤＲＡＭ領域を覆い、論理領域の少なくとも一部が露出する開口部を有露出している論理領域に不純物を注入して、論理デバイスのソースおよびドレインの延長部１３５、１３６を形成した後に基板からマスクを除去する。 - 特許庁

An insulating layer 14 and a gate electrode 15 are formed on the layer 13 and impurities are introduced in the layer 13 using this gate electrode 15 as a mask to form a channel region 13a, a source region 13b and a drain region 13c in the layer 13 in a self-alignment manner.例文帳に追加

多結晶シリコン層１３の上に絶縁層１４，ゲート電極１５を形成し、このゲート電極１５をマスクとして多結晶シリコン層１３に不純物を導入して、チャネル領域１３ａ，ソース領域１３ｂおよびドレイン領域１３ｃを自己整合的に形成する。 - 特許庁

Subsequently, while disposing a second shutter 10B so that at least a part of the second region of the principal surface of the substrate 200 is exposed to the vapor deposition source 60 and at least a part of the first region is shielded, a second thin film is deposited on the second region by second deposition conditions.例文帳に追加

次に、基板２００の主面の第２の領域の少なくとも一部を蒸着源６０へ露出しかつ第１の領域の少なくとも一部を遮蔽するように第２のシャッター１０Ｂを配置しながら、第２の成膜条件によって第２の領域の上に第２の薄膜が成膜される。 - 特許庁

Electrostatic noise from the pad 9 is propagated to the region 17 and gate electrodes 27, 31, and drawn to the power source DVcc or the ground DGND through the region 17, a channel (arrow A or B) and the region 15 or 19.例文帳に追加

パッド９からの静電気ノイズはＮ型拡散領域１７及びゲート電極２７，３１に伝搬され、Ｎ型拡散領域１７、チャネル（矢印Ａ又はＢ）及びＮ型拡散領域１５又は１９を介して、デジタル電源ＤＶｃｃ又はデジタルグランドＤＧＮＤに引き抜かれる。 - 特許庁

A tunable laser light source has a gain region 10 conducting direct modulation and a tunable reflector 190 forming a laser oscillator together with the gain region 10, being monolithically integrated in the gain region and being capable of controlling the wavelength dependency of a reflectance.例文帳に追加

本発明の波長可変レーザ光源は、直接変調が行われる利得領域１０と、利得領域１０と共にレーザ共振器をなし、利得領域にモノリシックに集積された、反射率の波長依存性が制御可能であるチューナブル反射器１９０とを備えている。 - 特許庁

With a floating gate 8 which is substantially embedded in a channel region 4, the floating gate 8 is positioned in the velocity vector direction of the channel hot electrons for improved writing efficiency, so that the step between a drain region 13 and a source region 14 is eliminated for and glanarization is made.例文帳に追加

溝領域４にフローティングゲート８を実質的に埋め込んだことにより、チャネルホットエレクトロンの速度ベクトル方向にフローティングゲート８が位置するために書き込み効率を向上でき、ドレイン領域１３とソース領域１４との段差が解消され、平坦化がなされる。 - 特許庁

In TFT 10 having an active region formed of a crystalline silicon film 4 on a substrate 2, irregularities 41a and 42a which are in a similar degree as a wavelength of an ion beam or in a degree of 100 nm to 500 nm are formed on respective surfaces of a source region 41 and a drain region 42.例文帳に追加

基板２上に結晶性シリコン膜４からなる活性領域を有するＴＦＴ１０において、ソース領域４１とドレイン領域４２の各表面にイオンビームの波長と同程度または１００ｎｍ〜５００ｎｍ程度の凹凸部４１ａ，４２ａを形成する。 - 特許庁

An inter-layer insulating film 16 between a pixel switching element 102 and signal wiring 202 is formed such that a first thickness D1 formed in a region corresponding to a second source/drain region 102b is larger than a second thickness D2 in a region corresponding to a gate electrode 102g.例文帳に追加

画素スイッチング素子１０２と信号配線２０２との間の層間絶縁膜１６を、第２のソース・ドレイン領域１０２ｂに対応する領域に形成された第１の厚さＤ１が、ゲート電極１０２ｇに対応する領域の第２の厚さＤ２よりも厚くなるように形成する。 - 特許庁

An extension drain region 103 composed of an n--type impurity layer is formed in the semiconductor layer 1 so that the bottom of the region 103 may come into contact with the insulating layer 101 and, at the same time, a source region 104 composed of an n+-type impurity layer is formed in the surface section of the semiconductor layer 102.例文帳に追加

ｐ型半導体層１０２には、底部が絶縁層１０１と接するようにｎ^- 型の不純物層からなる延長ドレイン領域１０３が形成されていると共に、ｐ型半導体層１０２の表面部にはｎ^+ 型の不純物層からなるソース領域１０４が形成されている。 - 特許庁

The liquid crystal display device 100 is equipped with: a liquid crystal display panel 101 comprising a display region 101a and a non-display region 101b disposed outside the display region 101a; and a surface light source 110 disposed in the back side of the liquid crystal display panel 101.例文帳に追加

液晶表示装置１００は、表示領域１０１ａと、表示領域１０１ａの外側に設けられた非表示領域１０１ｂとが構成された液晶表示パネル１０１と、液晶表示パネル１０１の背面側に設けられた面光源１１０とを備える。 - 特許庁

The width of the mesa and the doping concentration of the body region 107 and a gate 103 doped with a material of the same conductivity type as that of the body region are established such that the body region is fully depleted by the combined effects of source-body and drain-body junctions and the gate.例文帳に追加

また、メサの幅、並びにボディ領域１０７及びボディ領域と同じ導電型の材料でドープされたゲート１０３のドープ濃度は、ソース−ボディ及びドレイン−ボディ接合部及びゲートの複合作用によりボディ領域が完全に空乏領域化されるように設定する。 - 特許庁

As a result, lateral dispersion of the p-type impurity is suppressed to the limit of the depth where C is ion-implanted, and lateral dispersion is enlarged in the region deeper than the depth where C is ion-implanted, resulting in constitution of p-type gate region, in such a manner as to creep into under the source region.例文帳に追加

これにより、Ｃが注入された深さまでにおいては、ｐ型不純物の横方向拡散が抑制され、Ｃが注入された深さよりも深い領域においては、ｐ型不純物が横方向拡散され、ソース領域の下方まで入り込むようにｐ型ゲート領域４が形成される。 - 特許庁

In a source/drain junction of a DDD structure which is made up of a high concentration impurity region and a low concentration impurity region surrounding it, the high concentration impurity region, which is formed parallel to a gate electrode at a distance apart from only a position with a contact hole to be formed, is included.例文帳に追加

高濃度不純物領域とこれを取り囲む低濃度不純物領域とからなるＤＤＤ構造のソース／ドレイン接合部において、コンタクトホールが形成されるべき位置だけ離隔した距離にゲート電極と平行に形成された高濃度不純物領域を含む。 - 特許庁

To provide a manufacturing method capable of sufficiently achieving low resistance of a region equivalent to a source region and a drain region of a TAOS layer in a self-aligned TAOS TFT of bottom contact structure, and also to provide a manufacturing method of an electrode substrate for a display device which uses this TAOS TFT.例文帳に追加

ボトムコンタクト構造で、かつセルフアラインのＴＡＯＳ ＴＦＴにおいて、ＴＡＯＳ層のソース領域およびドレイン領域に相当する領域を十分に低抵抗化できる製造方法、およびこのＴＡＯＳ ＴＦＴを用いた表示装置用電極基板の製造方法を得る。 - 特許庁

Thereafter, after a carbon cap 17 is removed by conducting the ion activation annealing under the condition that the carbon cap 17 is formed on the p-well region 12, source region 13 and p^+ contact region 15; the outermost surface of the substrate is polished with CMP until the average surface roughness of about 0.1 to 0.5 nm can be attained.例文帳に追加

その後、ｐウェル領域１２，ソース領域１３，ｐ^＋コンタクト領域１５の上にカーボンキャップ１７を形成した状態でイオン活性化アニールを行い、カーボンキャップ１７を除去してから、ＣＭＰにより基板の最表面を、平均表面粗さ０．１ｎｍ〜０．５ｎｍ程度まで研磨する。 - 特許庁

In this case, the trench 27 comes into contact with the P- and N-type base regions 31, and 32 while crossing over from an end section 32a at a side close to an N-type drain region 33 of the N-type source region 32 to an end section 32b at a side apart from the N-type drain region 33.例文帳に追加

このとき、トレンチ２７が、Ｎ型ソース領域３２のＮ型ドレイン領域３３に近い側の端部３２ａから、Ｎ型ドレイン領域３３から離れた側の端部３２ｂまで横切る状態で、Ｐ型ベース領域３１及びＮ型ソース領域３２と接する構造とする。 - 特許庁

A monitoring region is defined on the outside of the projecting region 3 of a screen 2, a detection wave, e.g. infrared ray, is emitted from a detection wave source 1c of the image projector 1, and reflection wave from the monitoring region is detected by a reflection wave detecting means 1d, e.g. a CCD sensor.例文帳に追加

スクリーン２の投射領域３の外側に監視領域を規定して、赤外線等の検出波を画像投射装置１の検出波源１ｃから出射し、監視領域からの反射波をＣＣＤセンサ等の反射波検出手段１ｄによって検出する。 - 特許庁

A field effect type transistor is constituted of a source region 101, a drain region 102, a channel region 103, a gate insulation film 104, and a floating gate electrode 105, a ferroelectric capacitor 113 is provided on the field effect type transistor through a insulation film.例文帳に追加

ソース領域１０１、ドレイン領域１０２、チャネル領域１０３、ゲート絶縁膜１０４及び浮遊ゲート電極１０５によって電界効果型トランジスタが構成されており、該電界効果型トランジスタの上には絶縁膜を介して強誘電体キャパシタ１１３が設けられている。 - 特許庁

The transistor also includes a source region 242 formed on an upper side of the embedded channel region 262, a gate electrode 282 formed on an inner side of the gate semiconductor region 253 through a gate insulating film 272, and a gate electrode 292 formed on the other surface of the semiconductor substrate 211.例文帳に追加

また、埋込チャネル領域２６２の上側に形成されるソース領域２４２と、ゲート半導体領域２５３の内側に、ゲート絶縁膜２７２を介して形成されるゲート電極２８２と、半導体基板２１１の他方の表面に形成されるゲート電極２９２を備える。 - 特許庁

A P-type base region 31 is formed, adjacent to the trench 27, and an N-type source region 32 is formed on the surface layer of the P-type base region 31.例文帳に追加

Ｎ^-型ドリフト層６の表層にトレンチ２７、及びトレンチ２７にゲート酸化膜２８を介して形成されたトレンチゲート電極２９を備え、トレンチ２７に隣接して形成されたＰ型ベース領域３１と、Ｐ型ベース領域３１の表層に形成されたＮ型ソース領域３２を有する構造とする。 - 特許庁

The drain electrode overlaps the gate electrode in a first overlapping region; the source electrode overlaps the gate electrode in a second overlapping region to constitute a TFT; and the second electrode overlaps the first electrode in a third overlapping region and constitutes a charge storage capacitor.例文帳に追加

この構成では、ドレイン電極は第一重畳領域でゲート電極と重なり合い、ソース電極は第二重畳領域でゲート電極と重なり合ってＴＦＴを形成し、第二電極は第三重畳領域で第一電極と重なり合って電荷蓄積キャパシタを形成する。 - 特許庁

After a source region, a drain region, and a channel region are formed by doping a dopant to a polysilicon film and activating the dopant by heat treatment, a substrate temperature is maintained within a range of 350°C to 420°C, and a substrate is exposed to hydrogen gas plasma for a processing time of 3 to 60 minutes.例文帳に追加

ポリシリコン膜にドーパントを注入し、加熱処理によって注入したドーパントを活性化し、ソース領域及びドレイン領域、及びチャネル領域を形成した後、基板温度を、３５０℃〜４２０℃の範囲内に保って、３分〜６０分の処理時間、基板を水素ガスによるプラズマに晒す。 - 特許庁

At least one of the source region 106 and the drain region 106 has a second face for coming into contact with contact wiring; the second face inclines with respect to a first face AA' and intersects with the surface of the element isolation region at not higher than 80 degrees.例文帳に追加

ソース領域１０６およびドレイン領域１０６の少なくとも一方は、コンタクト配線と接触するための第２の面を有し、第２の面は、第１の面ＡＡ’に対して傾いており、第２の面は、素子分離領域の表面と８０度以下の角度で交差する。 - 特許庁

An upper conductive film 13c is formed so as to extend from the inside of the contact hole to a region positioned on the upper surface of the upper interlayer insulating film, and at least either the source region or the drain region is connected thereto.例文帳に追加

上層導電体膜１３ｃは、コンタクトホールの内部から上層層間絶縁膜の上部表面上において下層導電体膜上に位置する領域にまで延在するように形成され、ソースおよびドレイン領域の少なくともいずれか一方と接続されている。 - 特許庁

In an RX through transistor group TH(RX), MISFETs (Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistors) Q1 to Q5 connected in series each have a body region connected to a source region or drain region of an adjacent MISFET via a diode (rectifying element).例文帳に追加

ＲＸスルートランジスタ群ＴＨ（ＲＸ）は、互いに直列に接続されたＭＩＳＦＥＴＱ１〜Ｑ５において、それぞれのＭＩＳＦＥＴのボディ領域と、隣接するＭＩＳＦＥＴのソース領域あるいはドレイン領域とを、それぞれ、ダイオード（整流素子）を介して接続する。 - 特許庁

The recesses and protrusions 6121, 6221 are distributed thin in the region near the light source and dense with the distance from the light source, and the recesses and protrusions 6121, 6221 of each layer are arranged as shifted from those in other layers.例文帳に追加

さらに、各層の凹凸形状６１２１，６２２１を、光源に近いところでは疎に、光源から離れるに従って密に分布させ且つ各層の凹凸形状６１２１，６２２１を互いにずらして配置する。 - 特許庁

Since the source diffusion layer 15a and the well contact layer are adjacent to each other along the lengthwise direction, the forming region of source contact layers 14a, 14b in contact with them can be reserved in the lengthwise direction.例文帳に追加

ソース拡散層１５ａおよびウェルコンタクト層は、上記長手方向に沿って隣接しているため、これらに接するソースコンタクト層１４ａ、１４ｂの形成領域を上記長手方向に確保することができる。 - 特許庁

Thereby, the recording condition can be accurately corrected without consuming test writing region even when temperature of the light source when information is recorded is different from the temperature of the light source when the recording condition is set last time.例文帳に追加

これにより、情報を記録する際の光源温度が、前回記録条件を設定したときの光源温度と異なっていても、試し書き領域を消費せずに精度良く記録条件を補正することができる。 - 特許庁

A semiconductor device comprises, for example, semiconductor layers DF2(n) and DF1(n^+) and a contact layer CNTd for a drain, a semiconductor region DFA and a contact layer for a source, and a gate layer GT arranged between the source and the drain.例文帳に追加

例えば、ドレイン用の半導体層ＤＦ２（ｎ），ＤＦ１（ｎ^＋）およびコンタクト層ＣＮＴｄと、ソース用の半導体領域ＤＦＡおよびコンタクト層と、ソース・ドレイン間に配置されるゲート層ＧＴとを備える。 - 特許庁

The support system encompasses a first positioning system 42 operatively connected to the X-ray source in order to selectively position the X-ray source within a first directional range in relation to an inspection region E.例文帳に追加

該サポートシステムは、検査領域Ｅとの関係における第１の方向性の範囲内でＸ線源を選択的に位置決めするためＸ線源に作動的に連結された第１の位置決めシステム４２を内含している。 - 特許庁

A backlight 20 as the lighting system is provided with a point light source 23 including a white LED 21 and a lens 22, a comparison diffusion member 25 with an illumination region 25a corresponding to the point light source 23.例文帳に追加

照明装置としてのバックライト２０は、白色ＬＥＤ２１とレンズ２２を有する点状光源２３と、この点状光源２３に対応する照明領域２５ａが形成される比較拡散部材２５を備える。 - 特許庁

The lighting apparatus 1 has: a main light source 11 and an auxiliary light source 12; and an illuminating optical system 13 as an endless conjugate image-side telecentric optical system arranging a specified region on the substance to be illuminated on the image side.例文帳に追加

照明装置１は、主光源１１及び補助光源１２と、像側に被照明物上の所定領域が配置される無限共役な像側テレセントリック光学系である照明光学系１３とを備える。 - 特許庁

A banked layer 7 is formed between an array substrate 1 and a source signal line 2, and a region of a part or all of a peripheral part of the banked layer 7 is formed so as to be swelled out of the edge part of the source signal line 2.例文帳に追加

かさ上げ層７は、アレイ基板１とソース信号配線２との間に形成され、かさ上げ層７の周縁部の一部または全部の領域が、ソース信号配線２の端部からはみ出して形成される。 - 特許庁

The on-vehicle headlight device illuminates a designated illumination region by lighting up the light source 20 on the basis of DC power supplied from a DC power source DC1 such as a battery built on a vehicle.例文帳に追加

この車載用前照灯装置は、車両に搭載されたバッテリなどの直流電源ＤＣ１から供給される直流電力に基づいて光源２０を点灯させて所定の照明領域を照明する。 - 特許庁

The protection layer 4 is disposed in a region R at least sandwiched between the source electrode 5 and the drain electrode 6 and respective parts of the source electrode 5 and the drain electrode 6 are superimposed on the protection layer 4.例文帳に追加

保護層４は、少なくとも、ソース電極５とドレイン電極６とにより挟まれた領域Ｒに配置されており、ソース電極５およびドレイン電極６のそれぞれの一部は、保護層４の上に重なっている。 - 特許庁

Source/drain regions 4 and 4' are selectively formed in the surface of a body region 16 and extension regions 5 and 5' extending from the extremity of the source/drain regions 4 and 4' which are opposed to each other are respectively formed.例文帳に追加

すなわち、ボディー領域１６の表面内に選択的にソース・ドレイン領域４，４′が形成され、互いに対向するソース・ドレイン領域４，４′の先端部から延びてエクステンション領域５，５′がそれぞれ形成される。 - 特許庁

To provide a field effect transistor with source/drain region of lift structure, which prevents facets that are produced when the source/drain regions are formed through the selective growth of an epitaxial layer and its manufacturing method.例文帳に追加

選択的なエピタキシャル層の成長によりソース／ドレイン領域を形成するときに発生するファセットを防止する上昇された構造のソース／ドレインを有する電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Instead of setting a virtual object sound source location as a point, plural virtual object sound source locations are set in a prescribed sound collecting region and restriction conditions to maintain the sensitivity within the range are realized.例文帳に追加

点としての仮想目的音源位置を設定する代わりに、所定の収音範囲内に仮想目的音源位置を複数設定し、その範囲内の感度を保つような拘束条件を実現するものである。 - 特許庁

The display device 10 includes a light source for illuminating the display panel 22, and the lighting/extinction of the light source is so controlled that only a region for displaying the input image signal, which are resized by the resizer 16, is illuminated.例文帳に追加

表示装置１０は、表示パネル２２を照明する光源を備え、該光源は、リサイザ１６によってリサイズされた入力画像信号を表示する領域のみを照明するように点灯／消灯が制御される。 - 特許庁

The light source 11 side face of a light guide plate 3 is provided with an annular projecting member 2 having a reflecting surface 21 for reflecting light around the boundary of a propagation region out of light from the light source 11 toward a display part 4.例文帳に追加

導光板３の光源１１側の面に、光源１１からの光の伝播領域境界付近の光を表示部４へ向けて反射させる反射面２１を有する環状突起部材２を設けた。 - 特許庁