「source-region」に関連した英語例文の一覧と使い方(47ページ目) - Weblio英語例文検索

The MOSFET sensor 3 and the current source MOSFET 5 are the same conductivity type MOSFET, which operates in a subthreshold region.例文帳に追加

センサーＭＯＳＦＥＴ３及び電流源ＭＯＳＦＥＴ５は同じ導電型のＭＯＳＦＥＴからなり、かつサブスレッショルド領域で動作される。 - 特許庁

In the semiconductor device, a source region 2 is provided in the surface of a semiconductor substrate 1 and between first and second laminated gates 20a, 20b.例文帳に追加

半導体基板１の表面中であって、第１積層ゲート２０ａと第２積層ゲート２０ｂの間にソース領域２が設けられている。 - 特許庁

To suppress an off-leakage current in an N-channel MISFET having a silicided source/drain region formed in an Si (110) substrate.例文帳に追加

Ｓｉ（１１０）基板に形成され、シリサイド化されたソース／ドレイン領域を有するＮチャネルＭＩＳＦＥＴにおいて、オフリーク電流を抑制する。 - 特許庁

A source electrode V_dd15 is formed in a region between field PMOS1 and field PMOS 2 as high side switches of a latch circuit.例文帳に追加

ラッチ回路のハイサイドスイッチとしてのフィールドＰＭＯＳ１とフィールドＰＭＯＳ２との間の領域には、ソース電極Ｖ_ｄｄ１５が形成されている。 - 特許庁

A source region 14 of the trench power MOS transistor is provided on the same level as a gate electrode 21a of the surface channel CMOS transistor.例文帳に追加

トレンチパワーＭＯＳトランジスタのソース領域１４は、表層チャンネルＣＭＯＳトランジスタのゲート電極２１ａと同じレベルに設けられている。 - 特許庁

A channel region 21 through which a channel current flows is formed in the substrate 122 between the source diffused layer 120 and the drain diffused layer 121.例文帳に追加

ソース拡散層１２０およびドレイン拡散層１２１の間の基板１２２内には、チャネル電流が流れるチャネル領域２１が形成される。 - 特許庁

Extended first and second drain diffusion regions and a source diffusion region are formed on a semiconductor substrate along substantially parallel lines.例文帳に追加

延在した第１と第２のドレイン拡散領域、及びソース拡散領域を、本質上平行な直線に沿って半導体基板に形成する。 - 特許庁

A spacer 30 is provided to a gap region between the regions for providing the source electrode and drain electrode on the organic electronic material layer 13.例文帳に追加

有機電子材料層１３の上の、ソース電極及びドレイン電極を設ける領域との間の間隙領域にスペーサー部３０を設ける。 - 特許庁

The ultraviolet curing material is irradiated with the ultraviolet rays using the ultraviolet light emitting diode 1 having the light emitting wavelength of an ultraviolet region as a light source.例文帳に追加

紫外領域の発光波長を有する紫外線発光ダイオード１を光源に用いて紫外線硬化材料に紫外線を照射する。 - 特許庁

Gate electrodes of the reset transistor, the source follower transistor, and the select transistor intersect the part elongated in the first direction of the second region.例文帳に追加

リセットトランジスタ、ソースフォロワトランジスタ、及びセレクトトランジスタのゲート電極の各々が、第２の領域の第１の方向に長い部分と交差している。 - 特許庁

Here, at least, the thickness of the silicide 142 on the electrode 14 is larger than that of the silicide 121 on the source/drain region 12.例文帳に追加

少なくともここでは、ソース・ドレイン領域１２上のシリサイド１２１の厚みよりゲート電極１４上のシリサイド１４２の厚みが大きい。 - 特許庁

Then, a metal film is film-formed, and each surface of the gate electrode, source electrode and drain region that are formed in a peripheral domain is silicided.例文帳に追加

その後、金属膜を成膜し、周辺領域に形成されたゲート電極、ソース領域及びドレイン領域の各表面のシリサイド化を行なう。 - 特許庁

Then, an implanting process for selectively implanting impurities to the semiconductor thin film and forming a source area and a drain region is executed.例文帳に追加

この後、半導体薄膜に不純物を選択的に注入してソース領域及びドレイン領域を形成する注入工程を行なう。 - 特許庁

To provide a field emission type electron source capable of emitting electrons from a desired region of a surface electrode and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

表面電極の所望の領域から電子を放出させることができる電界放射型電子源およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The high-resistance region suppresses the flow of the current interposed between the source and drain electrodes 3, 7 when applying no voltage to the gate electrode 5.例文帳に追加

高抵抗領域は、ゲート電極５に電圧を印加していない時のソース電極３とドレイン電極７間の電流の流れを抑制する。 - 特許庁

The ion implanter is used when forming an impurity region that becomes the source or drain of a transistor, for example on the semiconductor wafer 1.例文帳に追加

このイオン注入装置は、例えば半導体ウェハ１にトランジスタのソース又はドレインとなる不純物領域を形成するときに用いられる。 - 特許庁

A second laser beam source 2 emits a second pulse laser beam pl2 having a wavelength in the ultraviolet region by being synchronized with the second triggering signal.例文帳に追加

第２のレーザ光源２が、第２の契機信号に同期して、紫外線領域の波長を有する第２のパルスレーザビームｐｌ_２を出射する。 - 特許庁

A first laser beam source 1 emits a first pulse laser beam pl1 having a wavelength in the ultraviolet region by being synchronized with the first triggering signal.例文帳に追加

第１のレーザ光源１が、第１の契機信号に同期して、紫外線領域の波長を有する第１のパルスレーザビームｐｌ_１を出射する。 - 特許庁

Thus, the extension spacer 170 is formed between the dielectric liner 150 and the silicide region 190 on a portion of the source/drain.例文帳に追加

従って、延伸スペーサ１７０はソース／ドレインの一部上において誘電体ライナー１５０とシリサイド領域１９０との間に形成される。 - 特許庁

Each memory cell includes a trench formed in the surface of a semiconductor substrate, and separated source and drain regions with a channel region formed between.例文帳に追加

各メモリセルは、半導体基板表面内に形成されたトレンチ、チャンネル領域を間に形成された離間したソース及びドレイン領域を含む。 - 特許庁

A target 104 disposed inside a treatment region 107 provides a material source which is sputtered and thereafter ionized in plasma atmosphere.例文帳に追加

処理領域１０７内に配置されたターゲット１０４は、スパッタされその後プラズマ雰囲気中でイオン化される材料源を提供している。 - 特許庁

Thus, the cell pitch in the Y direction can be reduced without being limited by the forming region of the source contact layers 14a, 14b.例文帳に追加

これにより、ソースコンタクト層１４ａ、１４ｂの形成領域に制限されることなく、Ｙ方向におけるセルピッチを縮小することができる。 - 特許庁

A universal contact 16 is electrically connected to the source region 3 via the salicide layer 7 exposed on the side surface of the universal contact hole 10.例文帳に追加

ユニバーサルコンタクト１６は、ユニバーサルコンタクトホール１０の側面に露出するサリサイド層７を介してソース領域３に電気的に接続されている。 - 特許庁

On a glass substrate 101, a gate electrode 102, a gate insulting film 103, a source electrode 104, and a drain electrode 105 are formed, thereon a patterned insulating film is formed, and a region 110 on the gate electrode is removed.例文帳に追加

ガラス基板１０１上にゲート電極１０２，ゲート絶縁膜１０３，ソース電極１０４，ドレイン電極１０５を形成する。 - 特許庁

An impurity diffused layer, comprising a source region 15 and a rain electrode 16 of a pMOS 11, is formed very shallow to about 50 nm.例文帳に追加

ｐＭＯＳ１１のソース領域１５およびドレイン電極１６を構成する不純物拡散層を５０ｎｍ程度の極浅に形成する。 - 特許庁

The transistor includes: a gate electrode 18 formed on an active region 11; a sidewall 19 formed on the side of the gate electrode 18; a second-conductivity pocket region 13 formed at both sides of the gate electrode 18 in the active region 11; and a first-conductivity source/drain region 14 formed at both sides of the sidewall 19 in the active region 11 and positioned shallower than the pocket region 13.例文帳に追加

トランジスタは、活性領域１１の上に形成されたゲート電極１８と、ゲート電極１８の側面上に形成されたサイドウォール１９と、活性領域１１におけるゲート電極１８の両側方に形成された第２導電型のポケット領域１３と、活性領域１１におけるサイドウォール１９の両側方で且つポケット領域１３よりも浅い位置に形成された第１導電型のソースドレイン領域１４とを有している。 - 特許庁

The extended drain region 101 comprises a plurality of p-type embedded layers 103 consisting of impurities, each extending in a stripe-like manner toward the source region 102 while extending depthwise in a plate-like manner.例文帳に追加

延長ドレイン領域１０１は、それぞれソース領域１０２に向かってストライプ状に延びると共に深さ方向にそれぞれ板状に延びるｐ型の不純物層からなる複数の埋込み層１０３を有している。 - 特許庁

As a result, only by designating the image region desired to perform picture tone conversion thereon in the source image by using the window image, the region surrounded with the window image is converted into a picture tone which becomes different whenever the predetermined time elapses, and displayed.例文帳に追加

この結果、原画像中の画調変換したい画像領域をウインドウ画像で指定するだけで、そのウインドウ画像で囲まれた領域が所定時間経過する毎に異なる画調に変換されて表示される。 - 特許庁

When incident light from a light source is made to pass through a region of high numerical aperture including the total reflection region at the peripheral part of an objective lens, the focal position and the sample position even of the transparent sample can be measured with high precision.例文帳に追加

光源よりの入射光を対物レンズの辺縁部分の全反射領域を含む高開口数の領域に通すと、透明試料等も高精度で合焦位置および試料位置を計測できる。 - 特許庁

While a p-channel MISFET is covered with a mask layer RM, ion (including at least a kind of F, Si, C, Ge, Ne, Ar, and Kr) is implanted to the n-type source region and n-type drain region of n-channel MISFET.例文帳に追加

マスク層ＲＭによりＰチャネル型ＭＩＳＦＥＴを覆いつつ、Ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴのＮ型ソース領域およびＮ型ドレイン領域に、イオン（F,Si,C,Ge,Ne,Ar,Krのうち少なくとも一種類を含む）を注入する。 - 特許庁

The first particle species 12 and the second particle species 14 are vibrated by applying the first electric field by means of an electric source 62 and are separated from each other, from walls of the cell 24 and from the viewed region 27 and the non-viewed region 25.例文帳に追加

電源６２による第１の電界の印加により、第１の粒子１２及び第２の粒子１４を振動させ、互いに、セル２４の壁から、表示領域２７及び非表示領域２５から分離する。 - 特許庁

A non-volatile memory cell comprises a substrate, a source, a drain having a channel region, and a gate insulated on the channel region by a nonconductive charge trap material interposed in between a first and a second silicon dioxide layers.例文帳に追加

非揮発性メモリセルは、基板と、ソースと、チャネル領域を備えるドレインと、第１および第２二酸化シリコン層に挟まれた非導電性チャージトラップ材によりチャネル領域上で絶縁されたゲートと、からなる。 - 特許庁

The electro-optic device 1 has a display region (A) where pixels 150 are arranged in accordance with intersections of scanning lines Y and data lines X, and a light source irradiating the display region (A) with light.例文帳に追加

電気光学装置１は、走査線Ｙおよびデータ線Ｘの交差に対応して設けられた画素１５０が配列された表示領域Ａと、当該表示領域Ａに対して光を照射する光源と、を備える。 - 特許庁

An N-type base layer 31 and a deep N-type base layer 32 are formed on a region immediately below the drain layer 13, and a P-type base layer 33 and a deep P-type base layer 34 are formed on a region immediately below the source layer 12.例文帳に追加

そして、ドレイン層１３の直下域にＮ型ベース層３１及びディープＮ型ベース層３２を形成し、ソース層１２の直下域にＰ型ベース層３３及びディープＰ型ベース層３４を形成する。 - 特許庁

In the probe card, an electrode 13 is formed in a pattern region 11 connected to the probe 5A for electric source, and an electrode plate 13B of the electrode 13 is made to face the pattern region 11 connected with a probe 5B for grounding.例文帳に追加

電源用プローブ５Ａに接続されているパターン領域１１に電極１３を形成し、この電極１３の電極板１３Ｂをグランド用プローブ５Ｂに接続されているパターン領域１１に対向させる。 - 特許庁

To provide a CVD apparatus which prevents a source gas supplied to a growing region from intruding into a preheating region, and can form a superconductive thin film having a homogeneous and stable composition, and to provide a method for forming the superconductive thin film.例文帳に追加

成長領域に供給された原料ガスが予熱領域へ侵入するのを防ぎ、均質で安定した組成の超電導薄膜を成膜可能なＣＶＤ装置、及びその成膜方法を提供する。 - 特許庁

A control amount derivation part 345 updates the multiple light source control amounts derived based on the past input image, on the basis of the brightness in only a partial region of the input image including the change region.例文帳に追加

そして、この変化領域を含む入力画像の一部領域のみの明るさに基づいて、過去の入力画像に基づいて導出された複数の光源制御量が制御量導出部３４５により更新される。 - 特許庁

While a P-channel type MISFET is covered by a mask layer RM, ion (at least one of F, Si, C, Ge, Ne, Ar, and Kr is included) is implanted into an N-type source region and an N-type drain region of N-channel type MISFET.例文帳に追加

マスク層ＲＭによりＰチャネル型ＭＩＳＦＥＴを覆いつつ、Ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴのＮ型ソース領域およびＮ型ドレイン領域に、イオン（F,Si,C,Ge,Ne,Ar,Krのうち少なくとも一種類を含む）を注入する。 - 特許庁

In a second region adjacent to the first region, a floating gate 10 insulated from the n+ type drain layer 3, the p-type semiconductor layer 4 and the n+ type source layer 5, and formed on the embedded oxidized layer 2 is formed.例文帳に追加

第１領域に隣接する第２領域には、ｎ＋型ドレイン層３、ｐ型半導体層４及びｎ＋型ソース層５と絶縁分離され、埋め込み酸化層２の上に形成されるフローティングゲート１０が形成される。 - 特許庁

To solve the problem that a threshold voltage varies with increase in fixed charges due to the rise in the hydrogen concentration in a gate insulation film at hydrogen terminals of defects in a channel region or source-drain region in a hydrogenising process.例文帳に追加

水素化処理におけるチャネル領域やソース・ドレイン領域の欠陥の水素終端において、ゲート絶縁膜中の水素濃度向上により固定電荷増加に伴う閾値電圧の変動が発生する。 - 特許庁

A first semi-recessed LOCOS layer 40 is formed between the gate insulation layer 30 and drain region 34, and a second semi-recessed LOCOS layer 50 is formed between the gate insulation layer 30 and the source region 32.例文帳に追加

ゲート絶縁層３０とドレイン領域３４との間に、第１のセミリセスＬＯＣＯＳ層４０が形成され、ゲート絶縁層３０とソース領域３２との間に、第２のセミリセスＬＯＣＯＳ層５０が形成されている。 - 特許庁

More specifically, the conductivity and non-conductivity between the source region 31S and the drain region 31D are mutually switched, according to supplying and non-supplying of electrical sources VDD or VSS to the gate 31G.例文帳に追加

より具体的には、ソース領域３１Ｓ及びドレイン領域３１Ｄ間の導通及び非導通は、ゲート３１Ｇに対する電源ＶＤＤあるいはＶＳＳの供給及び非供給に応じて相互に切り換えられる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device that prevents impurity ions of a source-drain region from being diffused abnormally and partially toward a channel region by suppressing diffusion of impurities in a gate electrode through a gate insulating film.例文帳に追加

ゲート電極中の不純物がゲート絶縁膜を突き抜けてチャネル領域に拡散するのを抑制し、ソース・ドレイン領域の不純物イオンが部分的にチャネル領域方向に異常拡散するのを防ぐ。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 1 formed with an active region 1ac on a surface side, a source electrode 7s and a drain electrode 7d composed of a refractory metal are formed in a state of being in ohmic contact with the active region 1ac.例文帳に追加

表面側に活性領域１acを備えた半導体基板１上に、活性領域１acに対してオーミック接続させた状態で高融点金属からなるソース電極７ｓおよびドレイン電極７ｄを形成する。 - 特許庁

Accordingly, when transferring a high voltage by the transfer transistor QNi, the drain diffusion region 201a and the source diffusion region 201b can be prevented from being depleted, and high voltage can be smoothly transferred.例文帳に追加

これにより、転送トランジスタＱＮｉによる高電圧の転送時において、ドレイン拡散領域２０１ａ、ソース拡散領域２０１ｂの空乏化を防止することができ、高電圧を支障なく転送することが可能になる。 - 特許庁