「source-region」に関連した英語例文の一覧と使い方(83ページ目) - Weblio英語例文検索

In a trench MOS gate structure, at the side wall of a trench (T) held there between an n-type base layer (1) and an n-type source region (3), a p-type channel layer (12) whose density is higher than a p-type base layer (2) having flat density distribution to the depth wise direction of the trench is formed.例文帳に追加

トレンチＭＯＳゲート構造において、ｎ型ベース層（１）とｎ型ソース領域（３）に挟まれたトレンチ（Ｔ）側壁部に、ｐ型ベース層（２）よりも濃度が高く、トレンチの深さ方向に対してフラットな濃度分布を持つｐ型チャネル層（１２）を形成する。 - 特許庁

Moreover, it is provided with a high-frequency power source 16 connected to the upper electrode 12 and operating in the region of HF or VHF and a plasma shield ring 20 in which, on a space between the upper electrode and lower electrode, secondary plasma is generated before the surface on the inside thereof.例文帳に追加

さらに上部電極に接続されかつＨＦまたはＶＨＦの領域で動作する高周波電源１６と、上部電極と下部電極の間で二次的プラズマがその内側表面の前で生成されるようにしたプラズマシールドリング２０とを備える。 - 特許庁

The source drain electrodes 150 comprise silicon germanium layers 111 formed at respective recessed parts 100a provided in the n-type semiconductor region 100, at least to the depth of a channel region from the bottom part thereof, carbon doped silicon germanium layers 112 formed thereupon and containing carbon and germanium of concentration lower than the germanium concentration of the silicon germanium layers, and metal silicide layers 115 formed thereupon.例文帳に追加

ソースドレイン電極１５０は、ｎ型半導体領域１００に設けられた各リセス部１００ａに、その底部から少なくともチャネル領域の深さにまで形成されたシリコンゲルマニウム層１１１と、その上に形成され、炭素とシリコンゲルマニウム層のゲルマニウム濃度よりも低いゲルマニウムとを含むカーボンドープドシリコンゲルマニウム層１１２と、その上に形成された金属シリサイド層１１５とから構成される。 - 特許庁

Ultraviolet beams emitted from the two or more LED units 12 are used to form one ultraviolet irradiation region 42, which is formed at a position where the ultraviolet beams 44 emitted from the two or more LED units overlap each other, and the position where the ultraviolet irradiation region 42 is formed is a position different from the imaging point of the ultraviolet LED light source through the optical system lenses of each LED unit.例文帳に追加

複数のＬＥＤユニット１２から出射される紫外線ビームで１つの紫外線照射領域４２を形成しており、紫外線照射領域４２は、複数のＬＥＤユニットから出射される紫外線ビーム４４が互いに重なり合う位置に形成され、該紫外線照射領域が形成される位置は、各ＬＥＤユニットの光学系レンズによる紫外線ＬＥＤ光源の像点とは異なる位置となっている。 - 特許庁

To exactly limit an area in which a broadcast receiver 21 for both a broadcast wave and an Internet broadcast can receive the Internet broadcast, even if the broadcast receiver 21 does not retain information about a concrete broadcasting object region with respect to each broadcasting station, when the area is limited to the broadcasting object region specified in the law with respect to a broadcasting station of a distribution source of the Internet broadcast.例文帳に追加

放送波及びインターネット放送両用の放送受信機２１が、インターネット放送を視聴することができる地域を、インターネット放送の配信元の放送局についての法令上の放送対象地域に限定する場合に、放送受信機２１が、各放送局についてその放送対象地域が具体的にどのようになっているかの情報を保有していなくても、的確に限定できるようにする。 - 特許庁

The transistor-type ferroelectric memory includes a IV semiconductor layer 10, an oxide semiconductor layer 20 formed on the IV semiconductor layer 10, a ferroelectric layer 30 formed on the oxide semiconductor layer 20, a gate electrode 40 formed on the ferroelectric layer 30, and a source region 12 and a drain region 14 which are formed on the IV semiconductor layer 10.例文帳に追加

本発明にかかるトランジスタ型強誘電体メモリは、IV族半導体層１０と、前記IV族半導体層１０の上方に形成された酸化物半導体層２０と、前記酸化物半導体層２０の上方に形成された強誘電体層３０と、前記強誘電体層３０の上方に形成されたゲート電極４０と、前記IV族半導体層１０に形成されたソース領域１２およびドレイン領域１４と、 を含む。 - 特許庁

In an in-plane switching system, namely in a constitution where a drain signal is supplied from one drain signal line to two pixel columns, a part having no drain signal line is disposed between adjacent pixels, and a source electrode connected to the pixel electrode of a thin film transistor is extended, as one electrode of a capacitive element, to a region of the adjacent pixel that does not function as a substantial pixel region.例文帳に追加

横電界方式、一本のドレイン信号線から２つの画素列に対しドレイン信号を供給する構成において、隣接する画素の間にドレイン信号線が形成されていない部分を有し、薄膜トランジスタの画素電極と接続されるソース電極を、容量素子の一方の電極として、実質的に画素領域として機能しない領域となる隣接画素の領域にまで延在させて構成する。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor storage device comprises the steps of forming a floating gate formed via a tunnel oxide film on a semiconductor substrate between a source region and a drain region formed on the substrate in a laminated structure of a first conductive film and a second conductive film, and constituting a memory cell having a control gate formed on the floating gate via the interlayer capacitive film.例文帳に追加

半導体基板上に形成されたソース領域とドレイン領域との間の前記半導体基板上にトンネル酸化膜を介して形成されたフローティングゲートが第１導電膜と第２導電膜より積層構造に形成され、前記フローティングゲート上に層間容量膜を介して形成されたコントロールゲートとを備えたメモリセルより構成される半導体記憶装置により、上記の課題を解決する。 - 特許庁

In a semiconductor device 1 having a conductive region (source electrode 14, drain electrode 15) in at least a part of a thin film 15, the thin film 15 where metal nano particles 14 are bonded through insulating molecules is irradiated with an energy beam E in the conductive region thus unbonding the insulating molecules and fusing and bonding the metal nano particles 14.例文帳に追加

薄膜１５の少なくとも一部に導電性領域（ソース電極１４、ドレイン電極１５）を備えた半導体装置１であって、前記導電性領域は、金属ナノ粒子１４が絶縁性分子を介して結合した前記薄膜１５に、エネルギー線Ｅが照射されることで、前記絶縁性分子の結合が解かれたものであり、前記金属ナノ粒子１４を融解させて結合させたものである。 - 特許庁

The semiconductor device includes a gate electrode 32 provided on a semiconductor layer 12, a source electrode 34 and a drain electrode 30 with the gate electrode 32 in-between, a field plate 42 provided on a region between the drain electrode 30 and an element separation region 36 located on extension of direction of finger as an elongated direction of the drain electrode 30.例文帳に追加

半導体層１２上に設けられたゲート電極３２と、ゲート電極３２を挟んで設けられたソース電極３４およびドレイン電極３０と、ドレイン電極３０の長手方向であるフィンガ方向の延長上に位置する素子分離領域３６とドレイン電極３０との間の領域上に設けられた第１フィールドプレート４２と、を具備することを特徴とする半導体装置およびその製造方法である。 - 特許庁

In an IGBT having a drain electrode 10 made of a heavy metal and a source electrode 28, a lattice defect region 32 for promoting the recombination of carriers and shortening a turn-off time is formed in an (n) drift region of an (n) epitaxial layer 14 formed on a substrate 12 by applying ions at an amount of 1.0×1011/cm2 or less through the drain electrode 10.例文帳に追加

重金属で構成されたドレイン電極１０及びソース電極２８を備えるＩＧＢＴにおいて、基板１２上に形成されたｎエピタキシャル層１４のｎドリフト領域にキャリアの再結合を促しターンオフ時間を短縮化させる格子欠陥領域３２を形成する際に、１．０×１０^11／ｃｍ^2以下の照射量でドレイン電極１０を介してイオンを照射して格子欠陥領域３２を形成する。 - 特許庁

The charge trap insulator memory comprises a lower word line, a P type float channel for retaining a floating state formed above the lower word line, a charge trap insulator formed above the P type float channel and storing data, an upper word line formed above a charge trap insulator in parallel with the lower word line, and an N type drain region and an N type source region formed on both sides of the float channel.例文帳に追加

下部ワードラインと、下部ワードラインの上部に形成されフローティング状態を維持するＰ型フロートチャンネルと、Ｐ型フロートチャンネルの上部に形成されデータが格納されるチャージトラップインシュレータと、チャージトラップインシュレータゲートの上部に下部ワードラインと平行に形成された上部ワードラインと、フロートチャンネルの両側に形成されたＮ型ドレイン領域及びＮ型ソース領域とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

On the active region 12A, there are formed a gate electrode 13 which has Schottky contact with the active region 12A, is extendingly formed on the insulating oxide film 12B and has a drawn portion 13a on the insulating oxide film 12B, and ohmic electrodes 14 which are spaced from both sides of the gate electrode 13 in a gate longitudinal direction to form a source electrode and a drain electrode, respectively.例文帳に追加

活性領域１２Ａの上には、該活性領域１２Ａとショットキ接触すると共に、絶縁酸化膜１２Ｂの上に延びるように形成され該絶縁酸化膜１２Ｂ上に引き出し部１３ａを有するゲート電極１３と、該ゲート電極１３のゲート長方向側の両側部と間隔をおき、それぞれがソース電極及びドレイン電極となるオーミック電極１４とが形成されている。 - 特許庁

Tokai Region Nano Technology Manufacturing Cluster]○Commercialization of an ultra-small sensor capable of directly measuring radicals in plasma Previously, radicals in plasma, which play an important role in fine processing and formation of thin films, could be measured only by largesize optical spectrometers. The Tokai Region Nano Technology Manufacturing Cluster reduced the size of optical spectrometers capable of measuring radicals in plasma to several millimeters in diameter by developing a new lighting source and succeeded in commercializing a radical monitor that enables the easy, precise measurement of radicals.例文帳に追加

プラズマ中のラジカルを直接計測できる超小型センサーを商品化これまでに大型の光分光計測装置でしか計測できなかったプラズマ中のラジカルは、微細加工や薄膜形成に重要な役割を担っているが、新規の光源等を開発することで数mm径まで小型化し、簡単に高精度でラジカルを計測できるラジカルモニターの商品化に成功した。 - 経済産業省

Considering the earnings performance in East Asia by region from the viewpoint of trends in after-tax profits, the percentage of the profits in China to those in the entire East Asian region rapidly expanded to17.8%. It is clearly indicates that the presence of China as a source of profits for Japanese companies has been rapidly increasing, however, in absolute amounts, the role of ASEAN 4 and NIEs as sources of profit remains significant (Fig. 2.2.6).例文帳に追加

次に、東アジア域内の各地域の収益状況を税引後利益額の推移で見てみると、2000年度では、中国における税引後利益額の東アジア地域全体のシェアは17.8％まで急伸しており、日本企業の収益源として、中国のプレゼンスが急速に高まっていることがわかる。ただし、絶対額で見れば、日本企業の収益源としてASEAN４及びNIEsの位置づけは依然大きいことがわかる（第2-2-6図）。 - 経済産業省

In a structure of the lateral double diffusion MOS transistor formed on a p-type semiconductor substrate 7, a high concentration p-type diffusion layer 10 serving as an electrode of a low concentration p-type well layer 11 is formed in contact with a high concentration n-type diffusion layer 9 serving as a source region.例文帳に追加

ｐ型半導体基板上７に形成された横型二重拡散ＭＯＳトランジスタを構成において、ソース領域となる高濃度ｎ型拡散層９に接するように、低濃度ｐ型ウエル層１１の電極となる高濃度ｐ型拡散層１０を形成する。 - 特許庁

A heat treatment process is introduced for making the surface of a silicon wafer coarse before forming a titanium film 12' for silicide, a crystal core is increased by making coarse the outermost layers of a gate electrode 17 and a source/drain region 15, and the phase transition of the formed titanium film 12' is made easy to occur.例文帳に追加

シリサイド用チタン膜１２’を形成する前に、シリコン基板の表面を粗面化させる熱処理工程を導入し、ゲート電極１７及びソース／ドレイン領域１５の表層を粗面化することによって結晶核を増加させ、形成したチタン膜１２’の相転移を起こしやすくする。 - 特許庁

A transistor 75 is provided with a silicon substrate 1, gate electrode 7, source and drain regions 5b and 5a, silicon nitride film 10, interlayer insulating film 12 having a contact hole 14b to reach a heavily-doped region 4b and wiring 13b to fill the hole 14b.例文帳に追加

トランジスタ７５は、シリコン基板１と、ゲート電極７と、ソース領域５ｂおよびドレイン領域５ａと、シリコン窒化膜１０と、高濃度不純物領域４ｂに達するコンタクトホール１４ｂを有する層間絶縁膜１２と、コンタクトホール１４ｂを充填する配線１３ｂとを備える。 - 特許庁

After forming a side wall insulation film in the common contact section 11A and second gate electrode 11B, a titanium film is formed over the entire surface, and then is heat-treated to form a titanim silicide film on the common contact section 11A, on the second gate electrode 9, and on the source and drain formation region.例文帳に追加

そして、前記共通コンタクト部１１Ａと第２のゲート電極１１Ｂに側壁絶縁膜を形成した後、全面にチタン膜を形成し熱処理することで、共通コンタクト部１１Ａ上と第２のゲート電極９上及びソース・ドレイン形成領域上にチタンシリサイド膜を形成する。 - 特許庁

In a two-transistor PMOS memory cell 40, having a PMOS floating gate (FG) transistor 40a and a PMOS selection gate (SG) transistor 40b, the drain of the FG transistor and the source of the selecting gate transistor are formed by a common P+ diffusion region 48 formed in an N-well 42.例文帳に追加

ＰＭＯＳフローティングゲート（ＦＧ）トランジスタ（４０ａ）とＰＭＯＳ選択ゲート（ＳＧ）トランジスタ（４０ｂ）とを有する２トランジスタＰＭＯＳメモリセル（４０）において、ＦＧトランジスタのドレインとＳＧトランジスタのソースはＮ−ウェル（４２）内に形成された共通のＰ＋拡散領域（４８）により形成される。 - 特許庁

The purpose of this is to bring the source-handle assembly 9 into a state of being at a separation temperature higher than room temperature in step (d), to essentially keep the same the degree of embrittlement of the dividing region at this separation temperature, and perform the mechanical division at this temperature.例文帳に追加

この目的は、ソース‐ハンドル複合体９をステップｄ）で室温よりも高い分離温度の状態にし、この分離温度において所定の分割領域の脆弱化の程度を本質的に同一にとどめ、この温度で機械的分割を実施することで達成される。 - 特許庁

To stabilize temperature inside a reaction tube by shielding the radiant heat of the reaction tube, to enhance product quality, at the same time, to expand a product wafer region for improving productivity, to reduce the number of dummy wafers for cutting down manufacturing costs, and to decrease the contamination source of the product wafer.例文帳に追加

反応管の輻射熱を遮断することにより、前記反応管内部の温度を安定化し、製品品質を高めると共に製品ウェーハ領域を拡大して生産効率を向上し、且つダミーウェーハ数を減少して製造コストを削減し、製品ウェーハの汚染源を低減する。 - 特許庁

In this case, the source wiring 17S, the drain wiring 17D and a lower metal layer 11 extend from the side of each of the contact holes CH to cover a region not exceeding an end P3 of a width direction of the gate wiring 15 on the upper or lower part of the semiconductor layer 13 and the gate wiring 15.例文帳に追加

ここで、ソース配線１７Ｓ、ドレイン配線１７Ｄ、及び下部金属層１１は、各コンタクトホールＣＨの側から延びて、半導体層１３及びゲート配線１５の上方もしくは下方において、ゲート配線１５の幅方向の端Ｐ３を越えない領域を覆う。 - 特許庁

To provide a thin film transistor substrate that increases the length of an OFF current path by contracting a leakage region between a source electrode and a drain electrode and suppresses the creation of a carrier caused by a light irradiated to the thin film transistor, thereby enabling reduction of the OFF current, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ソース電極とドレイン電極との間の漏れ領域を縮小してオフ電流の経路長を増大させ、かつ薄膜トランジスタに照射された光によるキャリアの生成を抑え、それによりオフ電流を低減させる薄膜トランジスタ基板とその製造方法とを提供する。 - 特許庁

In a state of displaying a flicker pattern wherein black display parts and neutral color display parts are alternately arranged along a direction of extension of a source line, in a display region DR, a DC level of a voltage applied to a common electrode is adjusted so as to minimize flicker.例文帳に追加

表示領域ＤＲに、黒色表示部と中間色表示部とがソースラインの延びる方向に沿って千鳥状に配列されたフリッカパターンを表示した状態で、フリッカが最小となるように上部共通電極に印加する電圧の直流レベルを調整する。 - 特許庁

The electrooptical device is provided with a pixel electrode 9a, a thin film transistor 30 subjecting the pixel electrode to switching control, a scanning line 3a supplying a scanning signal to a gate electrode 3g of the thin film transistor and a data line 6a supplying a picture signal to a source region of the thin film transistor on the substrate.例文帳に追加

基板上に、画素電極（９ａ）と、該画素電極をスイッチング制御する薄膜トランジスタ（３０）と、該薄膜トランジスタのゲート電極（３ｇ）に走査信号を供給する走査線（３ａ）と、薄膜トランジスタのソース領域に画像信号を供給するデータ線（６ａ）とを備える。 - 特許庁

A gate electrode 15 is formed via a gate oxidized film 14 on a prescribed channel region 13 on a semiconductor substrate 11 enclosed with an element isolation oxide film 12, and a source/drain diffusion layer 16 is formed on the both-side substrates, and the gate electrode 15 is coated with dielectric 17.例文帳に追加

素子分離酸化膜１２に囲まれた半導体基板１１上における所定のチャネル領域１３上にゲート酸化膜１４を介してゲート電極１５、その両側の基板上にはソース／ドレイン拡散層１６が形成されゲート電極１５は絶縁膜１７で覆われている。 - 特許庁

An electrostatic protective circuit exclusive between an output terminal and a grounding terminal (or a power supply terminal) is provided, and the output circuit connected in parallel to the electrostatic protective circuit is constituted of the cascode connection of the first MOS transistor source drain region formed by a silicide formation, and the second MOS transistor.例文帳に追加

出力端子と接地端子間（または電源端子間）に専用の静電保護回路が設けられており、この静電保護回路と並列接続された出力回路は、ソース・ドレイン領域の全域がシリサイド化された第１ＭＯＳトランジスタと第２ＭＯＳトランジスタのカスコード接続で構成されている。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor storage device comprises the steps of forming a nitride film 113 on an upper layer of a metal electrode layer 111 on a gate electrode layer, and removing a gate oxide film 106 under etching conditions in which an etching rate of the nitride film 113 is slower than that of the film 106 in a source region forming step.例文帳に追加

ゲート電極層上の金属電極層１１１の上層に窒化膜１１３を形成するとともに、ソース領域形成工程において、ゲート酸化膜１０６より窒化膜１１３のほうがエッチングレートが遅いエッチング条件で、ゲート酸化膜１０６を除去する。 - 特許庁

By heating a part of the magnetic flux control layer 101 by a light beam LB from a laser light source 117 to change the part in a normal conducting state, a magnetic flux is concentrated in only the region in the normal conducting state and the magnetic flux passing through the magnetic flux control layer 101 magnetizes the recording layer 16.例文帳に追加

磁束制御層１０１の一部の領域をレーザ光源１１７からの光ビームＬＢにより加熱して常伝導状態に変化させることで、常伝導状態となった領域だけに磁束が集中し、磁束制御層１０１を通過した磁束が記録層１６を磁化する。 - 特許庁

By depositing an EL layer with a deposition substrate tilted from a deposition source, the second insulation layer serves as a barrier, so that a region where the EL layer is not deposited and the conductive layer is exposed is formed in a self-aligning manner in a part of the opening.例文帳に追加

また、被成膜基板を蒸発源に対して傾けた状態でＥＬ層を蒸着することにより、第２の絶縁層が障害物となり、開口部の一部にはＥＬ層が蒸着されずに導電層が剥き出しとなる領域が自己整合的に形成される方法を用いた。 - 特許庁

Further, the method includes a stage of forming the storage capacitor on the interlayer dielectric so that the storage capacitor partially overlaps with the semiconductor layer and is electrically connected to the pixel-electrode-line-side source/drain region through the contact hole, and also has an in-groove part 70t overlapping the groove.例文帳に追加

更に、蓄積容量を、層間絶縁膜上に半導体層と部分的に重なるように且つ画素電極線側ソースドレイン領域とコンタクトホールを介して電気的に接続されるように形成すると共に、溝に重なる溝内部分（７０ｔ）を有するように形成する工程を含む。 - 特許庁

The p-channel type field effect transistor comprises: a gate electrode GE2 arranged with a gate insulating film 3 interposed therebetween; and a source-drain region arranged inside a trench g2 provided in the silicon substrate 1 at both sides of the gate electrode GE2, and formed of SiGe having a larger lattice constant than that of Si.例文帳に追加

このｐチャネル型電界効果トランジスタは、ゲート絶縁膜３を介して配置されたゲート電極ＧＥ２と、ゲート電極の両側のシリコン基板１中に設けられた溝ｇ２の内部に配置され、Ｓｉより格子定数が大きいＳｉＧｅよりなるソース・ドレイン領域と、を有する。 - 特許庁

To prevent deterioration of the fundamental characteristics of a polycrystalline silicon MOS transistor by suppressing the decline of the withstand voltage between source and drain regions due to a parasitic bipolar effect caused by the effect of electric field concentration to the end section of the drain region from a gate electrode.例文帳に追加

多結晶シリコンＭＯＳ型トランジスタにおいて、ゲート電極のドレイン領域端部への電界集中効果によって発生する寄生バイポーラ効果によるソース・ドレイン領域間の耐圧低下を抑制し、多結晶シリコンによる基本特性の劣化を改善すること。 - 特許庁

At least one of the optical elements is a reflective polarizer and a phase difference delay to an optical axis of the reflective polarizer is (1/50)π or below of the measurement wavelength in a region for emitting light made incident from a light source toward a liquid crystal panel in the covering member.例文帳に追加

光学素子の少なくとも１つは反射型偏光子であり、包括部材における光源から入射された光を液晶パネルに向けて出射する領域は、反射型偏光子の光軸に対する位相差遅れが、測定波長の５０分の１π以下である。 - 特許庁

A fixing means of the spacer 13 comprising a positioning member 14 for positioning the spacer 13 relative to the electron source or the electron-irradiated member, and a pushing member 11 for fixing the spacer 13 on the positioning member 14, is installed outside the image forming region 12.例文帳に追加

電子源もしくは電子被照射部材に対するスペーサ１３の位置決めを行うための位置決め部材１４と、スペーサ１３を位置決め部材１４に固定させるための押し当て部材１１とからなるスペーサ１３の固定手段が、画像形成領域１２の外に設置されている。 - 特許庁

This wrinkle inspecting device comprises a CCD camera which picks up an image of the wrinkles generated on the film, the line light source 1 which irradiates light onto at least an imaging region of the camera, and a wrinkle inspection device which analyzes the image photographed by the CCD camera and detects the wrinkles.例文帳に追加

しわ検査装置は、フィルム上に発生しているしわの画像を撮像するＣＣＤカメラと、少なくとも、前記カメラの撮像領域に光を照射するライン光源１と、ＣＣＤカメラが撮像した画像を解析してしわを検出するしわ検査装置を備えている。 - 特許庁

The gate electrode 7 is made via a gate insulating film 6 on the element formation region of the main surface of a p-type semiconductor substrate 1, and then semiconductor regions to serve as the source and the drain are made, self-alignedly to the gate electrode, in the element-forming regions of the substrate.例文帳に追加

ｐ型半導体基板１主面の素子形成領域上にゲート絶縁膜６を介してゲート電極７を形成した後、基板の素子形成領域にソース及びドレイン領域となる半導体領域１４，１５をゲート電極に対して自己整合的に形成する。 - 特許庁

In the lighting device 100 having the organic EL element 10 as a light source, a plurality of organic EL element regions 10a, 10b formed on an identical substrate and a driving means 20 which supplies a forward current one by one for each organic EL element region are provided.例文帳に追加

有機ＥＬ素子１０を光源とする照明装置１００において、同一基板上に形成された複数の有機ＥＬ素子領域１０ａ、１０ｂと、各有機ＥＬ素子領域１０ａ、１０ｂ毎に、順次、順方向電流を供給する駆動手段２０と、を設ける。 - 特許庁

At that time, a part of the reflection surface 14a of the first reflector 14 is made a fantail reflection region 14a1 surrounded by a first straight line L1 extending from a first reference axial line Ax1 passing the left end fringe of the artificial light source S to the left oblique downward and a second straight line L2 extending to the right bottom.例文帳に追加

その際、第１リフレクタ１４の反射面１４ａの一部を、擬似光源Ｓの左端縁を通る第１基準軸線Ａｘ１から左斜め下方へ延びる第１直線Ｌ１と真下へ延びる第２直線Ｌ２とで囲まれた扇形反射領域１４ａ１とする。 - 特許庁

To form a contact with high reliability in a source/drain region and to form, with high reliability, a silicide layer at a part of the silicon layer which is crystal-grown by contacting to a silicon-contained metal molten liquid.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのソース、ドレイン領域の接合深さが０．１μｍ程度になると、拡散層の厚さが薄すぎるために、エッチングによりソース、ドレイン領域上に接続孔の形成したり、シリサイド化反応によりソース、ドレイン領域にシリサイド層を形成することは、リーク電流の増大により困難になる。 - 特許庁

The second region 132 closest to the side face reflection part 11 is provided with a second outgoing light catching surface 62 emitting the light 4 from the side of the light source 2 from the surface 12 and a returning light catching surface 61 emitting light 41 from the side face reflection part 11 side from the surface 12.例文帳に追加

最も側面反射部１１に近い第２領域１３２は，光源２側からの光４を一方の面１２から出射させる第２往光採取面６２と，側面反射部１１側からの光４１を一方の面１２から出射させる復光採取面６１とを有する。 - 特許庁

Specifically, a gate current value of an n-channel transistor in which a channel region is formed by an oxide semiconductor is measured in a state where a voltage lower than the threshold voltage of the transistor is applied between a gate and a source, and a potential higher than that applied to the gate is applied to a drain.例文帳に追加

具体的には、酸化物半導体によってチャネル領域が形成されるｎチャネル型トランジスタのゲート及びソース間にトランジスタのしきい値電圧未満の電圧を印加し且つドレインにゲートに与えられる電位よりも高電位を与えた状態におけるゲート電流値の測定を行う。 - 特許庁

An output part 55 includes: a floating diffusion FD adjoiningly provided on a downstream side in the charge transfer direction of a transfer path 1; a source follower amplifier SFA outputting a signal according to a charge accumulated in the FD; and a transfer gate region 7 provided between the FD and the transfer path 1.例文帳に追加

出力部５５は、転送路１の電荷転送方向下流側の隣に設けられたフローティングディフュージョンＦＤと、ＦＤに蓄積された電荷に応じた信号を出力するソースフォロアアンプＳＦＡと、ＦＤと転送路１との間に設けられた転送ゲート領域７とを含む。 - 特許庁

To provide a control device capable of being driven by driving a compressor for air conditioning of an electrically-driven vehicle over a wide operation region and reducing power consumption by selecting and controlling a rotating member interlocked with wheels and a motor for air conditioning as a driving source.例文帳に追加

電動駆動車両の空調用コンプレサを車輪に連動する回転部材と、空調用モータとを、それぞれ駆動源として選択制御することでコンプレッサを広い運転領域に渡って駆動し、且つ電力消費を少なくして駆動できる制御装置を提供すること。 - 特許庁