「source-region」に関連した英語例文の一覧と使い方(85ページ目) - Weblio英語例文検索

The select transistor includes a third insulating film 102a on the semiconductor substrate, a fourth insulating film 106b made of an aluminum oxide and containing at least one of a tetravalent cationic element, a pentavalent cationic element, and N (nitrogen), a second control gate electrode 108b, and a second source/drain region.例文帳に追加

選択トランジスタは、半導体基板上の第３の絶縁膜１０２ｂと、アルミニウム酸化物であり、４価カチオン元素、５価カチオン元素、Ｎ（窒素）のうち少なくとも１種の元素を含有する第４の絶縁膜１０６ｂと、第２の制御電極１０８ｂと、第２のソース／ドレイン領域を有する。 - 特許庁

In a select transistor section of a ferroelectric memory 40, a capacitor electrode film 7 is connected to a bit line BL via a via 10 as a bit line contact BLC1, and is provided as jumper wiring CD11 connected to a via 6 formed on a source/drain region 2.例文帳に追加

強誘電体メモリ４０では、セレクトトランジスタ部にはビット線コンタクトＢＬＣ１としてのビア１０を介してビット線ＢＬに接続され、ソース／ドレイン領域２上に形成されるビア６に接続されるジャンパー配線ＣＤ１１としてのキャパシタ電極膜７が設けられる。 - 特許庁

The optical transmission body 20 is for transmitting optical energy, inputs the light output from the light source 10 into an incident end 21, confines the input light in an optical transmission region 22, transmits the confined input light and outputs the transmitted light from an emission end 23 to outside.例文帳に追加

光伝送体２０は、光エネルギ伝送用のものであって、光源１０から出力された光を入射端２１に入力し、この入力した光を光伝送領域２２に閉じ込めて伝送して、その伝送した光を出射端２３から外部へ出力する。 - 特許庁

To provide an illumination unit having a compact configuration, capable of interpolating a lacking wavelength region and light amount in spectral distributions of an LED, maintaining light amount required for color reading or monochromatic reading, reading effectively with wide spectral distributions, and reducing a ripple of an LED light source.例文帳に追加

コンパクトな構成で、ＬＥＤの分光分布の欠けている波長領域および光量を補間でき、カラー読取時やモノクロ読取時に必要な光量を維持し、広い分光分布を持たせて効率的に読取を行い、ＬＥＤ光源のリップルを低減することができる照明ユニットを提供する。 - 特許庁

This display unit is provided with a display panel 2 having light permeability, an image pickup part 4 having an imaging optical system; a detection light source part 7 for emitting detection rays of light; and a light guide plate 14 arranged to cover the display region of the display panel 2 at the observer side of the display panel 2.例文帳に追加

光透過性を有する表示パネル２と、結像光学系を有する撮像部４と、検出光を出射する検出光源部７と、表示パネル２の観察者側に表示パネル２の表示領域を覆うように配置された導光板１４とを備えた表示装置を用いる。 - 特許庁

A recess, having a trapezoidal plan shape, is provided on a gate 105a for forming an area which is likely to concentrate the electric field on a p-type base region 106a, a cut part of an n+-type source diffused layer 112a, is provided near the recess to suppress the increase of the diffusion resistance at this part.例文帳に追加

ゲート電極１０５ａに平面形状で台形上の凹部を設けてＰ型ベース領域１０６ａに電界集中の生じ易い個所を形成し、この凹部近傍にＮ^+ 型ソース拡散層１１２ａの分断部を設けてこの部分での拡散抵抗の上昇を抑制する。 - 特許庁

A photosensitive material solution of a conductive film is selectively discharged by a droplet-discharging method, is selectively exposed to laser light, and then is developed or etched, thereby allowing only the region exposed to laser light to be left and realizing source wiring and drain wiring having a more microscopic pattern than the pattern formed by discharging.例文帳に追加

液滴吐出法で感光性の導電膜材料液を選択的に吐出し、レーザ光で選択的に露光した後、現像またはエッチングすることによって、レーザ光で露光した領域のみを残し、吐出後のパターンよりも微細なソース配線およびドレイン配線を実現する。 - 特許庁

The display device has the configuration that the voltage applied to a power source line 5 based on the display luminance in a display element 2 and the reference voltage used at the time of display signal generation in a signal line driving circuit 8 is fluctuated while the driving state is maintained in a saturated region of the thin-film transistor 11.例文帳に追加

表示部２における表示輝度に基づいて電源線５に与える電圧および信号線駆動回路８における表示信号生成の際に用いられる参照電圧とを、薄膜トランジスタ１１が飽和領域にて駆動する状態を維持しつつ変動させる構成を有する。 - 特許庁

A region to be irradiated 91 of the object to be measured 90 is irradiated by an irradiation optics 20 with wideband light L1 which is generated in a substantially single space mode by a wideband light generating source 10, and whose bandwidth is 300 nm or more and is included in a wavelength band of 750 nm to 2,500 nm.例文帳に追加

波長帯域７５０ｎｍ〜２５００ｎｍに含まれる帯域幅３００ｎｍ以上の広帯域光Ｌ_１が、広帯域光発生源１０から実質的に単一の空間モードで発生して、照射光学系２０により測定対象物９０の被照射領域９１に照射される。 - 特許庁

In the next process, an epitaxial growth layer 22 is formed by epitaxial-growing the Si layer on the surface of the Si layer 11a that has been exposed, and a source-drain region 23 is formed at an epitaxial growth layer 22.例文帳に追加

次いで、露出されたＳｉ層１１ａの表面上に、Ｓｉ層をエピタキシャル成長させてエピタキシャル成長層２２を形成するとともに、エピタキシャル成長層２２にソース・ドレイン領域２３を形成する工程を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法および半導体装置である。 - 特許庁

Then the erasure gate electrode 8 is formed, aligning itself with the floating gate 6, the control gate electrode 7 with the floating gate electrode 6, a drain electrode 4 with the control gate electrode 7, and a source region 3 with the floating gate 6 respectively.例文帳に追加

そして、消去ゲート電極８は浮遊ゲート電極６に対して、制御ゲート電極７は浮遊ゲート電極６に対して、ドレイン領域４は制御ゲート電極７に対して、ソース領域３は浮遊ゲート電極６に対して、それぞれ自己整合的に形成されている。 - 特許庁

A control unit 60 operatively commands the at least one of the first and second positioning systems in order to maintain a predetermined spatial relationship between the X-ray source and the X-ray detector for each of the first and second directional ranges in relation to the inspection region.例文帳に追加

制御ユニット６０が、検査領域との関係における第１及び第２の方向性の範囲の各々についてＸ線源とＸ線検出器の間の予め定められた空間的関係を維持するべく第１及び第２の位置決めシステムのうちの少なくとも１つを作動的に指令する。 - 特許庁

At least, a potential of a source-drain region 49 of a transistor of one pixel which is adjacent to photoelectric conversion parts (38 and 39) of another pixel with an element isolation means 85 therebetween is set so as not to become 0V within the charge accumulation period when charges are accumulated in the photoelectric conversion parts, and each pixel is driven.例文帳に追加

少なくとも、画素の光電変換部（３８，３９）に素子分離手段８５を介して隣接する他の画素のトランジスタのソース・ドレイン領域４９の電位を、光電変換部に電荷を蓄積する電荷蓄積期間内で０Ｖにならない電位に設定して、各画素を駆動する。 - 特許庁

At this time, light is made incident into the liquid crystal packing region 40 of the panel 100 from a light source 81 and light quantity of the light transmitted through the panel and a polarizing member 11 is monitored by a light receiving device 82 to determine a packing completing timing based on the monitoring result.例文帳に追加

この際に、光源８１からパネル１００の液晶充填領域４０に向けて光を入射させ、パネルおよび偏光部材１１を透過してきた光の光量を受光器８２により監視し、この監視結果に基づいて、充填を終了するタイミングを図る。 - 特許庁

To provide a lighting system capable of reducing luminance unevenness by decreasing dispersion of quantity of light in the direction along the extension direction of the light incoming end surface of light reaching a region on the light outgoing end surface side near a light source out of light outgoing areas; and to provide a liquid crystal device and electronic equipment.例文帳に追加

出光エリアのうち、光源に近い入光端面側の領域に到達する光の、入光端面の延在方向に沿った方向の光量のばらつきを低減して、輝度ムラを低減させることができる照明装置、液晶装置、電子機器を提供する。 - 特許庁

Three or more magnetic bodies 2 are arranged on the circumference of a circle at an equal interval so as to form a low magnetic field 3 of 0.05 gauss or less within the circumference of a circle, and water 4 to be treated and the weak energy source 5 are arranged in the low magnetic field region to constitute the magnetized water making apparatus.例文帳に追加

円周１上に等間隔で３個以上の磁性体２を配設して、前記円周内に０．０５ガウス以下の低磁場３が形成されるようにし、前記低磁場領域に被処理水４と微弱エネルギー源５が配置されるようにして転写水の製造装置を構成する。 - 特許庁

This apparatus is provided with a turn table 16 for placing an article W to be treated, a driving source 18 for rotatably driving the turn table 16 and a filter 15 for adjusting amt. of ultraviolet rays reaching the surface to be treated of the article W to be treated based on the shape of the ultraviolet rays passing region.例文帳に追加

本発明は、被加工物Ｗを載置するターンテーブル１６と、ターンテーブルを回転駆動する駆動源１８と、被加工物Ｗの被加工面に到達する紫外光の光量をその紫外光通過領域の形状により調整するフィルタ１５を備える。 - 特許庁

A conductive film formed as a pixel electrode 119 is formed and subjected to patterning operation using the same photomask to form a pixel electrode 119, source wiring 117, a drain region 116, and an amorphous semiconductor film 114 for channel formation.例文帳に追加

画素電極１１９となる導電膜を形成し、同一のフォトマスクにてパターニングすることにより、画素電極１１９、ソース配線１１７及びドレイン電極１１８、ソース領域１１５及びドレイン領域１１６、及びチャネルが形成される非晶質半導体膜１１４を形成する。 - 特許庁

In a semiconductor device having in order a shield layer 2, a channel region, a semiconductor layer 3 constituting source and drain regions, a first insulating layer 4, which is a gate insulating layer, and a gate electrode 5 on an insulative substrate 1, the layer 2 has a silicon oxide film doped with a group V element.例文帳に追加

絶縁性基板１上に順次遮蔽層２、チャネル領域、ソース・ドレイン領域を構成する半導体層３、ゲート絶縁層である第１の絶縁層４、ゲート電極５を有する半導体素子において、遮蔽層２がＶ族元素が添加されたシリコン酸化膜を有する。 - 特許庁

A component of an illuminating light in the longer wavelength side of a mainly red band region is eliminated by disposing a red component cutoff optical filter 36 by which a spectral transmittance becomes a half value at a wavelength at 630 nm and zero at a wavelength of 670 nm between, for example, a light source 28 and an infrared cutoff filter 30.例文帳に追加

例えば、光源２８と赤外カットフィルタ３０との間に、分光透過率が波長６３０ｎｍで半値、波長６７０ｎｍで０となる赤成分カット光学フィルタ３６を設けることにより、照明光の主に赤帯域の長波長側の成分を除去する。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: a substrate 1 having a primary surface; and a silicon carbide layer (a breakdown-voltage holding layer 2, a semiconductor layer 3, an n-type source contact layer 4, and a p-type contact region 5) including inclined side surfaces with respect to the primary surface.例文帳に追加

半導体装置は、主表面を有する基板１と、基板１の主表面上に形成され、主表面に対して傾斜した側面を含む炭化珪素層（図２の耐圧保持層２、半導体層３、ｎ型ソースコンタクト層４、およびｐ型のコンタクト領域５）とを備える。 - 特許庁

The p-channel type field effect transistor comprises: a gate electrode GE2 arranged with a gate insulating film 3 interposed therebetween; and a source-drain region arranged inside a trench g2 provided in the silicon substrate 1 at both sides of the gate electrode GE2, and formed of SiGe having a larger lattice constant than that of Si.例文帳に追加

このｐチャネル型電界効果トランジスタは、ゲート絶縁膜３を介して配置されたゲート電極ＧＥ２と、ゲート電極ＧＥ２の両側のシリコン基板１中に設けられた溝ｇ２の内部に配置され、Ｓｉより格子定数が大きいＳｉＧｅよりなるソース・ドレイン領域と、を有する。 - 特許庁

Only the light of the effective wavelength region of the radiation light from a light source 1 is passed through an ultra-UV illumination optical system 6 by an ultra-UV optical filter 5, is bent to an objective lens 8 side by a translucent mirror 7 and is transmitted through the objective lens 8 to illuminate an observation sample 9.例文帳に追加

光源１からの放射光は、極紫外光フィルタ５によって有効波長域のみの光が、極紫外光照明光学系６を経て、半透過鏡７によって対物レンズ８側へ折り曲げられ、対物レンズ８を透過して観察試料９を照明する。 - 特許庁

At the time of recording, the computation defining the reference light respectively having different incident angles with each of the respective divided region is executed and the reconstructing light having the color information recorded in the respective divided regions is made to gather at the virtual visual point E when the reproduction is executed by using the virtual light source Lw.例文帳に追加

記録時には、各分割領域ごとにそれぞれ異なる入射角度をもった参照光を定義した演算を行い、仮想光源Ｌｗを用いて再生したときに、各分割領域に記録された色情報をもった再生光が仮想視点Ｅに集まるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor element which requires only one voltage generation and control circuit, can form a source/drain region of self-alignment type, can contract a cell area and a chip area and can raise process yield and the reliability of an element and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

一つの電圧発生及び制御回路だけが必要で自己整合方式のソース／ドレイン領域の形成が可能であり、セル面積及びチップ面積が縮小して工程収率及び素子の信頼性を向上させることができる半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In a part of a spectral transmissivity curve corresponding to a bright line peak of a light source in a green wavelength region, when a green light beam to be made incident on a filter is S polarization, an inclination part 301 having inclination to increase to increase of wavelength with specific increasing rate is defined.例文帳に追加

緑の波長領域にある光源の輝線ピークに対応する分光透過率曲線の部分において、フィルタへ入射する緑色光がＳ偏光の場合、波長の増加に対して特定の増加率で増加する傾斜を有する傾斜部３０１とする。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device in which useless power consumption is reduced in displaying a picture with an aspect ratio different from that of a screen of a liquid crystal display panel by automatically turning off a backlight light source for a no picture display region.例文帳に追加

液晶表示パネルの画面のアスペクト比と異なるアクペクト比を有する画像を表示する際、無画部表示領域に対してはバックライト光源の点灯を自動的に停止することにより、無駄な消費電力を低減することが可能な液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

A source electrode 32 and a drain electrode 31 of a power MOS transistor in a first region 11 of a stacked wiring 20 are each formed as a single electrode without using a plurality of minute via holes on wiring layers 23-25 upper than a second wiring layer 22 of the stacked wiring 20.例文帳に追加

積層配線２０のうち第１領域１１におけるパワーＭＯＳトランジスタのソース電極３２、ドレイン電極３１を積層配線２０の２層目の配線層２２より上層の配線層２３〜２５において、複数の微細なビアホールを用いずに１つの電極としてそれぞれ形成する。 - 特許庁

In addition, in a part of a spectral transmissivity curve corresponding to a bright line peak of a light source in a blue wavelength region, when a blue light beam to be made incident on the filter is P polarization, an inclination part 302 having the inclination to decrease against the increase of wavelength with specific rate of decrease is provided.例文帳に追加

また、青の波長領域にある光源の輝線ピークに対応する分光透過率曲線の部分において、フィルタへ入射する青色光がＰ偏光の場合、波長の増加に対して特定の減少率で減少する傾斜を有する傾斜部３０２を設ける。 - 特許庁

The high-breakdown voltage vertical MOSFET is constituted, which has the surface pattern shape of a source region 3a which contacts a part of a channel 4 and does not contact all the sides in order to reduce effective channel density as controlling it so as to suppress rise of the on-resistance and increase of feedback capacity.例文帳に追加

オン抵抗の上昇と帰還容量の増加を抑制するように、実効的なチャネル密度を制御しながら低下させるために、チャネル４の一部に接し、全辺には接しないソース領域３ａの表面パターン形状を有する高耐圧縦型ＭＯＳＦＥＴとする。 - 特許庁

Sound absorbing materials 18 are attached to almost the whole internal region of a case body 4 incorporating a CPU part 6, a power source circuit 15 and drive parts 9 and 10, and the drive parts 9 and 10 are individually covered by sound absorbing materials 17 independent of the sound absorbing materials 18 of the case body part 4.例文帳に追加

ＣＰＵ部６と電源回路部１５およびドライブ部９，１０を内蔵した筐体部４の内側の略全域に吸音材１８を付設すると共に、ドライブ部９，１０を筐体部４の吸音材１８と独立した吸音材１７によって個別に被覆する。 - 特許庁

The blocking insulation film is arranged between the source and drain junctions to prevent the phenomenon of short circuits, which are due to junction extension between the junctions in the bulk region, thereby providing better electrical characteristics of the semiconductor device, such as stabilized threshold voltage and reduced leakage current.例文帳に追加

このように半導体装置のソースとドレーンジャンクションとの間に遮断用絶縁膜が配置されて、ジャンクション拡張によるバルク領域でのジャンクション相互間のショート現象が防止でき、スレショルド電圧の安定性と漏れ電流の減少などの半導体装置の電気的な特性が改善される。 - 特許庁

Similarly in correcting a black defect, an etching source material in a liquid state is supplied from the probe of a scanning probe microscope onto only the black defect region by a similar method to Dip-Pen Nanolithography, and an ion beam or an electron beam is supplied to etch to correct the black defect.例文帳に追加

黒欠陥修正の場合も同様に、走査プローブ顕微鏡の探針から液体状のエッチング原料をＤｉｐ−Ｐｅｎ Ｎａｎｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙと同様な方法で黒欠陥領域上のみに供給し、イオンビームや電子ビームを供給してエッチングを行い黒欠陥を修正する。 - 特許庁

In addition, considering that current saving rates in Asian countries are generally higher than investment rates unlike at the time of the above crisis, indicating that capital source has changed, circulation of Asian money to the region via money markets of Europe and the US is not efficient.例文帳に追加

また、現状においてはアジア通貨・経済危機時とは異なり、アジア域内ではおおむね貯蓄率が投資率を上回って（すなわち資本の出し手が代わって）いることを踏まえれば、アジア域内の資金が欧米市場経由で域内に還流することは効率的ではない。 - 経済産業省

At least one of a part where the drain region 116 is in contact with the semiconductor layer 114 and a part where the source electrode 117 is in contact with the semiconductor layer 114 is formed to be positioned on the outer side in a channel length direction of the thin film transistor 100 as compared with the gate electrode 112.例文帳に追加

ドレイン領域１１６と半導体層１１４が接触する箇所及びソース領域１１７と半導体層１１４が接触する箇所のうち少なくとも一方は、ゲート電極１１２と比較し、薄膜トランジスタ１００のチャネル長方向に外側に位置するように形成されている。 - 特許庁

An image processing apparatus includes: an image information input unit 2 for receiving input of source image information; and a sharpness adjusting unit 4 for dividing a screen based on the source image information into a plurality of regions, setting an adjustment value of sharpness adjustment for each of the divided regions and performing sharpness adjustment on each divided region based on the adjustment value, thereby improving sharpness in an edge portion of the image through simple processing.例文帳に追加

原画像情報の入力を受け付ける画像情報入力部２と、原画像情報に基づく画面を複数の領域に分割し、この分割領域ごとにシャープネス調整の調整値を設定し、この調整値に基づいて各分割領域のシャープネス調整を行うシャープネス調整部４を備えており、簡単な処理で画像の辺縁部分における鮮鋭度を高めることができる。 - 特許庁

A console 26 includes a CPU 114 that configured such that in a case it is determined that an accumulative exposure dose R using radiation irradiated from a radiation source 42 to a patient 14 to capture the movie of the radiation image reaches a predetermined exposure dose, the exposure dose with respect to an irradiation field of the radiation from the radiation source 42 other than the region of interest is controlled to be restricted.例文帳に追加

コンソール２６に設けられたＣＰＵ１１４により、放射線画像の動画撮影のために放射線源４２から患者１４に照射される放射線の、これまでの累積被曝量Ｒが予め定められた被曝量に達すると判定された場合に、放射線源４２による放射線の関心領域を除く照射野に対する曝射量に制限を加えるように制御する。 - 特許庁

Specifically, and in broad terms, the present invention provides a semiconductor structure comprising a silicided metal gate of a first silicide metal having a first thickness, and abutting silicided source and drain regions of a second metal having a second thickness which is less than the first thickness and the silicided source and drain regions are aligned to edges of a gate region including at least the silicided metal gate.例文帳に追加

詳しくは、広義に、第一の厚さを有する第一のシリサイド金属のシリサイド化金属ゲートと、隣接する第二の厚さを有する第二の金属のシリサイド化ソース領域およびドレイン領域とを含み、第二の厚さは第一の厚さより薄く、シリサイド化ソース領域およびドレイン領域は少なくともシリサイド化金属ゲートを含むゲート領域の端に位置合わせした半導体構造物を提供する。 - 特許庁

Ion implantation is carried out surrounding gate electrodes 305 to 307 of transistors formed in a pixel 2 to form n^+ regions 426 and 427 functioning as a source region and a drain region, thereafter a first insulating film 35 and a second insulating film 36 functioning as a block film are formed, and a sidewall of a gate electrode having the first insulating film 35 and the second insulating film 36 partly is formed by etch-back.例文帳に追加

画素２に形成されたトランジスタのゲート電極３０５〜３０７の周辺にイオン注入を行うことでソース領域及びドレイン領域として機能するｎ^＋領域４２６、４２７を形成し、その後に、ブロック膜として機能する第１の絶縁膜３５及び第２の絶縁膜３６を成膜し、エッチバックによって第１の絶縁膜３５及び第２の絶縁膜３６をその一部としたゲート電極のサイドウォールを形成する。 - 特許庁

The field-effect transistor includes a channel layer mainly containing InGaAs, a Schottky layer mainly containing AlGaAs, a stopper layer mainly containing InGaP, a cap layer including a first region and a second region arranged with a recess for exposing a surface of the Schottky layer formed therebetween, a source/drain electrode arranged on the cap layer, and a gate electrode arranged on the surface of the Schottky layer exposed by the recess.例文帳に追加

ＩｎＧａＡｓを主要な材料とするチャネル層と、ＡｌＧａＡｓを主要な材料とするショットキー層と、ＩｎＧａＰを主要な材料とするストッパ層と、ショットキー層の表面を露出するリセスを挟んで配置された第１領域と第２領域とを含むキャップ層と、キャップ層の上に設けられたソース／ドレイン電極と、リセスによって露出されたショットキー層の表面に設けられたゲート電極とを具備する電界効果トランジスタを構成する。 - 特許庁

In the fabrication process of a vertical MOSFET, an n-type vertical MOSFET becoming an actual product and a p-type lateral MOSFET for evaluation having a gate electrode structure identical to that of the vertical MOSFET are fabricated on the same semiconductor substrate 11 by performing ion implantation for forming the source region 17 of the vertical MOSFET while masking the forming region of the lateral MOSFET.例文帳に追加

縦型ＭＯＳＦＥＴの製造プロセスにおいて、横型ＭＯＳＦＥＴの形成領域をマスクした状態で、縦型ＭＯＳＦＥＴのソース領域１７を形成するためのイオン注入をおこなうことにより、同一半導体基板１１上に、実際の製品となるｎ型の縦型ＭＯＳＦＥＴとともに、その縦型ＭＯＳＦＥＴと同じゲート電極構造を有する評価用のｐ型の横型ＭＯＳＦＥＴを作製する。 - 特許庁

An electronic apparatus capable of additionally mounting therein a nonvolatile memory previously storing a predetermined program or reference data, in which a predetermined read region and an algorithm for discriminating data property are prepared, comprises a control means that determines whether the nonvolatile memory is mounted or not by accessing the specified read region of the nonvolatile memory when a power source is turned on, and applying the algorithm to read data.例文帳に追加

所定のプログラムないし参照データを予め格納した不揮発性メモリを付加的に実装可能とした電子機器において、 所定の読み取り領域と、データ特性を判別するためのアルゴリズムとを予め準備し、電源の投入時に、上記不揮発性メモリの特定された読み取り領域をアクセスして、読み取ったデータに対して、上記アルゴリズムを適用することで、不揮発メモリの実装の有無を判定する制御手段を備えている。 - 特許庁

A high potential gate driving circuit part and a level shift circuit part are provided on the same other conductivity type semiconductor substrate 1, at least one lateral MOSFET is formed in the gate driving circuit part, and an embedded insulating film 3 for parasitic element suppression is provided selectively in a parallel direction on the main surface of the semiconductor substrate at the lower part of the source region 5 and drain region 7 of the lateral MOSFET.例文帳に追加

高電位ゲート駆動回路部と、レベルシフト回路部とを同一の他導電型半導体基板１上に備え、前記ゲート駆動回路部には少なくとも一つの横型ＭＯＳＦＥＴが形成され、前記半導体基板の主面に平行方向に選択的に、かつ前記横型ＭＯＳＦＥＴのソース領域５およびドレイン領域７の下方に、寄生素子抑制用の埋め込み絶縁膜３を有する高耐圧ＩＣとする。 - 特許庁

The source drain junction of the extremely shallow rectangular high concentration impurity distribution is formed by liquidifying only the ion implantation amorphous region of the diffusing layer using the laser beam, in the wavelength which ensures deep attenuation for Si and makes difficult the direct heating of the Si itself and selectively and locally heating in direct the Si, by selectively allocating a metal film of shallow attenuation depth for the laser beam only to the contact region.例文帳に追加

更にＳｉに対し減衰深さが深く、従ってＳｉ自身が直接加熱され難い波長のレーザー光を用い、該レーザー光において、減衰深さの浅い金属膜を該コンタクト領域にのみ選択的に配置することによりＳｉを間接的に選択局所加熱し、拡散層のイオン注入非晶質領域のみを液相化することにより極浅矩形高濃度不純物分布のソース・ドレイン接合の形成を可能とした。 - 特許庁

Also, in the device for crystallizing an amorphous semiconductor layer which includes a radiation pulse source, an irradiator prepared for melting a first linear region of the semiconductor layer by irradiating of radiation pulses, and radiation pulse source prepared for irradiating the semiconductor layer by the two successive radiation pulses, the time interval between the strength maximums of the two successive radiation pulses is equal to or lower than 1000 ns.例文帳に追加

そして非晶質半導体層を結晶化するための装置であって、放射パルス源と、放射パルスの照射によって半導体層の線状第１領域を融解できるように整えられた照射器とを有し、少なくとも２つの連続する放射パルスで半導体層を照射できるように放射パルス源が整えられており、２つの連続する放射パルスの強度極大の間の時間間隔が１０００ｎｓ以下である。 - 特許庁