「source-region」に関連した英語例文の一覧と使い方(89ページ目) - Weblio英語例文検索

A plurality of minute diffraction grating elements 13 having a diffraction gratings that keeps confidential information are disposed on the surface of the information protection layer, and the spacings and the angles of the grating elements are set so that the diffracted light K which is formed by illumination light L from the light source 3 diffracted by the diffraction grating elements 13 can enter the predetermined region 4.例文帳に追加

そして、情報保護層の表面に秘匿情報を保持している回折格子を有する微小な複数の回折格子要素１３が配置され、光源３からの照明光Ｌが回折格子要素１３で回折してなる回折光Ｋが、所定領域４に入射するように格子の間隔と角度が設定されている。 - 特許庁

To obtain a highly reliable DRAM hybrid semiconductor device in which a good metal silicide layer capable of suppressing junction leak and channel leak of a transistor is formed on a lightly doped diffusion layer of the source-drain region at a DRAM part, and wiring resistance and contact resistance are reduced by increasing the area of the metal silicide layer.例文帳に追加

ＤＲＡＭ部において、接合リークおよびトランジスタのチャネルリークを抑制できる、良好な金属シリサイド層をソース・ドレイン領域の低濃度拡散層上に形成すると共に、この金属シリサイド層の面積を増大させて、配線抵抗の低減およびコンタクト抵抗の低減を図り、高速で信頼性の高いＤＲＡＭ混載半導体装置を得る。 - 特許庁

To remove an unstable low output region from a control range in a power source having a transformer 11 having a primary winding and a secondary winding to be applied with an input voltage at one end to obtain an output voltage at the secondary winding, by switching of the switching circuit 12 connected in series with another terminal of the primary winding.例文帳に追加

入力電圧が一端に印加される１次巻線と２次巻線とを有するトランス１１と、１次巻線の他端に直列に接続されたスイッチング回路１２とを備え、当該スイッチング回路によるスイッチングにより２次巻線に出力電圧を得る電源装置で、不安定な低出力領域を制御範囲から除外等する。 - 特許庁

The flat panel display includes the conductive substrate 21, an insulating layer 22 formed on the conductive substrate 21, a thin film transistor (a gate electrode 28, a second insulating layer 27, and source/drain electrodes 29a, 29b) formed on the conductive substrate 21, and a ground 23 formed in a region of the conductive substrate 21 to ground the conductive substrate 21.例文帳に追加

伝導性基板２１と、伝導性基板２１上に形成された絶縁層２２と、伝導性基板２１上に形成された薄膜トランジスター（ゲート電極２８、第２絶縁層２７及びソース／ドレイン電極２９ａ、２９ｂ）と、伝導性基板２１の一領域に形成され、伝導性基板２１を接地させる接地部２３を含む平板表示装置。 - 特許庁

In the rice bran selection device 10, a rice or rice bran moving in a certain direction through a predetermined measurement region L is irradiated with light from a light source 12 and transmitted light through the rice or rice bran is received by a line sensor camera 16 to detect a rice bran based on the comparison between the quantity of the transmitted light received and a predetermined threshold for selection.例文帳に追加

本発明に係る糠玉選別装置１０は、所定の測定領域Ｌを一定方向に移動する米又は糠玉に光源１２から光を照射し、米又は糠玉を透過した透過光をラインセンサカメラ１６によって受光し、受光した透過光の光量と所定の閾値との比較に基づいて糠玉を検出して選別する。 - 特許庁

In the surface channel type MOS transistor, a gate electrode 6, formed via the gate insulating film 5 on a semiconductor substrate 1, is composed of a polysilicon with 100-200 nm of thickness where at least impurity is nearly uniformly doped, and then a source/drain region 11 formed in the semiconductor substrate 1, is formed self-aligningly to the gate electrode 6.例文帳に追加

半導体基板１上にゲート絶縁膜５を介して形成されたゲート電極６が少なくとも不純物がほぼ均一にドープされた膜厚１００〜２００ｎｍのポリシリコンからなり、半導体基板１内に形成されたソース／ドレイン領域１１がゲート電極６に対して自己整合的に形成された表面チャネル型ＭＯＳトランジスタ。 - 特許庁

The non-volatile semiconductor device includes a unit cell, comprising a plurality of transistors the source and drain regions of which are shared, wherein each of the plurality of transistors includes at least one control gate and at least one charge accumulation region, and each control gate is connected to at least one control voltage for shifting the threshold voltage of each transistor.例文帳に追加

不揮発性半導体素子は、ソース及びドレーン領域がそれぞれ共有される複数のトランジスタを備える単位セルを含み、複数のトランジスタは、それぞれ少なくとも一つのコントロールゲートと少なくとも一つの電荷蓄積領域とを含み、各コントロールゲートは各トランジスタのスレッショルド電圧をシフトするための少なくとも一つのコントロール電圧に連結される。 - 特許庁

In a predetermined position on a paper carrying path, a light emitting part 44 for irradiating light from an LED light source 45 on the surface of paper being carried and a light receiving part 47 provided with an image sensor 48 receiving light reflected from paper surface within a certain region B irradiated with light to read a brightness pattern and converting the brightness pattern to an electrical signal are provided.例文帳に追加

用紙搬送経路上の所定位置に、搬送中の用紙の表面にＬＥＤ光源４５から光を照射する発光部４４と、光が照射される一定領域Ｂ内の用紙表面から反射する光を受光して明暗パターンを読み取り、電気信号に変換するイメージセンサー４８を有する受光部４７と、を備えている。 - 特許庁

This electrical discharge unit has electrode pairs 16-18 which are each located as a pair in the game region 6b of a game board 6 where a play in the downstream of a ball 20 is realized and can execute an electrical discharge from one to the other, and a high voltage power source 21 which are connected to the electrode pairs 16-18 and generates a voltage applied for the electrical discharge.例文帳に追加

この遊技機用放電ユニットは、球２０の流下による遊技を実現する遊技盤６の遊技領域６ｂに対で配置され、その一方から他方に向けて放電可能な電極対１６〜１８と、電極対１６〜１８に接続され、放電のための印加電圧を発生させる高圧電源２１とを有することを特徴とする。 - 特許庁

The method is characterized in that after the photo-polymerizable ink composition comprising a polymerization initiating system with a molar absorptivity coefficient of ≥1,000 M^-1cm^-1 in a light wave region of 400 nm-700 nm and a polymerization initiator is delivered on a substrate, the delivered ink is polymerized and cured by light-exposing by a light source of ≤1,000 W.例文帳に追加

支持体上に、４００ｎｍ〜７００ｎｍの光波長領域におけるモル吸光係数が、１０００Ｍ^−１ｃｍ^−１以上の重合開始系及び重合開始剤を含有する光重合型インク組成物を打滴した後、１０００Ｗ以下の光源で露光により打滴されたインクを重合、硬化することを特徴とする。 - 特許庁

The radar cross section measurement method and radar cross section measurement device which use the ground bounce determine the radar cross section in a far-field region by integrating, over the corresponding range of an object to be measured, the scatter source distribution obtained by transforming the scatter electric field values acquired by measuring the object to be measured over the range of predetermined two dimensional angles in the directions Az and E1.例文帳に追加

地面反射を利用したレーダ断面積測定方法および装置において、被測定物ＴをＡｚおよびＥｌ方向に２次元の所定の角度範囲分測定した散乱電界値を変換して得られた反射源分布を、前記被測定物相当の範囲で積算して遠方領域でのレーダ断面積を得る。 - 特許庁

Because an interface between the gentle slope 14a and the air layer 16 or an interface between the steep slope 14b and the air layer 16 exists in the region of the air layer 16, light propagating inside the light guide plate 12 is not emitted from the light guide plate 12, and the light is propagated to a position farther away from the light source inside the light guide plate 12.例文帳に追加

空気層１６の領域では、緩斜面１４ａと空気層１６との間の界面又は急斜面１４ｂと空気層１６との間の界面が存在するので、導光板１２を伝搬する光が導光板１２から出射されず、導光板１２内のより光源から離れた位置まで光を伝搬させることができる。 - 特許庁

To provide a light source device capable of suppressing occurrence of flickering in an image projected to a projection screen by the change with the passage of time accompanying continuous use and capable of suppressing deterioration of light utilization efficiency in an illuminated region by the change with the passage of time accompanying continuous use and realizing a long life time.例文帳に追加

連続使用に伴う経年変化によって投写面に投写される画像にちらつきが発生するのを抑制することが可能で、かつ、連続使用に伴う経年変化によって被照明領域における光利用効率が低下するのを抑制することが可能で、さらに、長寿命化を図ることが可能な光源装置を提供する。 - 特許庁

To provide an electrophotographic photoreceptor having high sensitivity characteristics in the wavelength region from 400 to 600 nm and excellent durability which does not fatigue or deteriorate by light, and to provide an image forming device which uses the above photoreceptor and laser light in the wavelength range from 400 to 600 nm as the exposure light source, which has high sensitivity and high resolution, and which can give stable picture quality.例文帳に追加

４００〜６００ｎｍの波長域で高い感度特性を有し、光によって疲労劣化しない耐久性に優れる電子写真感光体、および該感光体を用いて４００〜６００ｎｍの波長範囲のレーザ光を露光光源とし、高感度かつ高解像力を有して安定した画質が得られる画像形成装置を提供する。 - 特許庁

A gate insulating film 13 and a gate electrode 14 of an nMOS transistor are formed on a silicon substrate 10 with non-single-crystal silicon, and a source-drain region of the nMOS transistor is formed by implanting an n-type dopant having a relatively large mass number (the mass number ≥70) such as As or Sb using the gate electrode 14 as a mask.例文帳に追加

シリコン基板１０上にｎＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜１３およびゲート電極１４を非単結晶シリコンで形成し、ゲート電極１４をマスクとして例えばＡｓやＳｂ等の比較的質量数が大きい（質量数７０以上）ｎ型ドーパントを注入することで、ｎＭＯＳトランジスタのソースドレイン領域を形成する。 - 特許庁

Fabrication process is simplified by forming a Co silicide layer 20 simultaneously on the surface of the gate electrode 7B, source, and drain (n^+-type semiconductor region 16) of an MISFET constituting a logic LSI, and on the surface of a polysilicon film 7 becoming the gate electrode of an MISFET for selecting the memory cell of a DRAM in a subsequent process.例文帳に追加

ロジックＬＳＩを構成するＭＩＳＦＥＴのゲート電極７Ｂ、ソース、ドレイン（ｎ^＋型半導体領域１６）のそれぞれの表面と、後の工程でＤＲＡＭのメモリセル選択用ＭＩＳＦＥＴのゲート電極となる多結晶シリコン膜７の表面とにＣｏシリサイド層２０を同時に形成することによって、製造プロセスの簡略化を実現する。 - 特許庁

The reflective screen 10 comprises a reflection sheet 1 showing almost equal peak reflectances in wavelength regions of red, green and blue, and a light diffusing sheet 3 laminated via a pressure-sensitive adhesive layer 2, and reflects light from a light source to display an image, wherein the pressure-sensitive adhesive layer 2 contains a dye which absorbs light in a wavelength region of green.例文帳に追加

赤色、緑色、青色の波長領域それぞれのピーク反射率がほぼ同じである反射シート１と、光拡散シート３とが粘着剤層２を介して貼り合わされてなり、光源からの光を反射して画像を表示する反射型スクリーン１０において、前記粘着剤層２は、緑色の波長領域の光を吸収する色素を含有する。 - 特許庁

One line of region of edge parts facing each other within first and second electrode patterns corresponding to a source electrode and a drain electrode is formed by temporally continuously landing, by an inkjet method, droplets of ink on a predetermined substrate at a small interval not larger than the diameter of dot formed by the landing.例文帳に追加

所定の基板上において、インクジェット法によってインクの液滴を、着弾によって形成されるドットの径以下の短い間隔で時間的に連続して着弾させることで、ソース電極およびドレイン電極に対応する第１および第２電極パターンのうちの少なくとも相互に対向するエッジ部の１ラインの領域を形成する。 - 特許庁

Since one of a source electrode or a drain electrode is formed on the main surface of the substrate and the other is formed on the rear of the substrate, the connection region of the other electrode becomes unnecessary on the main surface of the substrate, a channel width can be enlarged with the same chip area, so that the on-state resistance of the transistor can be reduced.例文帳に追加

しかも、ソース電極，ドレイン電極の一方を半導体基板主面に設け、他方を半導体基板の裏面に設けることによって、半導体基板主面では他方の電極の接続領域が不用となるため、同一のチップ面積でチャネル幅を拡大することができるので、トランジスタのオン抵抗を低減させることが可能となる。 - 特許庁

When stress affected by the element separation region is considered, the distance between the element separation regions in the gate lengthwise direction may be selected for a circuit where fluctuation of logical threshold voltage is to be suppressed so that fluctuation of current between the drain and the source by stress is balanced between a p-channel MOS transistor and an n-channel MOS transistor.例文帳に追加

また、素子分離領域等から受けるストレスを考慮したとき、それによる論理閾値電圧の変動を抑制すべき回路には、そのようなストレスによるドレイン・ソース間電流の変動がｐチャンネル型ＭＯＳトランジスタとｎチャンネル型ＭＯＳトランジスタとの間でバランスするようにゲート長方向の素子分離領域間の距離を選べばよい。 - 特許庁

When cutting the object to be processed by irradiating a surface of the object to be processed with a laser beam from a laser light source, cutting conditions are set so that a peak output of the laser beam is made larger than curves 100a to 100c and a whole irradiation time of the laser beam is adapted to a region 104 being shorter than straight lines 102a to 102c.例文帳に追加

レーザ光源より被加工物の表面にレーザ光を照射して該被加工物の切断加工を行う際に、前記レーザ光のピーク出力を曲線１００ａ〜１００ｃよりも大きく且つ前記レーザ光の総照射時間を直線１０２ａ〜１０２ｃよりも短い領域１０４に適合するように切断加工条件を設定する。 - 特許庁

Looking at the balance of payments of overseas subsidiaries of Japanese companies by region, in FY2004 Asia generated the largest profits (¥2,204 billion), with the highest net income/net sales (4.3%) due to factors like the economic boom in Asia. It is clear that Asian subsidiaries are the main source of earnings in overseas activities of Japanese companies (Figure 4-1-15).例文帳に追加

我が国企業の海外現地法人の地域別収支状況を見ると、アジア経済の好調等を背景として2004 年度時点にアジアでは2 兆 2,040 億円と最大の利益を生んでおり、売上高純利益率も4.3％と最も高く、アジア現地法人が我が国企業の海外活動における主要な収益源であることが分かる（第4-1-15図）。 - 経済産業省

To provide an electrophotographic photoreceptor having high sensitivity characteristics in the wavelength region from 380 to 600 nm and excellent durability which does not fatigue or deteriorate by light and to provide an image forming device which uses the above photoreceptor and laser light in the wavelength range from 380 to 600 nm as the exposure light source, which has high sensitivity and high resolution and which can give stable picture quality.例文帳に追加

３８０〜６００ｎｍの波長域で高い感度特性を有し、光によって疲労劣化しない耐久性に優れる電子写真感光体、および該感光体を用いて３８０〜６００ｎｍの波長範囲のレーザ光を露光光源とし、高感度かつ高解像力を有して安定した画質が得られる画像形成装置を提供する。 - 特許庁

To minimize deterioration of characteristics of an element by preventing an increase of resistance of a bit line and a storing electrode by lowering a deposition temperature of a buffer oxide film formed before deposition process of a nitride film for a gate spacer and by preventing out-diffusion of impurities implanted to a source/drain region.例文帳に追加

ゲートスペーサ用窒化膜の蒸着工程の前に形成する緩衝酸化膜の蒸着温度を低め、ソース／ドレイン領域に注入された不純物のアウト・ディヒュージョンを防ぐことにより、ビットラインと貯蔵電極のコンタクト抵抗の増加を防いで素子の特性の劣化を最小化させ、素子の特性及び信頼性を向上させること。 - 特許庁

To provide an apparatus for treating dermatological disorder by using optical radiation, which more specifically requires a low-energy and/or low-cost radiation source due to its use of continuous wave (CW) radiation, and requires the heating of a treatment region before applying the radiation and/or using techniques for the radiation use improvement.例文帳に追加

皮膚科的障害を治療するため光学的放射線を使用する装置、より具体的には、連続波（ＣＷ）放射線を使用することにより、低エネルギ及び／又は低コストの放射線源を必要とし、また、照射及び／又は放射線の利用を向上させる技術を使用する前に、治療領域を加熱することを必要とする装置を提供する。 - 特許庁

A MOS gate device manufacturing process includes a first mask 30 for continuously forming a cell body 50 and a source region 51 in the cell body 50, and a second mask for forming a center opening in the silicon surface of each cell by silicon etching and consecutively for undercutting an oxide 60 surrounding the center opening.例文帳に追加

ＭＯＳゲートデバイス製造プロセスであって、該プロセスは、セルボディ５０とセルボディ５０中のソース領域５１を連続して形成するための第１のマスク３０を有し、シリコンエッチにより各セルのシリコン表面に中央開口部８０、８１を形成し続いて中央開口部８０、８１を囲む酸化物６０をアンダーカットするための第２のマスク工程を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of obtaining the semiconductor device for which various characteristics are highly accurately controlled by performing the run-in diffusion of a gate region while actually measuring a threshold voltage (Vth) defined by characteristics of a drain current (Ids) to an application voltage (Vds) between a source and a drain under a gate bias.例文帳に追加

ゲートバイアス下でソースとドレイン間の印加電圧(Ｖｄｓ)に対するドレイン電流(Ｉｄｓ)の特性で定義されるしきい値電圧（Ｖｔｈ）を実際に測定しながらゲート領域の追い込み拡散を行うことが可能で、これにより高精度に諸特性が制御された半導体装置を得ることが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

An information distribution server 7 inquires a data base 8 of distribution cell region identification and priority thereof based on a cell identifier and information content thereof contained in received contents (P2) once information distribution requests (P1) from a user (Terminal 1) preregistered as the information distribution source using CBS function are received through a base station 2 and RNC 6 (P3, P4).例文帳に追加

情報配信サーバ7は、CBS機能を用いた情報配信の発生元として予め登録されているユーザ（端末1）からの情報配信要求(P1)を基地局2およびRNC6経由で受信すると、受信内容(P2)に含まれている、ユーザ（端末1）が位置するセル識別子と情報内容から、配信セル領域の特定とその優先度をデータベース8に問い合わせる(P3,P4)。 - 特許庁

A first memory gate electrode MG1 consisting of a polycrystalline silicon film is formed on the gap-section side between a selective gate electrode CG and a memory gate electrode MG, and a second memory gate electrode MG2 consisting of the polycrystalline silicon film having an impurity concentration higher than that of the polycrystalline silicon film configuring the first memory gate electrode MG1 is formed on the source-region Srm side.例文帳に追加

選択ゲート電極ＣＧとメモリゲート電極ＭＧとの間のギャップ部側に多結晶シリコン膜からなる第１メモリゲート電極ＭＧ１を設け、ソース領域Ｓｒｍ側に第１メモリゲート電極ＭＧ１を構成する多結晶シリコン膜よりも不純物濃度の高い多結晶シリコン膜からなる第２メモリゲート電極ＭＧ２を設ける。 - 特許庁

The lens is manufactured by using the composition for a plastic lens containing 100 pts.wt. of source monomers, 0.1 to 5 pts.wt. of a UV absorbent, 0.0005 to 5 pts.wt. of a photopolymerization initiator having absorption characteristics in the visible light region and ≤0.07 pts.wt. of an initiator for thermal polymerization, and hardening the composition mostly only by photopolymerization.例文帳に追加

原料モノマーを１００重量部、紫外線吸収剤を０．１〜５重量部、可視光領域に吸収特性を有する光重合開始剤を０．０００５〜５重量部含有し、かつ熱重合開始剤を０．０７重量部以下で含有するプラスチックレンズ用組成物を用い、この組成物を殆ど光重合だけで硬化する。 - 特許庁

Community resources are the source of items that can only be made in that location or services that can only be provided in that location. While community resources are limited to a certain area, the technology and techniques of the "Production Region Technology Type" are not clearly differentiated from the enterprises' own technology and techniques. And these techniques are intangible resources, there is a possibility that it is difficult to consider these elements a resource unique to a certain community.例文帳に追加

地域資源は、その土地でなければ作れないものや、その土地でなければ提供できないサービスの源であり、地域に限定されたものであるが、「産地技術型」における技術や技法は、企業固有の技術・技法との区分がはっきりせず、また無形であるため、地域特有の資源として捉えにくい可能性が考えられる。 - 経済産業省

The semiconductor device comprises a trench transistor including a trench formed in a semiconductor substrate, a gate electrode formed on the inside of the trench through a gate insulating film, a source and a drain arranged on the semiconductor substrate in the vicinity of the gate electrode through the gate insulating film wherein the gate insulating film in a region touching the source or the drain is formed thicker than that formed on the inside of the trench.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、半導体基板に形成された溝と、前記溝の内部側にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の近傍の半導体基板に前記ゲート絶縁膜を介して配置されたソース及びドレインとを具備してなるトレンチゲートトランジスタを備えるとともに、前記ゲート絶縁膜において、前記ソース及びまたはドレインに接する領域のゲート絶縁膜の厚さが、前記溝の内部側に形成されているゲート絶縁膜の厚さよりも厚くされたことを特徴とする。 - 特許庁

2. The provisions of this Agreement shall have effect: (a) in the case of the Hong Kong Special Administrative Region: with respect to Hong Kong Special Administrative Region tax, for any year of assessment beginning on or after 1 April in the calendar year next following that in which the Agreement enters into force; and (b) in the case of Japan: (i) with respect to taxes withheld at source, for amounts taxable on or after 1 January in the calendar year next following that in which the Agreement enters into force; (ii) with respect to taxes on income which are not withheld at source, as regards income for any taxable year beginning on or after 1 January in the calendar year next following that in which the Agreement enters into force; and (iii) with respect to other taxes, as regards taxes for any taxable year beginning on or after 1 January in the calendar year next following that in which the Agreement enters into force. 例文帳に追加

２この協定の規定は、次のものについて適用する。(a)香港特別行政区については、香港特別行政区の租税に関しては、この協定が効力を生ずる年の翌年の四月一日以後に開始する各賦課年度分のもの(b)日本国については、(i)源泉徴収される租税に関しては、この協定が効力を生ずる年の翌年の一月一日以後に租税を課される額(ii)源泉徴収されない所得に対する租税に関しては、この協定が効力を生ずる年の翌年の一月一日以後に開始する各課税年度の所得(iii)その他の租税に関しては、この協定が効力を生ずる年の翌年の一月一日以後に開始する各課税年度の租税 - 財務省

In such event, the Agreement shall cease to have effect: (a) in the case of the Hong Kong Special Administrative Region: with respect to Hong Kong Special Administrative Region tax, for any year of assessment beginning on or after 1 April in the calendar year next following that in which the notice is given; and (b) in the case of Japan: (i) with respect to taxes withheld at source, for amounts taxable on or after 1 January in the calendar year next following that in which the notice is given; (ii) with respect to taxes on income which are not withheld at source, as regards income for any taxable year beginning on or after 1 January in the calendar year next following that in which the notice is given; and (iii) with respect to other taxes, as regards taxes for any taxable year beginning on or after 1 January in the calendar year next following that in which the notice is given. 例文帳に追加

この場合には、この協定は、次のものにつき適用されなくなる。(a)香港特別行政区については、香港特別行政区の租税に関しては、終了の通告が行われた年の翌年の四月一日以後に開始する各賦課年度分のもの(b)日本国については、(i)源泉徴収される租税に関しては、終了の通告が行われた年の翌年の一月一日以後に租税を課される額(ii)源泉徴収されない所得に対する租税に関しては、終了の通告が行われた年の翌年の一月一日以後に開始する各課税年度の所得(iii)その他の租税に関しては、終了の通告が行われた年の翌年の一月一日以後に開始する各課税年度の租税 - 財務省

Subsequently, a semiconductor region is formed using a part of the crystalline semiconductor film, a source electrode and a drain electrode touching the semiconductor region electrically are formed, and a gate interconnect line connected with the gate electrode is formed, thus forming the inverse stagger TFT.例文帳に追加

本発明は、耐熱性の高い材料でゲート電極を形成した後、非晶質半導体膜の結晶化を促進する触媒元素を有する層、非晶質半導体膜、及びドナー型元素又は希ガス元素を有する層を形成し加熱して、非晶質半導体膜を結晶化すると共に触媒元素を結晶性半導体膜から除いた後、該結晶性半導体膜の一部を用いて半導体領域を形成し、該半導体領域に電気的に接するソース電極及びドレイン電極を形成し、ゲート電極に接続するゲート配線を形成して、逆スタガ型ＴＦＴを形成する。 - 特許庁

Subsequently, a semiconductor region is formed using a part of the crystalline semiconductor film, a source electrode and a drain electrode touching the semiconductor region electrically are formed, and a gate interconnect line connected with the gate electrode is formed, thus forming the inverse stagger TFT.例文帳に追加

本発明は、耐熱性の高い材料でゲート電極を形成した後、非晶質半導体膜の結晶化を促進する触媒金属層、非晶質半導体膜、及びドナー型元素又は希ガス元素を有する層を形成し加熱して、非晶質半導体膜を結晶化すると共に触媒元素を結晶性半導体膜から除いた後、該結晶性半導体膜の一部を用いて半導体領域を形成し、該半導体領域に電気的に接するソース電極及びドレイン電極を形成し、ゲート電極に接続するゲート配線を形成して、逆スタガ型ＴＦＴを形成する。 - 特許庁

A bandpass mirror 5 transmitting light rays in a wavelength region emitted from the corresponding light source 1 and reflecting light rays in the other wavelength regions is disposed between each light source 1 and the prism sheet PS.例文帳に追加

発光波長の異なる複数の光源（１）と、両面に複数の微細なプリズム列が形成され、該プリズム列が所定の角度で交叉するプリズムシート（ＰＳ）とを備え、該プリズムシート（ＰＳ）の入射面側に、前記複数の光源（１）を所定の角度に傾けて配置して前記プリズムシート（ＰＳ）に入射された入射光をプリズムシート（ＰＳ）の出射面側より混色させた出射光として出力する光源装置（１０）であって、前記各光源（１）とプリズムシート（ＰＳ）の間に、対応する光源（１）から出射された波長領域の光線を透過し、他の波長領域の光線を反射するバンドパスミラー（５）が設けられている。 - 特許庁

The method of manufacturing the thin film transistor comprises a process of forming a silicon film by applying a dopant and a liquid material containing a silane compound or silane of higher order above a substrate, and a phototreatment process of forming a source and a drain region which consist of a doped film wherein the dopant is activated by conducting a phototreatment of part of the silicon film.例文帳に追加

本発明は、基板の上方に、ドーパントおよび、シラン化合物又は高次シランを含む液体材料を供与してシリコン膜を形成する工程と、前記シリコン膜の一部を光処理することにより、ドーパントが活性化されたドープ膜からなるソース領域及びドレイン領域を形成する光処理工程と、を備える薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor integrated circuit apparatus, a drain D, a gate G, a source S, and a back gate BG in a high-concentration diffusion region are formed in this order, and an insulating gate field effect transistor having a drain output terminal pad is included.例文帳に追加

ドレインＤ、ゲートＧ、ソースＳ及び高濃度拡散領域のバックゲートＢＧが、この順序で形成され、ドレイン出力端子ｐａｄを有する絶縁ゲート電界効果型トランジスタを含む半導体集積回路装置において、バックゲート用に形成された前記高濃度拡散領域の一部分の、ドレイン出力端子ｐａｄが設けられた位置とは反対側のみに金属配線を設ける。 - 特許庁

The brightness of the projection image display apparatus is improved by variably controlling the time ratios when light in a plurality of wavelength regions including white light is separated by using an optical characteristics switching element which separates one kind of wavelength region in light in a plurality of wavelength ranges including white light from the light from a light source unit in different periods on the time base.例文帳に追加

時間軸上の異なる期間に、白色光を含む複数種の波長帯域の光の内の１種を、光源ユニットからの光から分離する光学特性切り替え素子を用い、白色光を含む複数種の波長帯域の光の各々が分離される時間比率を可変制御することにより、明るさを向上させた投射型映像表示装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises the mask ROM formed on a semiconductor substrate 1 including at least one transistor Tp having a gate insulating film 3 having the charge accumulating function (ONO structure), a gate electrode 4a formed on the gate insulating film 3, and a source region 2 formed in the side of the gate electrode 4a in the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１の上に形成され、電荷蓄積機能（ＯＮＯ構造）を持つゲート絶縁膜３と該ゲート絶縁膜３上に形成されたゲート電極４ａと、半導体基板１におけるゲート電極４ａの側方にそれぞれ形成されたソース・領域２とを有する少なくとも１つのトランジスタＴｐを含むマスクＲＯＭ部を備えている。 - 特許庁

Thus, as compared with a pattern drawing device having only one light source, the frequency of the lights emitted to a region where one drawn pattern element is drawn on the substrate 9 can be doubled and the moving speed of the substrate 9 in the main scanning direction during drawing the pattern can be increased to improve the drawing speed of the pattern on the substrate 9.例文帳に追加

これにより、１つの光源のみを有するパターン描画装置に比べて、基板９上の１つの描画パターン要素が描画される領域に照射される光の周波数を２倍とすることができ、パターンの描画時における基板９の主走査方向の移動速度を増大させて基板９に対するパターンの描画速度を向上することができる。 - 特許庁

The electrode drying device 2 includes a first light source 22a that irradiates infrared light, a first heat insulating material 21a of a flat face state that transmits the infrared light, a first gas supply device 26 that cools the first gas and supplies the cooled gas, a second gas supply device 27 that dries the second gas and supplies the dried gas, and a first electrode conveyance region.例文帳に追加

本発明の電極乾燥装置２は、赤外光を照射する第１の光源２２ａと、赤外光を透過する平面状の第１の遮熱材２１ａと、第１ガスを冷却して冷却ガスを供給する第１ガス供給装置２６と、第２ガスを乾燥して乾燥ガスを供給する第２ガス供給装置２７と、第１の電極搬送領域と、を備える。 - 特許庁

A MOSFET as a semiconductor device includes an SiC wafer of n-type conductivity, a plurality of p bodies 21 of p-type conductivity so formed as to include a first main surface 20A of the SiC wafer, and n^+ source regions 22 of n-type conductivity each of which is formed in a region surrounded by each of the p bodies 21 when viewed planely.例文帳に追加

半導体装置であるＭＯＳＦＥＴは、導電型がｎ型であるＳｉＣウェハと、ＳｉＣウェハの第１の主表面２０Ａを含むように形成された導電型がｐ型の複数のｐボディ２１と、平面的に見て複数のｐボディ２１のそれぞれに取り囲まれる領域内に形成された導電型がｎ型のｎ^＋ソース領域２２とを備えている。 - 特許庁

A surface inspection method for a semiconductor wafer is provided, including: irradiating the surface of a semiconductor wafer as an inspection object with inspection light from a light source unit; detecting scattered light from an irradiation region irradiated with the inspection light of the wafer surface; and evaluating the presence or absence of a defect and/or a degree of the defect on the wafer surface based on the detected scattered light.例文帳に追加

検査対象である半導体ウェーハの表面に向かって光源部から検査光を照射すること、ウェーハ表面の検査光が照射された照射領域からの散乱光を検出すること、ならびに、検出された散乱光に基づきウェーハ表面の欠陥の有無および／またはその程度を評価すること、を含む半導体ウェーハの表面検査方法。 - 特許庁