意味 | 例文 (999件) |
source-regionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 4512件
A scanning optical system is so composed that a partial light shielding member 3 which shields only the luminous flux of a laser beam which passes an annular region which is separated by a predetermined distance in the radial direction from the center axis of the beam with a light shielding part 3a is arranged on the optical path of a laser beam between a laser light source 1 and a polygon mirror 6.例文帳に追加
レーザービームのうち、ビーム中心軸から径方向に所定距離だけ離れた環状領域を通る光束のみを遮光部3aによって遮光する部分遮光部材3が、レーザー光源1からポリゴンミラー6までのレーザービームの光路上に、配置されるように、走査光学系を構成する。 - 特許庁
A mask M3 for forming gates is disposed on a lower surface of the substrate and light is applied from a lower portion, a shadow generated by a light-shielding region of the mask M3 and that generated by the source and drain electrodes 120, 130 become non-exposure regions of the resist layer 191, and a gate electrode layer is formed by patterning.例文帳に追加
基板下面にゲート形成用マスクM3を配置して下方から光を照射し、マスクM3の遮光領域によって生じる影とソース電極120およびドレイン電極130によって生じる影とが、レジスト層191の非露光領域となるような背面露光を行い、パターニングしてゲート電極層を形成する。 - 特許庁
To provide a blue colored composition for a color filter capable of forming the color filter by which high luminosity and a wide color reproducing region are made possible in a color display using an organic EL light source, to provide the color filter using the same and to provide the color display including the color filter.例文帳に追加
有機EL光源を用いたカラー表示装置において、高い明度と広い色再現領域を可能にする、カラーフィルタを形成できるカラーフィルタ用青色着色組成物、およびこれを用いたカラーフィルタを提供すること、さらにはこのカラーフィルタを装備したカラー表示装置を提供すること。 - 特許庁
The semiconductor device including an LDMOSFET comprises a conductive plug extending downward from an upper surface in vicinity of an impurity doped region of a source of the LDMOSFET to vicinity of a silicon substrate through an epitaxy layer with a bottom edge staying in the epitaxy layer, and containing silicon as main composition.例文帳に追加
本願発明は、LDMOSFETを含む半導体装置であって、LDMOSFETのソース不純物ドープ領域の近傍の上面から下方に向けてエピタキシ層内をシリコン基板の近傍まで延び、前記エピタキシ層内にその下端があるシリコンを主要な成分とする導電プラグを有する。 - 特許庁
The color liquid crystal display is equipped with a color filter having red pixels, green pixels and blue pixels and using a dye as the coloring material of the blue pixels, and with a back light unit having a three-wavelength region emission fluorescent lamp as the light source.例文帳に追加
赤色画素、緑色画素および青色画素を具備し、前記青色画素の色材として染料が用いられているカラーフィルタと、三波長域発光型蛍光ランプを光源とするバックライトユニットの光強度の波長に対する分布I(入)が以下の条件を満たすバックライトユニットとを具備するカラー液晶ディスプレー。 - 特許庁
The high voltage element includes drift regions formed inside a substrate, an element separation film formed inside the substrate to be deeper than the drift region, a gate electrode formed over the substrate and source and drain regions formed inside the drift regions on both sides of the gate electrode.例文帳に追加
本発明の高電圧素子は、基板内に形成されたドリフト領域と、前記基板内に前記ドリフト領域よりも深く形成された素子分離膜と、前記基板の上に形成されたゲート電極と、該ゲート電極の両側の前記ドリフト領域内に形成されたソース領域及びドレイン領域とを備える。 - 特許庁
In the semiconductor device having an MOS type transistor structure and using the capacity between a gate electrode 13 and source-drain (diffusion layer 14) as a varicap, an impurity layer is formed in a channel region 15 beneath the gate electrode 13 to have a concentration gradient.例文帳に追加
本発明の半導体装置は、MOS型トランジスタ構造で、ゲート電極13とソース・ドレイン(拡散層14)間の容量をバリキャップとして用いるものにおいて、前記ゲート電極13下のチャネル領域15に形成された不純物層が濃度勾配を有するように形成されていることを特徴とするものである。 - 特許庁
This fluorescent color developing display system is provided with the displaying body having a fluorescent color developing layer, which contains a fluorescent material and develops fluorescent color with illumination light, on the surface and a light source for illuminating the displaying body by emitting the light containing the light having the wavelength region to excite the fluorescent material.例文帳に追加
蛍光材料を含み、照明光に対して蛍光色に発色可能な蛍光発色層と、前記蛍光発色層を表面に備えてなる表示体と、前記蛍光材料の励起波長帯域を含む光を発光して前記表示体を照明する光源とを備えた蛍光発色表示システムである。 - 特許庁
A work 3 is machined by irradiating the region to be machined on the surface 3a in the work 3 with a laser beam 1 from the oblique direction thereof so as to be rotated based on the central axis of the lens 2 while the laser beam 1 emitted from a light source 6 is condensed with a lens 2.例文帳に追加
光源6から射出されるレーザビーム1をレンズ2で集光しつつ、レーザビーム1を、被加工物3の表面3a上の被加工領域に対して、その斜め方向から、且つレンズ2の中心軸を基準に回転させるようにして照射して被加工物3を加工することを特徴とする。 - 特許庁
The optical fiber lighting device includes a plurality of optical fibers that have an arbitrary design region on their sides; and a light source provided on the end portion of the optical fibers, wherein the plurality of optical fibers are bonded by a fixing portion which is made by solidifying fusion-deformed optical fibers.例文帳に追加
任意のデザイン領域を側面に有する複数本の光ファイバと、前記光ファイバの端部に設けられた光源とを備える光ファイバ照明装置であって、前記複数本の光ファイバは、溶融変形した光ファイバが固化した固定部で接合されていることを特徴とする光ファイバ照明装置。 - 特許庁
To improve light extracting efficiency in case that a region for disturbing reflection and a reflecting angle of light and a light-transmitting substrate are arranged by laminating on a light-transmitting electrode of an organic electroluminescent element in order by setting a dimension between a light-emitting source and the surface of a light reflective electrode in a wide range.例文帳に追加
有機エレクトロルミネッセンス素子の光透過性電極に、光の反射・屈折角を乱れさせる領域、光透過性の基板が順次積層して設けられる場合の光取り出し効率を、発光源と光反射性電極の表面との間の寸法を広い範囲のなかで設定することで、向上する。 - 特許庁
To increase effective illumination region while efficiently transferring light of an LED light source 21a to a light guide plate 23 and to downsize the whole device in an illumination device 20 having a plurality of LED light sources 21a arranged linearly and having the light guide plate 23, and a liquid crystal display device 1 provided with it.例文帳に追加
線状に配列された複数のLED光源21aと、導光板23とを有する照明装置20及びそれを備える液晶表示装置1について、LED光源21aの光を効率よく導光板23へ伝えながら、有効照明領域を増大させると共に、装置全体の小型化を図る。 - 特許庁
By means of a tape material as a source material whose first and second copper layers 22A, 22B are disposed on both surfaces of a polyimide resin film 1, a wiring pattern 2 on a predetermined region of which the semiconductor device is mounted is formed by sequentially exposing, developing and etching the first copper layer after a masking tape 23 is bonded to the second copper layer 22B.例文帳に追加
ポリイミド樹脂フィルム1の両面に第1,第2の銅層22A,22Bが設けられたテープ材料を出発材料とし、第2の銅層22Aにマスキングテープ23を貼り付けた後、第1の銅層に露光、現像及びエッチングを順次施して、所定領域に半導体装置が実装される配線パターン2を形成する。 - 特許庁
Further, the display device is provided with independent two systems of an electric source circuit and a driving signal generating circuit and thereby, even when a failure occurs in one side circuit system, a driving circuit system corresponding to the other side circuit system is driven and the image information displayed in the display region 1 can be continuously displayed.例文帳に追加
更に、独立した2系統の電源回路及び駆動信号発生回路を備えたことで、一方の回路系に故障が発生した場合でも他方の回路系により対応する駆動回路系を駆動させ表示領域1に表示されている画像情報を表示し続けることができる。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of suppressing the number of increasing manufacturing processes and manufacturing cost, and capable of reducing the power consumption of the device and enhancing an yield of the device even if an SiGe epitaxial growth film is formed in a source-drain region of a P-type FET.例文帳に追加
本発明は、たとえP型FETのソース・ドレイン領域にSiGeエピ成長膜を形成したとしても、製造工程の増加の抑制および製造コストの増加の抑制を図ることができ、デバイスの低消費電力化およびデバイスの歩留り向上を図ることができる、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
A certification circuit 24 receives a certification ID from the outside of this light source unit 10 through a certification ID signal line 42, executes certification with a certification ID read from a storage region, controls a switch 22 to keep a sensor output line 38 in a cutoff state when both the identification IDs do not coincide with each other.例文帳に追加
認証回路24が、光源ユニット10の外部から認証ID信号線42を介して認証IDを受信し、記憶領域から読み出した認証IDとの認証を行い、両者が一致いない場合には、スイッチ22を制御し、センサ出力線38を遮断状態のままとする。 - 特許庁
In an n-channel type MOSFET 1, the front edge of a depletion layer does not reach up to a low-concentration drain diffusion region 5 when potential is applied among gate electrodes 15, and source electrodes 9 and a drain electrode 5 and a semiconductor substrate 1a and the depletion layer is expanded from the junction surfaces of the semiconductor substrate 1a and a well 3.例文帳に追加
nチャネル型MOSFET1において、ゲート電極15、ソース電極9およびドレイン電極5と、半導体基板1aとの間に電位を印加して、半導体基板1aとウェル3との接合面から空乏層を拡張させたとき、この空乏層の先端縁が、低濃度ドレイン拡散領域4にまで到達しない。 - 特許庁
To provide an electrophotographic photoreceptor having high sensitivity to laser light which emits visible rays and having excellent durability without causing fatigue or deterioration by light, and to provide an electrophotographic device which uses the photoreceptor and laser light in the visible ray region as the exposure light source, which has high sensitivity and high resolution and which can give stable picture quality.例文帳に追加
可視光を出力するレーザ光に高い感度を有し、光によって疲労劣化しない耐久性に優れた電子写真感光体、および該感光体を用いて可視光領域のレーザ光を露光光源とし、高感度かつ高解像力を有する、安定した画質が得られる電子写真装置を提供する。 - 特許庁
In this method of manufacturing a boron-containing pure titanium material, a titanium material is made by adding a boron source to sponge titanium or pure titanium scrap, the titanium material is smelted as an ingot in a vacuum arc melting furnace or an electron beam melting furnace, and the ingot is directly subjected to hot rolling in an α-phase region without subjecting the ingot to hot forging.例文帳に追加
スポンジチタンまたは純チタンスクラップにホウ素源を添加してチタン原料とし、チタン原料を真空アーク溶解炉または電子ビーム溶解炉にてインゴットとして溶製し、インゴットを熱間鍛造することなく、α相領域で直接熱間圧延するホウ素含有純チタン材の製造方法。 - 特許庁
The outermost peripheral gate wiring 10 of a power MOSFET is formed parallel to one end side 5 of a silicon substrate 3, while a P layer 4 of the power MOSFET, an N^+ source layer 6, a channel region 15 and a gate electrode 8 are formed oblique to the end side 5 of the silicon substrate 3.例文帳に追加
パワーMOSFETの最外周のゲート配線10は、シリコン基板3の一端辺5に対して平行に形成され、前記パワーMOSFETのP層4、N+ソース層6、チャネル領域15、及びゲート電極8は、シリコン基板3の一端辺5に対して斜め方向に傾斜して形成されている。 - 特許庁
In the light-scattering-type particle detector for detecting particles contained in a sample fluid, forming a channel 2 through the use of a semiconductor laser 4 as a light source, a laser light La irradiated from the semiconductor laser 4 is condensed to the channel 2 by a concave mirror 5, to form a particle detecting region 8.例文帳に追加
光源として半導体レーザ4を用い、流路2を形成する試料流体中に含まれる粒子を検出する光散乱式粒子検出器において、半導体レーザ4から放射されるレーザ光Laを凹面鏡5により流路2に集光させて粒子検出領域8を形成する。 - 特許庁
The spotlight is generated by regulating light emitted from a light source by a shade with an opening provided thereon partially, and is applied to a region 32 including regions 30, 31, and 32 containing the left end, center section, and right end, respectively, of a horizontal transfer CCD 12.例文帳に追加
このスポット光は、光源から発せられた光を、部分的に開口が設けられた遮光板によって規制することにより生成し、水平転送CCD12の左端を含む領域30、水平転送CCD12の中央部を含む領域31、および水平転送CCD12の右端を含む領域32に照射する。 - 特許庁
After the formation of a gate electrode 14 and oxide film sidewalls 15, amorphous silicon layers 19a and 19b are respectively formed on the surfaces of the gate electrode 14 and a source drain region by implanting arsenic ions into the entire surface for making silicon into amorphous form at an energy of 40 keV and a dose of 3×1014 atoms/cm2.例文帳に追加
ゲート電極14、酸化膜サイドウォール15を形成後、ウエハ全面にアモルファス化のために、ヒ素をエネルギー40KeV、ドーズ量3×10^14atoms/cm^2で注入し、ゲート電極14の表面にアモルファスシリコン層19a、ソース・ドレイン領域の表面にアモルファスシリコン層19bを形成する。 - 特許庁
By a sequencer 10, a gradient magnetic field power source 7, a transmitter 9T and a receiver 9R respectively acquire first data in which the tissue of interest is a higher signal than a background and second data in which the tissue of interest is the higher signal than the background regarding the images for the same region of the same subject respectively.例文帳に追加
シーケンサ10が、傾斜磁場電源7、送信器9Tおよび受信器9Rは、それぞれ同一の被検体の同一の領域についての画像に関し、関心組織が背景よりも高信号である第1のデータと関心組織が背景よりも高信号である第2のデータとをそれぞれ取得する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a liquid crystal display device, with which a microlens array of uniform thickness efficiently condensing light from a backlight light source to a transmission region is formed on the rear surface of a liquid crystal panel, and further strength of the liquid crystal panel subsequent to the microlens array formation is increased, so as to make handling thereof easy.例文帳に追加
バックライト光源の光を透過領域に効率よく集光できる均一な厚さのマイクロレンズアレイを液晶パネル裏面に形成することができ、かつ、マイクロレンズアレイ形成後の液晶パネル強度を高めて取り扱いを容易にすることができる液晶表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
When the residual amount of the battery 600 is sufficient, an actuator control part 120 drives a movable mirror 43 so as to be a normal swing angle, and a video signal processing part 130 drives a light source part 41 so that each laser light of prescribed gradation is radiated for a normal irradiation time t1 in one pixel region.例文帳に追加
バッテリー600の残量が十分にある場合、アクチュエータ制御部120は、通常振り角となるように可動ミラー43を駆動させ、映像信号処理部130は、1画素領域において、所定階調の各レーザ光が通常照射時間t1だけ照射されるように光源部41を駆動させる。 - 特許庁
By arranging the third light source unit 70 at a most downstream position of a conveying route in a drying region, even when unevenness arises on the surface of the water-based varnish layer due to the blowing of heated gas by the second dryer, the drying is further performed by the radiation heat at the downstream side so that the unevenness is eliminated.例文帳に追加
そして、第3光源ユニット70を乾燥領域における搬送経路の最下流位置に配置することで、第2乾燥手段での加熱気体の吹き付けによって水性ニス層の表面にむらが生じても、その下流側で、さらに輻射熱により乾燥が行われるので、むらを解消することができる。 - 特許庁
By converting the light efficiently converted to the parallel light to flat oblong luminous flux by the respective lens parts 16b of the fly eye lenses 16, much of the light from the light source part 20 can be made to directly reach to the distance of the hollow region 35 without reflecting it on a reflecting sheet 30 or the like.例文帳に追加
そして、効率よく平行光に変換された光をフライアイレンズ16の各レンズ部16bによって扁平な矩形の光束に変換することにより、光源部20からの出射光の多くを、反射シート30等で反射させることなく直接的に中空領域35の遠方まで到達させることができる。 - 特許庁
In a semiconductor device having a multilayer wiring structure composed of a plurality of wiring layers and pad regions 13 disposed around an inner region 11 on the surface central part, various elements such as inter- power-source capacitances 19, protective elements 31 and input/output elements forming I/O regions 12 are formed below the pad regions 13.例文帳に追加
複数の配線層からなる多層配線構造を有し、表面中央部の内部領域11の周囲にパッド領域13が配置された半導体装置において、パッド領域13の下方に、電源間容量19や保護素子31やI/O領域12を形成する入出力素子等の各種素子を形成した。 - 特許庁
To provide a weathering light testing method for precisely controlling the temperature in a test tank and uniformizing the radiation luminous intensity from a light source over a wide humidity region to enable energy saving operation in a weathering light testing machine for irradiating the sample with predetermined light under a predetermined temperature and humidity condition.例文帳に追加
所定の温度及び湿度のもとで所定の光を試料に照射する耐候光試験機において、試験槽内の温度を精度良く制御すると共に、広範な湿度域において、光源からの放射照度を均一にして、省エネルギーで運転可能な耐候光試験方法及び耐候光試験機を提供する。 - 特許庁
This carbon dioxide treatment device includes: a carbon dioxide cylinder 1 as a carbon dioxide source; a bag 3 as a space forming member forming a space surrounding a region to be treated; and a tube 5 as a passage forming member forming a passage for feeding carbon dioxide from the carbon dioxide cylinder 1 to the inside of the bag 3.例文帳に追加
二酸化炭素治療装置は、二酸化炭素源である二酸化炭素ボンベ1と、治療対象箇所を囲む空間を形成可能な空間形成部材である袋3と、二酸化炭素ボンベ1から袋3の内部へ二酸化炭素を送る流路を形成する流路形成部材であるチューブ5とを備えている。 - 特許庁
A resistless ion implantation method is provided, wherein the ions emitted from an ion source are passed through a mask that has an aperture having substantially analogous form to a required ion implanting region for forming a molded ion beam; and this ion beam is radiated to the required regions of a wafer that have not been subjected to application of resist for implanting the ions to the wafer; and by using this wafer, ions is implanted.例文帳に追加
イオン源から放出したイオンを所望のイオン注入領域と略相似形の開口を有するマスクに通過させて成形イオンビームを形成し、該イオンビームをレジストが塗布されてないウエハの所望の領域に照射し、該ウエハにでイオン注入するレジストレスイオン注入方法。 - 特許庁
In the chip region TAR, there are formed a trimmed circuit 11, a fuse element Fm(m=1 to 2M), and a constant current source IPm(m=1 to 2M) and an invertor INm(m=1 to 2M) which play a role of a detection circuit for detecting whether or not the fuse element Fm(m=1 to 2M) is disconnected.例文帳に追加
チップ領域TARには、トリミング対象回路11と、ヒューズ素子Fm(m=1〜2M)と、ヒューズ素子Fm(m=1〜2M)が断線状態であるか否かを検出する検出回路としての役割を果たす定電流源IPm(m=1〜2M)及びインバータINm(m=1〜2M)とが形成されている。 - 特許庁
Based on the results obtained by driving the light source of the reader by a plurality of different driving electric currents and by detecting the amounts of reflected light on respective electric current values respectively in a test pattern for calibration printed on a medium and the blank region of the medium, a correction factor for correcting the detection by the reader is obtained.例文帳に追加
メディアにプリントされたキャリブレーション用のテストパターンとメディアのブランク領域のそれぞれにおいて、読取器の光源を複数の異なる駆動電流により駆動して電流値毎に反射光量を検出した結果に基づいて、前記読取器による検出を補正するための補正係数を求める。 - 特許庁
The maximum value and an integrated value of luminance signals in drive positions of the focus adjustment means 3 is used, the signals being obtained from the image signal generated by the imaging element, to determine whether there is a point light source objet in a region of the imaging element for obtaining an image signal in order to detect the focal position.例文帳に追加
撮像素子によって生成された画像信号から得られる、焦点調整手段3の複数の駆動位置における輝度信号の最大値と積算値を用いて、合焦位置を検出するための画像信号を取得する撮像素子の領域内部に点光源被写体が存在するか否かの判定が行われる。 - 特許庁
To each of the pixel region A, a first and a second organic EL elements B1, B2 connected to the same electric source line 133 via a common TFT 124 and a common pixel electrode 111 are formed, and by these organic EL elements B1, B2, a first and a second sub-pixels A1, A2 are formed.例文帳に追加
画素領域Aの各々に、共通のTFT124、および共通の画素電極111を介して同一の電源線133に接続する第1および第2の有機EL素子B1、B2が形成されており、これらの有機EL素子B1、B2によって、第1および第2のサブ画素A1、A2が形成されている。 - 特許庁
A polysilicon film is formed on the entire surface, and then is patterned with a resist film as a mask, to form a common contact section 11A stretched over the adjacent first gate electrodes 4 in a source and drain formation region, and a second gate electrode 11B on the second gate oxide film 9.例文帳に追加
全面に形成したポリシリコン膜をレジスト膜をマスクにパターニングして、前記絶縁膜を介して隣り合う第1のゲート電極4に跨り、かつソース・ドレイン形成領域上にコンタクトする共通コンタクト部11Aを形成すると共に、前記第2のゲート酸化膜9上に第2のゲート電極11Bを形成する。 - 特許庁
In the semiconductor device, a plurality of projected silicon regions 14a to 14d are formed in the width direction of a channel formed between source and drain regions on a semiconductor substrate 11, and a gate insulating film 16 and a gate electrode 17 are disposed on a protrusion of the silicon region facing the channel.例文帳に追加
半導体基板11上に形成されたソース、ドレイン領域間に形成されたチャネル部の幅方向に複数の突起状のシリコン領域14a〜14dを形成し、このシリコン領域の突起上に前記チャネル部に対向させてゲート絶縁膜16およびゲート電極17を配置した半導体装置。 - 特許庁
The thin film transistor 100 includes a substrate 11, a gate electrode 112, a gate insulating film 113, a semiconductor layer (channel region) 114 formed of the microcrystal silicon, first ohmic contact layers 116 and 117, second ohmic contact layers 118 and 119, a drain electrode 120, and a source electrode 121.例文帳に追加
薄膜トランジスタ100は、基板11と、ゲート電極112と、ゲート絶縁膜113と、微結晶シリコンから形成された半導体層(チャンネル領域)114と、第1のオーミックコンタクト層116,117と、第2のオーミックコンタクト層118,119と、ドレイン電極120と、ソース電極121と、を備える。 - 特許庁
Even when the environment temperature to which the TMR element is exposed becomes higher during the actual use, namely even when the power source is continuously supplied to the TMR element in the high-temperature environment, pin-holes tend to be prevented from easily increasing excessively in the major region (tunnel-insulating layer), making contribution to operating lifetime of the TMR element.例文帳に追加
TMR素子が晒される環境が一般に実使用時において高温化し、すなわち高温環境中においてTMR素子が連続通電された場合においても、そのTMR素子のうちの寿命に寄与する主要部(トンネル絶縁層)においてピンホールが過度に増加しにくくなる。 - 特許庁
Using ion implantation N for forming the source/drain of an N channel field effect transistor, an over impurity introduction layer 10 is formed in a polysilicon gate 5 and N type impurities contained in the over impurity introduction layer 10 are diffused in the direction of an active region 7 in the polysilicon gate 5.例文帳に追加
Nチャネル電界効果型トランジスタのソース/ドレインを形成するためのイオン注入Nを用いて、多結晶シリコンゲート5にオーバー不純物導入層10を形成し、オーバー不純物導入層10に含まれるN型不純物を多結晶シリコンゲート5内でアクティブ領域7の方向に拡散させる。 - 特許庁
After a resist mask 7 having a hole part 128 in an upper part of a projection part 23 of an island-like Si thin film layer 33 which turns into a source/drain and a channel region, is formed on a polycrystalline Si film 6, implantation of Si ions 10 is carried out and the bonding of atoms of an SiON film constituting a gate insulation film 5 is weakeded.例文帳に追加
ソースドレインおよびチャネル領域となる島状Si薄膜層33の突出部23の上部に開孔部128を有するレジストマスク7を多結晶Si膜6上に形成した後、Siイオン10注入を行い、ゲート絶縁膜5を構成するSiON膜の原子同士の結合を弱める。 - 特許庁
The light guide includes a light-incident part opposed to the front face of the light source, and a guided light emitting part having a tip part curved and extended outside from the light-incident part and extended along the rear-face side translucent region for guiding light incident into the incident part and radiating it from the tip part.例文帳に追加
導光体は、光源の前面に対向した入光部と、入光部から外側に湾曲して延出しているとともに背面側透光領域に沿って延在する先端部を有し、入光部に入射した光を導光し前記先端部から放出する導光放出部と、を備えている。 - 特許庁
The source 10 has a plurality of implanting electrodes 8a arranged in a stripe state, a plurality of surface electrodes 7 arranged in a stripe state in a direction perpendicular to the electrodes 8a, and a drift part provided between the electrodes 8a and the electrodes 7 and having a porous region.例文帳に追加
電子源10は、ストライプ状に配列された複数本の注入電極8aと、注入電極8aに直交する方向のストライプ状に配列された複数本の表面電極7と、注入電極8aと表面電極7との間に設けられ多孔質化された領域を有するドリフト部とを有する。 - 特許庁
To provide a surface light source device with a simple structure and easy to manufacture which improves its frontal brightness utilizing scattered light generated from a rough surface or the like with high brightness and high directivity and prevents dark lines from appearing in a light-emitting surface region in the vicinity of a light entering edge of a light guide body.例文帳に追加
粗面等から発生する高輝度な指向性の高い散乱光を利用して正面輝度の向上を図りながら、導光体の入光端部近傍における光出射面領域に出現する暗線を防止する構造簡素で生産の容易な面光源装置を提供すること。 - 特許庁
An information distribution device 300 receives image data representing a document and address data indicative of the transmission source of the data transmitted from a PC 100, and then recognizes a symbol in an image represented by the image data and a word located in the region of the symbol, and stores the recognized word and address data by associating the word with the address data.例文帳に追加
この情報配信装置300は、PC100から送信された、文書を表す画像データと、このデータの送信元を示すアドレスデータを受信すると、画像データが表す画像中の記号と、この記号の領域にある単語とを認識し、認識した単語とアドレスデータとを対応付けて記憶する。 - 特許庁
A lighting controller 18 in the control unit 12 detects intensity change in a region where an intensity change detector 17 in the control unit 12 is contiguous to other lighting fixture 10, and sets the lighting state of the light source 11 in a first lighting state when a human body detector 16 in the control unit 12 does not detects existence of a person.例文帳に追加
制御部12の照明制御部18は、制御部12の輝度変化検知部17が他の照明器具10と隣接する領域における輝度変化を検知し、且つ、制御部12の人体検知部16が人の存在を検知しない場合には、光源11の点灯状態を第一点灯状態に設定する。 - 特許庁
On the other hand, positive law is a legislation created by aritificial existence such as a legislative organ which does not adopt metaphysical generality as a source of law and has a nature to understand the law to be effective only in a certain region and era and, in other words, it means accumulated court cases, customary law and statutes. 例文帳に追加
他方実定法とは立法機関のような人為的な存在によって作り出されてきた法律で、形而上的な普遍性を法源として採用せず、法とは一定の地域・時代の中でのみ有効であることを自覚する性質を持つもので、具体的には蓄積されてきた判例や慣習法、制定法を指す。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
For the logic part of a logic-DRAM mixed LSI, a plurality of contact holes 11a-11c, which reach the n+-type semiconductor layer constituting a source, and a plurality of contact holes 11d-11f, which reach the n+-type semiconductor region constituting a drain, are opened in the insulating layer made on the gate electrode 5 of a MISFET.例文帳に追加
ロジック−DRAM混載LSIのロジック部は、MISFETのゲート電極5の上層に形成された絶縁層に、ソースを構成するn^+型半導体領域に達する複数のコンタクトホール11a〜11cと、ドレインを構成するn^+型半導体領域に達する複数のコンタクトホール11d〜11fとが開孔される。 - 特許庁
To provide tellurite glass which is material glass for an optical fiber or optical waveguide, a light amplification medium which can operate even in a wavelength region particularly from 1.5 to 1.7 μm and has wide band by using the tellurite glass, and a light amplifier and light source which use the light amplification medium and have wide band and low noise characteristics.例文帳に追加
光ファイバまたは光導波路用の材料ガラスであるテルライトガラス、該テルライトガラスを用い、特に1.5μmから1.7μmの波長域でも動作可能な広帯域の光増幅媒体、該光増幅媒体を用いた広帯域かつ低雑音特性を有する光増幅器および光源を提供。 - 特許庁
意味 | 例文 (999件) |
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