「substrate concentration」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for depositing a tungsten film in which resistivity is reduced, the concentration of fluorine in the boundary part of a substrate with a barrier layer is reduced, and adhesion with the barrier layer can be improved.例文帳に追加

抵抗率を小さくし、下地のバリヤ層との境界部分のフッ素濃度を低減し、バリヤ層との密着性を向上させることができるタングステン膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate for mounting a semiconductor chip and method and apparatus for manufacturing the same in which the chip is prevented from sinking by relaxing concentration of stress at the root of a joint.例文帳に追加

接合部の付け根での応力集中を緩和し、チップが沈み込むことのない半導体チップ実装基板及びその製造方法並びにその製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a self-supported group III-V nitride-based semiconductor substrate having a surface layer with a sufficient thickness, while the surface layer having a low dislocation density and a small variations in carrier concentration.例文帳に追加

低転位密度であるとともに、キャリア濃度のばらつきが小さい表面層を十分な厚さで有するIII−V族窒化物系半導体の自立基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a TFT substrate that individually controls the impurity concentration of channel of an N-type or a P-type TFT without increasing the number of masks, and can form channel length stably.例文帳に追加

マスク数を増加することなく、N型及びP型TFTのチャネルの不純物濃度を個別に制御でき、またチャネル長を安定して形成できるTFT基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The concentration of the colloidal silica is about 5 to 30% for carrying out CMP polishing on the surface of the polycrystalline silicon substrate for 5 minutes to one hour to obtain desired thickness and surface smoothness.例文帳に追加

また、コロイダルシリカの濃度としては５〜３０％程度とし、多結晶シリコン基板表面を５分〜１時間程度ＣＭＰ研磨して、所望の厚さ及び表面平滑度とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device for forming a metal film which is dense and has low impurity concentration caused by a raw material and further has low resistivity, and to provide a substrate treatment apparatus.例文帳に追加

緻密で原料起因の不純物濃度が低く抵抗率の低い金属膜を形成する半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供することである。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer capable of suppressing high-concentration impurities included in a silicon substrate from being diffused on an epitaxial layer in a heat treatment process for forming a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイス形成時の熱処理プロセスにおいて、シリコン基板に含まれる高濃度の不純物がエピタキシャル層に拡散するのを抑制することができるエピタキシャルウェーハを提供する。 - 特許庁

Then the nitride semiconductor crystal 10 having the above layers is sliced at the nitride semiconductor layer 1 of low impurity concentration as a cutting position to obtain a nitride semiconductor self-support substrate.例文帳に追加

この後、積層形成された前記窒化物半導体結晶１０を、前記不純物濃度の低い窒化物半導体層１を切断位置にしてスライスする窒化物半導体自立基板。 - 特許庁

To improve impurity concentration distribution of an element isolation region formed at a deep position of a semiconductor substrate or a photoelectric conversion element, by using a commercially available ion implantation device.例文帳に追加

一般的に市販されているイオン注入装置を用いて、半導体基板の深い位置に形成される素子分離領域または光電変換素子の不純物濃度分布を改善する。 - 特許庁

To alleviate a concentration of stress applied on a substrate from a lead connecting electrode of a solar cell effectively, and to reduce the generation of cell cracks by preventing local excessive deformation.例文帳に追加

太陽電池セルのリード接合電極から基板にかかる応力の集中を効果的に緩和し、局所的な過大変形を防止することでセル割れの発生を削減すること。 - 特許庁

In the buffer layer 2, the concentration of the dopant is reduced linearly from C1 to C2 toward the interface with the silicon carbide drift layer 3 from the interface with the silicon carbide substrate 1.例文帳に追加

バッファ層２は、炭化珪素基板１との界面から炭化珪素ドリフト層３との界面に向かって、ドーピング濃度が前記Ｃ１から前記Ｃ２まで線形に減少するように構成した。 - 特許庁

A region between a Pwell PW1 and a Pwell PW2 is the region having the same composition as a P type semiconductor substrate, having lower impurity concentration than a Pwell.例文帳に追加

そして、ＰウェルＰＷ１と、基板電位固定用ＰウェルＰＷ２の間の領域は、Ｐ型半導体基板と同じ組成の領域とし、Ｐウェルよりも不純物濃度を低くくしている。 - 特許庁

To separately control diffusion depth and diffusion concentration of each diffusion layer when a diffusion material is diffused (doped) on a substrate by laser light, and to improve manufacturing efficiency.例文帳に追加

レーザ光によって拡散材料を基板に拡散（ドーピング）させる際に、各拡散層の拡散深さおよび拡散濃度を個別に制御するとともに、製造効率を向上させる。 - 特許庁

To provide an imprint apparatus capable of quickly filling gas in a gap between a substrate and a mold in high concentration at the time of imprint processing, while suppressing the gas leak to an optical path of an interferometer.例文帳に追加

干渉計の光路へのガス漏れを抑制しつつ、インプリント処理時に基板とモールドとの隙間にガスを迅速に高い濃度に充填させるインプリント装置を提供する。 - 特許庁

To provide a capacity-coupling type plasma treatment device for sputtering film deposition in which ion flux is uniformly deposited on a surface of a substrate at high concentration, but not re-deposited on a target.例文帳に追加

基板表面で均一・高濃度のイオンフラックスを形成し、またターゲットへの再堆積を生じる事のない、スパッタ成膜用の容量結合型プラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

A solvent of a high boiling point is used as the polymer solution 20, and the concentration of the polymer material is adjusted so as to level the polymer solution film 70 on the target substrate 60.例文帳に追加

ここで、ターゲット基板６０上で高分子液膜７０がレベリングを生じるように、高分子液２０には高沸点溶媒が用いられ、高分子材料の濃度が調整されている。 - 特許庁

The front glass substrate 3 having a silver electrode formed thereon is stored in an atmosphere in which the concentration of sulfur compounds is lower than in the air during the process up to formation of a dielectric layer 9.例文帳に追加

銀電極が形成された前面ガラス基板３を、誘電体層９が形成されるまでの工程の間、大気より硫黄化合物濃度が少ない雰囲気で保管する。 - 特許庁

An n-type gallium nitride system semiconductor drift layer 15 is provided on the first surface 13a of the substrate 13, and has a carrier concentration N_15 of 1×10^17 cm^-3 or smaller.例文帳に追加

ｎ型窒化ガリウム系半導体ドリフト層１５は、基板１３の第１の面１３ａ上に設けられており、また１×１０^１７ｃｍ^−３以下のキャリア濃度Ｎ_１５を有する。 - 特許庁

When the inside of the chamber is replaced with nitrogen gas and it turns to low-oxygen concentration atmosphere, the substrate retained in the position of retention is shifted to the heating position, and it is heated with a heating plate (84).例文帳に追加

チャンバ内が窒素ガスで置換されて低酸素濃度雰囲気になると、保持位置で保持される基板を加熱位置にまで移動させて、加熱プレートによって加熱する（Ｓ４）。 - 特許庁

To suppress a junction leakage and a contact leakage due to a misalignment while restraining the short channel effect, by reducing the dopant concentration of a substrate in a surface channel type PMOSFET.例文帳に追加

表面チャネル型のＰＭＯＳＦＥＴにおいて、基板不純物濃度を低減して、短チャネル効果を抑制しながら、接合リークや合わせずれに対するコンタクトリークを抑制すること。 - 特許庁

To execute uniform plasma processing, without damage to a substrate to be processed by controlling the uniformity of a plasma electron concentration, while suppressing the rise in plasma electron temperature, even under a low-pressure atmosphere.例文帳に追加

低圧雰囲気においても，プラズマの電子温度の上昇を抑えつつ，プラズマ電子密度の均一性を制御し，被処理基板へのダメージのない，均一なプラズマ処理を行う。 - 特許庁

To provide a capacitive coupling type plasma treatment apparatus for sputtering film deposition, wherein an ion flux with a uniform high concentration is formed on the surface of a substrate, without causing re-deposition to a target.例文帳に追加

基板表面で均一・高濃度のイオンフラックスを形成し、またターゲットへの再堆積を生じる事のない、スパッタ成膜用の容量結合型プラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a trench-type power element of Sic, having dielectric breakdown due to electric field concentration at a corner part of an electrode and having defects of the semiconductor substrate suppressed, with high manufacturing yield.例文帳に追加

電極のコーナー部における電界集中及び半導体基板の欠陥による絶縁破壊が抑制されたSiC等のトレンチ型パワー素子を製造歩留まり良く提供すること。 - 特許庁

The ozone concentration of the supersaturated ozone water is the same as that of the ozone water supplied from the nozzle 20, but the temperature of the supersaturated ozone water becomes higher, because the water is heated by the substrate W.例文帳に追加

この過飽和オゾン水のオゾン濃度は、吐出ノズル２０から供給されるオゾン水と同じ高濃度であり、しかもその温度は基板Ｗにより加熱されて高温となっている。 - 特許庁

Consequently, the high-temperature ozone water containing ozone at a high concentration comes into contact with and quickly decomposes the organic matters adhering to the substrate W.例文帳に追加

すなわち、オゾン濃度が高く、かつ温度の高いオゾン水が基板Ｗに付着した有機物に接触することとなるため、基板Ｗに付着した有機物を迅速に分解することができる。 - 特許庁

An amorphous dielectric film 102 containing hydrogen atoms of a prescribed concentration is formed on a transparent substrate 101, to manufacture the halftone type phase shift mask blank 11.例文帳に追加

透明基板１０１上に、所定の濃度の水素原子を含有するアモルファス誘電体膜１０２を形成することによってハーフトーン型位相シフトマスクブランクス１１を製造する。 - 特許庁

A substrate after developing an exposure pattern is rinsed by supplying a rinsing liquid containing a polyethylene glycol-based or acetylene glycol-based surfactant in a critical micelle concentration or lower.例文帳に追加

露光パターンを現像処理した後の基板に、臨界ミセル濃度以下のポリエチレングリコール系またはアセチレングリコール系の界面活性剤を含有するリンス液を供給してリンス処理する。 - 特許庁

To prevent the reduction of concentration on the surface of a silicon substrate or the surface of a polysilicon electrode due to the external diffusion of impurity, even when simultaneously executing plasma doping and activating annealing.例文帳に追加

プラズマドーピングと活性化アニールを同時に実施する場合にも、不純物の外方拡散によるシリコン基板表面、またはポリシリコン電極表面の濃度低下を防止する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element capable of realizing a satisfactory low resistive contact with a substrate whose impurity concentration is relatively low, and to provide a simple and highly reliable method for manufacturing the semiconductor element.例文帳に追加

比較的不純物濃度の低い基板との間に良好な低抵抗性接触を実現可能な半導体素子、および、その簡便かつ信頼性の高い製造方法を提供する。 - 特許庁

To suppress the concentration of thermal stress on a member for holding a treated object when performing heating in the treatment of a substrate in a semiconductor manufacturing device which performs film deposition.例文帳に追加

成膜を行なう半導体製造装置において、基板の処理における加熱を行なう際の、処理対象物を保持する部材における熱応力の集中を抑制する。 - 特許庁

An N-type high-concentration diffusion layer 2 is selectively formed on a P-type silicon substrate 1, and a silicon oxide film is formed as a first interlayer insulating film 3 on the surface on the diffusion layer 2.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１上には選択的にｎ型高濃度拡散層２が形成され、その表面には第１層間絶縁膜３としてシリコン酸化膜が配置されている。 - 特許庁

When an n-type or a p-type impurity diffusion layer 52 is formed on a surface of a monocrystalline silicon substrate 51, the impurity concentration in the impurity diffusion layer 52 is appropriately determined.例文帳に追加

単結晶シリコン基板５１の表面上にＮ型またはＰ型の不純物拡散層５２を形成する際に、不純物拡散層５２中の不純物濃度を適宜設定する。 - 特許庁

Consequently, the maximum oxygen concentration in the portion of the silicon layer 10 of at least 10 nm in thickness from the interface with the substrate 4 becomes ≤3×1018 atoms/cm3.例文帳に追加

エピタキシャル成長された単結晶シリコン層１０の基板４との界面から少なくとも厚さ１０ｎｍの部分の最大酸素濃度は３×１０^18原子／ｃｍ^3 以下となる。 - 特許庁

Heat is dispersed by dispersing and arranging a solder bump provided to the semiconductor chip 21 and a semiconductor package substrate like a ring, thus avoiding local concentration of heat.例文帳に追加

さらに、半導体チップ２１および半導体パッケージ基板に設けられるはんだバンプをリング状に分散配列することにより熱分散させ、局部的集中を回避している。 - 特許庁

A recording layer is constituted of a CoPtCr alloy magnetic film containing an oxide, in which oxide concentration in the magnetic film is continuously reduced from a substrate direction toward the film surface direction.例文帳に追加

記録層を、基板方向から膜面方向にかけて該磁性膜中の酸化物濃度が連続的に低くなる酸化物を含有するＣｏＰｔＣｒ合金磁性膜より構成する。 - 特許庁

Wiring electrodes including at least Ag or Cu are formed in processes including a heat-treatment on a glass substrate of which the surface includes Sn of concentration not less than 10 ppm.例文帳に追加

表面に１０ｐｐｍ以上の濃度のＳｎを含有するガラス基板上に、少なくともＡｇ又はＣｕを含む配線電極が、熱処理を含む工程によって形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a group III nitride crystal, a group III nitride crystal substrate and a group III nitride semiconductor device with low dislocation density and low impurity concentration.例文帳に追加

転位密度が低く、かつ、不純物の濃度が低いＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法、ＩＩＩ族窒化物結晶基板およびＩＩＩ族窒化物半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

To estimate with higher accuracy an arsenic concentration profile formed within a semiconductor substrate through high energy ion implantation using zero tilt angle by utilizing an analysis model (Dual-Pearson function).例文帳に追加

ゼロ度のチルト角を用いた高エネルギーイオン注入により半導体基板中に形成された砒素濃度プロファイルを解析モデル（Ｄｕａｌ−ピアソン関数）を用いて高精度に予測する。 - 特許庁

To provide a substrate silicone polycrystal of a solar cell with less concentration fluctuation by positions of an alloy component and a doping material, especially germanium and gallium, and to provide a manufacturing method of the polycrystal.例文帳に追加

合金成分およびドーピング材、とくにゲルマニウムおよびガリウムの位置による濃度変動の少ない太陽電池の基板用シリコン多結晶およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve the connection reliability of a semiconductor chip mounting substrate that has an electroless nickel plating coat wherein a concentration of contained lead is 0.01 mass% or less.例文帳に追加

鉛の含有濃度が０．０１質量％以下である無電解ニッケルめっき皮膜を備える半導体チップ搭載用基板において、接続信頼性の改善を図ることを目的とする。 - 特許庁

A substrate solution having high concentration and high temperature can be prepared by the use of the enzyme taking advantage of the high heat-resistance and, accordingly, amino acids, etc., can be produced in high efficiency.例文帳に追加

本酵素は、このように酵素の耐熱性が高いことから、高温で高濃度の基質溶液を調製することができ、その結果効率良くアミノ酸等を生産することができる。 - 特許庁

This InP single crystal substrate is specified to have 1×1017 atoms/cm3 to 1×1018 atoms/cm3 oxygen atom concentration, <100> direction of the crystal plane and within ±0.03° off-angle degree.例文帳に追加

ＩｎＰ単結晶基板中の酸素原子濃度を、１×１０^17原子／ｃｍ^3〜１×１０^18原子／ｃｍ^3の範囲内、面方位を＜１００＞でオフアングルが±０．０３°未満とする。 - 特許庁

The film deposition on the substrate 11 is suppressed by the mixed gas of which concentration immediately after introduction of the gas is unstable, and the segregation of P and B is suppressed at a starting stage of the deposition.例文帳に追加

ガス導入直後の濃度が不安定な混合ガスによる基板１１への成膜を抑制することが可能となり、成膜開始段階でのＰやＢの偏析を抑制できる。 - 特許庁

To prevent generation of sludge due to increase in the concentration of a solder resist, in a developing solution for a solder resist and to prevent re-deposition of sludge onto a substrate made of copper or the like or deposition on a developing tank.例文帳に追加

ソルダーレジストの現像液において、ソルダーレジストの濃度上昇によるスラッジ生成と、スラッジの銅などの基材上への再付着や現像槽への付着を防止する。 - 特許庁

To provide a curable composition for color filters having high sensitivity, good pattern forming property and excellent adhesion to a substrate even when a colorant is contained at high concentration, and to provide a color filter and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

着色剤を高濃度に含有する場合であっても、高感度、良好なパターン形成性、基材との密着性に優れたカラーフィルタ用硬化性組成物を提供する。 - 特許庁