「substrate concentration」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

A surface layer 16 of the nitride semiconductor layer 14 which includes a surface 14b on the side of the support substrate 12 contains metal atoms of ≥1×10^16 pieces/cm^3 in concentration.例文帳に追加

窒化物半導体層１４における支持基板１２側の面１４ｂを含む表層１６は、１×１０^１６個／ｃｍ^３以上の濃度の金属原子を含む。 - 特許庁

When a substrate 14 for thin-film formation is removed, it is etched by using an acidic etchant at low concentration or by mixing a liquid for viscosity increase with the acid etchant.例文帳に追加

薄膜形成用基板１４の除去の際に、濃度の低い酸性エッチング液を用い、あるいは粘度増加用液体を混入してエッチングを行うものである。 - 特許庁

the active layer is hydrogenized for 20-180 seconds with a plasma hydrogen in an atmosphere of hydrogen concentration 90% or higher with a glass substrate at 300-420°C.例文帳に追加

水素濃度９０％以上の雰囲気でプラズマ化した水素により、ガラス基板温度が３００℃〜４２０℃のもとで、活性層を２０秒〜１８０秒間水素化する。 - 特許庁

Next, an As^+ ion implantation layer 9 is formed by ion implantation so that the concentration peak of the n^+ region 10 comes near to the surface of the p^- semiconductor substrate 3.例文帳に追加

次に、ｎ^+領域１０の濃度のピークが、ｐ^-半導体基板３表面付近になるように、Ａｓ^+イオン注入層９をイオン注入法により形成する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor laser element which uses a substrate with a low defect concentration and has less distortion in a nitride semiconductor film and has longevity.例文帳に追加

欠陥密度が低い基板を用いた窒化物半導体レーザ素子であって、窒化物半導体膜に内包される歪みが少なく、長寿命のものを提供する。 - 特許庁

A p-type buried diffusion layer 116 with its impurity concentration higher than that of a semiconductor layer 101 is formed between the semiconductor substrate 100 and the semiconductor layer 101.例文帳に追加

半導体基板１００と半導体層１０１との間に、半導体層１０１よりも不純物濃度の高いＰ型埋め込み拡散層１１６を形成する。 - 特許庁

In this way, the thin film can be grown on the substrate so that impurities and physical defects are inexistent in the thin film and on the grain boundaries or their concentration is reduced.例文帳に追加

これにより基板上に薄膜内及び界面に不純物及び物理的欠陥が生じなかったり少ない状態で薄膜を成長させることができる。 - 特許庁

Moreover, since the substrate is performed a normal epitaxial growth as one containing the high-concentration interstitial oxygen and the region 3 can be formed by heat-treating the substrate in the oxidizing atmosphere, the significant reduction in the cost of the substrate can be achieved even though this manufacturing method of this substrate is compared with an SIMOX method needed for conducting high-energy ion implantation of oxygen.例文帳に追加

また、基板を高濃度の格子間酸素を含むものとして通常のエピタキシャル成長を行い、酸化性雰囲気中で熱処理することでＳｉＯ_2の層状領域３を形成できるため、酸素の高エネルギーイオン注入の必要性があるＳＩＭＯＸ法と比較しても、大幅なコスト低減を達成することができる。 - 特許庁

The device is provided with an n-well layer 2 provided on the top part of a p-type silicon substrate 1, a p-type residual substrate 1a provided on the layer 2 on the top part of the substrate 1 and having an impurity concentration distribution uniform in the depth direction, and an MOS transistor element provided in this residual substrate 1a.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１の上部に設けられたＮウェル層２と、Ｐ型シリコン基板１の上部においてＮウェル層２の上に設けられた、不純物濃度分布が深さ方向に均一であるＰ型の残存基板１ａと、この残存基板１ａ内に設けられたＭＯＳトランジスタ素子とを具備することを特徴としている。 - 特許庁

To provide a method of evaluating a silicon monocrystalline substrate, which can identify and quantify heavy metals such as Fe or Mo with high sensitivity, which is necessary for manufacturing an N/N/N epitaxial substrate, and to provide a method of manufacturing an epitaxial substrate, which can obtain a good epitaxial substrate with a low concentration of heavy metal impurities such as Fe or Mo.例文帳に追加

Ｎ／Ｎ／Ｎエピタキシャル基板を製造する際に必要となる、ＦｅやＭｏ等の重金属の同定と定量を高感度に行うことのできるシリコン単結晶基板の評価方法、及びＦｅやＭｏ等の重金属不純物濃度が低い良好なエピタキシャル基板を得ることが出来るエピタキシャル基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

This semiconductor device 1 comprises a semiconductor substrate 11, a pair of low concentration diffusion regions 17s and 17d formed in the surface of the semiconductor substrate 11, a gate insulating film 13 formed on the surface of the semiconductor substrate 11, and a gate electrode 15 formed on the surface of the semiconductor substrate 11 via the gate insulating film 13.例文帳に追加

半導体装置１は、半導体基板１１と、半導体基板１１表面に形成された一対の低濃度拡散領域１７ｓおよび１７ｄと、半導体基板１１表面に形成されたゲート絶縁膜１３と、半導体基板１１表面にゲート絶縁膜１３を介して形成されたゲート電極１５とを有する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the optical waveguide substrate wherein the silicon substrate 15 is heated while being exposed under an atmosphere of a gas for oxidizing silicon on the surface of the silicon substrate 15 and whereby the quartz film becoming the optical waveguide is formed on the surface, an oxygen concentration of the silicon substrate 15 is set at 24 ppma at most.例文帳に追加

光導波路基板の製造方法は、シリコン基板１５の表面のシリコンを酸化するガスの雰囲気下にシリコン基板１５を曝しつつ加熱して、光導波路となる石英膜を表面に形成させることによる光導波路基板の製造方法であって、シリコン基板１５の酸素濃度が、最大でも２４ｐｐｍａであることを特徴としている。 - 特許庁

The epitaxial wafer 1 has a silicon epitaxial layer 20 of 10^16 atoms/cm^3 order in phosphorous concentration and 0.5 to 20 μm in film thickness, on the silicon substrate 10 of 10^19 atoms/cm^3 order in phosphorous concentration and 0.8×10^18 to 1.3×10^18 atoms/cm^3 in oxygen concentration.例文帳に追加

本発明に係わるエピタキシャルウェーハ１は、リン濃度が１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３オーダーであり、酸素濃度が０．８×１０^１８〜１．３×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３であるシリコン基板１０上に、リン濃度が１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３オーダーで、膜厚が０．５〜２０μｍのシリコンエピタキシャル層２０を有する。 - 特許庁

An epitaxial wafer 1 has an epitaxial layer 20 having a phosphorus concentration of a 10^16 atoms/cm^3 order and a film thickness of 0.5-20 μm on a silicon substrate 10 having a phosphorus concentration of a 10^19 atoms/cm^3 order and an oxygen concentration of 1.3×10^18 atoms/cm^3 or lower.例文帳に追加

本発明に係わるエピタキシャルウェーハ１は、リン濃度が１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３オーダーであり、酸素濃度が１．３×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であるシリコン基板１０上に、リン濃度が１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３オーダーで、膜厚が０．５〜２０μｍのエピタキシャル層２０を有することを特徴とする。 - 特許庁

In the method for manufacturing the color filter by applying colored inks by an ink jet method on a transparent substrate to form pattern-like colored layers, the first ink of a pigment concentration 10 to 15% and the second ink of a pigment concentration 1 to 5% are used as the colored inks and the concentration of the colored layers is adjusted by the first ink after coloring with the first ink.例文帳に追加

透明基板上にインクジェット法により着色インクを付与してパターン状の着色層を形成するカラーフィルタの製造方法において、該着色インクとして顔料濃度１０〜１５％の第１のインクと顔料濃度１〜５％の第２のインクを使用し、第１のインクで着色した後、第２のインクで着色層の濃度の調整を行う。 - 特許庁

The semiconductor device is characterized in that the deuterium concentration in the neighborhood of the interface between with the gate electrode of the gate insulating film 3 is ≥1×10^17 cm^-3 and that the deuterium concentration in the neighborhood of the interface between with the silicon substrate of the gate insulating film is larger than the deuterium concentration in the neighborhood of the interface between with the gate electrode.例文帳に追加

ゲート絶縁膜３のゲート電極との界面近傍における重水素濃度が１×１０^１７ｃｍ^−３以上であり、かつゲート絶縁膜のシリコン基板との界面近傍における重水素濃度はゲート電極との界面近傍における重水素濃度よりも大きいことを特徴とする半導体装置。 - 特許庁

The p^++ type semiconductor regions 14 are formed on side parts and bottom parts of recessed parts 10 as well, and reach the p^++ type high-concentration substrate 7 to electrically connect the zener junctions by the n^+ type epitaxial layer 8 and the p^++ type semiconductor regions 13 to the p^++ type high-concentration substrate 7 through surface electrodes 23 and the p^++ type semiconductor regions 14.例文帳に追加

ｐ^＋＋型半導体領域１４は、凹部１０の側部および底部にも形成され、ｐ^＋＋型高濃度基板７に達し、ｎ^＋型エピタキシャル層８とｐ^＋＋型半導体領域１３とによるツェナー接合を表面電極２３およびｐ^＋＋型半導体領域１４を介してｐ^＋＋型高濃度基板７と導通させる。 - 特許庁

To provide a substrate cleaning device which can be used for a relatively long term, can recover a dissolved gas concentration temporarily lowered when an ultrasonic irradiation machine irradiates cleaning liquid with an ultrasonic wave immediately up to the dissolved gas concentration before ultrasonic wave irradiation and can stably clean a substrate to be treated immersed in a cleaning liquid.例文帳に追加

比較的長期間使用することができるとともに、超音波照射器が洗浄液に超音波を照射した際に一時的に低下したガスの溶存濃度を早急に超音波照射前のガスの溶存濃度まで回復させることができ、洗浄液に浸漬された被処理基板を安定して洗浄することができる基板洗浄装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for separating an electrode substance and a titanium or titanium alloy substrate from an insoluble metal electrode, which is mainly a used electrode or an electrode in use or unused, then recovering the substrate metal to be recycled as it is, and recovering the electrode substance as a precipitate in a high concentration that can be easily recovered with a sufficient concentration.例文帳に追加

主として使用済みまたは使用過程品あるいは未使用の不溶性金属電極から電極物質とチタンまたはチタン合金基体を分離し基体金属はそのまま再使用可能な状態として回収し、また電極物質は十分な濃度で容易に回収出来る高濃度の沈殿物として回収する方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a silicon substrate 1; a TaO film 16 acting like a capacitor dielectric film provided on the silicon substrate 1; and a ruthenium film 17 deposited on the TaO film 16, containing oxygen and ruthenium, and acting like an upper electrode wherein an oxygen concentration distribution with a peak of the oxygen concentration at a boundary face with the TaO film 16 exists in the thickness direction.例文帳に追加

半導体装置は、シリコン基板１と、シリコン基板１上に設けられたキャパシタ誘電体膜としてのＴａＯ膜１６と、ＴａＯ膜１６上に設けられ、酸素とルテニウムを含み、かつＴａＯ膜１６との界面側で酸素濃度がピークになる酸素濃度分布を厚さ方向に有する上部電極としてのルテニウム膜１７とを備えている。 - 特許庁

An impurity concentration profile, at which an inclination 22a where the impurity concentration approximately rectilinearly falls with an increase in the distance from the surface 1a of the semiconductor substrate 1 (with a decrease in depth D) crosses a curve 21a of a transition region at the boundary between the semiconductor substrate 1 and the semiconductor thin film 2, is obtained.例文帳に追加

この結果半導体基板１と半導体薄膜２との界面における遷移領域のカーブ２１ａに対して、半導体基板１の表面１ａからの距離が大きくなるにつれて（深さＤが小さくなるにつれて）略直線状に不純物濃度が低下していく傾斜２２ａが交差する不純物濃度プロファイルが得られる。 - 特許庁

A first conductivity type impurity in the first impurity diffusion region of the first conductivity type has a concentration peak at the position near a junction part of the first impurity diffusion region of the first conductivity type and the impurity diffusion region of the second conductivity type on the front surface of the semiconductor substrate in a concentration distribution in the depth direction of the semiconductor substrate.例文帳に追加

第１の第１導電型不純物拡散領域における第1導電型不純物は、半導体基板の深さ方向における濃度分布において、半導体基板の表面側の、第１の第１導電型不純物拡散領域と第２導電型不純物拡散領域とのジャンクション部分の近傍位置に、濃度ピークを有する。 - 特許庁

In a configuration wherein a trench 4 is formed on a silicon substrate 1 and is filled with a SOG film 6, the SOG film 6 is lowered away to become deeper than a high-concentration impurity region 1b after ions are implanted to form the high-concentration impurity region 1b for formation of the LDD structure.例文帳に追加

シリコン基板１にトレンチ４を形成してＳＯＧ膜６を埋め込む構成で、ＬＤＤ構造形成のための高濃度不純物領域１ｂを形成するためのイオン注入をしてから、ＳＯＧ膜６をそれよりも深くなるように落とし込む。 - 特許庁

A silicon layer, whose dissolved oxygen concentration is not higher than 8×10^17(atoms/cm^3) and whose impurity concentration which is to become the acceptor or donor is not higher than 1×10^15(atoms/cm^3) and on which an element is formed, is formed on the substrate 11.例文帳に追加

基板１１上には、溶解酸素濃度が８×１０^１７（ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３）以下で、アクセプタあるいはドナーとなる不純物濃度が１×１０^１５（ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３）以下であり、素子が形成されるシリコン層が形成されている。 - 特許庁

This method for polishing a substrate comprises the steps of first polishing a copper or a copper alloy having a polishing liquid having a pH of 3 or less and a concentration of an oxidizer of a conductor of 1.5 to 10 wt.%, and second polishing a barrier layer with the liquid of the concentration of the oxidizer regulated to 0.01 to 3 wt.%.例文帳に追加

研磨液のｐＨが３以下であり、導体の酸化剤の濃度を第１工程の銅または銅合金の研磨では１．５〜１０重量％、第２工程のバリア層の研磨では０．０１〜３重量％に調整する基板の研磨方法を用いる。 - 特許庁

A concentration distribution generation method and a process simulator perform a defect amount calculation procedure to calculate a defect amount Q_I per unit area of defects introduced to a semiconductor substrate by ion implantation and a defect position calculation procedure to calculate a position d_I to position by condensing a defect concentration distribution in an ion implantation concentration distribution by the ion implantation with a computer and treat the defect concentration distribution like a delta function.例文帳に追加

上記課題は、コンピュータが、イオン注入によって半導体基板に導入される欠陥の単位面積当たりの欠陥量Ｑ_Ｉを算出する欠陥量算出手順と、前記イオン注入によるイオン注入濃度分布において欠陥濃度分布を凝集させて位置付ける位置ｄ_Ｉを算出する欠陥位置算出手順とを実行し、前記欠陥濃度分布をデルタ関数的に扱うことにより達成される。 - 特許庁

To provide a preparation method of gas-dissolved water by which gas-dissolved water of a desired concentration is efficiently prepared in a short time and which is used for wet washing for electronic material such as a semi- conductor silicon substrate, a liquid crystal glass substrate.例文帳に追加

半導体用シリコン基板、液晶用ガラス基板などの電子材料などのウェット洗浄に用いられる所望濃度のガス溶解水を、短時間で効率的に調製することができるガス溶解水の調製方法を提供する。 - 特許庁

To enhance the uniformity of various characteristics, including carrier concentration, of an epi-film deposited on the surface of the same substrate and substrates in the same batch when the epi-film is formed on the substrate by a vapor phase thin film epitaxial growth method.例文帳に追加

気相薄膜成長法により基板上にエピ膜を形成する際、同一基板面上、および同一バッチ内の基板面上間において成膜されるエピ膜中のキャリア濃度を始めとする諸特性の均一性を向上させる。 - 特許庁

By the use of a heat treatment process (S2) for heat-treating a boron-containing wafer 110 for a flow-channel forming substrate in a hydrogen atmospher, and the boron on the surface of the wafer 110 for the flow channel forming substrate is diffused outward so that a boric-acid concentration around the surface can be reduced.例文帳に追加

ホウ素を含む流路形成基板用ウェハー１１０を水素雰囲気中で熱処理する熱処理工程（Ｓ２）により、流路形成基板用ウェハー１１０表面のホウ素が外方拡散し、表面付近のホウ素濃度を減少できる。 - 特許庁

When an oxide substrate containing n-type titanium is irradiated with light, the hole concentration of the transition metal oxide in a thin film composed of the transition metal oxide changes and the electrical conductivity of the oxide largely changes, because holes generated in the substrate flow into the thin film.例文帳に追加

光照射を行うことによってｎ型のチタンを含む酸化物基板内に生成したホールが遷移金属酸化物薄膜に流れ込むことによって遷移金属酸化物のホール濃度が変化し、その電気伝導性が大きく変わる。 - 特許庁

The external light-shielding layer comprises: a substrate made of a transparent resin; and wedge-shaped light-shielding patterns spaced apart from each other at predetermined intervals on one surface of the substrate, and made of a resin including a coloring agent having a concentration of 0.5 to 1.5 wt.%.例文帳に追加

外光遮断層は、透明樹脂材質の基材と、基材の一面に一定の周期で互いに離隔して形成され、０．５〜１．５ｗｔ％重量濃度の着色剤が含まれた樹脂で成されたくさび形遮光パターンを含む。 - 特許庁

This device comprises a substrate 10, a layer which is formed on the substrate 10 and contains a transistor 30, and an insulating film 12 which is formed in a lower layer of the layer containing the transistor 30, and has an in-film hydrogen concentration of 5×10^20 atms/cc or below.例文帳に追加

基板１０と、前記基板１０上に形成され、トランジスタ３０を含む層と、前記トランジスタ３０を含む層の下層に形成され、膜中水素濃度が５×１０^20atms/cc以下の絶縁膜１２とを具備したことを特徴とする。 - 特許庁

The fuel concentration sensor 250 is constituted of a substrate 202, a first electrode 203, a second electrode 204, a flexible substrate 206, cabling 208a, cabling 208b, encapsulant 210, ion-exchange resin layer 212 and a protective layer 214.例文帳に追加

燃料濃度センサ２５０は、基板２０２と、第一の電極２０３と、第二の電極２０４と、フレキシブル基板２０６と、配線２０８ａと、配線２０８ｂと、封止剤２１０と、イオン交換樹脂層２１２と、保護層２１４とから構成されている。 - 特許庁

The oxide films 6" and 7" can be formed by immersing the HEMT structure substrate in the hydrogen peroxide with a concentration of 3% for three minutes or by heating the HEMT structure substrate on a hot plate at 120°C for two minutes.例文帳に追加

酸化膜６’’及び７’’は、例えば、濃度３％の過酸化水素水にＨＥＭＴ構造基板を３分間浸漬させることや、１２０℃のホットプレート上で２分間ＨＥＭＴ構造基板を加熱させることにより形成することができる。 - 特許庁

A source region 8a and a drain region 8b of relatively high impurity concentration are formed in the semiconductor substrate 3 on an element isolation region 2 side of the silicide block film 9 and in the semiconductor substrate 3 on the LDD region 7a side, respectively.例文帳に追加

そして、そのシリサイドブロック膜９の素子分離領域２側の半導体基板３内、およびＬＤＤ領域７ａ側の半導体基板３内に、比較的高不純物濃度のソース領域８ａおよびドレイン領域８ｂをそれぞれ形成する。 - 特許庁

Then, while joining an insulator layer 3 formed in the upper surface of a semiconductor substrate 4 and the impurity semiconductor layer 2, a cleavage plane is formed along with the high concentration ionized layer L by performing annealing treatment so as to cut a substrate along with the cleavage plane.例文帳に追加

その後、半導体基板４の上面に形成された絶縁体層３と不純物半導体層２を接合させるとともに、アニール処理を施して高濃度イオン層Ｌに沿って劈開面を形成し、当該劈開面に沿って基板を切断する。 - 特許庁

Then, a recess 27 is formed by selectively etching the amorphous layer 26a to the semiconductor substrate 21, a semiconductor layer 28 whose impurity concentration is higher than the semiconductor substrate 21 is embedded in the recess 27, and the source-drain expansion part 31 is formed.例文帳に追加

次に、半導体基板２１に対して非晶質層２６ａを選択的にエッチングして凹部２７を形成し、該凹部２７に半導体基板２１よりも不純物濃度が高い半導体層２８を埋め込み、ソース・ドレイン拡張部３１を形成する。 - 特許庁

The concentration distribution measuring device 10 comprises an insulating substrate 16, a sensor section 18 that is disposed on the insulating substrate 16 and has an amorphous silicon layer 21, and a light source 13 disposed so that the sensor section 18 is irradiated with a probe light of alternating current.例文帳に追加

濃度分布測定装置１０は、絶縁性基板１６と、絶縁性基板１６上に設けられ、且つ、アモルファスシリコン層２１を有するセンサ部１８と、センサ部１８に交流のプローブ光を照射するように設けられた光源部１３と、を備える。 - 特許庁

To provide an apparatus for drying a substrate which can dry a substrate suitably, by switching the operating state of a pump according to the state in a heating tub, thereby maintaining high concentration of solvent, and can reduce the load applied to the pump.例文帳に追加

加熱槽内の状態に応じてポンプの運転状態を切り換えることにより、溶剤濃度を高く維持して基板の乾燥処理を好適に行うことができるとともに、ポンプの負担を軽減することができる基板乾燥装置を提供する。 - 特許庁

A Ga_2O_3 substrate 10 in which a GaN-based semiconductor substrate is formed is not cut at a time by a dicing blade 20 but is cut in steps, thus preventing the cleavage from being generated due to the local concentration of internal stress caused by dicing.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体層を形成させたＧａ_２Ｏ_３基板１０をダイシングブレード２０で一度に切断せず、段階的に分割することで、ダイシングに起因する内部応力が局所的に集中することによる劈開の発生を防ぐことができる。 - 特許庁

On the n-type GaN substrate formed with the growth suppression film 13, a GaN crystal is epitaxially grown to form a nitride semiconductor layer on the n-type GaN substrate, resulting on fabricating a nitride semiconductor laser device having a low concentration of crystal defects.例文帳に追加

このように成長抑制膜１３が形成されたｎ型ＧａＮ基板１０上にＧａＮ結晶をエピタキシャル成長させて窒化物半導体層を積層することで、結晶欠陥密度の低い窒化物半導体レーザ素子を製造する。 - 特許庁

By allowing the substrate to contain partially medium (invisible ink used as a gloss application agent or for a concentration control of pigmented ink for print), patterns, characters, etc. having the transparency or translucency appear partially on the substrate.例文帳に追加

基材に部分的にメジウム（「印刷用着色インキの濃度調整や光沢付与剤として使用される透明インキ」として知られている）を含有させることにより、基材に部分的に透明性または半透明性の模様、文字等を現出させる。 - 特許庁

An epitaxial semiconductor layer 2 is formed on an N-type semiconductor substrate 1, and a charge transfer channel 3 is formed in the epitaxial semiconductor layer 2, so that the increase in the impurity concentration in the semiconductor layer 2 due to the diffusion of impurities from the substrate 1 can be prevented.例文帳に追加

Ｎ型半導体基板１上にエピタキシャル半導体層２を形成し、エピタキシャル半導体層２内に電荷転送チャネル３を形成し、基板１からの不純物の拡散による半導体層２内の不純物濃度の増加を抑制する。 - 特許庁

A p^+-type anode buried layer 1a having an impurity concentration higher than those of the semiconductor substrate 1 and the p^--type epitaxial layer 2 is selectively formed beneath the light receiving section 220 and between the semiconductor substrate 1 and the p^--type epitaxial layer 2.例文帳に追加

半導体基板１及びＰ^- 型エピタキシャル層２の間における受光素子部２２０の下側には、半導体基板１及びＰ^- 型エピタキシャル層２よりも不純物濃度が高いＰ^+ 型アノード埋め込み層１ａが選択的に形成されている。 - 特許庁

An N-type first semiconductor layer 12 is formed on an inner surface of a first recess part 11c of an N-type semiconductor substrate 11 so as to generate a second recess part 51a being smaller than the first recess part; and has a lower first impurity concentration than that of the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

Ｎ型第１半導体層１２はＮ型半導体基板１１の第１凹部１１ｃの内面にそれより小さい第２凹部５１ａを生じるように形成され、半導体基板１１より低い第１不純物濃度を有する。 - 特許庁