「substrate concentration」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an ink composition which contains a high concentration of a pigment in a dispersed state and has physical properties enabling its stable discharge onto a prescribed position of a substrate by inkjeting.例文帳に追加

顔料を高濃度で分散して含有すると同時に、インクジェット方により基板上の所定の位置に安定して吐出させることのできる物性を有するインク組成物の提供。 - 特許庁

A first heat treatment is conducted in an atmosphere containing oxygen of a specified concentration, thus forming a copper oxide film 29a on the surface of the substrate and recrystallizing the main conductor film 29.例文帳に追加

所定の濃度の酸素を含有する雰囲気中で第１の熱処理を行い、表面に酸化銅膜２９ａを形成しながら主導体膜２９を再結晶化させる。 - 特許庁

The hydrocarbon concentration measuring sensor 11 includes: a solid electrolyte substrate 12 comprising an ion-conducting solid electrolyte; a detection electrode 18 comprising a ZnO containing multiple oxide provided on the solid electrolyte substrate 12; a Pt reference electrode 15 provided on the solid electrolyte substrate 12; and a temperature adjustment section for adjusting a temperature of the solid electrolyte substrate 12.例文帳に追加

イオン伝導性固体電解質からなる固体電解質基板１２と、固体電解質基板１２上に設けられたＺｎＯ含有複酸化物からなる検知極１８と、固体電解質基板１２上に設けられたＰｔ参照極１５と、固体電解質基板１２の温度調節をする温度調節部と、を含む炭化水素濃度計測用センサ素子１１である。 - 特許庁

A method for manufacturing the SOI substrate includes a step of forming the high-concentration layer 3 in the selective region of the semiconductor substrate for forming element carrying the insulating film for embedding, prior to a step of sticking the semiconductor substrate for forming element and the semiconductor substrate 5 for base to each other.例文帳に追加

また、本発明のＳＯＩ基板の製造方法は、埋め込み用絶縁膜が形成されている素子形成用半導体基板と、ベース用半導体基板５とを接着して貼り合わせる工程の前に、素子形成用半導体基板の選択的な領域に素子形成用半導体基板よりも高不純物濃度の高濃度層３を形成する工程を有するものである。 - 特許庁

The concentration of nitrogen in the silicon oxynitride film has a distribution in the film thickness direction, and the concentration is low near the interface with the silicon substrate while high near the interface with the high dielectric insulating film, relative to the average value of the concentration of the nitrogen in the silicon oxynitride film.例文帳に追加

シリコン基板の上に形成されたシリコン酸窒化膜と、このシリコン酸窒化膜の上に形成された高誘電率絶縁膜とを有する半導体装置において、シリコン酸窒化膜中の窒素濃度が膜厚方向に分布を持ち、このシリコン酸窒化膜中の窒素濃度の平均値に対してシリコン基板との界面付近で低く、高誘電率絶縁膜との界面付近で高くなることを特徴とする。 - 特許庁

In the semiconductor laser in which light generated in an active layer is emitted through a window, the window formed on a substrate is formed with a first semiconductor layer formed with a first carrier concentration and a second semiconductor layer formed on the first semiconductor layer so as to comprise the extended surface of the active layer with a second carrier concentration lower than the first carrier concentration.例文帳に追加

活性層で発生した光が、窓部を経て出射される半導体レーザにおいて、基板上に形成された窓部は、第１のキャリア濃度で形成された、第１の半導体層と、第１の半導体層上に、活性層の延長面を含むように形成され、かつ、第１のキャリア濃度より低い第２のキャリア濃度で形成された、第２の半導体層とを有している。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a high concentration first conductive type semiconductor substrate 1, a low concentration first conductive type epitaxial layer 2 formed on one main surface, a high concentration first conductive type cathode region 3 selectively formed on the epitaxial layer, a cathode electrode 9 formed connecting to the cathode region, and an anode electrode 8 formed at predetermined intervals from the cathode electrode.例文帳に追加

高濃度第一導電型の半導体基板１と、その一主面上に形成された低濃度第一導電型のエピタキシャル層２と、エピタキシャル層に選択的に形成された高濃度第一導電型のカソード領域３と、カソード領域と接続させて形成されたカソード電極９と、カソード電極と所定の間隔を隔てて形成されたアノード電極８とを備える。 - 特許庁

The method of fabricating a flash memory element includes steps of: forming an undoped first polysilicon film on a semiconductor substrate; forming on said first polysilicon film an undoped second polysilicon film provided with a high-concentration doped region; implementing processing such that the doping concentration of said second polysilicon film and the doping concentration of said first polysilicon film will be similar; and forming a dielectric film on the resultant product.例文帳に追加

半導体基板上にアンドープト第１ポリシリコン膜を形成する段階と、前記第１ポリシリコン膜の上部に、高濃度ドーピング領域が備えられたアンドープト第２ポリシリコン膜を形成する段階と、前記第２ポリシリコン膜のドーピング濃度と前記第１ポリシリコン膜のドーピング濃度が類似となるようにしながら、前記結果物上に誘電体膜を形成する段階とを含む。 - 特許庁

The carrier accumulation layer 3 is formed of phosphorus doped to provide the maximum impurity concentration at the predetermined depth, the base region 2 is formed of boron doped to provide the maximum impurity concentration at the location shallower than the depth of the base region 2, and the emitter region 4 is formed of arsenic to provide the maximum impurity concentration at the front surface of the N-substrate.例文帳に追加

キャリア蓄積層３は、所定の深さにおいて不純物濃度が最大となるように注入されたリンによって形成され、ベース領域２はその深さよりも浅い位置において不純物濃度が最大となるように注入されたボロンによって形成され、エミッタ領域４はＮ−基板の表面において最大となるように注入された砒素によって形成されている。 - 特許庁

The method comprises the stages of: providing a substrate having semiconductor layer which includes low concentration doping region adjacent to each both sides of channel region, and each source/drain regions adjacent to the low concentration region; and, after forming gate insulating film and conductive film on the substrate in order, forming a gate electrode by patterning the above-mentioned conductive film.例文帳に追加

チャンネル領域両側に各々隣接した低濃度ドーピング領域及び低濃度ドーピング領域に各々隣接したソース/ドレーン領域を含む半導体層が形成されている基板を提供する段階及び基板上にゲート絶縁膜及び導電膜を順に形成した後、前記導電膜をパターニングしてゲート電極を形成する段階を含む薄膜トランジスタの製造方法。 - 特許庁

In the game machine having a main substrate for executing processing relating to a game and the concentration terminal board including a relay to be driven by the output signals of the main substrate, when transmitting signals indicating the occurrence of an error state or the like through the concentration terminal board to the outside, the number of times of transmitting the signals is counted and it is repeated until it reaches the predetermined number of times.例文帳に追加

遊技に関する処理を行うメイン基板と、メイン基板の出力信号により駆動されるリレーを含む集中端子板とを備える遊技機において、エラー状態が発生した旨の信号などを集中端子板を通じて外部へ送信する際に、その信号の送信回数を計数し、それが予め定められた回数に到達するまで繰り返す。 - 特許庁

A second high-dose ion implantation is made by implanting arsenic As+ with a high concentration to the silicon substrate from a direction perpendicular to the silicon substrate to the source region 20a and the drain region 22a each having a shallow junction and both formed on both sides of the gate electrode (Fig.1 (c)).例文帳に追加

ゲート電極の両側に形成された浅い結合のソース領域２０ａ及びドレイン領域２２ａとに、シリコン基板１０に対して垂直の方向からヒ素Ａｓ^+を高濃度でイオン注入して、２回目の高濃度イオン注入を行う（図１（Ｃ））。 - 特許庁

A two-layer structure comprising a sub-micron or micron-sized columnar porous layer and a nano-sized silicon particle layer is arranged on a surface of a silicon single crystal substrate by carrying out electrolytic oxidation for anodizing the silicon single crystal substrate in a hydrofluoric acid-based electrolyte having a predetermined concentration.例文帳に追加

サブミクロン〜ミクロンサイズの柱状多孔質層とナノサイズシリコン粒子層からなる２層構造を、所定濃度のフッ酸系電解液中で、シリコン単結晶基板を陽極酸化する電解酸化することによって、シリコン単結晶基板表面に設ける。 - 特許庁

A p^++-type source region 40 much higher in impurity concentration than a p-type semiconductor substrate 10 is provided on the surface of the p-type semiconductor substrate 10 so as to bring, at least, a part of its side face into contact with an n^--type extended drain region 20.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１０の表層部に、Ｐ型半導体基板１０よりも十分に高い不純物濃度で形成されたＰ^++型ソース領域４０は、少なくともその側面の一部でＮ^-型延長ドレイン領域２０と接するように形成されている。 - 特許庁

The characteristics of the substrate, i.e., the dopant concentration and thickness, are capable of being precisely controlled and tested before the LED device is manufactured so that the fraction of primary light that passes through the substrate without being converted is predictable and controllable.例文帳に追加

基板の性質、すなわちドーパントの濃度及び基板の厚さは、ＬＥＤデバイスを製造する前に正確に制御すること及びテストすることができ、これにより変換されずに基板を通過する一次光の割合を予測し、制御することが可能となる。 - 特許庁

The surface of the semiconductor substrate of a hole element is formed with contact regions 14a to 14d for selectively increasing the impurity concentration of the surface, and with a trench T1e for electrically subdividing the inside of the semiconductor substrate and for forming a magnetic detector HP1.例文帳に追加

当該ホール素子の半導体基板の表面には、同表面の不純物濃度を選択的に高めるコンタクト領域１４ａ〜１４ｄと、同半導体基板の内部を電気的に区画して磁気検出部ＨＰ１を形成するトレンチＴ１ｅとが形成されている。 - 特許庁

A new patterning method is employed, which is characterized in that at least a substrate and a dispersion system are used, a distribution of particle concentration is produced in a layer of the dispersion system formed on the substrate by a distribution of heat quantity given to the dispersion system, and then subjected to a curing process.例文帳に追加

少なくとも基板と、分散系を用い、該分散系に与えられた熱量の分布により、基板上に形成した該分散系層内に濃度分布を形成し、しかる後に硬化処理を行うことを特徴とする、新規のパターニング方法を採用する。 - 特許庁

B ion is directly implanted at high energy on the main surface side of a semiconductor substrate 1 in the direction of crystal axis of the semiconductor substrate 1 to cause ion channeling, by way of a specified resist pattern 3 to form a peak part in impurity concentration of a p-type well 4.例文帳に追加

Ｐ型ウェル４の不純物濃度のピーク部分を形成するために所定のレジストパターン３を介して、半導体基板１の主面側に直に高エネルギーでＢイオンをイオンチャネリングを起こすように半導体基板１の結晶軸の方向にイオン注入する。 - 特許庁

To provide a method of measuring impurity concentration in a substrate improved so that the three-dimensional distribution of impurity density can easily, inexpensively and nondistructively be measured by using a PL intensity measuring instrument capable of measuring an optional place inside of a substrate.例文帳に追加

基板内部の任意の場所を測定できるＰＬ強度測定装置を用い、簡便、低コスト、非破壊で不純物濃度の３次元分布を測定できるように改良された基板中の不純物濃度測定方法を提供することを主要な目的とする。 - 特許庁

In such a constitution, the outer diffusion of boron from the substrate region of MOSFET to the STI structured buried-in oxide films 34 is suppressed, thereby making feasible of obviating the kink defect due to the decline in the threshold value by the decrease in the boron concentration in the MOSFET substrate region.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴの基板領域からＳＴＩ構造の埋め込み酸化膜３４中へのボロンの外方拡散が抑制され、ＭＯＳＦＥＴの基板領域のボロン濃度の低下によるしきい値電圧の低下に起因するキンク特性を抑えることができる。 - 特許庁

When a silicon film is deposited through a vacuum chemical vapor deposition method, a substrate is cooled down to 500°C or below as an environment enveloping the substrate is kept in a mixed gas atmosphere of hydrogen having a concentration equal to or below a lower explosion limit and an inert gas after a silicon film is deposited.例文帳に追加

シリコン膜を減圧化学気相堆積法にて堆積する際、該シリコン膜堆積後、該基板を包容する環境を水素濃度が爆発下限界以下である水素と不活性ガスとの混合ガス雰囲気下に維持したまま該基板温度を５００℃以下迄下げる。 - 特許庁

A dissolved oxygen concentration in the mixed liquid can thus be prevented from rising when the rinse liquid attaching to the substrate surface Wf is replaced with the mixed liquid, thereby surely preventing an oxide film from forming on the substrate surface Wf or the watermark from occurring.例文帳に追加

このため、基板表面Ｗｆに付着するリンス液が混合液に置換される際に、混合液の溶存酸素濃度が上昇するのを抑制することができ、基板表面Ｗｆに酸化膜が形成されたり、ウォーターマークが発生するのを確実に防止できる。 - 特許庁

The first buffer layer has a cavity 110a provided over the recessed portion of the sapphire substrate, and the first buffer layer has a first region 110e and a second region 110f provided between the first region and the sapphire substrate and having higher carbon concentration than the first region.例文帳に追加

第１バッファ層は、サファイア基板の凹部の上に設けられた空洞１１０ａを有し、第１バッファ層は、第１領域１１０ｅと、第１領域とサファイア基板との間に設けられ第１領域よりも炭素濃度が高い第２領域１１０ｆと、を有する。 - 特許庁

By implanting BF_2 ions 12 from the rear face 1b of a semiconductor substrate 10 formed of silicon single crystal under predetermined conditions, a high concentration boron region 13 including an amorphous region 13a and crystalline regions 13b is formed inside the semiconductor substrate 10.例文帳に追加

ＢＦ_２イオン１２をシリコン単結晶で形成される半導体基板１０の裏面１ｂより所定条件下で注入することで、内部に非晶質性領域１３ａと結晶性領域１３ｂを含む高濃度ホウ素領域１３を形成する。 - 特許庁

The self oscillation type or a high power semiconductor laser including an n-type clad layer (308, 302), an active layer (309, 303), and a p-type clad layer (310, 304) on an n-type GaN substrate (301), comprises AlGaInN based compound, wherein the carrier concentration of the GaN substrate is not higher than 2×10^18 cm^-3.例文帳に追加

n型のGaN基板（３０１）上にn型クラッド層（３０８、３０２）と活性層（３０９、３０３）とp型クラッド層（３１０、３０４）を含む自励発振型又は高出力半導体レーザであって、GaN基板のキャリア濃度が2×10^18cm^-3以下であり、AlGaInN系化合物から成る。 - 特許庁

By using this method, the substrate is obtained for the discrete element made of a two layer structure having the high concentration impurity diffused layer on one side surface, and the low concentration impurity diffused layer on the other surface of the substrate in which impurities are diffused on both the surfaces of the low concentration impurity semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウエハの両表面に高濃度不純物拡散層を形成する工程と、前記ウエハを厚さ半分の位置で切断し、該切断面を研削および鏡面加工する工程と、前記鏡面加工面に低濃度不純物拡散層を形成する工程とを備えている製造方法を用いて、低濃度不純物半導体ウエハの両面に、不純物が拡散された基板であって、片面が高濃度不純物拡散層、他面が低濃度不純物拡散層である２層構造からなるディスクリート素子用基板を得る。 - 特許庁

A substrate metal, which is copper with a purity of 99.9999 wt.% from which gas components are removed, is melted and cast in an atmosphere with an oxygen concentration of ≤0.1 vol.ppm.例文帳に追加

ガス成分を除いた純度９９．９９９９重量％以上の銅を基体金属として、酸素濃度０．１容量ｐｐｍ以下の雰囲気で、上記基体金属の溶解と鋳造を行う。 - 特許庁

A lightly-doped film 4 is formed on the heavily-doped film 3, by applying a dispersing agent with a dopant concentration which is lower than that of the earlier applied dispersant agent onto the entire light-receiving surface of the silicon substrate 1 by using a spin coating process.例文帳に追加

シリコン基板１の受光面全体にスピンコートによって、先に塗布した拡散剤よりもドーパント濃度の低い拡散剤を塗布して、低濃度膜４を高濃度膜３に重ねて形成する。 - 特許庁

An inductor is provided in a specified region and a high concentration n+ type diffused layer is formed beneath an isolating oxide film of that specified region, thereby forming a p-n junction with the n+ type diffused layer and a p- type semiconductor substrate.例文帳に追加

インダクターを設けた所定領域の分離酸化膜下に高濃度Ｎ^+形拡散層を形成して、そのＮ^+形拡散層とＰ^-形半導体基板からなるＰＮ接合を設けている。 - 特許庁

In this way, by the low-concentration N-type region 25, the depletion layer of the photodiode is so extended to the deep portion of its substrate as to improve its photoelectric conversion effect relative to a penetrating light of a long wavelength and increase its sensitivity.例文帳に追加

こうして、フォトダイオードの空乏層を低濃度Ｎ型領域２５によって基板深部にまで広げて、長波長の侵入光に対する光電変換効果を高めて感度を上昇させる。 - 特許庁

The maximum value is ≥1.2 the average concentration of the inorganic oxide fine particles of the coating film and a substrate whose surface is provided with the antimicrobial coating film is preferably prepared.例文帳に追加

この結果、抗菌性無機酸化物微粒子の全てが塗膜中に埋没することなく、寧ろ、塗膜の外表面部位に偏在するので、高い抗菌性能を長期間発現することができる。 - 特許庁

To provide a colored curable composition which, even with a high pigment concentration, has good developer solubility of an unexposed part and good adhesion to a substrate, produces less development residue, and obtains a pattern of a forward tapered shape.例文帳に追加

顔料濃度が高くても、未露光部の現像液溶解性が良好で、基板密着性、現像残渣が良好で、順テーパ形状のパターンを得られる着色硬化性組成物を提供する。 - 特許庁

The p-type region 11 is formed by diffusing a p-type impurity from the front side of the substrate 5 so as to surround the p-type region 7 and high-concentration n-type region 9 as seen from the front side.例文帳に追加

ｐ型領域１１は、表面側から見てｐ型領域７及び高濃度ｎ型領域９を取り囲むように、基板５の表面側からｐ型不純物を拡散して形成されている。 - 特許庁

To provide a silica-based film-forming composition, wherein a silica-based film resin has excellent storage stability even with high concentration thereof and the obtained silica-based film has high mechanical strength and easily secured adhesion to a substrate.例文帳に追加

シリカ系被膜樹脂が、高濃度でも保管安定性に優れ、得られるシリカ系被膜の機械強度が高く、基材との密着力が確保し易いシリカ系被膜形成用組成物を提供する。 - 特許庁

A concentration difference is generated in an end of the substrate 1 because there is no generation source of steam outside the coating region while steam keeps being generated in the coating region 2 so that the steam diffuses outside the coating region 2.例文帳に追加

基板１端部は、塗布領域２内では蒸気が発生し続けるのに対し、塗布領域外には蒸気の発生源がなく、塗布領域２外への拡散が起こるために濃度差が発生する。 - 特許庁

Further, a depletion layer becomes easy to spread when drain voltage is impressed by setting the impurity concentration low nearby the junction part and thus the capacitance Cds between the drain and substrate is decreased to make the operation speed fast.例文帳に追加

また、接合部付近の不純物濃度を低くすることによって、ドレイン電圧印加時に空乏層が広がり易くなるようにして、ドレイン−基板間の容量Ｃｄｓを低減し動作速度を高める。 - 特許庁

Using this equivalent circuit, a noise can be analyzed as caused by a substrate-coupling without degradation in accuracy, even when an impurity concentration distribution exists having a locality strong in a semiconductor chip sectional direction.例文帳に追加

この等価回路を用いて半導体チップ断面方向に強く局所性を持った不純物濃度分布があっても精度劣化しない基板結合による雑音を解析することを可能とする。 - 特許庁

A wiring 19d for connecting layers between a horizontal wiring 19a disposed on the substrate 11 to the layer of the p-type high concentration layer 12e as an anode of the photodiode is disposed along the wall surfaces.例文帳に追加

基板１１上に配置された水平配線１９ａとフォトダイオードのアノードとなるｐ型高濃度層１２ｅとの層間を接続する配線１９ｄは当該壁面に沿って配置される。 - 特許庁

To suppress concentration variation in an inert purge gas to be filled in a space contacting a pellicle film to avoid varying the absorption ratio of an exposure light and suppress the uneven brightness on an exposed substrate.例文帳に追加

ペリクル膜に接する空間に充填されるパージガスの活性ガスの濃度変化を抑えることにより、露光光の吸収率の変化を防ぎ、被露光基板に対する照度むらを抑える。 - 特許庁

To provide a steam generator, steam generating method and substrate processing device, increasing the concentration of generated steam of an organic solvent, and efficiently heating the organic solvent.例文帳に追加

生成される有機溶剤の蒸気の濃度を高くすることができるとともに、有機溶剤の加熱を効率的に行うことができる蒸気発生器、蒸気発生方法および基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a quantitative analysis method and an auxiliary specimen for highly accurately measuring depthwise concentration distribution of an impurity element in a laminated structure with a polysilicon/gate oxide film formed therein on a silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板上のポリシリコン/ゲート酸化膜が形成された積層構造における不純物元素の深さ方向濃度分布を高精度に測定する定量分析方法および補助試料を提供する。 - 特許庁

On an n-type InP substrate 10, an n-type DBR layer 12, an i-InGaAs light absorbing layer 14 (light absorbing layer) of a low carrier concentration, and a p-type InP window layer 16 are sequentially formed.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１０上に、ｎ型ＤＢＲ層１２低キャリア濃度のｉ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層１４（光吸収層）、及びｐ型ＩｎＰ窓層１６が順次形成されている。 - 特許庁

Also, when Co-Fe-B in a third ferromagnetic layer on MgO is film-formed, it is formed while holding the temperature of the substrate at 100°C below freezing point, to obtain amorphous Co-Fe-B of B concentration of 6 at%.例文帳に追加

また、MgO上の第３の強磁性層中のCo-Fe-Bを成膜する際にも基板を氷点下１００℃に保持しながら形成することにより、Ｂ濃度6at%のアモルファス状のCo-Fe-Bを得ることができる。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus formable of a conductive film, which is dense, includes low concentration of source-derived impurities and has low resistivity, at a higher film-forming rate, and a method for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

緻密で原料起因の不純物濃度が低く抵抗率が低い導電性膜を、速い成膜速度で形成する基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a laser doping method of forming a laser doping concentration profile which steeply varies in a direction parallel to the surface of a substrate at the end of at least a part of a dopant diffusion region.例文帳に追加

ドーパント拡散領域の少なくとも一部の端部において、基板の表面と平行な方向に急峻に変化するドーピング濃度プロファイルを形成するレーザドーピング方法を提供する。 - 特許庁