「substrate concentration」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

To make such a profile as the concentration of charged particles is distributed unevenly in a predetermined region on the surface of a substrate processed when that region is irradiated with charged particles.例文帳に追加

処理基板の表面の所定領域に荷電粒子を照射する際に、その所定領域に照射された荷電粒子の濃度が前記所定領域内で不均一に分布するプロファイルを作りだすこと。 - 特許庁

To provide a biosensor capable of measuring a specific substrate concentration in a bio-component accurately in a short time by improving a reaction layer containing an enzyme into a homogeneous layer quickly-dissolvable in sample liquid.例文帳に追加

酵素を含む反応層を均一な層で、試料液に速やかに溶解するように改良して、生体成分中の特定基質濃度を短時間で正確に測定できるバイオセンサを提供する。 - 特許庁

A gallium nitride support substrate 13 in a Schottky diode 11 has a first surface 13a and a second surface 13b on the opposite side, and indicates the carrier concentration of 1×10^18 cm^-3.例文帳に追加

ショットキダイオード１１で窒化ガリウム支持基体１３は、第１の面１３ａと第１の面の反対側の第２の面１３ｂとを有しており、１×１０^１８ｃｍ^−３を超えるキャリア濃度を示す。 - 特許庁

In the semiconductor device, double-layer epitaxial layers 7, 8 are formed on a p-type single-crystal silicon substrate 6, and the epitaxial layer 8 has impurity concentration that is higher than that of the epitaxial layer 7.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、Ｐ型の単結晶シリコン基板６上に２層のエピタキシャル層７、８が形成され、エピタキシャル層８はエピタキシャル層７よりも高不純物濃度である。 - 特許庁

To precisely and inexpensively measure the gas concentration of on a substrate surface in a micro-area under a microscope, as to the sublimable raw material gas.例文帳に追加

昇華性の原料ガスについて、顕微鏡下の微小な領域の基板表面の原料ガス濃度を高精度、かつ、安価に測定することができるガス濃度測定装置および方法を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate for a gas sensor used for measurement of a component concentration of gas including a specific component, having a small size, excellent responsiveness and high reliability, and drivable with a low power consumption.例文帳に追加

特定の成分を含有するガスの成分濃度の測定に用いられ、小型で優れた応答性と高信頼性を有するとともに低消費電力で駆動できるガスセンサ用基板を提供すること。 - 特許庁

The hot dip coated steel sheet provided with the Al-containing plating layer of the surface layer Al concentration of ≥3 mass% is used as a substrate surface, and a titanium phosphate film is formed on the Al-containing plating layer.例文帳に追加

表層Ａｌ濃度：３質量％以上のＡｌ含有めっき層が設けられた溶融めっき鋼板を基材とし、Ａｌ含有めっき層の上にリン酸チタニウム皮膜が形成されている。 - 特許庁

To provide a communication apparatus utilizing a butterfly type optical module which can eliminate the concentration of stress to an electrically connected part between the optical module and a substrate, can show stable characteristics and can be assembled easily.例文帳に追加

光モジュールと基板との電気的接続部分への応力集中を回避し、安定した特性を発揮し、組立も容易なバタフライ型の光モジュールを用いた通信機器を提供する。 - 特許庁

In addition, after the developer is shaken off once in the developing step, so that by applying a new developer for developing treatment, suppressing the ununiform concentration of the developer is suppressed on the substrate W.例文帳に追加

また、現像処理過程で、基板Ｗ上の現像液を一旦振り切った後、新たな現像液を供給して現像処理を行うことにより、基板Ｗ上の現像液の濃度ムラを抑制する。 - 特許庁

In the case the concentration of TDMAT in the gaseous mixture is different, the set temperature of an ampule heating mechanism 106 is controlled, and in the case the temperature of the substrate 102 is different, the set temperature of a susceptor heating mechanism 103 is controlled.例文帳に追加

混合ガス中のＴＤＭＡＴ濃度が異なる場合にはアンプル加熱機構１０６の、基板１０２の温度が異なる場合にはサセプタ加熱機構１０３の設定温度を調整する。 - 特許庁

A high concentration film 3 is formed on the light-receiving surface of a silicon substrate 1, depending on a region on which an electrode is formed, by applying a heavily-doped dispersant agent on the surface using an ink jet process or an offset printing process.例文帳に追加

シリコン基板１の受光面に、電極を形成する部位に応じて、インクジェット法あるいはオフセット印刷によりドーパント濃度の高い拡散剤を塗布し、高濃度膜３を形成する。 - 特許庁

Onto the substrate conveyed by the belt conveyor BC, a plurality of nozzle rows formed on a nozzle forming face of an discharging device 6 discharge alignment film material having different concentration and different amount for different nozzle rows.例文帳に追加

次に、ベルトコンベアＢＣにより搬送された基板に、吐出装置６のノズル形成面に形成されている複数のノズル列毎に異なる濃度の配向膜材料を異なる量吐出する。 - 特許庁

Due to this structure, a depletion layer becomes easy to be expanded into the n^--type drift region 3 side at a region from the surface to a deep part of a substrate, reducing the concentration of an electric field.例文帳に追加

このような構成とすれば、基板表面から基板深くまでの領域において、ｎ^-型ドリフト領域３側へ空乏層が広がり易くなり、電界集中を緩和することができる。 - 特許庁

In the Schottky diode 11 of the semiconductor element, a silicon-carbide supporting substrate 13 having a first surface 13a and a second surface 13b opposed to the layer 13a exhibits a carrier concentration exceeding 1×10^18 cm^-3.例文帳に追加

ショットキダイオード１１で炭化ケイ素支持基体１３は、第１の面１３ａと第１の面の反対側の第２の面１３ｂとを有しており、１×１０^１８ｃｍ^−３を超えるキャリア濃度を示す。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device suppressing degradation of electric characteristics of a transistor due to electric field concentration onto an upper corner part of an element separation groove formed in a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板中に形成した素子分離溝の上部角部への電界集中によるトランジスタの電気的特性の劣化を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Then high-concentration n-type impurity regions 151 which become parts of bit lines BL are formed on a substrate 10 by performing ion implantation by using regions including the regions of the memory gates MG and control gates CG as masks.例文帳に追加

次に、ＭＧ及びＣＧの領域を含めた領域をマスクとしてイオン注入し、基板１０上にビット線ＢＬの一部となる高濃度Ｎ型不純物領域１５１を形成する。 - 特許庁

An oxide film 205 exists on the gate electrode 204 and the semiconductor substrate 201, and a layer-like film 206 exists which contain silicon hydrogen with high concentration in a composition exists on the film.例文帳に追加

上記ゲート電極２０４上及び半導体基板２０１上には、酸化膜２０５が存在しており、その上に、高濃度に水素を含有するシリコンを組成中に含む層状膜２０６が存在する。 - 特許庁

To provide printing ink for plastic labels that contains titanium oxide in high concentration, has high white density, is excellent in printability and storage stability, and also is excellent in adhesion to a substrate (especially a polyester-based film).例文帳に追加

酸化チタンを高濃度に含有し白濃度が高く、印刷適性、保存安定性に優れ、さらに、基材（特にポリエステル系フィルム）との密着性にも優れたプラスチックラベル用印刷インキを提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor of which the carrier concentration is high even when common impurities are used as dopants in the semiconductor in which ZnTe is deposited on a substrate.例文帳に追加

基板上にＺｎＴｅを成膜した半導体において、ドーパントとして一般的な不純物を用いた場合であっても、キャリア濃度が高い半導体の製造方法を提供するものである。 - 特許庁

To provide a high-performance biosensor for analyzing the specified component of a liquid-sample, having excellent stability and the high responsiveness (sensitivity and linearity) of the sensor to substrate concentration.例文帳に追加

液体試料中の特定の成分を分析するバイオセンサにおいて、安定性に優れ、且つ、センサの基質濃度に対する応答性（感度、直線性）の高い、高性能なバイオセンサを提供することを目的とする。 - 特許庁

After a field effect transistor 31 is formed, impurity ions are implanted diagonally to a substrate surface so that a peak Dp in concentration of the impurity ion is at a position deeper than that of a channel region.例文帳に追加

電界効果トランジスタ３１を形成したのち、不純物イオンの濃度のピークＤ_P がチャネル領域３３よりも深い位置にくるように、基板面に対して斜め方向から不純物イオンを注入する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor substrate on which an epitaxial crystal film uniform in a crystal mixing ratio or carrier concentration can be grown by controlling the in-plane temperature distribution to be uniform during epitaxial growth.例文帳に追加

エピタキシャル成長時の面内温度分布を均一にして、混晶比やキャリア濃度において均一なエピタキシャル結晶膜を成長させることができる窒化物半導体基板を提供する。 - 特許庁

Placing of a hydrogen ion is performed to an impurity semiconductor layer 2 formed in the upper surface of a p-type semiconductor substrate 1, so that a high concentration ionized layer L may be formed in the impurity semiconductor layer 2.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１の上面に形成された不純物半導体層２に対して水素イオンの打ち込みを行って高濃度イオン層Ｌを不純物半導体層２内に形成する。 - 特許庁

In a method for measuring the concentration of the marker substance, the marker substance is captured by a carrier such as a substrate whereupon an ion exchanger or a metal chelate body is immobilized, and then subjected to mass spectrometry.例文帳に追加

マーカー物質の濃度を測定する方法としては、イオン交換体や金属キレート体を固定化した基板等の担体にマーカー物質を捕捉し、質量分析により行なうことができる。 - 特許庁

The source electrode 16 and drain electrode 17 are formed on a source region 14 and drain region 15, which are the regions of high carrier concentration formed on the GaAs substrate 11, respectively.例文帳に追加

ソース電極１６及びドレイン電極１７は、ＧａＡｓ基板１１の上に形成された高キャリア濃度の領域であるソース領域１４及びドレイン領域１５の上にそれぞれ形成されている。 - 特許庁

The hydrogen standard sample forms the extremely thin silicon insulation film 5 containing deuterium on a silicon substrate 1 and is manufactured by determining the concentration of deuterium in the extremely thin silicon insulation film 5.例文帳に追加

この水素標準試料は、シリコン基板１上に重水素を含有した極薄シリコン絶縁膜５を形成し、次いで極薄シリコン絶縁膜５中の重水素濃度を定量することにより作製する。 - 特許庁

The magnetic recording medium has a magnetic layer containing magnetic powder, carbon black, a polyurethane resin and a butyral resin having 3 to 15mol% hydroxyl group concentration on one surface of a non-magnetic substrate.例文帳に追加

非磁性支持体の一方の面上に、磁性粉末、カーボンブラック、ポリウレタン樹脂および水酸基濃度３モル％以上１５モル％以下のブチラール樹脂を含有する磁性層を有する磁気記録媒体である。 - 特許庁

An N-type silicon single crystal substrate having volume resistivity ranging from 1 to 100 Ωcm is anodized by using a mixed solution of water, a hydrofluoric acid and ethanol with a specified concentration as an electrolyte.例文帳に追加

１Ω・ｃｍ乃至１００Ω・ｃｍの範囲の体積抵抗率を有するＮ型のシリコン単結晶基板を、所定濃度の水／フッ酸／エタノール混合溶液を電解液として用い、陽極酸化する。 - 特許庁

The irradiation of laser beams has slit shapes whose corners are configured of edge lines and masking patterns arranged at the corners for weakening an energy concentration with which a substrate is irradiated.例文帳に追加

本発明は、稜線によって角部を構成するスリット形状を有するレーザー光の照射と、基板上に照射されるエネルギ集中を弱めるために角部に配される遮蔽パターンによって与えられる。 - 特許庁

To enable accurate voltage shift in gate electrode-drain current characteristics by controlling the dopant concentration of the active layer of a thin-film transistor in the thin-film transistor that is formed on an insulation substrate.例文帳に追加

絶縁基板上に形成された薄膜トランジスタにおいて、該薄膜トランジスタの活性層のドーパント濃度を制御することにより、ゲート電極−ドレイン電流特性の正確な電圧シフトを可能とする。 - 特許庁

After that, the several dielectric precursor thin films 4-7 are baked for crystallization and a ferroelectric thin film 10 in which the concentration of Ti is almost uniform in the direction of the depth of the silicon substrate 1.例文帳に追加

その後、複数の誘電体前駆体薄膜４，…，７の結晶化の焼成を行って、シリコン基板１の深さ方向においてＴｉの濃度が略均一な強誘電体薄膜１０を形成する。 - 特許庁

To provide a printed wiring board which can secure the adhesion strength between a heat radiation pattern and an insulation substrate even if via holes to be connected to the heat radiation pattern are formed in a high concentration in a heat radiation pattern formation region.例文帳に追加

放熱パターンに接続されるビアホールを、放熱パターン形成領域内に密に形成する場合においても、放熱パターンと絶縁基板との密着強度を確保できるプリント配線板の提供。 - 特許庁

When the concentration of arsenic as the impurities of the silicon substrate 1, and that of the impurities of the p-type epitaxial film 23 are set to be "α" and "β", respectively, α≤3×10^19In(β)-1×10^21 is met.例文帳に追加

シリコン基板１の不純物としての砒素の濃度を「α」、ｐ型エピタキシャル膜２３の不純物濃度を「β」としたとき、α≦３×１０^１９・Ｉｎ（β）−１×１０^２１を満足させる。 - 特許庁

Thus, the thermal conductivities of the outer and inner resin insulating layers 42 and 64, a core substrate 30 and an interlayer insulating layer 44 can be conformed to each other to prevent a stress concentration caused by heat shrinkage.例文帳に追加

このため、外層樹脂絶縁層４２と内層樹脂絶縁層６４とコア基板３０と層間絶縁層４４との熱膨張率を整合して、熱収縮による応力集中を防止できる。 - 特許庁

To provide a substrate which can reduce a thickness distribution of a gallium nitride-based compound semiconductor layer, a ratio distribution of mixed crystals, and a concentration distribution of impurities in a semiconductor or the like by reducing the distribution of the growing temperature within the growing surface of the substrate, and a method for growing a gallium nitride-based compound semiconductor using the substrate.例文帳に追加

基板の成長面の面内における成長温度の分布を小さくすることによって窒化ガリウム系化合物半導体層の厚み分布、混晶組成比の分布、半導体不純物濃度の分布などを低減することのできる基板、及びその基板を用いた窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法を提供する。 - 特許庁

The length of the gate electrode (1) is more elongated than the minimum working size whereby the concentration of the semiconductor substrate (10) for regulating a threshold voltage Vth can be reduced than that of a conventional substrate, thereby permitting the reduction of a connecting electric field in a boundary surface between the semiconductor substrate (10) and diffusion layers (11, 11', 12) than that in a conventional device.例文帳に追加

本発明では、ゲート電極（１）のゲート長を最小加工寸法よりも長くしたことにより、閾値電圧Ｖｔｈ調整用の半導体基板（１０）の濃度を従来のそれよりも低減することができ、半導体基板（１０）と拡散層（１１、１１’、１２）との境界面の接合電界を従来のそれよりも低減することができる。 - 特許庁

A CPU 200 of a main control substrate 20 detects a time from the start to the end of the token detecting reaction by a photo sensor 331 of a token sensor 34a and considers the generations of an abnormality when the detected time becomes a prescribed value or less to output an abnormality generation signal to a subordinate control substrate 30 and to an external concentration terminal substrate 25.例文帳に追加

主制御基板２０のＣＰＵ２００は、メダルセンサ３４ａのフォトセンサ３３１がメダルの検出反応を開始してから終了するまでの時間を検出し、この検出した時間が所定値以下となった場合に、異常が発生したと見なし、異常発生信号をサブ制御基板３０及び外部集中端子基板２５に出力する。 - 特許庁

Plasma nitriding treatment is applied to a ground silicon oxide film of a substrate, while maintaining the temperature of the substrate at ≥400°C in a mixed gas atmosphere having a hydrogen concentration of 50% or less, and containing N_2 and H_2 to form an oxynitrided insulating film on the ground silicon oxide film as a gate insulating film.例文帳に追加

水素濃度が５０％以下のＮ_２とＨ_２とを含む混合ガス雰囲気中で基板の温度を４００℃以上に保持しながら基板の下地酸化珪素膜にプラズマ窒化処理を施して下地酸珪素膜にゲート絶縁膜としての酸窒化絶縁膜を形成する。 - 特許庁

An N type semiconductor layer 22 having a low impurity concentration is epitaxially grown on an N semiconductor substrate 21, a desired pattern of oxide film is formed thereon, and the substrate is subjected to ion implantation with use of the pattern as its mask to form an active region edge 28 and a guard ring region 24.例文帳に追加

Ｎ型の半導体基板２１上に不純物濃度が低いＮ型の半導体層２２をエピタキシャル成長させ、その表面に所望のパターンの酸化膜を形成し、それをマスクとしてイオン注入により活性領域エッジ部２８およびガードリング領域２４を形成する。 - 特許庁

After an IC chip 1 and a substrate 2 are carried in a hermetically sealed chamber 13, the surfaces of the electrodes 3 of the chip 1 or connecting electrodes 4 provided on the substrate 2 are activated with an energy wave and the electrodes 3 and 4 are joined to each other under a condition where the oxygen concentration in the chamber 13 is reduced.例文帳に追加

密閉されたチャンバー１３内にＩＣチップ１と基板２とを搬入したのち、チャンバーの酸素濃度を低下させた状態で、ＩＣチップ１の電極３又は基板２上の接続電極４の表面をエネルギー波により活性化したのち、両者を接合する。 - 特許庁

In the method for coating the substrate having the brilliant appearance, a rustproof clear coating film is formed on the substrate and, a colored clear coating film containing color pigments in a pigment concentration (PWC) of 0.01-0.5% is further formed on the rustproof clear coating film.例文帳に追加

本発明は、光輝面を有する基材上に、防錆クリヤー塗膜を形成した後、その上に着色顔料を顔料濃度（ＰＷＣ）０．０１〜０．５％で含有する着色クリヤー塗膜を更に形成する光輝面を有する基材の塗装方法を提供するものである。 - 特許庁

Further, upon readout operation, the concentration of impurities in the drain diffused layer is set on the surface of the semiconductor substrate, so that a depletion layer 9 generated in the connecting part of the semiconductor substrate and the drain diffused layer do not reach the parts immediately below the edge and the sidewall of the floating gate electrode.例文帳に追加

また、読み出し動作時に、半導体基板表面において、半導体基板とドレイン拡散層との接合部分に生じる空乏層９が浮遊ゲート電極のエッジおよびサイドウォール直下に達しないように、ドレイン拡散層の不純物濃度が設定されている。 - 特許庁

To enhance yield and performance of a semiconductor device and facilitate miniaturization of the device by distributing an impurity introduced onto a surface of a semiconductor substrate over a shallow region of the surface with high precision and at a high concentration, thereby preventing diffusion of the impurity into a deep region of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の表面に導入された不純物を、前記表面の浅い領域に高精度かつ高濃度で分布させ、不純物が半導体基板の深い領域に拡散することを防ぐことで、半導体装置の歩留まりおよび性能を向上させ、装置の微細化を容易にする。 - 特許庁

An interval 12a, between a first N-type embedded diffused layer 2 and a second N-type diffused layer 3 formed on the surface of a P-type semiconductor substrate 1, is adjusted so that the fluctuations of a punch-through voltage becomes smaller according to the impurity concentration of the substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１の表面に形成された第１のＮ型埋め込み拡散層２と第２のＮ型埋め込み拡散層３との間隔１２ａは、Ｐ型半導体基板１の不純物濃度に応じてパンチスルー電圧のばらつきが小さくなるように調整される。 - 特許庁

The protease activity inhibitory agent (B) is a protease inhibitory agent having 1 pM to 10 μM inhibition constant Ki to the (A), obtained by Henderson plotting by using (D) a substrate and under the conditions of optimum temperature, optimum pH and optimum substrate concentration of the activity of (A) the protease.例文帳に追加

プロテアーゼ活性阻害剤（Ｂ）：基質（Ｄ）を用いて、プロテアーゼ（Ａ）の活性の最適温度、最適ｐＨ及び最適基質濃度の条件下でＨｅｎｄｅｒｓｏｎプロットにより求めた（Ａ）に対する阻害定数Ｋｉが１ｐＭ〜１０μＭであるプロテアーゼ活性阻害剤。 - 特許庁