「substrate concentration」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of growing a compound semiconductor single crystal which is extremely uniform in a carrier concentration distribution within a plane perpendicular to the axial direction of crystal growth and is little in loss in cutting out the substrate and a substrate which is uniform in the in- surface carrier concn. distribution obtained by such method.例文帳に追加

結晶成長軸方向に垂直な面内でキャリア濃度分布が非常に均一で、かつ基板を切り出す時のロスが少ない化合物半導体単結晶の成長方法、及びかかる方法により得られた面内キャリア濃度分布が均一な基板を提供する。 - 特許庁

A heavily doped transparent thin film 6 made of a GZO thin film, AZO thin film, or IZO thin film having carrier concentration higher than that of the n-type ZnO substrate 3 is interposed between the p-type GaN layer 24 and the n-type ZnO substrate 3 at the LED thin-film section 2.例文帳に追加

ＬＥＤ薄膜部２におけるｐ形ＧａＮ層２４とｎ形ＺｎＯ基板３との間にｎ形ＺｎＯ基板３よりもキャリア濃度が高濃度のＧＺＯ薄膜もしくはＡＺＯ薄膜もしくはＩＺＯ薄膜からなる高濃度透明薄膜６を介在させてある。 - 特許庁

The method of producing a semiconductor substrate characterised in that an SiGe layer 2 is grown epitaxially on the silicon substrate 1 subjected to purging at a temperature of 1,000-1,200°C using HCl gas having a concentration of 20% or above to have a surface roughness R_ms of 0.18 nm or above, is used.例文帳に追加

濃度２０％以上のＨＣｌガスを用いて、１０００℃以上１２００℃以下でパージ処理し、表面粗さＲ_ｍｓを０．１８ｎｍ以上としたシリコン基板１上に、ＳｉＧｅ層２をエピタキシャル成長させることを特徴とする半導体基板の製造方法を用いる。 - 特許庁

Consequently, stress concentration at an edge of the electronic component 110 due to bending stress and torsional stress of the substrate 100 with the electronic component mounted thereon is dispersed by the round 130 to realize the reliable substrate 100 on which the electronic component is mounted and which never cracks.例文帳に追加

これにより、電子部品実装済基板１００の曲げ応力やねじり応力による電子部品１１０の端縁での応力集中を丸み１３０により分散し、クラックの発生しない信頼性に優れた電子部品実装済基板１００を実現できる。 - 特許庁

In the electrophotographic photoreceptor obtained by laminating a middle layer and a photosensitive layer in this order on an electrically conductive substrate, the middle layer consists essentially of a metal oxide and a bonding resin and has a concentration gradient in such a way that the content of the metal oxide is made higher on the substrate side.例文帳に追加

導電性支持体上に中間層、感光層をこの順で積層した電子写真感光体において、中間層が金属酸化物及び結着樹脂を主成分とし、金属酸化物の含有量を導電性支持体側に多くなるように濃度勾配をつけてある。 - 特許庁

Several dielectric precursor thin films 4-7 are formed on a lower electrode thin film 3 in such a way that the concentration of Ti in the dielectric precursor thin film 4 on the side of a silicon substrate 1 is smaller than that of Ti in the dielectric precursor thin film 7 on the side opposite to the silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１側の誘電体前駆体薄膜４におけるＴｉの濃度が、シリコン基板１と反対側の誘電体前駆体薄膜７におけるＴｉの濃度よりも小さくなるようにして、複数の誘電体前駆体薄膜４，…，７を下部電極薄膜３上に形成する。 - 特許庁

To provide a substrate holder which prevents corrosion of a structural component even when high-concentration hydrofluoric acid, phosphoric acid or sulfuric acid is used as a process liquid, when a plurality of substrates are held on the substrate holder and soaked in the process liquid in a processing tank to process.例文帳に追加

複数枚の基板を基板保持具に保持して処理槽内の処理液中に浸漬させて処理する場合において、高濃度のフッ酸、リン酸あるいは硫酸を処理液として使用するような場合であっても、構成部材が腐食される心配の無い基板保持具を提供する。 - 特許庁

To provide a surface acoustic wave element and a surface acoustic wave device having improved so-called shock resistance that resist an externally applied shock or the like by suppressing concentration of a stress caused at a connection part between a piezoelectric substrate such as a crystal substrate and a containing package and to provide electronic equipment employing them.例文帳に追加

水晶基板などの圧電基板と収納容器の接続部分に生じる応力集中を抑制し、外部から加わる衝撃などに耐える、所謂耐衝撃性を向上させた弾性表面波素子、弾性表面波装置および、それらを用いた電子機器を提供する。 - 特許庁

In the latter period of the plating stage, by stepwise moving the electric field shielding board 8 in the right direction and stepwise relaxing the concentration of the electric field to the center part of the semiconductor substrate 100, the plating copper film 112 is deposited over the whole face of the semiconductor substrate 100.例文帳に追加

メッキ工程の後期において、電界遮蔽板８を段階的に右方に移動して半導体基板１００の中央部に対する電界の集中を段階的に緩和することにより、半導体基板１００の全面に亘ってメッキ銅膜１１２を堆積する。 - 特許庁

An n-type DBR layer 12 (distribution Bragg reflection layer of first conductivity type), an i-InGaAs optical absorption layer 14 (optical absorption layer) with low carrier concentration, and a p-type InP window layer 16 (semiconductor layer of second conductivity type) are formed in order on an n-type InP substrate 10 (semiconductor substrate).例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１０（半導体基板）上に、ｎ型ＤＢＲ層１２（第１導電型の分布ブラッグ反射層）、低キャリア濃度のｉ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層１４（光吸収層）、及びｐ型ＩｎＰ窓層１６（第２導電型の半導体層）が順番に形成されている。 - 特許庁

To provide a wiring substrate enhancing electrical connection reliability between a through electrode and a wiring part by relaxing a stress concentration to directly underneath a side wall of a via hole and by reducing a stress to the side wall of the via hole in a wiring substrate equipped with the through electrode.例文帳に追加

貫通電極を備えた配線基板において、貫通孔側壁直下への応力集中を緩和すると共に、貫通孔側壁への応力を低減して、貫通電極と配線部との電気的な接続信頼性を向上させる配線基板を提供する。 - 特許庁

At this time, the doping gas on a secondary side of a pressure reducer to a gas cylinder via the pulse valve 20 is supplied directly in a pulse manner on a surface of the substrate 3, so that the impurity concentration profile in a region transiting from the substrate 3 to the dope layer becomes steep to flatten the surface of the dope layer.例文帳に追加

そのとき、パルスバルブ２０を介してガスボンベの減圧器の二次側のドーピングガスを基板３の表面上にパルス状に直接供給することで、基板３からドープ層に遷移する領域における不純物濃度プロファイルが急峻になり、ドープ層の表面が平坦化される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a solar cell capable of manufacturing a solar cell having high generation efficiency with a high yield by forming a uniform texture in a silicon substrate surface by reducing cation concentration in an etching liquid by a texture etching step which uses an alkali solution and using a substrate whose surface is not contaminated.例文帳に追加

アルカリ溶液を用いたテクスチャエッチング工程によってエッチング液中の陽イオン濃度を低下させることで、シリコン基板面内に均一なテクスチャを形成し、表面の汚染も無い基板を用いることで、高い発電効率を有する太陽電池を高い歩留まりで製造することができる。 - 特許庁

When the color filter is manufactured by using a pigment dispersion type photoresist by means of a photolithographic method, the development is executed by spraying plural developers different in concentration on the surface of a filter substrate 6 over plural steps, while rotating the filter substrate 6 after exposure at 10-800 rpm.例文帳に追加

顔料分散型フォトレジストを用いてフォトリソ法によりカラーフィルタを作製するに際し、露光後のフィルタ基板６を１０〜８００ｒｐｍで回転させながら、その表面に濃度の異なる複数の現像液を複数段にわたってスプレーすることにより現像する。 - 特許庁

This means that, since a p+ type 4H-SiC anode layer 12 likened to a p-type substrate is fabricated by epitaxial growth, its crystal growth speed is slower than for a p-type substrate fabricated by bulk growth, so that excellent crystal quality is obtained even when the concentration of aluminum which is a p-type dopant is increased.例文帳に追加

つまり、ｐ型基板に見立てるｐ＋型４Ｈ-ＳｉＣアノード層１２は、エピタキシャル成長により作製するから、バルク成長で作製されるｐ型基板に比べて結晶成長速度が遅く、ｐ型ドーパントであるアルミニウムの濃度を上げても、結晶品質が良くなる。 - 特許庁

The method for producing hydrogen comprises feeding an organic substrate into the reaction liquid containing microorganisms having formic acid dehydrogenase gene and hydrogenase gene, wherein the organic substrate concentration of the reaction liquid is controlled to be 250 mM or lower.例文帳に追加

蟻酸脱水素酵素遺伝子およびヒドロゲナーゼ遺伝子を有する微生物を含む反応液に、有機性基質を供給することからなる水素製造方法において、反応液中の有機性基質濃度を２５０ｍＭ以下となるように制御することを特徴とする水素製造方法。 - 特許庁

The waste ozone water 41 contains high concentration of dissolved ozone, substance for suppressing decomposition of ozone and a lot of organic matters produced in treatment of the substrate at the substrate treating part 20, but UV rays are efficiently utilized to obtain dissolved ozone without decomposing the organic matters.例文帳に追加

排オゾン水４１は高濃度の溶存オゾン、オゾンの分解を抑制する物質、及び基板処理部２０での基板処理に伴って発生した有機物を多量に含むが、紫外線は有機物の分解に消費されることなく、溶存オゾンの分解に効率よく使用される。 - 特許庁

The concentration of the filler in the adhesive is high enough so as to reduce the CTE (coefficient of thermal expansion) of the adhesive to match that of the IC chip and a substrate 90, and low enough so as not to impede electrical communication between the bumps on the IC chip and a bonding pad 84 on the substrate.例文帳に追加

接着材中のフィラーの濃度は、ＩＣチップや基板９０の熱膨張率ＣＴＥに一致させるために、接着材のＣＴＥを減らすように十分に高く、また、ＩＣチップ上のバンプと基板上のボンディングパッド８４との間の電気通信を妨げないように十分に低い。 - 特許庁

To provide a heat conduction substrate, in which an inorganic filler can be filled at high concentration, which can form a heat conduction module manufactured by a simple technique, whose coefficient of thermal expansion in its planar direction is close to that of a semiconductor and whose heat dissipating property is superior, and to provide a method of manufacturing the heat conductive substrate.例文帳に追加

無機フィラーを高濃度に充填することが可能で、しかも簡易な工法によって作製される熱伝導モジュールが可能で、さらに基板の平面方向の熱膨脹係数が半導体と近く、放熱性に優れた熱伝導基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus, discharged nitrogen gas is blown selectively and in concentration against an exposed interface 52, a rinsing liquid forming the exposed interface 52 is blown away from the substrate surface WS and the liquid-tight layer 36, and a substrate surface region is dried which corresponds to the exposed interface 52.例文帳に追加

こうして吐出された窒素ガスは露出界面部５２に選択的・集中的に吹き付けられ、この露出界面部５２を構成するリンス液が基板表面ＷＳおよび液密層３６から吹き飛ばされて露出界面部５２に対応する基板表面領域が乾燥される。 - 特許庁

To provide a low-cost semiconductor substrate of high throughput and a method for manufacturing it in which a high degree of relaxation is achieved in a strain SiGe film, even when the SiGe film having a thickness thinner than that of a critical film of high Ge concentration is formed on a substrate.例文帳に追加

基板上に高濃度のＧｅ濃度を有する臨界膜厚以下の歪ＳｉＧｅ膜を有する場合でも、このＳｉＧｅ膜において高い緩和度を達成することができ、さらにスループットが高く、安価な、半導体基板及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

According to the method of etching metal, at a concentration control point 6 where a groove 3 formed in a copper substrate 2 by etching is reached to a predetermined depth, a concentration of a liquid chemical for forming an etching controlled coating by replenishing a new solution into an etching solution 4, is reduced from 1,000 ppm to 500 ppm.例文帳に追加

この金属のエッチング方法によれば、エッチングにより銅基板２に形成される溝３が設定深さに達した濃度制御点６において、エッチング液４中に新液を補充してエッチング抑制被膜を形成するための薬液の濃度を１０００ｐｐｍから５００ｐｐｍへ低下させる。 - 特許庁

Impurity concentration in the channel region 30 of an MOS transistor is set higher at the end of a surface depletion layer 26 than on the surface of a semiconductor substrate 20 by providing an impurity concentration profile of linear or higher order function or Gaussian distribution.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのチャネル領域３０における不純物濃度を、深さ方向に対して１次以上の関数や、ガウス分布状などの形状を有する不純物濃度プロファイルを持たせて、半導体基板２０表面における不純物濃度よりも、表面空乏層２６端における不純物濃度を高くすることを特徴としている。 - 特許庁

The field-effect transistor (142) includes a p-type low concentration region 110 formed over a surface of a substrate (102), an n-type drain-side diffusion region 112 and an n-type source-side diffusion region 114 formed over a surface of the p-type low concentration region 110, an element isolation insulating layer 132, and an element isolation insulating layer 134.例文帳に追加

電界効果トランジスタ（１４２）は、基板（１０２）表面に形成されたｐ型低濃度領域１１０と、ｐ型低濃度領域１１０表面に設けられたｎ型ドレイン側拡散領域１１２およびｎ型ソース側拡散領域１１４と、素子分離絶縁膜１３２および素子分離絶縁膜１３４とを含む。 - 特許庁

After the ion implantation is carried out so that the impurity concentration has an inclination toward a fixed direction in the surface of a semiconductor substrate 101, a side of thin impurity concentration is mounted on a boat 110 and stored in a core tube 111 for forming a gate oxide film 108.例文帳に追加

不純物濃度が半導体基板１０１の表面を一定方向に向かって勾配を持つようにイオン注入を実施した後、不純物濃度の薄い側をボート１１０に載置し、炉心管１１１内へ格納してゲート酸化膜１０８を形成することを特徴とするＭＯＳ型半導体装置の製造方法。 - 特許庁

To provide an exposure device collecting the light emitted from a plurality of light-emitting elements formed on a substrate through hologram to form a row of light concentration points on an exposed surface and forming desired number of rows of light concentration points on the exposed surface even if there is a defect in a portion of a plurality of light-emitting elements.例文帳に追加

基板上に形成された複数の発光素子からの射出光をホログラムにより集光させて被露光面に集光点列を形成する露光装置において、複数の発光素子の一部に欠陥があっても、被露光面において所望の個数の集光点列を得ることができる露光装置を提供する。 - 特許庁

The lens substrate has a plurality of convex lenses and has a coloring section at a surface side where the convex lenses are provided and further has a low coloring concentration section with lower colorant concentration than that of other parts of the surface side where the convex lenses are provided near a top part of the convex lens.例文帳に追加

本発明のレンズ基板は、複数の凸レンズを有するレンズ基板であって、凸レンズが設けられている面側に着色部を有し、凸レンズの頂部付近に、前記凸レンズが設けられている面側の他の部位よりも着色剤濃度が低い低着色濃度部を有することを特徴とする。 - 特許庁

Subsequently, a phosphorus is introduced into the I-layer 2 to form a phosphorus processing layer 4 having a relatively high impurity concentration to the exposed I-layer 2, which surrounds the I-layer 2 with the layer 4 and the substrate 1, increasing a carrier concentration per unit volume in the I-layer 2 by decreasing the volume of the I-layer 2.例文帳に追加

続いてＩ層２にリンを導入して、露出したＩ層２に相対的に不純物濃度が高いリン処理層４を形成することにより、Ｉ層２をリン処理層４およびｎ型高濃度基板１で囲み、Ｉ層２の体積を小さくしてＩ層２における単位体積あたりのキャリア濃度を上げる。 - 特許庁

The field-effect transistor (142) includes a p-type low concentration region 110 formed on a surface of a substrate (102), an n-type drain side diffusion region 112 and an n-type source side diffusion region 114 arranged on a surface of the p-type low concentration region 110, and an element isolation insulating film 132 and an element isolation insulating film 134.例文帳に追加

電界効果トランジスタ（１４２）は、基板（１０２）表面に形成されたｐ型低濃度領域１１０と、ｐ型低濃度領域１１０表面に設けられたｎ型ドレイン側拡散領域１１２およびｎ型ソース側拡散領域１１４と、素子分離絶縁膜１３２および素子分離絶縁膜１３４とを含む。 - 特許庁

A plurality of low concentration impurity regions 30 which are formed of impurities of the same conductivity type as a drain region 21 and have impurity concentration lower than the drain region 21 are installed in a P well region 12 formed in a semiconductor substrate 11, so that they are brought into contact with an LDD region 17-2 and the drain region 21.例文帳に追加

半導体基板１１に形成されたＰウェル領域１２に、ドレイン領域２１と同じ導電型の不純物よりなり、ドレイン領域２１よりも不純物濃度が低い低濃度不純物領域３０をドレイン領域２１及びＬＤＤ領域１７−２と接触するように複数設けた。 - 特許庁

In a nitride single crystal substrate 22, a first side surface has a thickness of 100 μm or more, is defined into an upper region 22b and a lower region 22a in the direction of thickness, and the doping concentration of the upper region 22b is five times or more the doping concentration of the lower region 22a.例文帳に追加

本発明の第１側面は、１００μｍ以上の厚みを有し、厚さ方向に上部領域２２ｂ及び下部領域２２ａに区分され、上部領域２２ｂのドーピング濃度は、下部領域２２ａのドーピング濃度の５倍以上であることを特徴とする窒化物単結晶基板２２を提供する。 - 特許庁

To provide an ultraviolet ray-curable inkjet ink which is suitable for an inkjet recording method for scanning a substrate to be printed with a print head and an ultraviolet ray-irradiating lamp, following the imparted all color inks and irradiating the inks with ultraviolet rays, and has excellent curability in low concentration thin film portions and high concentration thick film portions and excellent adhesiveness to the substrates to be printed.例文帳に追加

プリントヘッドと紫外線照射ランプが被印刷基材上をスキャンし、全色インク付与に追尾して紫外線照射を行うインクジェット記録方法に適した低濃度の薄膜部分と高濃度の厚膜部分の硬化性、被印刷基材への接着性に優れた紫外線硬化型ジェットインクを提供する。 - 特許庁

To provide an ultraviolet ray-curable inkjet ink which is suitable for an inkjet recording method for scanning a substrate to be printed with a print head and an ultraviolet ray-irradiating lamp, following the imparted all color inks and irradiating the inks with ultraviolet rays, and has excellent curability in low concentration thin film portions and high concentration thick film portions and excellent adhesiveness to the substrates to be printed.例文帳に追加

プリントヘッドと紫外線照射ランプが被印刷基材上をスキャンし、全色インク付与に追尾して紫外線照射を行うインクジェット記録方法に適した低濃度の薄膜部分と高濃度の厚膜部分の硬化性、被印刷基材への接着性に優れた紫外線硬化型ジェットインクを提供する - 特許庁

In this method for manufacturing a semiconductor substrate, a silicon wafer 36 added with impurities at a high concentration is housed in a chamber 22, and while a hydrogen gas 28 is supplied into the chamber 22, the surface of the silicon wafer 36 is scanned with a line laser light to eliminate impurities thereon, thereby forming a shallow low-concentration layer on the surface of the silicon wafer 36.例文帳に追加

不純物が高濃度に添加されたシリコンウェハ（３６）をチャンバー（２２）内に収容し、該チャンバー（２２）内に水素ガス（２８）を供給しながら、シリコンウェハ（３６）の表面をライン状のレーザ光で走査して、該表面に存在する不純物を脱離し、シリコンウェハ（３６）の表面に浅い低濃度層を形成する。 - 特許庁

An n^--type semiconductor region 2 is formed on a p-type semiconductor substrate 1, and an n^+-type semiconductor region 4 with high impurity concentration is formed in the n^--type semiconductor region 2, and then a p^+-type semiconductor region 5 with high impurity concentration is formed in the vicinity of the n^--type semiconductor region 2 in two dimensional manner.例文帳に追加

ｐ型の半導体基板１にｎ^−型半導体領域２が形成され、高不純物濃度のｎ^＋型半導体領域４がｎ^−型半導体領域２内に形成され、ｎ^−型半導体領域２の平面的に周囲の位置に高不純物濃度のｐ^＋型半導体領域５が形成されている。 - 特許庁

Then, by heat-treating at least the first SiO_2 film, high-permittivity insulating film, and the second SiO_2 film; a gate insulating film 6 is formed where silicon concentration is high near the interface between the silicon substrate 1 and the gate electrode 7, and the silicon concentration becomes gradually lower toward the center.例文帳に追加

そして、少なくとも第１のＳｉＯ_２膜、高誘電率絶縁膜および第２のＳｉＯ_２膜に熱処理を施すことによって、シリコン基板１およびゲート電極７との界面近傍でのシリコン濃度が高く、中心付近に向かうにしたがい漸次シリコン濃度が低くなるゲート絶縁膜６を形成する。 - 特許庁

The method includes a process for forming a Schottky electrode 5 and a surface opening dicing line region 7 on a surface of an SiC wafer (high concentration n-type substrate 1 and low concentration n-type epitaxial layer 2) and forming an ohmic electrode 4 and a rear opening dicing line region 8 on a rear face of the SiC wafer before a dicing process.例文帳に追加

ダイシング工程を行う前に、ＳｉＣウエハ（高濃度ｎ型基板１及び低濃度ｎ型エピタキシャル層２）の表面にショットキ電極５及び表面開口ダイシングライン領域７を形成し、ＳｉＣウエハの裏面にオーミック電極４及び裏面開口ダイシングライン領域８を形成する工程を実行する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a metal carrier capable of effectively making a substrate carry a metal nanocolloid particle at a high speed up to high concentration, using a metal nanocolloid solution substantially containing no protective colloid forming agent and being excellent in the stability of dispersion even when containing the metal nanocolloid particle of relatively high concentration.例文帳に追加

保護コロイド形成剤を実質上含まず、しかも金属ナノコロイド粒子を比較的高濃度で含有しても分散安定性が良好な金属ナノコロイド液を用い、金属ナノコロイド粒子を高速かつ高濃度に、効率よく基体に担持させる金属担持体の製造方法を提供すること。 - 特許庁

This scintillator plate has a scintillator layer comprising a vapor deposition columnar crystal containing cesium iodide and an activator, on a substrate, an in-plane concentration distribution of the activator is within ±20% in the scintillator layer, and a growth-directional concentration distribution of the vapor deposition columnar crystal is within ±40% therein.例文帳に追加

基板上に、ヨウ化セシウムと賦活剤を含有する蒸着柱状結晶からなるシンチレータ層を有するシンチレータプレートにおいて、該シンチレータ層における該賦活剤の面内濃度分布が±２０％以内であり、かつ該蒸着柱状結晶の成長方向濃度分布が±４０％以内であることを特徴とするシンチレータプレート。 - 特許庁

A first layer 16 is formed by segregating specific atoms with high concentration on the junction interface of the NiGe layer 15 and the Ge substrate 2, and a second layer 17 is formed by segregating the same atoms as those of the first layer 16 with high concentration on the interface of the gate electrode 13 and a gate insulating film 12.例文帳に追加

ＮｉＧｅ層１５とＧｅ基板２との接合界面には、所定の原子が高濃度に偏析して形成されてなる第１の層１６が形成され、ゲート電極１３とゲート絶縁膜１２との界面には、第１の層１６と同じ原子が高濃度に偏析して形成されてなる第２の層１７が形成されている。 - 特許庁

Assuming another MISFET which is provided with a substrate having impurity concentration C and composed of the same material as that of the substrate 1, and an insulation film composed of SiON only formed on the channel region; the impurity concentration C of the channel region 20 is so established that the maximum of electron mobility in the channel 20 region is higher than the maximum of electron mobility in the channel region.例文帳に追加

不純物濃度Ｃのチャネル領域を有し、基板１と同一の材質よりなる基板と、チャネル領域上に形成されたＳｉＯＮのみよりなる絶縁膜とを備える別のＭＩＳＦＥＴを想定し、チャネル領域における電子の移動度の最大値よりもチャネル領域２０における電子の移動度の最大値が高くなるように、チャネル領域２０の不純物濃度Ｃが設定されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein transistors operated at different back gate electric potentials are integrated on one substrate while a sufficient freeness for the impurity concentration of a well is assured.例文帳に追加

互いに異なるバックゲート電位で動作させるトランジスタを１つの基板上に集積形成することができ、しかもウェルの不純物濃度に関する自由度を十分に確保することが可能な半導体装置を提供すること。 - 特許庁

On a sapphire substrate 11, a buffer layer 12 of film thickness of about 25 nm comprising nitride aluminum(AlN) is provided, over which a high carrier concentration n+ layer 13 of film thickness of about 4.0 μm comprising silicon(Si) doped GaN is formed.例文帳に追加

サファイア基板１１の上には窒化アルミニウム(AlN) から成る膜厚約25nmのバッファ層１２が設けられ、その上にシリコン(Si)ドープのGaN から成る膜厚約4.0 μｍの高キャリア濃度ｎ^+ 層１３が形成されている。 - 特許庁

To provide a substrate for optical fiber alignment and an optical fiber array capable of advantageously preventing increase in transmission loss, damage, disconnection or the like of an optical fiber caused by stress concentration generated at a tip part of the optical fiber.例文帳に追加

光ファイバの先端部位で生ずる応力集中に起因した光ファイバの伝送損失の増大や損傷、断線等の発生を有利に防止し得る光ファイバ整列用基板と光ファイバアレイを提供する。 - 特許庁

To readily and in approximation compute interface state density on the interface of an SOI(silicon-on-insulator) thin-film and an insulating layer, in an SOI substrate, even when impurity concentration in the SOI thin-film cannot be obtained accurately.例文帳に追加

ＳＯＩ薄膜中の不純物濃度が正確に求められない場合にも、ＳＯＩ基板のＳＯＩ薄膜と絶縁層との界面における界面準位密度を簡便にかつ近似的に算出する。 - 特許庁