「substrate concentration」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

In the effective region of pixels in the depth direction from the surface of an N type semiconductor substrate, modulation doping is executed so that the concentration of N type dopants becomes lower as getting deeper from the surface side of the semiconductor substrate.例文帳に追加

Ｎ型半導体基板の表面からの深さ方向における画素の有効領域において、Ｎ型ドーパントの濃度が、半導体基板の表面側から深くなるほど低濃度となるように変調ドーピングを施す。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate and a semiconductor device, with which slippage can be persistently prevented during the manufacturing process of a semiconductor device, even in a semiconductor substrate having low interstitial oxygen concentration.例文帳に追加

格子間酸素濃度が低い半導体基板であっても，半導体デバイスの製造過程でスリップの抑制を持続的に図ることが可能な半導体基板および半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Taking the interstitial oxygen concentration of the silicon substrate 1×10^18 cm^-3 or less can decrease the fluctuation in the electric characteristics (resistivity) of a silicon layer (SOI layer) of the SOI substrate to a degree free from problems in practical use.例文帳に追加

結晶シリコン基板の格子間酸素濃度を１×１０^１８ｃｍ^−３以下とすれば、ＳＯＩ基板のシリコン層（ＳＯＩ層）の電気的特性（抵抗率）の変動が実用上問題ない程度に抑えられる。 - 特許庁

A relation: 0.1≤W_1/W_0≤0.99 is satisfied, wherein W_0[μm] denotes lens width when the lens substrate is horizontally viewed and W_1[μm] denotes width of the low coloring concentration section when the lens substrate is horizontally viewed.例文帳に追加

レンズ基板を平面視したときの前記レンズの幅をＷ_０［μｍ］、レンズ基板を平面視したときの前記低着色濃度部の幅をＷ_１［μｍ］としたとき、０．１≦Ｗ_１／Ｗ_０≦０．９９の関係を満足する。 - 特許庁

The magnetic recording medium comprises protruding magnetic patterns formed on a substrate, and a nonmagnetic material which is embedded in the recesses between the magnetic patterns and has a higher oxygen atom concentration on the surface side than on the substrate side.例文帳に追加

基板上に形成された凸状をなす磁性パターンと、前記磁性パターン間の凹部に埋め込まれ、酸素原子濃度が基板側よりも表面側で高くなっている非磁性体とを有する磁気記録媒体。 - 特許庁

Because a large quantity of material gas is supplied to the peripheral part 21c where flow rate of material gas is large, the effective concentration of material gas on the surface of the substrate 14 becomes uniform and the treatment in the substrate becomes uniform.例文帳に追加

原料ガスの流速の大きい周辺部分２１_c程多量の原料ガスが供給されるから、基板１４表面の原料ガスの実効的な濃度が一定になり、基板面内での処理が均一になる。 - 特許庁

A Pd layer 15a is formed as a contact layer on one surface of a silicon semiconductor substrate(n-type semiconductor substrate area 16a) having relatively low impurity concentration constituting a power bipolar transistor.例文帳に追加

電力用バイポーラトランジスタを構成する、比較的低い不純物濃度を有するシリコン半導体基体（Ｎ型半導体サブストレート領域１６ａ）の一面上に、接触層としてのＰｄ層１５ａを形成する。 - 特許庁

Used mixture liquid removed from the substrate W is collected without adhering to the substrate surface Wf, and the IPA concentration is conditioned not lower than the azeotropic composition ratio of DIW and IPA.例文帳に追加

また、基板表面Ｗｆに残留付着することなく基板Ｗから除去された使用済混合液は回収され、ＩＰＡ濃度がＤＩＷとＩＰＡとの共沸組成比率以上に調整される。 - 特許庁

The medical device includes: a substrate having a central portion and a peripheral portion; and a first bioactive agent disposed over at least a portion of the substrate, wherein a higher concentration of the first bioactive agent is positioned on the central portion of the substrate and a lower concentration of the first bioactive agent extends outwardly from the central portion to the peripheral portion of the substrate.例文帳に追加

本発明により提供される医療デバイスは、中心部分および外周部分を備える基材；ならびに該基材の少なくとも一部分に配置された第一の生物活性剤であって、より高濃度の該第一の生物活性剤が、該基材の該中心部分に存在し、そしてより低濃度の該第一の生物活性剤が、該基材の該中心部分から該外周部分に向かって外向きに広がっている、第一の生物活性剤、を備えている。 - 特許庁

The semiconductor storage device comprises a silicon substrate 109 containing a p-type impurity in a first concentration, an epitaxial layer 108 formed on the substrate 109 and containing a p-type impurity in a second concentration lower than the first concentration, a storage area 191 provided on the layer 108, and a logic circuit region 192 provided at a different position from the area 191 on the layer 108.例文帳に追加

半導体記憶装置は、ｐ型の不純物を第１の濃度で含むシリコン基板１０９と、シリコン基板１０９に形成され、第１の濃度よりも低い第２の濃度でｐ型の不純物を含み、有するエピタキシャル層１０８と、エピタキシャル層１０８の上に設けられた記憶領域１９１と、エピタキシャル層１０８の上で記憶領域１９１と異なる位置に設けられた論理回路領域１９２とを備える。 - 特許庁

This semiconductor device comprises: lower concentration source/drain regions 106 and higher concentration source/drain regions 108 formed in a semiconductor substrate 101; a gate insulating film 102 formed on a region of the semiconductor substrate 101 between the lower concentration source/drain regions 106; and the gate electrode 103 formed on the gate insulating film 102 as seen in the plan view, and composed of metal silicide.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１０１内に形成された低濃度ソース・ドレイン領域１０６および高濃度ソース・ドレイン領域１０８と、半導体基板１０１のうち平面的に見て低濃度ソース・ドレイン領域１０６の間に位置する領域の上に形成されたゲート絶縁膜１０２と、ゲート絶縁膜１０２上に形成され、金属シリサイドからなるゲート電極１０３とを備えている。 - 特許庁

In an infrared light source wherein a filament is energized to generate heat and emit infrared rays, the filament with adjusted impurity concentration and electric conductivity is formed on a silicon substrate, and the silicon substrate is anodically joined on a ceramic substrate 10 having filled through-electrodes 11, and then the silicon substrate, except for the filament, is removed by etching to form the filament 13 on the ceramic substrate.例文帳に追加

フィラメントに通電して発熱させ赤外線を出射させる赤外線光源において、フィラメントを不純物濃度、導電率を調整しシリコン基板上に形成し、このシリコン基板を充填貫通電極１１を有するセラミック基板１０上に陽極接合し、フィラメント以外のシリコン基板をエッチング除去してセラミック基板上に前記フィラメント１３を形成する。 - 特許庁

A high-oxygen-concentration layer 29 for forming high-oxygen-concentration layers 9, 19 for prevention of a silicide reaction and for preventing the silicide reaction even in the upper part of the polysilicon layer 5 is formed in a surface layer of the silicon substrate 1 provide on a side of the polysilicon layer 5.例文帳に追加

シリコン基板１のポリシリコン５側の表層部には、シリサイド反応を阻止するための高酸素濃度層９，１９を形成すると共に、ポリシリコン５の上部にもシリサイド反応を阻止するための高酸素濃度層２９を形成している。 - 特許庁

In this product comprising a substrate 15 having a glass layer 12, the glass layer 12 has a rich layer 13 containing Ag in a high concentration on the surface side and the Ag concentration of the rich layer 3 is highest on the surface side and is gradually decreased in the depth direction.例文帳に追加

ガラス層１２をもつ基体１５からなる製品において、ガラス層１２は表面側にＡｇを高い濃度で含むリッチ層１３をもち、このリッチ層１３のＡｇの濃度は表面側で最も高く、深さ方向に徐々に減少している。 - 特許庁

In the semiconductor device, a laminate of an n-type cladding layer 12b, an absorbing layer 12c, a p-type cladding layer 12d and a p-type high concentration layer 12e is formed in a mesa type on an n-type high concentration layer 12a formed on the surface of a substrate 11 and used as a cathode of the photodiode.例文帳に追加

基板１１表面に形成されフォトダイオードのカソードなるｎ型高濃度層１２ａ上にｎ型クラッド層１２ｂ、吸収層１２ｃ、ｐ型クラッド層１２ｄ及びｐ型高濃度層１２ｅの積層体をメサ型に形成する。 - 特許庁

The zone of increased carrier concentration has a thickness of about 1000 Å and extends from the surface opposite to the epitaxial layer, of the semiconductor substrate toward the opposite surface, and the dopant concentration is gradually reduced toward the opposite surface.例文帳に追加

漸増キャリヤー濃度帯は、約１０００Åの厚さを有し、エピタキシャル層と反対の半導体基板の表面から該表面と反対側の表面に向かって伸びており、該反対側の表面に向かってドーパントの濃度が漸次低下している。 - 特許庁

To provide a surface modification method whereby a high-quality silicon oxynitride film with decreased damage is formed in a short treatment time by sufficiently decreasing the nitrogen concentration at the interface between a silicon oxide film and a silicon substrate and increasing the nitrogen concentration in the silicon oxide film.例文帳に追加

シリコン酸化膜とシリコン基板界面の窒素濃度を十分小さくし、かつ、シリコン酸化膜中の窒素濃度を高め、ダメージを減らした高品位のシリコン酸窒化膜を、短い処理時間で生成する表面改質方法を提供する。 - 特許庁

A high-concentration drain region 109A2 is formed, so as to be surrounded by the low-concentration drain region 105A2, in a region located outside the insulating sidewall spacer 108A and near the bottom surface of the one dug-down portion 121 in the semiconductor substrate 101.例文帳に追加

絶縁性サイドウォールスペーサ１０８Ａの外側で且つ掘り下げ部１２１の底面の近傍に位置する部分の半導体基板１０１中に、低濃度ドレイン領域１０５Ａ２に囲まれるように高濃度ドレイン領域１０９Ａ２が形成されている。 - 特許庁

The calculator 100 calculates a concentration of a light absorbing substance in the space LS on the basis of a calculated result of the measuring device 10, and the controller 9 judges whether or not to transfer an image of a pattern of a mask M onto a substrate W according to the concentration.例文帳に追加

算出部１００は計測器１０の計測結果に基づいて光路空間ＬＳの吸光物質の濃度を算出し、制御部９はこの濃度に応じて基板ＷへのマスクＭのパターンの像の転写を行うか否かを判断する。 - 特許庁

Copper deposition is electrodeposited by immersing a substrate into an electrodeposition bath having a copper ion concentration between 0.5 mmol l^-1 and 50 mmol l^-1 and an acid concentration between 0.05% and 10% per volume of the electrodeposition bath.例文帳に追加

０．５ｍｍｏｌ・ｌ^−１と５０ｍｍｏｌ・ｌ^−１との間に含まれる銅イオン濃度と、電着浴の体積あたり０．０５％と１０％との間に含まれる酸濃度とを有する電着浴中に基板を浸責し、銅の堆積物を電着する。 - 特許庁

An acid cleaning step in which the substrate with the multilayer film of gold or the like/chromium or the like is cleaned with an aqueous solution having a nitric acid concentration of ≥35 wt.% and a cerium ammonium nitrate concentration lower than that in an etching liquid is provided between an etching step and the water washing step.例文帳に追加

エッチング工程と水洗工程の間に、金等／クロム等積層膜付き基板を、硝酸濃度３５重量％以上であって硝酸セリウムアンモニウム濃度がエッチング液より低い水溶液で洗浄する酸洗浄工程を設ける。 - 特許庁

The semiconductor substrate includes a supporting substrate 71, an impurity introducing layer 77 provided in the supporting substrate and having an impurity concentration of 10^19/cm^3 or more and 5×10^20/cm^3 or less, and an epitaxial layer 55 formed on the impurity introducing layer.例文帳に追加

半導体基板は、支持基板７１と、前記支持基板中に設けられ、不純物濃度が１０^１９／ｃｍ^３以上、５×１０^２０／ｃｍ^３以下である不純物導入層７７と、前記不純物導入層上に形成されるエピタキシャル層５５とを具備する。 - 特許庁

The semiconductor laser device has a substrate 2a and the active layer 5, and is constituted so that an energy of the laser light emitted from the active layer 5 is set to a value smaller than a band-gap energy of the substrate 2a, wherein the carrier concentration for the substrate 2a is set to ≥2.2×10^18 cm^-3.例文帳に追加

基板２ａおよび活性層５を有し、活性層５から発するレーザ光のエネルギーが、基板２ａのバンドギャップエネルギーよりも小さい値に設定された半導体レーザ装置において、基板２ａのキャリア濃度は、２．２×１０^１８ｃｍ^−３以上に設定されている。 - 特許庁

To provide a cleaning method of a semiconductor substrate which is capable of cleaning the semiconductor substrate in the optimum clean state, while improving the cleaning efficiency of the semiconductor substrate in spite of the number of semiconductor substrates to be cleaned and the kind, concentration or the like of chemical solution employed for the cleaning.例文帳に追加

洗浄すべき半導体基板の枚数や洗浄に用いられる薬液の種類および濃度等に拘らず、半導体基板の洗浄効率を向上させつつ半導体基板を適正な清浄な状態に洗浄できる半導体基板の洗浄方法を提供する。 - 特許庁

To provide a device for processing a substrate having a plurality of processing units for processing a substrate to be processed with the use of a processing liquid capable of supplying the processing liquid with a chemical included in an appropriate concentration corresponding to the process of the substrate to be processed in the processing units.例文帳に追加

処理液を用いて被処理基板を処理する複数の処理ユニットを備えた基板処理装置であって、各処理ユニットへ、当該処理ユニットにおける被処理基板の処理に応じた適切な濃度で一つの薬液種が含まれた処理液が供給され得る基板処理装置を提供する。 - 特許庁

An epitaxial layer 2 is grown on a high-resistance semiconductor substrate 1 containing high-concentration interstitial oxygen and thereafter, the substrate 1 is heat treated at a high temperature in an oxidizing atmosphere, and an SiO2 layer type region 3 is deposited in the interface between the substrate 1 and a layer 2.例文帳に追加

高濃度の格子間酸素を含んだ高抵抗の半導体基板１にエピタキシャル層２を成長させたのち、半導体基板１を酸化性雰囲気中で高温で熱処理し、半導体基板１とエピタキシャル層２との界面にＳｉＯ_2の層状領域３を析出させる。 - 特許庁

After a specific time elapses, the stirring mechanism 16 stirs the atmosphere around the substrate 90, thus canceling the residence of an air current formed on the surface of the substrate 90, and stirring and eliminating the atmosphere, where the gas constituent concentration of the chemical liquid is high, from the atmosphere around the substrate 90.例文帳に追加

所定の時間が経過した後、攪拌機構１６が基板９０の周辺雰囲気を攪拌することにより、基板９０の表面に形成される気流の滞留を解消し、基板９０の周辺雰囲気から薬液の気体成分濃度の高い雰囲気を攪拌除去する。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate manufacturing method for realizing a high relaxation ratio in a SiGe film formed on a semiconductor substrate and suppressing through dislocation concentration in the SiGe film at a minimum, and a semiconductor device manufacturing method utilizing the semiconductor substrate manufacturing method.例文帳に追加

半導体基板上に形成されたＳｉＧｅ膜において、高い緩和率を実現し、かつＳｉＧｅ膜内の貫通転位密度を最大限に抑制することができる半導体基板の製造方法及びそれを利用した半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

An ion injection simulation method includes: calculating a reinjection dose injected into a structure formed on a substrate and reinjected from a side face of the structure to the substrate; and calculating concentration distribution of impurities injected into the substrate from a distribution function and reinjection conditions of the reinjection dose.例文帳に追加

基体上に形成された構造体に注入され、構造体の側面から基体に再注入される再注入ドーズを算出し、分布関数と再注入ドーズの再注入条件とから、基体に注入される不純物の濃度分布を算出するイオン注入のシミュレーションを行う。 - 特許庁

Thereby, the stress concentration is avoided in a part where the foreign materials are present of the glass substrate and breakages, cracks, flaws, etc., are prevented from occurring in the principal surfaces of the glass substrate when the foreign materials such as minute pieces of glass are nipped between the principal surfaces of the glass substrate and the clamping parts.例文帳に追加

こうすることによって、ガラス基板の主表面とクランプ部との間にガラスの微小片などの異物が挟み込まれた場合に、ガラス基板の異物の存在する部分に応力が集中することを回避し、ガラス基板の主表面に割れやクラックやキズなどの発生を防止する。 - 特許庁

Further, the pre-drying processing is not immediately executed for the substrate W subjected to rinsing processing, but executed after a low-concentration IPA is supplied to the substrate surface Wf to substitute the ringing liquid (DIW) adhering on the substrate surface Wf with IPA.例文帳に追加

しかも、この実施形態では、リンス処理を受けた基板Ｗに対して乾燥前処理を直ちに行うのではなく、低濃度ＩＰＡを基板表面Ｗfに供給して基板表面Ｗfに付着しているリンス液（ＤＩＷ）をＩＰＡに置換した上で乾燥前処理を行っている。 - 特許庁

To provide a III-V compound semiconductor crystal film, which is formed on an uneven substrate with a projection provided with sloping faces formed at an angle with respect to the substrate surface on its surface and is controlled properly in impurity concentration.例文帳に追加

基板面に対して傾斜する傾斜面を有する段差を基板面に備えた段差基板上に成膜され、しかも不純物濃度が良好に制御されているIII-Ｖ族化合物半導体結晶膜を提供する。 - 特許庁

A semiconductor element is constituted in a structure that a high-concentration B-doped semiconductor diamond layer is formed on an insulative high-pressure synthetic diamond single crystal substrate 1, and semiconductor layers 2a and 2b used as source and drain regions are formed on the substrate 1 by a reactive ion etching.例文帳に追加

絶縁性の高圧合成ダイヤモンド単結晶基板１上に、高濃度Ｂドープ半導体ダイヤモンド層を形成し、反応性イオンエッチングにより、ソース及びドレイン領域となる半導体ダイヤモンド層２ａ及び２ｂを形成する。 - 特許庁

In the semiconductor device 1 including an SiC substrate 2, a high carbon concentration SiC layer 3 containing more highly concentrated carbon than a surface layer portion on the side of a front surface 21 is formed on a surface layer portion on the side of a rear surface 22 of the SiC substrate 2.例文帳に追加

ＳｉＣ基板２を有する半導体装置１において、ＳｉＣ基板２の裏面２２側の表層部分に、表面２１側の表層部分よりもカーボンが高濃度に含まれる高カーボン濃度ＳｉＣ層３を形成する。 - 特許庁

An etching rate of an SiO_2 layer by high concentration nitric acid fluoride becomes significantly lower when compared with that of an Si substrate, and the Si substrate is etched until the SiO_2 layer is exposed.例文帳に追加

本発明者らは、組成を適切に選択することで、高濃度フッ硝酸によるＳｉＯ_2層のエッチングレートがＳｉ基板と比較して著しく低くなることに見出し、Ｓｉ基板を、ＳｉＯ_2層が露出するまでエッチングを行う。 - 特許庁

An impurity region 19 having the same impurity concentration with that of the impurity region 17 is formed at the same depth of that of the impurity region 17 from the surface of the semiconductor substrate 11 in the semiconductor substrate 11 under the diffusion layer 18.例文帳に追加

拡散層１８下で半導体基板１１の表面から不純物領域１７と同じ深さの半導体基板１１内に、不純物領域１７と同じ不純物濃度を持つ不純物領域１９が形成されている。 - 特許庁

To provide a planetary type compound semiconductor crystal growing device which can epitaxially grow a compound semiconductor layer with in-plane uniformity and substrate-to-substrate uniformity, which are higher than the conventional example with respect to the film thickness, impurity concentration, etc.例文帳に追加

膜厚、不純物濃度等について、従来より一層、高い基板面内均一性及び基板間均一性で化合物半導体層をエピタキシャル成長させるプラネタリー型化合物半導体結晶成長装置を提供する。 - 特許庁

Impurity concentration in a region of a surface nearby region in the semiconductor substrate (1) and in which the second insulating film (6) is directly brought into contact with the semiconductor substrate (1) is substantially equal in a gate widthwise direction of the gate electrode (7).例文帳に追加

半導体基板(1)における表面近傍領域であって且つ第２の絶縁膜(6)と半導体基板(1)とが直接接している領域における不純物濃度は、ゲート電極(7)のゲート幅方向において、実質的に同等である。 - 特許庁

To provide a substrate treating apparatus which can form an excellent film by suppressing oxygen concentration increase of a substrate interface when performing a process of forming a film of Epi-SiGe or the like by supplying a Ge-containing gas.例文帳に追加

本発明は、Ge含有ガスを供給してEpi−SiGe等の成膜処理をする場合に、基板界面の酸素濃度上昇を抑え、良好な膜を形成することができる基板処理装置を提供することを課題としている。 - 特許庁

In this nitride-based semiconductor light emitting device where a nitride semiconductor layer is formed on a GaN substrate 1, the concentration of C1 that is contained in the nitride-based semiconductor substrate should be 3×1015 cm-3 or less.例文帳に追加

ＧａＮ基板１上に、窒化物半導体層が形成されてなる窒化物系半導体発光素子において、前記窒化物系半導体基板に含まれるＣｌの濃度が３×１０^15ｃｍ^-3以下であることを特徴とする。 - 特許庁

The channel region is provided with a P+ impurity region 31 having a higher concentration than the substrate 21 on the source region side and an N- impurity region 33 having a conductive type opposite to that of the substrate 21 on the drain region side.例文帳に追加

チャンネル領域のうち、ソース領域側には基板２１より高濃度のＰ＋ 不純物領域３１が形成されており、ドレイン領域側には基板２１と反対導電型であるＮ− 不純物領域３３が形成されている。 - 特許庁

A solution of starch or a starch hydrolyzate as a substrate is treated with an enzyme, α-1,4-glucan lyase, at a pH of 2.5 to 4.0, preferably at a substrate concentration of 20 to 40% to produce 1,5-D-anhydrofructose.例文帳に追加

基質である澱粉あるいは澱粉分解物の溶液を、ｐＨを２．５〜４．０で、好ましくは、さらに基質濃度２０〜４０％で、酵素α−１，４−グルカンリアーゼで処理して１，５−Ｄ−アンヒドロフルクトースを製造する方法。 - 特許庁

A biosensor 1 includes an insulating substrate 10; an electrode system 50 including a working pole 102 and a working pole 202 different from the working pole 102; and concentration measurement area provided on the insulating substrate 10, to which a sample is introduced.例文帳に追加

バイオセンサ１は、絶縁性基板１０と、作用極１０２と、作用極１０２とは異なる作用極２０２と、を含む電極系５０と、絶縁性基板１０に設けられ、試料が導入される濃度測定領域と、を有する。 - 特許庁

To provide a method for production of a physiologically active substance-immobilized substrate, preventing the inactivation of a physiologically active substance and/or immobilizing a physiologically active substance at a high concentration onto a substrate surface without use of electrostatic attraction.例文帳に追加

静電引力を利用することなしに基板表面に生理活性物質の失活を防ぎ、及び／又は生理活性物質を高濃度に固定化することができる、生理活性物質を固定した基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

With this apparatus, flow velocity increases as it draws closer to the exhaust port 11 in a flow velocity distribution above the substrate 1, resulting in a constant concentration of solvent vapor above the substrate 1 regardless of the place or the time.例文帳に追加

この装置により、基板１上の流速分布が、排気口１１に近づくにしたがって大きくなる分布となり、この結果、基板１上部の溶媒蒸気濃度を場所によらず、かつ時間によらず一定とすることができる。 - 特許庁