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「substrate concentration」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索
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substrate concentrationの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 1475



例文

To reduce stress concentration on a skin of a substrate due to thermal environment (temperature cycle) with securing sufficient spread of adhesive capable of enduring the mechanical environment such as vibration when fixing a wire to the substrate with the adhesive.例文帳に追加

ワイヤをサブストレートに接着固定する際、振動等の機械環境に耐えうる充分な接着剤塗布量を確保した上で、熱環境(温度サイクル)によるサブストレート表皮への応力集中を緩和することが課題である。 - 特許庁

In the ceramic substrate containing Si, the concentration of silicon oxide and silicon complex oxides in the surface of the substrate is set to 2.7 Atom% or below by surface measurement using an electron probe microanalyzer.例文帳に追加

Siを含有してなるセラミックス基板であって、基板表面における酸化シリコン及びシリコンの複合酸化物の濃度が、電子プローブマイクロアナライザを用いた表面測定で2.7Atom%以下に設定されていることを特徴とする。 - 特許庁

A low resistance source region 19 and a first drain region 21A are successively formed on a substrate 11, by selectively implanting high concentration arsenic ions into the substrate through a first protective insulating film 18 to provide a shallow junction.例文帳に追加

基板11に、第1の保護絶縁膜18を介して高濃度砒素イオンを浅接合となるように選択的に注入することにより、低抵抗のソース領域19及び第1のドレイン領域21Aを順次形成する。 - 特許庁

In this case, impurity concentration is precisely controlled by a plasma ion implantation method, but impurity ions are not implanted directly into the semiconductor substrate, so that the crystalline structure of the substrate is not damaged.例文帳に追加

このようにする場合、プラズマイオン注入法でimpurityの濃度を精密に制御しつつも直接に半導体基板にimpurityをイオン注入しないために基板の結晶構造を損傷させない。 - 特許庁

例文

The method for forming a cured film includes coating a substrate with the photocurable coating composition and photopolymerizing the composition in an atmosphere having an oxygen concentration of ≤1,000 ppm.例文帳に追加

また、基材上にこの光硬化性塗料組成物を塗布し、次いで酸素濃度1000ppm以下の雰囲気下で光重合させる、硬化被膜の形成方法である。 - 特許庁


例文

A substrate 1, which includes an N^+ drain region 2, N drift region 3, and a P semiconductor region 6 for the prevention of the electric field concentration and the extraction of the carrier, is prepared.例文帳に追加

N^+型ドレイン領域2とN型ドリフト領域3と電界集中防止及びキャリア抜き取り用P型半導体領域6を有する基板1を用意する。 - 特許庁

In case when the concentration of the solvent reaches a specified value in a state the substrate W is moved to a drying position, the pressure in the chamber 27 is reduced again by the evacuation pump 52.例文帳に追加

基板Wを乾燥位置へ移動させた状態で、溶剤濃度が所定値に達した場合には、排出ポンプ52によりチャンバ27内を再び減圧する。 - 特許庁

To reduce a load to a gas discharging facility by reducing the concentration of a processing fluid in discharged gas and reducing the processing fluid flowing into an exhaust facility connected to a substrate processing apparatus.例文帳に追加

排気中の処理流体濃度を低減させ、基板処理装置に接続した排気設備へ流れ込む処理流体が低減し、排気設備への負担を軽減させること。 - 特許庁

For example, the measuring method enables a substrate concentration to be suitable for a nucleic acid sequence analysis or the like, thereby improving the nucleic acid sequence analysis or the like in throughput.例文帳に追加

本発明により、例えば、核酸配列解析などに適した基質濃度とすることができ、核酸配列解析などのスループットを向上させることができる。 - 特許庁

例文

For this reason, variation in the concentration of the chemical constituent is alleviated that is generated in the process tank at one time, and the uniformity of the chemical treatment is improved within the surface of the substrate.例文帳に追加

このため、処理槽内において一度に発生する薬液成分の濃度のばらつきが緩和され、基板の面内における薬液処理の均一性が向上する。 - 特許庁

例文

To provide a substrate processing apparatus capable of measuring an exact solvent concentration, by enabling a measurement under reduced pressure, and capable of suppressing extra exhaust.例文帳に追加

減圧下での測定を可能にすることにより、正確な溶剤濃度を測定することができるとともに、余分な排気を抑制することができる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

The control part 33 and the isolation part 32 are formed to be shallower than the N-type diffusion layer 4 and have impurity concentration higher than a P-type well 2 of the substrate 1.例文帳に追加

これ等の制御部33及び分離部32は、前記n型拡散層4よりも浅く、且つ基板1のp型ウェル2よりも高濃度の不純物濃度に形成される。 - 特許庁

An interface between the buffer layer and the retaining substrate is defined by a method wherein distribution of oxygen concentration in the thickness direction has a peak at a position corresponding to the interface between them.例文帳に追加

厚さ方向に関する酸素濃度分布が、バッファ層と支持基板との界面に相当する位置にピークを有することにより両者の界面が画定される。 - 特許庁

To solve the problem that cracks and peeling are generated on a semiconductor thin film due to concentration of a stress on an opening formed on an interlayer insulating film of a semiconductor thin film fixed on a substrate.例文帳に追加

基板に固着した半導体薄膜上の層間絶縁膜に形成した開口部に応力が集中し、半導体薄膜にクラック、剥離が生じる。 - 特許庁

To suppress variation in oscillation wavelength or coupling constant of diffraction grating in a semiconductor laser device having a diffraction grating without being influenced by variation in carrier concentration of a substrate.例文帳に追加

回折格子を有する半導体レーザ装置において、基板のキャリア濃度のばらつきに左右されることなく、発振波長や回折格子の結合定数の変動を抑える。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device which, when a transparent substrate is divided, does not damage an electrode pattern or in which concentration of damages in a certain electrode pattern can be prevented.例文帳に追加

透明基板の分断時に、電極パターンを損傷したり損傷が任意の電極パターンに集中して発生することがない液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate cleaning processing apparatus for maintaining the amount of carbon dioxide dissolved in treatment liquid to be desired concentration or more and preventing the carbon dioxide from being wastefully consumed.例文帳に追加

処理液に溶解する二酸化炭素の量を、所望の濃度以上に維持し、かつ、二酸化炭素を無駄に消費しないようにした基板洗浄処理装置を提供する。 - 特許庁

The zinc oxide-based substrate 2 is characterized in that the impurity concentration of Si, C, Ge, Sn, and Pb as group IV elements satisfies a condition of ≤1×10^17 cm^-3.例文帳に追加

酸化亜鉛系基板2は、IV族元素であるSi、C、Ge、Sn及びPbの不純物濃度が、1×10^17cm^−3以下の条件を満たす。 - 特許庁

The high-concentration n-type region 9 is formed by diffusing an n-type impurity from the front side of the substrate 5 so as to surround the p-type region 7 as seen from the front side.例文帳に追加

高濃度n型領域9は、表面側から見てp型領域7を取り囲むように、基板5の表面側からn型不純物を拡散して形成されている。 - 特許庁

To provide a self-supported III-V group nitride semiconductor substrate having a sufficiently thick surface layer of low dislocation density and less carrier concentration variation.例文帳に追加

低転位密度であるとともに、キャリア濃度のばらつきが小さい表面層を十分な厚さで有するIII−V族窒化物系半導体の自立基板を提供する。 - 特許庁

To provide a stable, sufficiently sensitive and inexpensive biosensor for measuring a substrate concentration by using an oxidation-reduction enzyme having a NAD(P) as a coenzyme.例文帳に追加

NAD(P)を補酵素とする酸化還元酵素を用いて基質濃度を測定するバイオセンサであって、安定かつ十分な感度が得られ、なおかつ安価なバイオセンサを提供する。 - 特許庁

In the magnetic recording medium, a plurality of nonmagnetic material layers each having a higher oxygen atom concentration on the surface side than on the substrate side are embedded, in the recesses between the magnetic patterns.例文帳に追加

前記磁性パターン間の凹部に、酸素原子濃度が基板側よりも表面側で高くなっている非磁性体が複数層埋め込まれている磁気記録媒体。 - 特許庁

A breakage preventing material 21 such as an epoxy resin and a UV curing resin is applied on stress concentration points A of both side edges 7 in a wiring region 17 of a glass substrate 4 of a liquid crystal cell 1.例文帳に追加

液晶セル1のガラス基板4の配線領域17の両側縁7の応力集中点Aにエポキシ樹脂やUV硬化樹脂などの割れ防止材21を塗布する。 - 特許庁

A bottom part of the bowing profile enters into the silicon semiconductor substrate, beyond the high concentration impurity diffusion semiconductor layer and improves the leakage characteristics of the element isolation region.例文帳に追加

ボーイング形状部底部は、高濃度不純物拡散半導体層を越えてシリコン半導体基板内に入り込み素子分離領域のリーク特性が向上する。 - 特許庁

A first buffer layer 2a near a silicon substrate 1 and second buffer layer 2b on other portions have a high and low concentrations of an n-type impurity, respectively, resulting in some concentration difference.例文帳に追加

シリコン基板1の近傍をN型不純物の濃度が濃い第1バッファ層2aとし、それ以外の部分を濃度が薄い第2バッファ層2bとして濃度差をつける。 - 特許庁

To provide a measuring display device capable of measurements, regardless of the height of the concentration of a substrate having specificity to an enzyme carried by a biosensor.例文帳に追加

本発明の目的は、バイオセンサが有する酵素に特異性を持つ基質の濃度の高低に関係なく測定が可能な計測表示装置を提供することにある。 - 特許庁

The substrate layer contains a cyclic trimer in an amount of 0.8 wt.% or below and the concentration of the terminal carboxyl group of a polymer is set to 30 equivalent/10^6 g or below.例文帳に追加

基材層は環状3量体の含有量が0.8重量%以下、なおかつポリマーの末端カルボキシル基濃度が30当量/10^6g以下である。 - 特許庁

An n-type drain layer 6 is formed in a depth which reaches insulator 2 from the surface of a p-type active layer 3 of low impurity concentration formed on an SOI substrate.例文帳に追加

SOI基板上に形成された低不純物濃度のp型活性層3の表面から絶縁層2に到達する深さでn型ドレイン層6が形成されている。 - 特許庁

To provide an apparatus for treating a substrate with ozonized water fed thereto which enables the ozonized water to be circulated while keeping ozone concentration high in the ozonized water.例文帳に追加

オゾン水を基板へ供給して基板を処理する場合に、オゾン水中のオゾンの濃度を高く保持しつつオゾン水を循環させて使用できる装置を提供する。 - 特許庁

Afterwards, a gate electrode 16 is formed on the gate insulating film, and a pair of high concentration impurity diffuse areas 19 serving as source/drain are formed on the surface of the silicon substrate 10.例文帳に追加

その後、ゲート絶縁膜上にゲート電極16を形成し、基板10の表面にソース/ドレインとなる一対の高濃度不純物拡散領域19を形成する。 - 特許庁

To reduce iron concentration and carbon contamination of a substance surface and thereby to improve reliability, in SC-1 cleaning used for cleaning of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板洗浄に使用されるSC−1洗浄において、基板表面の鉄濃度を低減しかつ炭素汚染を低減して信頼性を向上させる。 - 特許庁

A first insulating film and a second insulating film are formed on a silicon substrate, and heat treatment is carried out in an atmosphere containing oxygen whose concentration is 0.2 vol.% or higher.例文帳に追加

シリコン基板上に第1の絶縁膜および第2の絶縁膜を形成した後、0.2体積%以上の濃度の酸素を含む雰囲気中で熱処理を行う。 - 特許庁

A semiconductor substrate having a metal film on the surface thereof is stored in a closed vessel, being immersed in extrapure water having a dissolved oxygen concentration of 300ppb or below.例文帳に追加

基板表面に金属薄膜が形成された半導体基板を密封容器内で溶存酸素濃度が300ppb以下の超純水に浸漬して保管する。 - 特許庁

In other words, a high- concentration cleaning liquid can be supplied to the substrate surface without decomposition of ozone in the cleaning liquid since the prepared cleaning liquid is not transferred through a pipe, or the like.例文帳に追加

つまり、製造された洗浄液が配管などを搬送されないので、洗浄液中からオゾンが分解されず、高濃度な洗浄液が基板面に供給される。 - 特許庁

After that, the Si substrate 1 is heat-treated at not more than 600°C in an ozone atmosphere having high concentration, thus forming an SiO_2 film (BOX layer) 31 in the cavity section 25.例文帳に追加

その後、高濃度のオゾン雰囲気中でSi基板1に600℃以下の熱処理を施すことによって、空洞部25内にSiO_2膜(BOX層)31を形成する。 - 特許庁

To provide a method for simply manufacturing an electron emission element with improved field concentration to an electron emission member in a desired position on a plane substrate with a large area.例文帳に追加

電子放出部材への電界集中が向上した電子放出素子を大面積の平面基板上の所望の位置に簡易に製造する方法を提供する。 - 特許庁

A base contact portion 15 is formed by implanting Al ions at an impurity concentration of 2e20 cm^-3 while holding the substrate temperature between 400-800°C.例文帳に追加

基板温度を400℃以上800℃以下に保持しつつ、不純物濃度が2e20cm^-3以上のAlイオンをイオン注入することで、ベースコンタクト部15を形成する。 - 特許庁

Then, the maximum oxygen concentration at a position of the grown silicon nitride layer 10 with at least 10 nm from an interface with the substrate becomes10^20 atom/cm^3.例文帳に追加

成長された窒化シリコン層10の基板4との界面から少なくとも厚さ10nmの部分の最大酸素濃度は5×10^^20原子/cm^3 以下となる。 - 特許庁

To provide an inorganic fine particle dispersion paste composition having high adhesiveness to a substrate and capable of carrying out a degreasing treatment even under a low-temperature and low-oxygen concentration atmosphere.例文帳に追加

基板に対する密着性が高く、低温かつ低酸素濃度雰囲気下であっても脱脂処理が可能な無機微粒子分散ペースト組成物を提供する。 - 特許庁

For example, in an IGBT, a p-type base layer 2 is formed in a first main surface central part (the left side on the paper surface) of a chip formed of an n-type low concentration substrate 1.例文帳に追加

例えばIGBTにおいて、n型の低濃度基板1で形成されたチップの第1の主面中央部(紙面左側)には、p型ベース層2が形成されている。 - 特許庁

To prevent a coating liquid from sneaking to the rear surface of a substrate with a simple structure while maintaining an atmospheric concentration so as not to change with a spin coating system for deposition on both sides.例文帳に追加

両面成膜用スピンコート装置に関し、簡易的な構造でかつ雰囲気濃度を変えないようにしながら、基板裏面への塗布液の回り込みを防止する。 - 特許庁

To suppress lowering in the drive current of a transistor due, to increase in body concentration in an MOSFET which employs an SOI substrate set with a low off-leak current.例文帳に追加

低オフリーク電流に設定されたSOI基板を用いたMOSFETにおいて、ボディ濃度の上昇に起因するトランジスタの駆動電流の低下を抑制する。 - 特許庁

To provide an apparatus for cooling a heat-treated substrate to a low temperature in a short time in a state of being held in a heat treat furnace of an atmosphere with controlled concentration.例文帳に追加

熱処理が終わった基板を、濃度管理された雰囲気の熱処理炉内に保持したままで短時間のうちに低温まで冷却することができる装置を提供する。 - 特許庁

This organic substance concentration measuring chip is formed by drilling a plurality of fine holes in a substrate and embedding/fixing luminous microorganisms with luciferase genes in the fine holes.例文帳に追加

基盤上に微小ホールを複数箇穿設するとともに、該微小ホールにルシフェラーゼ遺伝子を導入した発光微生物を包理・固定化してなる有機物濃度計測用チップ。 - 特許庁

The first low-concentration doped region having the second conductivity is formed in the first conductive substrate, and between the gate and the second conductive source region.例文帳に追加

前記第二導電性を持つ第一の低濃度ドープ領域は前記第一導電性の基板中、前記ゲートと前記第二導電性のソース領域との間に形成される。 - 特許庁

A flash EEPROM has such a structure where a well diffusion region is formed on a semiconductor substrate, and furthermore a low- concentration layer is formed on the surface of the well diffusion layer.例文帳に追加

フラッシュEEPROMの構造で、ウェル拡散領域が半導体基板に形成され更にこのウェル拡散領域表面に低濃度層が設けられる。 - 特許庁

The heat treatment step controls heat treatment conditions to control a concentration and a diffusion speed of the impurity diffused from the silicon substrate to the epitaxial layer.例文帳に追加

熱処理工程では、熱処理条件を制御することによって、シリコン基板からエピタキシャル層に拡散される不純物の濃度や拡散速度を制御することができる。 - 特許庁

Consequently, a stress concentration etc. to a trench structure is alleviated upon the formation of the trench 5, and the occurrence of a crystal defect in the semiconductor substrate 2 can be prevented.例文帳に追加

これにより、トレンチ5形成の際にトレンチ構造部への応力集中等が緩和され、半導体基板2に結晶欠陥が発生することが防止される。 - 特許庁

It is realized by devising the shape of the same adhesive as the means reducing the stress concentration on the skin of the substrate while maintaining the adhesion strength of the wire.例文帳に追加

ワイヤの接着強度を保持したまま、サブストレート表皮への応力集中を緩和する手段として同一接着剤の形状を工夫することで実現した。 - 特許庁

例文

To provide a method capable of easily producing a lithium tantalate substrate at a low cost in which high-concentration rhodium (Rh) is doped, which is difficult to achieve by a conventional method.例文帳に追加

従来法において困難であった高濃度のロジウム(Rh)がドープされたタンタル酸リチウム基板を低コストで容易に製造できる方法を提供すること。 - 特許庁




  
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