「substrate concentration」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a polishing solution composite for a semiconductor substrate that improves the dependence of addition agent concentration and enables fast polishing relatively free from the concave/convex pattern density on the surface to be polished and the concave/convex size with a less amount of polishing solution, a method for manufacturing a substrate using this polishing solution composite, and a method for polishing the substrate.例文帳に追加

添加剤濃度への依存性が改善され、且つ被研磨面の凹凸パターンの密度や凹凸サイズの影響を受けにくい研磨を、少ない研磨量で速やかに達成できる半導体基板用研磨液組成物およびこの研磨液組成物を用いた基板の製造方法並びに研磨方法を提供する。 - 特許庁

A tunnel element between bands is equipped with a silicon substrate 101, a p+ region 102 being made by introducing p-type impurities in high concentration into the silicon substrate 101, a tunnel barrier layer 103 being made on the p+ region 102 of the silicon substrate 101, and an n+ region 104 being provided on the tunnel barrier layer 103.例文帳に追加

バンド間トンネル素子は、シリコン基板１０１と、シリコン基板１０１内に高濃度のｐ型不純物を導入して形成されたｐ^+ 領域１０２と、シリコン基板１０１のｐ^+ 領域１０２の上に形成されたトンネル障壁層１０３と、トンネル障壁層１０３の上に設けられたｎ^+ 領域１０４とを備えている。 - 特許庁

To prevent cracking in a semiconductor chip caused by a local concentration of stress when the semiconductor chip is sealed with resin on a substrate, even when the presence of a degassing through-hole or the like in the chip mounting surface of the substrate prevents overall coating of a bonding paste and an air gap is left between the semiconductor chip and the substrate.例文帳に追加

基板上のチップ装着面にガス抜き用貫通孔などがあって接合ペーストを全体的に塗布することができず、半導体チップと基板との間に空隙が残されていても、半導体チップを基板上に樹脂封止する際に、応力集中によって前記半導体チップにクラックが発生することを防止する。 - 特許庁

This substrate developing device feeds a raw developer and a pure water (treating agent for hydrophilicity impartation) of which flow rates are respectively adjusted by flow rate adjusting valves 9 and 11, to a single nozzle 3, and the developer with a prescribed concentration is supplied onto a substrate W through the nozzle 3, and then the substrate is developed in such a state.例文帳に追加

本発明に係る基板現像装置は、流量調節弁９，１１によって各々流量調整された原現像液と純水（親水化処理液）とを単一のノズル３に送り、ノズル３から所定濃度の現像液を基板Ｗ上に供給して現像液を液盛りし、その状態で現像処理を行う。 - 特許庁

In a capacitor including a SOI substrate 1, a high-concentration impurity layer 2 formed on the substrate 1, a thermal oxidation film 4 formed on the layer 2, and a polysilicon electrode 5 formed on the film 4 after the polysilicon electrode 5 is formed, the substrate is subjected to a heat treatment at high temperatures over 1150°C in an atmosphere of N2.例文帳に追加

ＳＯＩ基板１に高不純物濃度層２を形成し、その表面に熱酸化膜４を形成し、この熱酸化膜４上にポリシリコン電極５を形成した構成のキャパシタにおいて、ポリシリコン電極５を形成した後に、Ｎ_2雰囲気中で１１５０℃以上の高温熱処理を行う。 - 特許庁

The high concentration ozone-containing gas is stored by a process for adsorbing high purity ozone gas on a target substrate as solid ozone by cooling the target substrate composed of a material arranged in a vacuum chamber, inert to ozone and having good heat conductivity and supplying the high purity ozone gas on the target substrate.例文帳に追加

本発明は、真空チャンバー内に配置されたオゾンに対して不活性で且つ熱伝導性の良い材料から成るターゲット基板を冷却し、ターゲット基板上に高純度オゾンガスを供給することで高純度オゾンガスをターゲット基板上に固体オゾンとして吸着する工程とにより高濃度オゾン含有ガスの貯蔵する。 - 特許庁

A contact section for connecting a semiconductor substrate 24 and a wiring layer 44, comprising a high-concentration impurity layer formed on the surface of the semiconductor substrate 24 via an insulating layer 42, comprises a silicon-based conductive film 48 that penetrates the wiring layer 44 and the insulating layer 42 and makes contact with the semiconductor substrate 24.例文帳に追加

半導体基板２４と、半導体基板２４表面に絶縁層４２を介して形成された高濃度不純物層からなる配線層４４と、を接続するコンタクト部を、配線層４４および絶縁層４２を貫通して半導体基板２４に接するシリコン系導電性膜４８で構成した。 - 特許庁

An auto-doped layer 2, where the impurity concentration gradually decreases as recedes from the surface of a semiconductor substrate 1, and a lightly-doped layer 3 comprising such impurity concentration distribution as even in depth direction constitute a high specific resistance epitaxial layer 30, which is used to reduce the junction capacitance of a photodiode.例文帳に追加

半導体基板１の表面から遠ざかる方向に向けて不純物濃度が次第に減少するオートドープ層２と、深さ方向に均一な不純物濃度分布を有する低不純物濃度層３を含む高比抵抗エピタキシャル層３０を用いて、フォトダイオードの接合容量を低減する。 - 特許庁

An oxygen concentration sensor 41 is provided in the cover 39 and a gas supply section 40 controls the oxygen concentration in the atmosphere on the substrate 1 near the laser-irradiated area to a prescribed value by supplying a gas into the cover 39 based on the data obtained by means of the sensor 41 through measurement.例文帳に追加

雰囲気分離カバー内には酸素濃度センサ４１が設けられ、ガス供給部４０は、センサで測定したデータに基いて雰囲気分離カバー内にガスを供給し、基板上のレーザ照射領域近傍の雰囲気を所定の酸素濃度の雰囲気に制御する。 - 特許庁

On the surface of a semiconductor substrate 301 at the lower portion of the connection electrode 308, p-type impurities are introduced selectively, thus forming a high-concentration p-type impurity region 310 having a p-type impurity concentration that is higher than that of the pixel separation region 306.例文帳に追加

また、接続電極３０８の下方における半導体基板３０１の表面には、Ｐ型不純物を選択的に導入することによって、画素分離領域３０６よりＰ型不純物濃度が高い高濃度Ｐ型不純物領域３１０が形成されている。 - 特許庁

An N type region is formed which is contacted with part of a gate oxide film and a field oxide film formed between source and drain electrodes, and which has an impurity concentration higher than an N type impurity concentration of an SOI substrate until the N type region is brought into contact with an N type diffusion layer contacted with the drain electrode.例文帳に追加

ゲート酸化膜の一部及びソース電極とドレイン電極間に構成されたフィールド酸化膜に接触し、ドレイン電極に接するＮ型拡散層に接触するまで、ＳＯＩ基板のＮ型の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有するＮ型の領域を形成する。 - 特許庁

A coloring layer is formed by forming a resin composition layer with ink absorption power on a transparent substrate and repeating a step to color the layer by imparting the ink with the inkjet recording device so as to form a coloring resin composition layer several times until the concentration of the coloring part reaches a desired concentration.例文帳に追加

透明基板上にインク吸収能を有する樹脂組成物層を形成し、インクジェット記録装置を用いてインクを付与して着色して着色樹脂組成物層を形成する工程を、着色部の濃度が所望の濃度に達するまで複数回繰り返し、着色層を形成する。 - 特許庁

A low-concentration region 25 kept in contact with the active layer 22, an intermediate region 24, a drain region 23d, an intermediate region 24, and a low-concentration region 25 are arranged in the substrate 2 in this sequence in the direction of a line extending from the gate electrode 29 to the drain electrode 28.例文帳に追加

また、基板２内において、ゲート電極２９からドレイン電極２８に向かう方向に、活性層２２に接する低濃度領域２５と、中間領域２４と、ドレイン領域２３ｄと、中間領域２４と、低濃度領域２５とがこの順に配置されている。 - 特許庁

The semiconductor device which is provided on a common semiconductor substrate 1, with a nonvolatile memory cell having a tunnel diffusion layer 24; a MOS transistor, having a low concentration layer for the impurity concentration lower than that of the drain region on the side of a tunnel part of the drain region; and an electrostatic discharge damage countermeasure transistor is manufactured.例文帳に追加

トンネル拡散層２４を有する不揮発性メモリセルと、ドレイン領域のチャネル部側に前記ドレイン領域よりも低不純物濃度の低濃度層を有するＭＯＳトランジスタと、静電破壊対策トランジスタとを、共通の半導体基板１上に備える半導体装置が製造される。 - 特許庁

The silicon substrate 20 is adjusted so that oxygen concentration down to depth where at least a three-dimensional structure is formed, for example, down to a depth of 60 μm can be ≤3 × 10^18 Atoms/cm^3 and carbon concentration can be ≤4 × 10^15 Atoms/cm^3.例文帳に追加

そのシリコン基板２０は、少なくとも三次元構造が形成される深さ、例えば６０μｍの深さまでの酸素濃度が３×１０^１８Ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、炭素濃度が４×１０^１５Ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下となるように調整されている。 - 特許庁

By having the germanium concentration of a first SiGe layer 12a, formed on a semiconductor substrate 11, set up lower than the germanium concentration of a second SiGe layer 13a formed in the upper part, the etching rates of the first SiGe layer 12a and the second SiGe layer 13a are made almost the same.例文帳に追加

半導体基板１１上に形成される第１ＳｉＧｅ層１２ａのＧｅ濃度を、その上方に形成される第２ＳｉＧｅ層１３ａのＧｅ濃度より低く設定することで、第１ＳｉＧｅ層１２ａと第２ＳｉＧｅ層１３ａのエッチングレートをほぼ同じにする。 - 特許庁

On a substrate 101, an AIN buffer layer 102, an undoped GaN layer 103, an undoped AlGaN layer 104, a p-type GaN layer 105 and a high concentration p-type GaN layer 106 are formed sequentially, and a gate electrode 111 has an ohmic junction to the high concentration p-type GaN layer 106.例文帳に追加

基板１０１上にＡｌＮバッファ層１０２、アンドープＧａＮ層１０３、アンドープＡｌＧａＮ層１０４、ｐ型ＧａＮ層１０５、高濃度ｐ型ＧａＮ層１０６が順に形成され、ゲート電極１１１が高濃度ｐ型ＧａＮ層１０６とオーミック接合する。 - 特許庁

The aligner irradiates the certain member with either the exposure light exiting the exit surface and/or the irradiating light in a state that the surface of the certain member comes into contact with the liquid in the liquid immersion space having the concentration of gas which is raised as compared with a concentration when the substrate is irradiated with the exposure light.例文帳に追加

露光装置は、基板に対する露光光の照射時よりも気体濃度が高められた液浸空間の液体と所定部材の表面とが接触された状態で、射出面から射出される露光光及び照射光の少なくとも一方を所定部材に照射する。 - 特許庁

Then, when a high-concentration impurity region 15 to serve as a lower electrode of the high-precision capacitor is formed by ion implantation of an impurity in the semiconductor substrate 10, the impurity is additionally implanted in the lower electrode 13b of the high-breakdown-voltage capacitor to increase an impurity concentration of the lower electrode 13b.例文帳に追加

その後、半導体基板１０に不純物をイオン注入して高精度キャパシタの下部電極となる高濃度不純物領域１５を形成する際に、高耐圧キャパシタの下部電極１３ｂに不純物を追加注入し、下部電極１３ｂの不純物濃度を向上させる。 - 特許庁

A P-type high-concentration impurity diffusion layer 130 is provided in the region jointing to the ground wiring 130 of the silicon substrate 10, and a P-type semiconductor diffusion region 160 is provided in the region between the P-type high-concentration impurity diffusion layer 140 and the P-type well region 120.例文帳に追加

シリコン基板１０のグランド配線１３０を接合する領域には、Ｐ型高濃度不純物拡散層１４０が設けられ、このＰ型高濃度不純物拡散層１４０とＰ型ウエル領域１２０との間の領域には、Ｐ型半導体拡散領域１６０が設けられている。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a 1st conductive type semiconductor substrate, a 2nd conductive type extended drain region, a 2nd conductive type high-concentration drain region, a 2nd conductive type source region, a 1st conductive type adjacent region, and a 1st conductive type high-concentration drain adjacent region.例文帳に追加

半導体装置は、第１導電型の半導体基板と、第２導電型の延長ドレイン領域と、第２導電型の高濃度ドレイン領域と、第２導電型のソース領域と、第１導電型の隣接領域と、第１導電型の高濃度ドレイン隣接領域とを備えている。 - 特許庁

An AlN buffer layer 102, an undoped GaN layer 103, an undoped AlGaN layer 104, a p-type GaN layer 105, and a high concentration p-type GaN layer 106, are sequentially formed on a substrate 101; and a gate electrode 111 is ohmic-contacted to the high concentration p-type GaN layer 106.例文帳に追加

基板１０１上にＡｌＮバッファ層１０２、アンドープＧａＮ層１０３、アンドープＡｌＧａＮ層１０４、ｐ型ＧａＮ層１０５、高濃度ｐ型ＧａＮ層１０６が順に形成され、ゲート電極１１１が高濃度ｐ型ＧａＮ層１０６とオーミック接合する。 - 特許庁

The concentration measuring sensor 12 is plurally located on the measuring surface 20 of the measuring substrate 10, and measures the concentration of the mixed gas on the measuring surface 20.例文帳に追加

本発明の成膜装置１は、基板の被成膜面と同じ大きさの測定用表面２０を有し、基板に代えて反応容器２に配置される測定用基板１０と、混合気体と接触する濃度測定用センサ１２と、混合気体の濃度を算出する演算部８と、を有している。 - 特許庁

A part having the largest impurity concentration is located so as to be separated from the end of the opposite side of the active layer 104 which is opposed to the substrate 101 to the 1st upper clad layer side and the impurity concentration contained in the active layer 104 is 2×10^17 cm^-3 to 1×10^18 cm^-3.例文帳に追加

不純物の濃度の最も大きい部位が、量子井戸活性層の半導体基板と対向する側の端から第１上クラッド層側に離れて位置し、かつ量子井戸活性層に含まれる不純物濃度が２×１０^17cm^-3以上１×１０^18cm^-3以下である。 - 特許庁

By forming spherical and/or campanulate island-shaped projections 12 having a width of 5-300 μm and a height of 2-200 μm on a substrate 10 by quartz glass thermal spraying, the glass member having Al concentration contained in the projections 12 of 20-1,000 ppm and Fe concentration of ≤2 ppm is provided.例文帳に追加

基材１０上に石英ガラス溶射による、幅５〜３００μｍ、高さ２〜２００μｍの、球状及び／又は釣鐘状の島状突起１２を設け、該突起１２に含まれるＡｌの濃度が２０〜１０００ｐｐｍ、Ｆｅの濃度が２ｐｐｍ以下であるガラス部材を提供する。 - 特許庁

The plasma processing parameter includes a main parameter, a bias voltage for example, that determines the depth from the surface of the substrate at which an impurity concentration becomes equal to a reference value by the plasma processing, and a sub parameter, a plasma processing time for example, that has a saturation range in which the impurity concentration is made to saturate at the reference value.例文帳に追加

プラズマ処理パラメタは、プラズマ処理により不純物濃度が基準値に等しくなる基板表面からの深さを決定づける主パラメタ例えばバイアス電圧と、不純物濃度を基準値に飽和させる飽和範囲をもつ副パラメタ例えばプラズマ処理時間と、を含む。 - 特許庁

To quantitatively and accurately measure the carrier concentration of a measured sample such as a semiconductor substrate by a semiconductor measuring device using a scanning capacitance microscope, and to provide a method for measuring the carrier concentration inexpensively without increasing the scale nor cost of a measurement system.例文帳に追加

走査型容量顕微鏡を用いた半導体測定装置において、半導体基板などの測定サンプルのキャリア濃度を定量的に正確に測定することができ、しかもこのようなキャリア濃度の測定を、測定システムの規模の増大やコストアップを招くことなく低コストで行う方法の提供。 - 特許庁

The silicon substrate for manufacturing the diamond thin film containing at least one element selected from the group consisting of boron and carbon having the concentration above 1x10^16 atoms/cm^3 and below the concentration of the solubility limit and the diamond thin film electrode obtainable in such a manner are provided.例文帳に追加

１×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上でかつ固溶限の濃度以下のホウ素および炭素よりなる群から選ばれた少なくとも１種の元素をシリコン中に含有してなるダイヤモンド薄膜製造用シリコン基板およびこのようにして得られるダイヤモンド薄膜電極。 - 特許庁

By adjusting the concentration as a solid content concentration of the perhydroxy polysilazane at 0.1-5 wt.%, the composition can be cured only by allowing it to stand at a room temperature in air and can be adhered simply to the surface of a substrate by on-site coating such as brush coating and spray coating in air.例文帳に追加

この時、ペルヒドロポリシラザン濃度を固形分濃度として０．１〜５重量％とすることにより、常温・大気中で放置するだけで硬化させることができ、しかも大気中において刷毛塗りやスプレー塗りなどの現場塗装によって対象表面に簡単に付着させることができる。 - 特許庁

When the impurity concentration only on the channel interface is reduced and the concentration in the rear of the substrate 11 is raised, unevenness of current flowing through a conduction channel is relaxed while sustaining the threshold voltage Vth at a predetermined level, and variation in threshold ΔVth due to trap can be controlled.例文帳に追加

チャネル界面の不純物濃度のみ低下させ、基板１１の奥の濃度を上昇させることで、しきい値電圧Ｖｔｈを所定の電圧に保ちながら、導電チャネルを流れる電流の不均一性を緩和してトラップによるしきい値変動ΔＶｔｈを抑制することができる。 - 特許庁

In a GaN substrate 100, the light output surface 103 side is doped with Si having a concentration of 1×10^19 /cm^3 to form a yellow region emitter 101, and the epitaxial growth surface side is doped with Si and Zn both having a concentration of 1×10^19 /cm^3 to form a blue region emitter 102.例文帳に追加

ＧａＮ基板１００中の光出力面１０３側にＳｉを１×１０^19/cm^3濃度に添加して黄色領域発光部１０１を形成し、エピタキシャル成長面側にＳｉとＺｎを共に１×１０^19/cm^3濃度添加した青色領域発光部１０２を形成した。 - 特許庁

Additionally, the silicide layer 30 contains a silicidation reaction suppressing metal, and has a concentration profile, wherein concentration of the silicidation reaction suppressing metal becomes higher, from the surface of the silicide layer 30 as going toward the substrate side, in a region from the surface of the silicide layer 30 to a predetermined depth.例文帳に追加

また、シリサイド層３０はシリサイド化反応抑制金属を含み、シリサイド層３０の表面から所定の深さに至る領域において、シリサイド層３０の表面から基板側へ向かってシリサイド化反応抑制金属の濃度が高くなる濃度プロファイルを有する。 - 特許庁

A broad buffer structure is formed by irradiating proton to a semiconductor substrate and performing heat treatment, wherein the carbon concentration of a potion, in which the impurity concentration of a first semiconductor layer 1 become maximum, is 6.0×10^15 atoms/cm^3 or more and 2.0×10^17 atoms/cm^3 or less.例文帳に追加

第１半導体層１の不純物濃度が極大となる箇所の炭素濃度が６．０×１０^15ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3以上２．０×１０^17ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3以下である半導体基板に、プロトンを照射して、熱処理をおこなうことでブロードバッファ構造を形成する。 - 特許庁

The waste 452 of the protection liquid generated by the treatment for applying the protection liquid to a substrate 202 with a spinning device 300 is recovered, then the concentration of dyestuff in the waste 452 of the protection liquid is adjusted to a desirable value by a concentration adjusting stage 602 to reuse the resultant liquid as a regenerated protection liquid 604.例文帳に追加

スピン装置３００による基板２０２に対する保護液の塗布処理によって発生した保護廃液４５２を回収し、その後、該保護廃液４５２中の色素の濃度を濃度調整工程６０２によって所望の値に調整し、再生保護液６０４として再利用する。 - 特許庁

This magnetic recording medium is obtained by forming a magnetic film on a nonmagnetic substrate while introducing oxygen by an oblique deposition method so that the ratio of the oxygen concentration A in the middle layer of the magnetic film to the oxygen concentration B on the surface satisfies the expression: 0.55<A/B<0.85.例文帳に追加

斜方蒸着法により酸素を導入しながら非磁性基板上に磁性膜を膜付けした磁気記録媒体において、前記磁性膜の中層酸素濃度Ａと、表面酸素濃度Ｂとの比率が、０．５５＜Ａ／Ｂ＜０．８５の関係を満たすことを特徴とする磁気記録媒体である。 - 特許庁

To provide a method of determining an interaction parameter to precisely measure the concentration of a binding substance contained in a measuring solution without the need for accurately measuring a fixing quantity of ligands to a support, and a method of measuring the concentration of the binding substrate contained in the measuring solution.例文帳に追加

支持体へのリガンドの固定化量を正確に測定する必要がなく、測定溶液に含まれる結合物質の濃度を正確に測定するための相互作用パラメータの決定方法及び測定溶液中の結合物質の濃度の測定方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A SiC substrate 10 is provided with a first active area 12 comprising alternate lamination of a high concentration n-type doped layer 12a and an undoped layer 12b, and with a second active area 13 comprising alternate lamination of a high concentration p-type doped layer 13a and an undoped layer 13b in this order from below.例文帳に追加

ＳｉＣ基板１０には、高濃度のｎ型ドープ層１２ａと、アンドープ１２ｂとを交互に積層してなる第１の活性領域１２と、高濃度のｐ型ドープ層１３ａとアンドープ層１３ｂとを交互に積層してなる第２の活性領域１３とが下方から順に設けられている。 - 特許庁

The plastic substrate for a display element contains as a structural component, epoxy resin which is a compound (a) having two or more epoxy groups and which has ≥85% purity calculated from oxirane oxygen concentration (measured oxirane oxygen concentration/proportion of oxirane oxygen in the structural formula×100).例文帳に追加

２つ以上のエポキシ基を有する化合物（ａ）であって、オキシラン酸素濃度から求めた純度（オキシラン酸素濃度の測定値／構造式中のオキシラン酸素の割合×１００）が８５％以上であるエポキシ樹脂を構成成分として含む表示素子用プラスチック基板。 - 特許庁

The transparent moisture barrier film is formed by sequentially laminating a silicon oxynitride layer (1) on a resin substrate and further a silicon oxynitride layer (2) on the layer (1), wherein an element concentration ratio of O/(O+N) in the silicon oxynitride layer (1) is smaller than an element concentration ratio of O/(O+N) in the silicon oxynitride layer (2).例文帳に追加

樹脂基材上に窒化酸化珪素層 、さらにその上に窒化酸化珪素層 の順に積層し構成された透明水蒸気バリアフィルムにおいて、窒化酸化珪素層 の元素濃度比O/(O+N)が窒化酸化珪素層 の元素濃度比O/(O+N)よりも小さいことを特徴とする透明水蒸気バリアフィルム。 - 特許庁

The magnetic recording medium in which a seed layer, a nonmagnetic substrate layer and a magnetic layer are sequentially deposited on a nonmetal substrate is obtained by executing texture processing for the surface of the nonmetal substrate, forming the films in the mixture of oxygen or nitrogen and an inactive gas, setting an oxygen or nitrogen concentration in the mixed gas to a specific concentration, and processing the surface of the seed layer by oxygen or nitrogen.例文帳に追加

非金属基板上に、シード層、非磁性下地層、および磁性層が順次成膜された磁気記録媒体において、前記非金属基板の表面にテクスチャ加工を施し、酸素または窒素および不活性ガスの混合ガス中で成膜し、かつ該混合ガス中の酸素濃度または窒素濃度を特定の濃度とし、さらに前記シード層の表面を酸素または窒素で処理することにより上記本発明の記録媒体を得る。 - 特許庁

The reaction rate of the process can be increased, since the process temperature can be made almost the same as that of the substrate surfaces, while preventing lowering of the dissolved concentration of ozone due to temperature rise of the processing liquid.例文帳に追加

処理液の温度上昇によるオゾンの溶存濃度の低下を防止しつつ処理温度を基板表面の温度とほぼ同じにできるので処理の反応速度を高められる。 - 特許庁

A p++ type region 17 of a p-type region having high impurity concentration is formed nearly at the middle part between the n-type regions 8 on the main surface side in the p-type silicon substrate 1.例文帳に追加

ｐ形シリコン基板１内の主表面側においてｎ形領域８間の略中央部に高不純物濃度ｐ形領域たるｐ^++形領域１７が設けられている。 - 特許庁

To provide a tacky sheet capable of relaxing stress generated by shrinkage, etc., of a substrate layer, reducing concentration of stress and particularly, suppressing change in transmittance and unevenness of a color of a liquid crystal cell.例文帳に追加

基材層の収縮等により生じる応力を緩和し、応力集中を軽減でき、特に液晶セルの白ヌケや色ムラを抑制できる粘着シートを提供する。 - 特許庁

An N-type embedded diffusion layer 12 is embedded and formed in a P-type substrate 11, and a P-type first embedded diffusion layer 13 having a high impurity concentration is embedded and formed in the N-type embedded diffusion layer.例文帳に追加

Ｐ型基板１１にＮ型埋込み拡散層１２を埋込み形成し、高不純物濃度のＰ型第一埋込み拡散層１３をＮ型埋込み拡散層に埋込み形成する。 - 特許庁

Accordingly, fluctuation in vapor and oxygen concentration around the center of the processing chamber 11 in which the substrate 200 is held can be controlled, and variations of the oxide film among the substrates 200 can also be controlled.例文帳に追加

これにより基板２００が保持されている処理室１１の中心付近の水蒸気、酸素濃度のばらつきが抑えられ、基板２００間の酸化膜のばらつきが抑制される。 - 特許庁