「wiring region」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

At the wiring region part 44, a wiring pattern 46 to connect the terminal 40a for the device corresponding to the chip select terminal and the extension terminal 42 is installed.例文帳に追加

前記配線領域部４４には、前記チップセレクト端子に対応するデバイス用端子４０ａと前記増設端子４２とを接続する配線パターン４６が設けられている。 - 特許庁

A first wiring layer 10a is electrically connected to the conductive region 3a, has a relatively short wiring length, and contains a material having a relatively high electrical resistance.例文帳に追加

第１の配線層１０ａは、導電領域３ａに電気的に接続され、相対的に短い配線長を有し、相対的に高い電気抵抗を有する材料を含む。 - 特許庁

A wiring including connections 31 is formed on the one surface of the wiring board 3 as a mounting region.例文帳に追加

実装領域として、一方の面に被接続部３１を含む配線を設け、他方の面に上記被接続部３１と電気的に接続した被接続部３２を含む配線を設ける。 - 特許庁

A metal wiring 171 among the metal wiring 17 is related to a selective open hole 15 on the interlayer insulating film 14, and has a region connected to the silicide layer 12.例文帳に追加

金属配線１７のうち金属配線１７１は、層間絶縁膜１４上の選択的な開孔部１５に関係し、シリサイド層１２と接続される領域を有する。 - 特許庁

When the mask pattern 91 of the mask 90 and the electrode pattern 111 of the printed wiring board 110 are opposed to each other, the boundary between the first region 101 and the second region 102 is located inside an edge 113 of the printed wiring board 110 and the second region 102 extends outside the edge 113 of the printed wiring board 110.例文帳に追加

マスク９０のマスクパターン９１とプリント配線板１１０の電極パターン１１１とを対応させたときに、第１の領域１０１と第２の領域１０２との境界がプリント配線板１１０の縁１１３よりも内側に位置し、第２の領域１０２がプリント配線板１１０の縁１１３よりも外側に広がっている。 - 特許庁

In step S7004, a thick-width wiring or a region with a high wiring density that tends to easily generate a level difference at CMP is specified, by using a wiring width/wiring density condition 7005 to be determined by a process, based on the sensing results of step S7003.例文帳に追加

そして、工程Ｓ７００４において、前記工程Ｓ７００３の検出結果に基づいて、プロセスによって決まる配線幅・配線密度条件７００５を用いて、ＣＭＰの際に段差が発生しやすい太幅配線や配線密度の高い領域を特定する。 - 特許庁

On a region in which a lower layer wiring (short-circuit line) 16a is formed, a dummy wiring D for relatively thinning the thickness of a flattened film 37 formed on the lower layer wiring 16a to the thickness of the flattened film 37 in a part except the lower layer wiring 16a is formed.例文帳に追加

下層配線（短絡線）１６ａが形成される領域に、その上に形成される平坦化膜３７の厚さを下層配線１６ａ以外の部分の平坦化膜３７の厚さに対して相対的に薄くするためのダミー配線Ｄを形成する。 - 特許庁

Subsequently, the second metal film that lies in a wiring formation region to which the impurity elements should be added is left, while the second metal film that lies in a wiring formation region to which no impurity elements need to be added is partially removed (step S3).例文帳に追加

次いで、不純物元素を添加すべき配線の形成領域にある第２の金属膜は残し、不純物元素の添加が不要な配線の形成領域にある第２の金属膜を部分的に除去する（ステップＳ３）。 - 特許庁

A MOS transistor T1 and wiring 31, 48, 54, 64, and 74 are formed in a chip region 2 on a wafer 1, and a guard ring 76 surrounding the MOS transistor T1 and the wiring 31, 48, 54, 64, and 74 in the chip region 2 is formed.例文帳に追加

ウェハ１上のチップ領域２にＭＯＳトランジスタＴ１及び配線３１，４８,５４，６４，６４を形成すると共に、チップ領域２内でＭＯＳトランジスタＴ１及び配線３１，４８,５４，６４，６４を囲むガードリング７６を形成する。 - 特許庁

The minimum one-directional width of a common data region 107 is made same as the minimum wiring width dimension of the wiring in a TEG region 101, in a connection wherein both data of a first mask and a second mask exist.例文帳に追加

第１のマスクと第２のマスクの両方のデータが存在する繋ぎ合わせ部分となる共通データ領域１０７の最小一方向幅を、ＴＥＧ領域１０１の配線の最小配線幅寸法と同一にする。 - 特許庁

A maximum height h1 in a region R1 which is in direct contact with the wiring material 11 of the electrode 21 is lower than a maximum height h2 in a region R2 which is not in direct contact with the wiring material 11 of the electrode 21.例文帳に追加

電極２１の配線材１１と直接接触している領域Ｒ１における最大高さｈ１は、電極２１の配線材１１と直接接触していない領域Ｒ２における最大高さｈ２よりも低い。 - 特許庁

A buffer material layer 24 is provided in the region between a counter substrate 19 and the pixel electrode 14 and in the region between the metal 23 electrically connected to the pixel electrode 14 and an auxiliary capacitance wiring 17 or the gate wiring 12.例文帳に追加

対向電極１９と画素電極１４との間の領域と、該画素電極１４に電気的に接続された金属２３と補助容量配線１７またはゲート配線１２との間の領域に、緩衝材料層２４を設ける。 - 特許庁

In such a region as the wiring layer 18 connected with a drain electrode 16 intersects the upper surface of the isolation region 4, a conduction plate 24 of ground potential and a conduction plate 25 under floating state are formed under the wiring layer 18.例文帳に追加

ドレイン電極１６と接続する配線層１８が分離領域４上面を交差する領域では、配線層１８の下方に接地電位の導電プレート２４とフローティング状態の導電プレート２５とが形成されている。 - 特許庁

The thickness of the copper-plated film 13 at the central region of the wide wiring groove is increased by the slit groove pattern 5b, thus suppressing the decrease (dishing) in the film of the copper- plated film at the central region of the wide groove wiring 15 in the CMP polishing.例文帳に追加

スリット溝パターン５ｂにより広幅配線溝中央部領域の銅めっき膜１３の厚さが増加し、ＣＭＰ研磨における広幅溝配線１５中央部領域の銅めき膜１３の膜減り（デッシング）が抑制できる。 - 特許庁

A region of an upper face of an insulating substrate 2 with which a base (base of second tool 11b) of the installation tool 11 is brought into contact at the time of installing the semiconductor element 9 is set to be a wiring non-forming region where the wiring pattern 5 does not exist.例文帳に追加

半導体素子９の装着時に装着ツール１１の底面（第２のツール部１１ｂの底面）が接触する絶縁性基板２の上面の領域を配線パターン５が存在しない配線不形成領域とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a multi-unit wiring substrate, which includes a product region where a plurality of wiring-substrate portions are arranged vertically and horizontally and a tab part which is arranged along the periphery of the product region, with the tab part causing no deflection.例文帳に追加

複数の配線基板部分を縦横に配列してなる製品領域と、該製品領域の周囲に沿って配置した耳部とを備え、かかる耳部に反りが生じない多数個取り配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The metal wires 11 and 12 have a first film F1 formed on the bottom of the wiring forming region along the side faces of the banks B facing the wiring forming region 34, and a second film F2 formed laminated on the first film F1.例文帳に追加

金属配線１１、１２は、配線形成領域の底部、及び配線形成領域に臨むバンクＢの側面に沿って成膜された第１膜Ｆ１と、第１膜Ｆ１上に積層して成膜された第２膜Ｆ２とを有する。 - 特許庁

A stepped part 2b comprising a first region facing the first wiring layer 2A and a second region facing the second wiring layer 2B is formed on the rear surface facing the main surface of the semiconductor device of the semiconductor chip 1A.例文帳に追加

半導体チップ１Ａにおける主面と対向する裏面には、第１の配線層２Ａと対向する第１の領域と第２の配線層２Ｂと対向する第２の領域とからなる段差部２ｂが形成されている。 - 特許庁

A mounting region A on which a semiconductor chip is to be mounted is predetermined on a mounting surface of a wiring board 12, wiring patterns 18, 20 are formed such that they radially extend from the approximately central position of the mounting region A.例文帳に追加

配線基板１２の実装面上に半導体チップを実装するべき実装領域Ａを予め規定し、この実装領域Ａの略中央位置から放射状に延びる態様で配線パターン１８，２０を形成しておく。 - 特許庁

To provide a structure in which a light shielding region is formed surrounding an effective display region without any hindrance in a liquid crystal panel having a structure where a conductive member and wiring are formed.例文帳に追加

導通材と配線とが形成される構造の液晶パネルにおいて有効表示領域の周りに支障なく遮光領域を形成できる構造を提供する。 - 特許庁

A segment where a gate wiring pattern and an activation region overlap on each other is extracted as a gate pattern from the input mask design data 601 in a gate region extraction section 603.例文帳に追加

入力されたマスク設計データ６０１からゲート配線パタンと活性化領域とが重なり合う部分をゲート領域抽出部６０３でゲートパタンとして抽出する。 - 特許庁

In a scribe-line region 3 on the wafer 1, a first stress-absorbing pattern 33 is formed at the same time when the wiring 31 of a first layer is formed in the chip region 2.例文帳に追加

また、ウェハ１上のスクライブライン領域３には、チップ領域２に第１層の配線３１を形成するときに、第１の応力吸収パターン３３を同時に形成する。 - 特許庁

To provide a mask improved in the strength of the mask, patterning the pattern region to be a wiring pattern with high resolution, and also patterning a pattern region of a large area en block.例文帳に追加

マスク強度の向上及び、配線パターンとなるパターン領域を高解像度で、かつ、大面積のパターン領域を一括でパターニングすることができるマスクを提供する。 - 特許庁

Regarding a focus region in the binarized image, a region adjusting means 22 alternatively performs contraction processing and expansion processing of a pixel having a pixel value of the wiring pattern.例文帳に追加

二値化された画像内の着目領域について、領域調節手段２２では配線パターンの画素値を持つ画素の縮小処理と膨張処理とを択一的に行う。 - 特許庁

The first flexible wiring board 10 is provided with an input side terminal region 11A and an output side terminal region 11B and further mounts a power IC chip 18.例文帳に追加

第１のフレキシブル配線基板１０は、入力側端子領域１１Ａおよび出力側端子領域１１Ｂを有し、さらにパワーＩＣチップ１８が搭載されている。 - 特許庁

A gate electrode is formed at a position deviated in the channel width direction of the channel region 14, and a gate region 19 is applied with a voltage via a signal wiring.例文帳に追加

また、ゲート電極は、チャンネル領域１４のチャネル幅方向にずれた位置に形成され、信号配線を介してゲート領域１９に印加電圧を供給している。 - 特許庁

The semiconductor substrate includes: a unit region in contact with at least any one of the plurality of groove portions; and a wiring electrode with a portion thereof arranged within the unit region.例文帳に追加

半導体基板は、複数の溝部のいずれか少なくとも一つに接する単位領域と、その単位領域内に一部が配置されている配線電極とを有している。 - 特許庁

A metal thin film region 2 including a heater, an electrode pad and a wiring region connecting the heater to the electrode pad is formed at an upper part of an optical waveguide core 1.例文帳に追加

光導波路コア１の上方に、ヒータ、電極パッド、及びヒータと電極パッドとを結ぶ配線領域からなる金属薄膜領域２が形成されている。 - 特許庁

A structure is adopted for a layout of an SRAM cell which provides local wiring 3a between a gate 2a and a gate 2b, and connects an active region 1 a and an active region 1b.例文帳に追加

SRAMセルのレイアウトにおいて、ゲート２ａとゲート２ｂとの間にローカル配線３ａを設けて、活性領域１ａと活性領域１ｂとを接続した構造とする。 - 特許庁

A rearrangement wiring region for rearranging the array order of a takeout wire in the output signal of the subpixel driver cell is provided at the disposal region of the subpixel driver cell.例文帳に追加

そしてサブピクセルドライバセルの出力信号の取り出し線の配列順序を並び替えるための並び替え配線領域が、サブピクセルドライバセルの配置領域に設けられる。 - 特許庁

A region 15b is formed over a wide range on the flexible wiring board 100, so the heat dissipation effect is large as compared with a case wherein the region 15b is not provided.例文帳に追加

フレキシブル配線基板１００において、領域１５ｂは広範囲に形成されているので、領域１５ｂを設けない場合に比べて放熱効果は大きい。 - 特許庁

To improve the soldering quality in a through hole when the partial region of a printed wiring board is covered with a nozzle and soldering is carried out by overheating that region with dissolved solder.例文帳に追加

プリント配線板の一部領域をノズルで覆い、その部分を、溶解した半田で過熱して半田付けする上で、スルーホール部における半田付け品質を向上する。 - 特許庁

A gate electrode 42 is formed only within an element forming region 32, and the gate electrode 42 and aluminum wiring 48 are connected together in the element forming region 32.例文帳に追加

ゲート電極４２を素子形成領域３２内においてのみ形成するとともに、ゲート電極４２とアルミ配線４８とを素子形成領域３２内において接続する。 - 特許庁

The dummy pattern reduces irregularity on a surface of solder resist which is formed between the pad region and the high density conductor by improving wiring density of the pad region.例文帳に追加

ダミーパターンは、パッド領域の配線密度を高めることにより、パッド領域と高密度導体部との間にできる、ソルダーレジスト表面の凹凸を減少させる。 - 特許庁

The wiring portions extend in a first direction toward the second region from the first region and are arranged with a predetermined distance from one another in a second direction perpendicular to the first direction.例文帳に追加

配線部は、第１領域から第２領域に向かうように第１方向に延び且つ第１方向に直交する第２方向に所定距離をもって配列されている。 - 特許庁

The substrate 1 has a first wiring part 10 mounted inside a display region thereon and formed by being drawn out from the inside of the display region to the outside thereof.例文帳に追加

基板１上の表示領域内に配設され、表示領域の内方より表示領域の外方に向けて引き出し形成される第１の配線部１０を有する。 - 特許庁

In the trench gate type semiconductor device of the mesh structure, a dummy cell connected to a cell formed in a cell region is contained in the gate lead wiring region.例文帳に追加

メッシュ構造のトレンチゲート型半導体装置において、ゲート引き出し配線領域に、セル領域に形成されているセルと接続されたダミーセルを有する構造とする。 - 特許庁

The initialization wiring is disposed so that the intensity or the direction of the current-induced magnetic field can be different between the first magnetization fixed region and the second magnetization fixed region.例文帳に追加

その電流誘起磁界の強度あるいは方向が第１磁化固定領域と第２磁化固定領域とで異なるように、初期化配線が配置されている。 - 特許庁

A layout part 303 performs arrangement and wiring of an I/O circuit included in the circuit information in a region other than the core region on the created layout information.例文帳に追加

生成されたレイアウト情報上のコアの領域以外の領域に、回路情報に含まれているＩ／Ｏ回路をレイアウト部３０３により配置および配線する。 - 特許庁

The first region occupying a region from the base part to the wiring layer is filled with a gas or under a condition where a first inter-layer insulation film 13 is arranged.例文帳に追加

下地部分から配線層までの領域を占める第１領域は、気体が充填された状態、または第１層間絶縁膜１３が配設された状態である。 - 特許庁

After a wiring pattern arranged on an interlayer dielectric film and the wiring layout and hole layout of a hole pattern embedded in the interlayer dielectric film are obtained, the hole pattern is extracted, which is connected with the wiring pattern from the hole layout in a pattern processing region where the wiring pattern is arranged in the same wiring layer.例文帳に追加

層間絶縁膜に設けられる配線パターン、及び層間絶縁膜に埋め込まれるホールパターンの配線レイアウト及びホールレイアウトを取得して、同一配線層内で配線パターンを配置するパターン処理領域においてホールレイアウトの中から配線パターンに接続されるホールパターンを抽出する。 - 特許庁

The solid-state imaging device has a first wiring layer 19 and a second wiring layer 22 each formed in a ring shape so as to trace the outline of the light-receiving region of a photodiode PD, and thereby all of the first wiring layer 19, the second wiring layer 22 and a third wiring layer 25 are arranged to surround an upper part of the photodiode PD.例文帳に追加

第１配線層１９、第２配線層２２のそれぞれを、ホトダイオードＰＤの受光領域の輪郭をなぞるようなリング形状に形成することによって、第１配線層１９、第２配線層２２、第３配線層２５の全てがホトダイオードＰＤ上部を取り囲むように配置する。 - 特許庁

Thus, it is possible to decide the feasibility of the wiring path length satisfying the circuit characteristics of the specifications in the prescribed wiring region by using the longest wiring path candidate obtained by combining any wiring path between terminals whose retrieval is relatively easy and the patrol circuit instead of the longest wiring path between terminals which are difficult to retrieve.例文帳に追加

これにより、探索困難な端子間の最長配線経路の換わりに、比較的に探索容易な端子間の任意の配線経路と巡回路とを合わせた最長配線経路候補を用いて、所定の配線領域における仕様の回路特性を満たす配線経路長の実現可能性を判定することができる。 - 特許庁

According to the semiconductor integrated circuit, a wiring pattern 100, a large-sized first dummy pattern 400 close to the wiring pattern 100 in an idle region 200, and an annular dummy pattern 300 disposed as a shield between the wiring pattern 100 and the large-size first dummy pattern 400 close to the wiring pattern 100, are formed within one wiring layer.例文帳に追加

配線パターン１００と、空き領域２００内で配線パターン１００に近接する大規模な第１のダミーパターン４００と、配線パターン１００と配線パターンに近接する大規模な第１のダミーパターン４００との間に遮蔽物として配置されたリング状のダミーパターン３００とが一つの配線層内に形成される。 - 特許庁

Cut parts taking the form of teeth of a comb and leaving projecting parts CM to horizontally hold the data signal wiring DL between them is formed in a region where the scan signal wiring GL crosses the data signal wiring DL, and a spacer SPC is installed along the scan signal wiring on the scan signal wiring so as to bridge the cut parts.例文帳に追加

走査信号配線ＧＬとデータ信号配線ＤＬとの交叉領域に、当該データ信号配線ＤＬを平面的に間に挟むと突出部ＣＭを残した櫛歯状の切り欠き部を形成し、切り欠き部を橋絡する如く走査信号配線上に該走査信号配線に沿ってスペーサＳＰＣを設置した。 - 特許庁