「wiring region」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

To overcome the problem that wiring congestion is caused if a leakage current is reduced through potential control over a well substrate, when a connection portion from upper-layer wiring is disposed in a region where there are a number of wiring lines.例文帳に追加

ウエル基板の電位制御によるリーク電流削減を行おうとした場合に、上層配線からの接続部が信号配線の多い領域に配置されていると、配線混雑が発生する。 - 特許庁

In a connection region of the flexible wiring plate and the substrate, a connection terminal for connecting to the substrate is formed for the flexible wiring plate, and the circuit wiring is formed on a layer being different from this connection terminal.例文帳に追加

フレキシブル配線板と基板との接続領域において、フレキシブル配線板に基板に接続するための接続端子を形成し、この接続端子とは異なる層に回路配線を形成する。 - 特許庁

Meanwhile, when the wiring length exceeds the standard wiring length because of a change in layout, the wiring is connected to the n-type diffusing layer region 32 to enable the discharge of the accumulated charge.例文帳に追加

一方、レイアウトの変更により配線の長さが標準配線長を超えることとなる場合には、当該配線をｎ型拡散層領域３２に接続し、蓄積電荷の放電を可能とする。 - 特許庁

By not forming a dummy via in a multi-layered wiring layer region formed of a wiring interlayer film having a dielectric constant higher than a low-dielectric-constant film in a region in which an electrode pad 113 is formed, it is possible to suppress propagation of cracks and peeling of the wiring interlayer film while performing planarization of the wiring interlayer film.例文帳に追加

電極パッド１１３形成領域の、低誘電率膜より誘電率の高い配線層間膜からなる多層配線層領域において、ダミービアを形成しないことにより、配線層間膜の平坦化を行いながら、クラックの伝搬と配線層間膜の剥がれを抑制することができる。 - 特許庁

To provide a method for forming simply and conveniently a first wiring pattern including patterns of less than resolution limit in a first wiring pattern formation region and a second wiring pattern comprised of usual patterns of more than or equal to resolution limit in a second wiring pattern formation region, by using an SADP method (Self Align Double Patterning) through two-time lithography steps is used to form.例文帳に追加

２回のリソグラフィ工程によるＳＡＤＰ法（Self Align Double Patterning）を用いて、第１配線パターン形成領域には解像限界未満のパターンを含む第１配線パターンを形成し、第２配線パターン形成領域には解像限界以上の通常パターンからなる第２配線パターンを簡便に形成する方法を提供する。 - 特許庁

An initial netlist (S101) having a no connected scanning path circuit is arranged by means of a cell arrangement processing (S102), the wiring region for the scanning path circuit is reserved by means of a wiring region reservation processing for the scanning circuit (S103), and a wiring processing except the scanning path circuit is carried out by means of a cell wiring processing (S104).例文帳に追加

スキャンパス回路の結線が行われていない初期ネットリスト（Ｓ１０１）がセル配置処理（Ｓ１０２）によって配置処理され、スキャン回路用配線領域予約処理（Ｓ１０３）によってスキャンパス回路用の配線領域が確保され、セル配線処理（Ｓ１０４）によってスキャンパス回路以外の配線処理が行われる。 - 特許庁

The first wiring extension section and the second wiring extension section extended in the lateral direction are aggregated along a passage toward a drawing region 54b and the first wiring extension section and the second extension section are drawn in a longitudinal direction in the drawing region 54b.例文帳に追加

横方向に向けて延出した第１配線延出部及び前記第２配線延出部が引き出し領域５４ｂに向けて集約されるとともに、第１配線延出部及び第２配線延出部が、引き出し領域５４ｂにて縦方向に向けて引き出されている。 - 特許庁

The wiring 90 passes a region interposed between a region having signal lines, such as a data line 52a and a wiring pattern 82 formed therein and an outer peripheral edge 31 of a sealant 30 and passes positions close to signal lines, such as the wiring pattern 82.例文帳に追加

基板割れ診断用配線９０は、データ線５２ａや配線パターン８２などの信号線が形成されている領域とシール材３０の外周縁３１とによって挟まれた領域内を通っており、配線パターン８２などの信号線に近い位置を通っている。 - 特許庁

Respective inner leads are arranged in two rows laterally, a first group of inner leads is arranged with a dense wiring pitch, a second group of inner leads includes a dense pitch region having the same wiring pitch as that of the first group of inner leads, and a coarse pitch region having a wider wiring pitch.例文帳に追加

各インナーリードは、横方向に２列に配列され、第１群のインナーリードは密な配線ピッチで配置され、第２群のインナーリードは、第１群のインナーリードと同等な配線ピッチの密ピッチ領域と、より広い配線ピッチの疎ピッチ領域とを含む。 - 特許庁

A function macro 2 comprises wiring layers 5 and 6 of two or more layers allocated in a connection pin region 1, and a via contact 4 allocated in a region except for a region (contact inhibited region) 3 which is extended from the connection region 1 and the end part of the connection pin region 1 by a specified distance determined by a design rule.例文帳に追加

機能マクロ２は、接続ピン領域１に配置された２層以上の配線層５、６と、接続ピン領域１及び接続ピン領域１の端部からデザインルールから定まる所定の距離だけ広げた領域（コンタクト禁止領域）３以外の領域に配置されたヴィアコンタクト４とを有する。 - 特許庁

The failure analysis section 13 uses wiring information, where the configuration of a plurality of wiring in a semiconductor device is described with a group of pattern data in each wiring pattern in a plurality of layers to extract wiring passing through an analysis region in a plurality of wiring as failure candidate wiring, and extracts candidate wiring by performing the isoelectric tracing of the wiring pattern using a group of pattern data in the extraction of the candidate wiring.例文帳に追加

不良解析部１３は、複数のレイヤのそれぞれでの配線パターンのパターンデータ群によって半導体デバイスの複数の配線の構成が記述された配線情報を用い、複数の配線のうちで解析領域を通過する配線を不良の候補配線として抽出するとともに、候補配線の抽出において、パターンデータ群を用いた配線パターンの等電位追跡を行うことで、候補配線を抽出する。 - 特許庁

Consequently, in the upper surface of the control circuit substrate 11, a wiring enable region 19 is formed in a region corresponding to the main body 16 of the electronic component 15, and a conductor pattern 13 and other miniaturized electronic component 41 are disposed in the wiring enable region 19.例文帳に追加

これにより、制御回路基板１１の上面において、電子部品１５の本体１６に対応する領域には配線可能領域１９が形成され、その配線可能領域１９に導体パターン１３や他の小型電子部品４１が配されている。 - 特許庁

In the semiconductor element, a circuit element or a wiring region is formed on the surface side of a semiconductor layer, a supporting substrate is bonded onto the surface side, and a protective film is formed on the surface or the like of the wiring region on the side of the supporting substrate.例文帳に追加

半導体層の表面側に回路素子や配線部が形成され、その表面側に支持基板が接着され、配線部の支持基板側の面等に保護膜が形成された半導体素子を構成する。 - 特許庁

In this case, in the peripheral wiring region, an etching stop film 121 is formed on a boundary portion between the interlayer insulating films 117 and 113 which is a region equivalent to the lower part of the metallic wiring 124.例文帳に追加

ここで、周辺配線領域では、層間絶縁膜１１３と層間絶縁膜１１７との境界部分であって、金属配線１２４の下部に相当する領域には、エッチングストップ膜１２１が形成されている。 - 特許庁

The space (p) between each through-holes is less than the width L of the signal wiring, and an area 6d where the through-holes are formed contains each width Q region in both outsides of the width L region of the signal wiring portion.例文帳に追加

前記各抜き孔間のピッチｐが信号配線部の幅Ｌよりも小さくなされ、且つ抜き孔の形成領域６ｄが、前記信号配線部の幅Ｌを超える両外側の各幅Ｑを含む範囲になされる。 - 特許庁

A ground pattern G1 is arranged in a region in an opening H1 surrounded by the wiring parts W1a and W1b, and a ground pattern G2 is arranged in a region in an opening H2 surrounded by the wiring parts W2a and W2b.例文帳に追加

配線部Ｗ１ａ，Ｗ１ｂで囲まれた開口部Ｈ１内の領域にグランドパターンＧ１が配置され、配線部Ｗ２ａ，Ｗ２ｂで囲まれた開口部Ｈ２内の領域にグランドパターンＧ２が配置されている。 - 特許庁

In a wiring layer below a region where the wiring pattern 6 for the sensor signal and the shield pattern 7 are formed, the shield pattern of a sensor rear face is formed on the surface opposite to the whole region.例文帳に追加

センサモジュール取付パターン５、センサ信号用配線パターン６及びシールドパターン７が形成された領域の下の配線層において、この領域全体と対向する面にセンサ裏面シールドパターンが形成されている。 - 特許庁

In addition, the flexible printed-wiring board 5 has a region where the conductive pattern 13 is not formed at the connection surface tip, and the thermoplastic resin of the region is allowed to adhere to the connection surface of the rigid printed-wiring board.例文帳に追加

さらに、フレキシブルプリント配線基板５は、その接続面先端部に、導体パターン１３の形成されていない領域を有し、その領域の熱可塑性樹脂が、リジッドプリント配線基板の接続面に密着される。 - 特許庁

To attain inexpensive mounting of an IC (Integrated Circuit) chip onto a wiring substrate in case of mixed presence of a region including an adhered part having a complicated form of the IC chip to the wiring substrate and a region with terminals disposed at narrow pitches.例文帳に追加

ＩＣチップと配線基板との接着部分が複雑な形状になる領域と端子間のピッチが狭小化した領域とが混在するときにＩＣチップの配線基板への実装を低コストで行う。 - 特許庁

The element wiring forming apparatus 50 forms fuse elements 11a-11f in a pattern according to the results of memory cell test on the semiconductor device, and forms elements or wiring in a region above a region where the fuse elements are formed.例文帳に追加

素子配線形成装置５０は、メモリセルテストの結果に応じたパタンのヒューズ素子１１ａ〜１１ｆを半導体装置上に形成し、ヒューズ素子が形成された領域の上方の領域に素子又は配線を形成する。 - 特許庁

Common wiring lines 57 and 58 connected to a common electrode of the piezoelectric actuator 32 are larger in width than the discrete wiring lines 56, each having a part drawn to the drawing region 50b through the projection region 50c.例文帳に追加

一方、圧電アクチュエータ３２の共通電極に接続される共通配線５７、５８は、個別配線５６よりも幅が大きく、その一部が張出領域５０ｃを経由して引き出し領域５０ｂに引き出されている。 - 特許庁

The multilayered wiring region 210 includes: a metal wiring layer of a multilayered structure electrically connected to a circuit element in the circuit element region 130, and shading walls 222, 232, 242 and 244 shading light from the outside.例文帳に追加

多層配線領域２１０は、回路素子領域１３０の回路素子に電気的に接続された多層構造の金属配線層と外部からの光を遮光する遮光壁２２２、２３２、２４２、２４４とを含む。 - 特許庁

A wiring 301a positioned in the upper part of the drain diffusion region 201a and the source diffusion region 201b of a transfer transistor QNi is short-circuited to a gate electrode 203 by a short-circuit wiring 302.例文帳に追加

転送トランジスタＱＮｉのドレイン拡散領域２０１ａ、ソース拡散領域２０１ｂの上方に位置する配線３０１ａは、短絡配線３０２によりゲート電極２０３と短絡されてダミー配線とされている。 - 特許庁

By designating the position of a block in a region unit in which a chip flat surface is divided into grid shapes and arranging a logic element virtually generated in the divided unit region, the wiring length and the wiring congestion degree are accurately estimated.例文帳に追加

チップ平面を格子状に分割した領域単位でブロックの位置を指定し、分割した単位領域に仮想的に生成した論理素子を配置することで配線長と配線混雑度を精度よく推定する。 - 特許庁

In the step of forming the wiring groove pattern, the wiring groove pattern is not formed in a region present above a peripheral part of the substrate 1, which is a region in which the plating film 9 is not formed in the insulating film 2.例文帳に追加

配線溝パターンを形成する工程は、絶縁膜２におけるメッキ膜９が形成されない領域である基板１の周縁部の上方に存在している領域には、配線溝パターンを形成しない。 - 特許庁

A thickness of a wiring 3a, passing under a region of a pad 1 among wirings formed on the next layer below a surface layer, is set smaller than that of a wiring 3b which is arranged deviating from under the region of the pad 1.例文帳に追加

表層より一層下の層に形成された配線のうち、パッド１の領域下を通過する配線３ａの厚さを、パッド１の領域下から外れて配置される配線３ｂの厚さよりも薄くする。 - 特許庁

A clock driver forming region 3 is arranged so as to form clock drivers overlapping with a ring wiring 1 and a mesh wiring 2 arranged extending over a semiconductor substrate region in a plane view.例文帳に追加

半導体基板領域上にわたって延在して配置されるリング配線（１）およびメッシュ配線（２）と平面図的に見て重なり合うようにクロックドライバを形成するクロックドライバ形成領域（３）を配置する。 - 特許庁

A solder resist 6 is formed to cover a part of the gold plating layer 5 and the wiring pattern in the border region 4b and the wiring region 4a and has a predetermined opening 6a for connection with the semiconductor element.例文帳に追加

ソルダーレジスト６は、金めっき層５の一部、及び境界領域４ｂと配線領域４ａの配線パターンを被覆して形成され、半導体素子との接続を行うための所定の開口部６ａを有する。 - 特許庁

When a failure is determined at the step S5, region A including the failure spot is further specified (S7), the power supply wiring is shifted in the direction at right angles to the longitudinal direction of the wiring in the region A, and the process returns to step S5 (S8).例文帳に追加

ステップＳ５で不良判定された場合にはさらに、（Ｓ７）不良箇所を含む領域Ａを指定し、（Ｓ８）領域Ａ内で該電源配線を、その長手方向と直角な方向にシフトさせ、ステップＳ５へ戻る。 - 特許庁

The flexible wiring board 23 is also provided with a first output side terminal region 234A provided on the board 234 and the branched wiring part 235, and it includes a second output side terminal region 235A, formed on the same surface as the first output side terminal region 234A and an input side terminal region 236A.例文帳に追加

フレキシブル配線基板２３は、基板本体２３４に設けられた第１の出力側端子領域２３４Ａと、分岐配線部２３５が設けられ、かつ第１の出力側端子領域２３４Ａと同じ側の面に形成された第２の出力側端子領域２３５Ａと、入力側端子領域２３６Ａと、を含む。 - 特許庁

The pattern arranging device 50 is provided with: an arrangement region setting part 54 which sets the arrangement region where a dummy pattern is arranged in an intermediate region between the wiring patterns adjoining each other in such a way that distances from both adjoining wiring patterns are substantially constant; and a pattern arranging part 55 for arranging the dummy pattern in the arrangement region.例文帳に追加

パターン配置装置５０は、ダミーパターンが配置されるべき配置領域を、互いに隣り合う配線パターンの中間領域に、かつ両隣の配線パターンに対する間隔が実質的に一定になるように設定する配置領域設定部５４と、ダミーパターンを配置領域に配置するパターン配置部５５と、を備える。 - 特許庁

Further, in the case of a wiring board in which a wiring pattern for obtaining conduction with a conductor of the wiring cable is provided, a flat region for adsorbing the suction cup 12 around the wiring pattern on the board is provided.例文帳に追加

また、配線ケーブルの導線との導通を得るための配線パターンが基板に設けられている配線基板において、基板における配線パターンの周辺に吸盤１２を吸着させるための平坦領域が設けられているものである。 - 特許庁

The second wiring layer includes a fourth wiring 14a located in the upper part of the first element region 1a, and a conductive pattern 14b for connection located in the upper part of a part of the third wiring 11b and electrically connected to the third wiring 11b.例文帳に追加

第２配線層は、第１素子領域１ａの上方に位置する第４配線１４ａと、第３配線１１ｂの一部の上方に位置していて第３配線１１ｂに電気的に接続している接続用導電パターン１４ｂを具備する。 - 特許庁

In a region including a crossing part of a column-direction wiring 24 and a row-direction wiring 26 and under the column-direction wiring 24, an isolating layer 28 to isolate the column direction wiring 24 and an element electrode 23 is formed.例文帳に追加

列方向配線２４と行方向配線２６との交差部を含む領域で、且つ、列方向配線２４の下に、列方向配線２４と素子電極２３とを隔絶するための隔絶層２８が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

For example, since the wiring of the oblique direction passing the upper left angle and the lower right angle of the power supply ring (electric power supply region) turns into the wiring of the direction of 135°, the wiring patterns 101, 104, 105, and 108 are constituted by the wiring layers of the direction of 45°.例文帳に追加

例えば、電源リング（電力供給領域）の左上角および右下角を通過する斜め方向の配線は１３５度方向の配線となるので、配線パターン１０１、１０４、１０５、１０８を４５度方向の配線層で構成する。 - 特許庁

When the substrate wiring is designed by the substrate design tool, by making the wiring not to perform in the recognized region excluding the wiring, the electrical coupling of the substrate wiring with the micro signal circuit is restrained, and the malfunctions of the circuit is prevented.例文帳に追加

基板設計ツールにて基板配線を設計する際に、認識した配線除外領域内は配線しないようにさせることで基板配線と微小信号回路の電気的結合を抑制でき、回路の誤動作を防ぐことができる。 - 特許庁

An n+diffusion region 14 to which a high potential is to be applied is formed in the n-type semiconductor region 3 and is electrically connected with the n-diffusion region 5 by wiring 20 having a resistor R.例文帳に追加

ｎ-型半導体領域３の領域には、高電位が印加されるｎ+拡散領域１４が形成され、抵抗Ｒを有する配線２０によってｎ-拡散領域５と電気的に接続されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device without any disconnection due to gaps generated at the boundary between a silicide region and a non-silicide region, when forming wiring having a completely silicified region partially.例文帳に追加

完全にシリサイド化されたシリサイド領域を一部に有する配線を形成する際、シリサイド領域と非シリサイド領域の境界に発生する空隙による断線のない半導体装置を提供する。 - 特許庁

An insulating film 5 is thereby formed in a region of the conductive layer 2 for forming a required wiring pattern, and then the region of the oxide film 4 is removed by etching along with the unwanted conductive layer region underneath it.例文帳に追加

そこで、導電層２に於ける所要の配線パタ−ンを形成する領域に絶縁膜５を形成した後、酸化膜４の領域及びその下部の不要な導電層領域をエッチング除去する。 - 特許庁

The transparent electrode 17 is formed in a liquid crystal encapsulating region 12A of the substrate 12 and the wiring 18 is formed so as to be extracted from the liquid crystal encapsulating region 12A to a projecting region 12B.例文帳に追加

透明電極１７は、基板１２の液晶封入領域１２Ａ内に形成され、配線１８は液晶封入領域１２Ａから張出領域１２Ｂに引き出されるように形成されている。 - 特許庁

The resistance adjusting region of the electrode pad is trimmed away to be able to adjust a resistance value between the substrate connection region and external wiring connection region of the electrode pad.例文帳に追加

電極パッドの抵抗調整領域に対してトリミングを行うことによって、電極パッドの基板接続領域と外部配線接続領域との間の抵抗値を調整することができる。 - 特許庁

The source region 32 of the third semiconductor element 3 is connected to a p+ region 24 through a wiring 50 and connected to the body region (p-form region) 20 of the second semiconductor element 2, while the gate region 33 of the third semiconductor element 3 is connected to the terminal 45 of pulse Vpulse.例文帳に追加

さらに、第３の半導体素子３のソース領域３２が、配線５０を通じてｐ^＋ 領域２４に接続されて、第２の半導体素子２のボディ領域（ｐ形領域）２０に接続され、第３の半導体素子３のゲート領域３３が、パルスＶｐｕｌｓｅ の端子４５ に接続される。 - 特許庁

The first region includes first metal wiring formed in a first wiring layer on the semiconductor substrate and having a predetermined first width, second metal wiring formed in a second wiring layer above the first wiring layer and having the first width, and a first contact connecting the first metal wiring and the second metal wiring and having a second width less than or equal to the first width.例文帳に追加

第１の領域は、半導体基板上の第１配線層に形成され、所定の第１の幅を有する第１の金属配線と、第１配線層の上層の第２配線層に形成され第１の幅を有する第２の金属配線と、第１の金属配線と第２の金属配線とを接続し、第１の幅以下の第２の幅を有する第１のコンタクトとを有する。 - 特許庁

A dummy wiring pattern 16d is formed as corresponding to a non-display region and in contact with a sealing material 16s.例文帳に追加

非表示領域に対応しシール材１６ｓに接するようにダミー配線パターン１６ｄが形成されている。 - 特許庁

A recess is formed in the region where the rough surface portion 14 should be formed on the principal surface of the wiring board 11.例文帳に追加

配線基板１１の主面のうち粗面部１４を形成すべき領域には、凹部が形成されている。 - 特許庁