例文 (999件) |
wiring substrateの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 9428件
The non-contact carrying device sucks and holds a substrate main surface 120 of the wiring board 110 to the suction surface 21 for conveyance by negative pressure, generated by air jetted along the inner-peripheral surface of the recess 73 from the air blow-out hole 81.例文帳に追加
非接触搬送装置は、エア吹出穴81から凹部73の内周面に沿って噴出したエアにより発生する負圧によって、配線基板110の基板主面120を吸引面21に吸引保持して搬送する。 - 特許庁
Such a film as above has not only high adhesiveness to a silicon and a glass, etc. but low specific resistance, and the Cu is hardly diffused into a silicon layer, so that the film is suitable for especially an electrode and a metal wiring, etc. formed on the silicon layer and a glass substrate surface, etc.例文帳に追加
このような膜はシリコンやガラスに対する密着性が高いだけでなく、比抵抗も低く、Cuがシリコン層に拡散し難いので、シリコン層やガラス基板表面に形成される電極や金属配線に特に適している。 - 特許庁
To provide a compact self-ballasted fluorescent lamp 11 through downsizing of a substrate 53 by restraining excessive temperature rising of an electronic component 55 and securing an area capable of forming a wiring pattern, capable of obtaining nearly the same appearance as an ordinary lighting bulb.例文帳に追加
電子部品55の過度な温度上昇を抑制し、配線パターンを形成可能な面積を確保しながら基板53を小形化し、一般照明用電球と略同じ外観を得られる電球形蛍光ランプ11を提供する。 - 特許庁
This is heated to eliminate gas in the interlayer insulation film 6 to quickly cool it down to a substrate holder temperature, and after impurities in the contact hole 6A are removed by RF plasma annealing, a wiring layer 7 is formed as a desirable pattern.例文帳に追加
これを加熱して層間絶縁膜6中のガス除去して基板ホルダ温度まで急速冷却し、RFプラズマアニールによりコンタクトホール6A中の不純物を除去した後配線層7を所望のパターンに形成する。 - 特許庁
First inspection balls 18a and second inspection balls are disposed on a package substrate 10 and the first inspection balls 18a and the second inspection balls are connected to a wiring formed through a lowest insulation layer 19 to a top insulation layer 19.例文帳に追加
パッケージ基板10に、第1検査ボール18a、第2検査ボールを設け、その第1検査ボール18a、第2検査ボールを、最下層の絶縁層19から最上層の絶縁層19を経由して形成された配線を接続する。 - 特許庁
To provide a wiring board in which variations of a lamination state of gold-tin solder layer with time or a phase state caused by a storage of a substrate are prevented, any variation of an internal stress of the gold-tin solder layer is eliminated and an intensity at the time of bonding doesn't deteriorate.例文帳に追加
基板の保管による経時的な金錫半田層の積層状態や相の状態の変化を阻止し、且つ、金錫半田層の内部応力の変化を無くし、接合時の強度が劣化しない配線基板を提供する。 - 特許庁
To provide an electrooptical device where a designated pattern of electric wiring etc., is precisely formed and in which yield in the case of manufacturing is excellent , a manufacturing method for a substrate for the electrooptical device, and a manufacturing method for the electrooptical device respectively.例文帳に追加
電気配線等の所定パターンが精度良く形成してあるとともに、製造時の歩留りに優れた電気光学装置、電気光学装置用基板の製造方法、および電気光学装置の製造方法をそれぞれ提供する。 - 特許庁
Wiring (501) for inspection to which an inspection signal for inspecting the substrate device is supplied is formed in an area (200) outside each formation area so as to connect two or more image signal terminals (2a) to be electrically common.例文帳に追加
各形成領域外の領域(200)には、基板装置の検査用の検査信号が供給される検査用配線(501)が、画像信号端子(2a)の2個以上を電気的に共通に接続するように形成されている。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a multilayer ceramic wiring board which can avoid the formation of a rough surface of a substrate even when laminated by a multiplicity of sheets of ceramic tape, and can reduce the generation of bleeding or the like when printing is carried out on its outermost layer.例文帳に追加
多数枚のセラミックテープを積層しても基板表面に凹凸が形成されず、最外層に印刷する場合ににじみ等の発生を低減することができる多層セラミック配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method for a ceramics wiring board which is mass-produced, by splitting a metal circuit board, after the metal circuit board has been formed on the board with respect to a AIN substrate with only each could be formed on the metal circuit board on each face, conventionally.例文帳に追加
従来、単面毎にしか金属回路板を形成できなかったAlN基板に対して、基板上に金属回路板を形成した後、分割して量産化を可能とするセラミックス配線基板の製造方法の提供。 - 特許庁
The noncontact carrying device sucks and holds a substrate main surface 120 of the wiring board 110 to the suction surface 21 for conveyance by negative pressure generated by air jetted along the inner-peripheral surface of the recess 73 from the first air blow-out hole 81.例文帳に追加
非接触搬送装置は、エア吹出穴81から凹部73の内周面に沿って噴出したエアにより発生する負圧によって、配線基板110の基板主面120を吸引面21に吸引保持して搬送する。 - 特許庁
To provide an electroplating method and an electroplating apparatus in which a dense plated film is formed by micronizing a plating generating nucleus or a plating grain and which are capable of coping with the formation of micronized wiring on a substrate.例文帳に追加
めっき発生核やめっき粒の微細化を図ることで緻密なめっき膜を形成でき、微細化が進む基板上の配線形成に対応することが可能な電解めっき方法及び電解めっき装置を提供する。 - 特許庁
To provide a printed circuit board having a wiring structure which is high in reliability and cost performance for suppressing the increase of a substrate area by making predetermined interwiring connection automatically established when any component is not mounted.例文帳に追加
部品を実装しない場合は自動的に所定の配線間の接続がなされるようにして、信頼性が高くかつ低コストで、かつ基板面積の拡大も抑制することを可能とする配線構造を備えたプリント基板の提供。 - 特許庁
To improve performance and reliability of components of a wiring layer composed of a diffused layer, etc., by forming impurity ion implanted regions in contract with the surface of an insulation film on a part of semiconductor regions formed on an SOI substrate surface, and thermally diffusing the impurity in the impurity ion implanted regions.例文帳に追加
半導体領域に不純物が拡散されている拡散層からなる配線層などの構成要素の高性能化および高信頼度化ができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
If a spark is generated between the wiring patterns by voltage application, the spark is detected by a spark detection circuit 7, and the control part 6 determines the circuit board generating the spark to be a defective product without substrate determination based on the insulation resistance.例文帳に追加
電圧印加により配線パターン間にスパークが発生すると、スパーク検出回路7で検出し、制御部6は絶縁抵抗に基づく基板判定をすることなくスパークの発生した回路基板を不良品と判定する。 - 特許庁
To inexpensively provide a low-profiled copper foil for a printing wiring board by improving adhesiveness of the glossy surface of the copper foil to a resist as well as adhesion of this glossy surface with a resin substrate.例文帳に追加
銅箔の光沢面とレジストとの密着性が優れ、また同光沢面で樹脂基板と密着させた場合の接着力を向上させることにより、ロープロファイル化されたプリント配線基板用銅箔を低コストで提供する。 - 特許庁
To provide a method of fabricating a polishing pad which is used for polishing the surface of an insulating layer or a metal wiring formed on a semiconductor substrate, wherein the method is high in safety and capable of easily controlling the polishing pad in structure.例文帳に追加
本発明により、半導体基板の上に形成された絶縁層または金属配線の表面を研磨において、安全性も高く、かつ研磨パッドの構造制御が容易な製造方法を提供するものである。 - 特許庁
To provide configuration which can reduce wiring resistance and can prevent the occurrence of the color unevenness of images displayed in a transmission mode and reflection mode in an electro-optic apparatus using inter-substrate conduction and an electronic equipment using the same.例文帳に追加
基板間導通を用いた電気光学装置、およびそれを用いた電子機器において、配線抵抗を低減するとともに、透過モードおよび反射モードで表示した画像の色ムラの発生を防止可能な構成を提供すること。 - 特許庁
The wiring substrate 50 comprising a member with a heat insulating property conducts the heat generated by the light emitting elements 20 to the light blocking member 40 and light outputting member 30 side, and further conducts the same form the light outputting member 30 to the thyristor film 10.例文帳に追加
配線基板50は断熱性を有する部材から構成し、発光素子20の発生熱を遮光部材40及び光導出体30の側へ伝熱させ、光導出体30からサイリスフィルム10へ伝熱させる。 - 特許庁
To provide an active matrix substrate in which the occurrence of destruction caused by short circuit among spare wirings or a first protecting circuit connected between scanning lines adjacent to the spare wiring or signal lines is prevented and the generation of display defect is suppressed.例文帳に追加
予備配線同士、あるいは予備配線と隣接する走査線または信号線との間に接続された第1保護回路の短絡破壊を防止し、表示不良の発生を抑えることのできるアクティブマトリクス基板を提供する。 - 特許庁
The method for manufacturing the printed wiring substrate comprises the steps of printing copper paste on metal foil 11 by using the paste to form the bump 12 to connect layers, forming a paste copper bump 12a, and setting the height of the bump 12a to 30 to 70% of the height of the entire bump 12.例文帳に追加
層間接続の為のバンプ12を形成するにあたり、金属箔11上に銅ペーストを用いてこれを印刷し、ペースト銅バンプ12aを形成し、バンプ12全体の高さの30〜70%の高さにする。 - 特許庁
In the printed wiring board wherein the circuit pattern 2 consisting of an electrically conductive material is formed by plating on an insulating substrate 1, dummy circuit regions are formed on both sides or in the surrounding portion of a component mounting region in the circuit pattern 2.例文帳に追加
絶縁基材1上に導電材料からなる回路パターン2がメッキによって形成されたプリント配線板において、回路パターン2における部品実装領域の両側、あるいは、周囲部に、ダミー回路領域を形成する。 - 特許庁
To provide a wiring board which reduces expansion of a semiconductor device caused by vaporization of a water content remaining in the interior of the semiconductor device, caused by heat applied upon manufacture of the semiconductor device and upon mounting of the semiconductor device on a mounting substrate.例文帳に追加
半導体装置の製造時および実装基板搭載時に加えられる熱により半導体装置内部に溜まった水分が気化膨張することで発生する半導体装置の膨張を低減する配線基板を提供する。 - 特許庁
A wiring pattern 32 and through holes 34 that are needed for connection between the BBIC 14 and the memory IC 16 or the like, an RF passive part 36 and a shielding ground electrode pattern 38 are formed inside the multilayer substrate 12.例文帳に追加
多層基板12の内部には、BBIC14およびメモリIC16間などの接続に必要な配線パターン32およびスルーホール34と、RF用受動部品36と、遮蔽用グランド電極パターン38とが形成される。 - 特許庁
After at least a layer of metal film made of the seed film of electric plating is formed on a substrate before direct machining using a laser, wiring with specific resistance or less is formed on the seed film by the plating method.例文帳に追加
本発明は、基板上に電気めっきのたね膜となる少なくとも一層以上の金属膜を形成したものをレーザーで直接加工した後、該たね膜にめっき法を用いて所望の抵抗値以下の配線を形成したものである。 - 特許庁
The plurality of semiconductor memory chips are stacked on a first main face of a wiring substrate, also an interposer chip is stacked on the plurality of semiconductor memory chips, and further a semiconductor controller chip is stacked on the interposer chip.例文帳に追加
配線基板の第1の主面上に、複数の半導体メモリチップを積層するとともに、前記複数の半導体メモリチップ上にインターポーザチップを積層し、さらに前記インターポーザチップ上に半導体コントローラチップを積層する。 - 特許庁
The photosensitive insulating film is formed on a surface of a metal wiring substrate, and is characterized by having a plurality of layers comprising an organic inorganic photosensitive resin layer whose insulating film has a siloxane structure and an organic photosensitive resin layer.例文帳に追加
金属配線基板面上に形成する感光性絶縁膜であって、絶縁膜がシロキサン構造を有する有機無機感光性樹脂層と、有機感光性樹脂層との複数層を有することを特徴とする感光性絶縁膜。 - 特許庁
To obtain a machinable ceramic circuit board by simple steps, the machinable ceramic circuit board capable of securing a high degree of precision and flexibility in shape design and securing joining reliability between a substrate and wiring parts even if it is put in a severe temperature environment.例文帳に追加
高精度かつ形状設計の自由度を確保すると共に、過酷な温度環境に置かれた場合であっても、基板と配線部間の接合信頼性を確保可能なマシナブルセラミックス回路基板を簡素な工程で得る。 - 特許庁
The common wiring 63 inputting a drive waveform signal from a control substrate 9 to the two drive ICs 47 is connected to two common signal input terminals 55 having different numbers of the two drive ICs 47.例文帳に追加
制御基板9から2つの駆動IC47に対して駆動波形信号を入力する共通配線63は、これら2つの駆動IC47の、番号が異なる2つの共通信号入力端子55に接続されている。 - 特許庁
A test electrode 280 faced via an interlayer insulating film 214 to the other-side end portion 212y of the second electrode 212 and test wiring 29 electrically connected to the test electrode 280 are formed on the substrate 20.例文帳に追加
基板20上には、第2電極212の他方側端部212yに層間絶縁膜214を介して対向する検査用電極280と、検査用電極280に電気的に接続された検査用配線29とが形成されている。 - 特許庁
The semiconductor device is configured, by forming a thin film transistor TFT having a semiconductor layer 15 composed of crystalline silicon and a wiring layer LN composed of a metal wire 12, on one surface side of an insulating substrate 11 in an in-phase state.例文帳に追加
半導体装置は、絶縁性の基板11の一面側に、結晶性のシリコンからなる半導体層15を有する薄膜トランジスタTFTと、金属配線12からなる配線層LNと、が同層に設けられている。 - 特許庁
To provide a composite wiring board which is capable of easily forming a multilayer on an arbitrary position of a substrate, flexibly corresponding to a design change or the like, and having a cavity structure capable of three-dimensionally arranging a circuit component.例文帳に追加
基板の任意の位置を容易に多層化し、設計変更等に柔軟に対応できる複合配線基板を提供し、また回路部品を三次元的に配置することができるキャビティ構造を有した複合配線基板を提供する。 - 特許庁
Then, the connecting electrode 51A is connected to the connecting electrode 51B to thereby be a temperature compensated crystal oscillation module 50 in which the wiring pattern of the ceramic substrate 41 is thermally separated from the metal pin terminal 46.例文帳に追加
そして、接続用電極51Aと接続用電極51Bとを接続することによりセラミック基板41の配線パターンと金属ピン端子46とを熱的に離間した温度補償型水晶発振モジュール50を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor integrated circuit device (LSI) having an LSI chip loading substrate with which a user can easily use a high speed device and a high speed apparatus without being conscious of timing design as a wiring board.例文帳に追加
タイミング設計を意識することなく高速デバイス及び高速装置を利用者が容易に利用することができるLSIチップ搭載基板を配線基板として有する半導体集積回路装置(LSI)を提供する。 - 特許庁
To provide a wafer cleaning method for effectively removing from a wafer surface, organic substances sticking on a semiconductor substrate in a pre-processes, such as CMP process for forming Cu wiring, before moving to a next process, related to a wafer processing process.例文帳に追加
ウェーハ処理工程において、次工程へ移る前に半導体基板上にCu配線を形成するCMP処理などの前工程で付着した有機物をウェーハ表面から有効に除去するウェーハ洗浄方法を提供する。 - 特許庁
A first electrode 12a, a second electrode 12b, and a conductive portion 12c made of the first conductive layer constitute a connection terminal of an IC circuit and an inductor portion 15a provided to the semiconductor substrate, an input/output terminal of the IC circuit, and wiring.例文帳に追加
第一導電層からなる第一電極12a、第二電極12b、導電部12cは各々、半導体基板に設けたIC回路とインダクタ部15aの接続端子、IC回路の入出力端子、配線を構成する。 - 特許庁
Further, the LED lighting fixture 10 is provided with a connector 33 which is installed in the LED substrate 31 and connects a wiring 38 of another LED unit 30 when the another LED unit 30 is continued next to the LED unit 30.例文帳に追加
さらに、LED照明器具10は、LED基板31に設けられ、LEDユニット30の隣に別のLEDユニット30を連続させる場合に別のLEDユニット30の配線38を接続するコネクタ33を備えている。 - 特許庁
The heat sink comprises: a heat radiation plate 24 for mounting the wiring substrate 19; a heat pipe 25 mounted in a fitting part 24g formed on the heat radiation plate 24 with adhesion state to the inner wall preserved; and a heat radiation means 26.例文帳に追加
配線基板19を取り付ける放熱プレート24と、この放熱プレート24に形成された嵌合部24g内に内壁との密着状態を保持して取り付けられたヒートパイプ25と、放熱手段26とを備える。 - 特許庁
In an upper surface of a low-density P-type semiconductor substrate 101, an element isolation layer 102 and a conductivity type layer 103 are formed and on the upper surface thereof, an inter-wiring-layer insulating film 104 and the inductor 105 in a spiral shape are laminated.例文帳に追加
低濃度P型の半導体基板101の上面内には素子分離層102および導電型層103が形成されており、また、その上面上には配線層間絶縁膜104およびスパイラル形状のインダクタ105が積層されている。 - 特許庁
The connection of the packet switches and TDM switches and connection of the ATM switches and TDM switches share same connection wirings between TDM interface processing units and TDM switches (for example, a wiring pattern with slots (connectors) in a packaging circuit substrate).例文帳に追加
前記のパケットスイッチ及びATMスイッチと、TDMスイッチとの接続が、TDM・I/F処理部とTDMスイッチの間と同一の接続配線(例えば、スロット(コネクタ)を設けた実装回路基板における配線パターン)を共用する。 - 特許庁
A groove 2 having a depth D not less than 10μm deep, for example, is formed on the silicon substrate 1, and the level difference 15 of an Al film 14 formed while coping with the groove 2 is utilized as the registration mark upon forming the Al wiring layer 14'.例文帳に追加
例えば、深さDが10μm程度以上の溝2をシリコン基板1に形成し、この溝2に対応して形成されたAl膜14の段差15を、Al配線層14′の形成時の位置合わせマークとして利用する。 - 特許庁
The first wiring layer 6a is formed on the perimeter region of the light-receiving section in the first flattening layer 5a provided on the semiconductor substrate 3, and a first dummy pattern 10a is formed on the light-receiving section of the first flattening layer.例文帳に追加
半導体基板3上に設けられた第1の平坦化層5aの受光部周辺領域上に第1の配線層6aを形成すると共に、第1の平坦化層の受光部上に第1のダミーパターン10aを形成する。 - 特許庁
When designing a circuit pattern of a printed circuit board, the circuit pattern is printed on an insulation substrate by using a conductive paint, and a cream solder is printed onto a wiring pattern that is necessary as a metal conductor, and then reflow interconnection is carried out.例文帳に追加
プリント回路基板の回路パターン設計において、絶縁性基板に導電性塗料を用いて回路パターンを印刷形成し、金属導電体として必要な配線パターン部分にクリームはんだを印刷し、リフロー配線する。 - 特許庁
On the upper portion of a p-type silicon substrate 10 there are formed wiring 11 for connecting semiconductor devices, and a silicon oxide film 12 deposited by a plasma CVD method, and further an uppermost layer conductive film 13 on the upper portion of the silicon oxide film 12.例文帳に追加
p型シリコン基板10の上部には、半導体素子を結ぶ配線11と、プラズマCVD法によって堆積したシリコン酸化膜12が形成され、さらにその上部には最上層導電膜13が形成されている。 - 特許庁
To implement a radio communication module which has become small in size and low-profile by cutting down the mounting area and height of the substrate, and also has become low-loss and low power by reducing the wire inductance and the alternative wiring.例文帳に追加
本発明は無線通信モジュールに関し、基板表面の実装面積及び実装高さを減らし、小型化、低背化を図り、ワイヤのインダクタンス分や迂回配線の削減で低損失、低消費電力の無線通信モジュールを実現する。 - 特許庁
On an active matrix substrate, a film quality inspection region 80 of 1 mm square is formed in the part where a pixel part, a scanning line driving circuit, a data line driving circuit and signal wiring 72, etc., are not formed.例文帳に追加
アクティブマトリクス基板200において、画素部11、走査線駆動回路70、データ線駆動回路60、信号配線72、73などが形成されていない部分には1mm角の膜質検査領域80が形成されている。 - 特許庁
The wiring connected to the movable portion light emitting substrate 243 is held on the rear surface of a cover portion 232 configuring the rear surface of the movable base 222 and is isolated from a linking portion 258 disposed inside the movable base to move the movable portion 240.例文帳に追加
可動部発光基板243に接続する配線は、可動基体222の後面を構成するカバー部232の後面に保持されて、可動基体の内部に配設される可動部240を動かす連繋部258と隔てられている。 - 特許庁
When the semiconductor substrate 2 is to be machined from a main-surface side, the machining by the plasma CVM method and the mechanical polishing using the grinding wheel 1 are combined, an interlayer insulating film and wiring that have different etching rates are machined uniformly.例文帳に追加
半導体基板2を主面側から加工する場合においては、プラズマCVM法による加工と砥石車1による機械的な研磨とを複合させて、エッチングレートの異なる層間絶縁膜と配線とを均一に加工する。 - 特許庁
To provide a substrate for ink jet recording head having such a structure as a metal of different kind does not touch the ink or moisture while having low resistance power wiring formed by plating, and to provide its production process.例文帳に追加
めっき法で形成された低抵抗な電力配線を有しながらも、異なる種類の金属がインクや水分等に接触することがない構造を有する、インクジェット記録ヘッド用の基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
Wiring 30 constituting the spiral inductor is electrically connected to the electrode 14, and is formed on an upper surface 24 of the resin layer 20, opposite to an undersurface 22 facing the surface with the electrode 14 of the semiconductor substrate 10.例文帳に追加
スパイラルインダクタを構成する配線30は、電極14に電気的に接続され、樹脂層20の、半導体基板10の電極14が形成された面と対向する下面22とは反対の上面24に形成されている。 - 特許庁
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