「wiring substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(164ページ目) - Weblio英語例文検索

A liquid crystal display device (electronic equipment) 30 uses the substrate 31 for electronic equipment characterized in that a copper layer (copper wiring) 40a is formed on a substrate 36 having insulating property at least on its surface and coated with a copper compound layer 40b of a copper compound selected out of copper phosphide, copper boride, and copper bromide.例文帳に追加

少なくとも表面が絶縁性である基板３６上に銅層（銅配線）４０ａを形成し、該銅層（銅配線）４０ａをリン化銅、ホウ化銅、シュウ化銅のうちから選択されるいずれかの銅化合物層４０ｂによって被覆したことを特徴とする電子機器用基板３１を用いた液晶表示装置（電子機器）３０。 - 特許庁

An Au electrode 2 which is made by pattering an Au film formed by plating method is formed on the surface of the compound semiconductor substrate comprising GaAs and the like, and a wiring 4 is formed on a rear area including the inside of a via hole 3 which is formed from the rear side of the semiconductor substrate 1 such that it exposes one portion of the surface of the Au electrode 2.例文帳に追加

ＧａＡｓ等からなる化合物半導体基板１の表面にメッキ法により形成されたＡｕ膜をパターニングしてなるＡｕ電極２が形成され、半導体基板１の裏面からＡｕ電極２の表面の一部を露出させるように形成されたビアホール３内を含む裏面領域に配線４が形成されている。 - 特許庁

To form a sealing member in which there is little unevenness of a cut surface of the sealing member in which a resin layer and a sealing substrate are pasted together, seal a spontaneous light emitting part formed on a panel substrate with high precision by a simple process, and prevent connection defect and display defect due to formation of the resin layer on an extraction wiring.例文帳に追加

樹脂層と封止基板が貼り合わされた封止部材の切断面の凹凸が少ない封止部材を形成すること、パネル基板上に形成された自発光部を簡単な工程により高精度に封止すること、引出し配線上に樹脂層が形成されることによる接続不良や表示不良を防止すること、等。 - 特許庁

A wiring substrate 9 has an insulating substrate 2 prepared by laminating a plurality of insulating layers 1 and a metallize line 3 formed between the insulating substrates 1, wherein as to the metallize line 3, an upper metallize line 3a and a lower metallize line 3b are partially joined in width in an overlapping manner in a length direction.例文帳に追加

複数の絶縁層１が積層されてなる絶縁基板２と、絶縁層１の層間に形成されたメタライズ線路３とを備える配線基板９であって、メタライズ線路３は、同じ層間に位置する上側メタライズ線路３ａと下側メタライズ線路３ｂとが、長さ方向に沿って互いの幅方向の一部同士が重なって接合されている。 - 特許庁

The compact solid electrolytic capacitor having a large capacity comprising a solid electrolyte layer and a collector layer formed on metal foil having valve operation is built into an electrically insulating substrate, and is connected to an inner via by a through-hole electrode, thus miniaturizing a packaging area having short wiring and realizing the manufacturing method of the substrate incorporating an electrolytic capacitor having low-impedance characteristics.例文帳に追加

弁作用を有する金属箔上に形成された固体電解質層、集電体層からなる小型大容量の固体電解コンデンサを電気絶縁性基板内に内蔵し、インナービアとスルーホール電極で接続したので、短配線で実装面積の小型化が図れ、低インピーダンス特性を有する電解コンデンサ内蔵基板の製造方法を実現できる。 - 特許庁

The liquid crystal device which has a peripheral circuit (12) for driving pixels formed on one substrate (10) constituting the liquid crystal device is characterized by that a sealing material (14) containing spacer materials (13) is formed on the peripheral circuit and a lead-out wiring pattern formed at the circumference of a pixel area and a counter substrate (20) is stuck together.例文帳に追加

液晶装置を構成する一方の基板（１０）の上に画素を駆動するための周辺回路（１２）が形成された液晶装置において、画素領域の周囲に配置された周辺回路および引き出し用の配線パターンの上に、スペーサ材（１３）を含んだシール材（１４）を形成して対向基板（２０）を貼り合わせるようにした。 - 特許庁

The semiconductor has a semiconductor substrate 11, including an element, an interlayer insulating film (silicon oxide film 20, BPSG film 30) formed on the semiconductor substrate 11, a contract hole formed in the interlayer insulating film, the barrier layer 33 formed on the interlayer insulating film and the surface of the contact hole, and a wiring layer 40 formed on the barrier layer 33.例文帳に追加

半導体装置は、素子を含む半導体基板１１、半導体基板１１の上に形成された層間絶縁膜（シリコン酸化膜２０，ＢＰＳＧ膜３０）、層間絶縁膜に形成されたコンタクトホール、層間絶縁膜およびコンタクトホールの表面に形成されたバリア層３３、およびバリア層３３の上に形成された配線層４０を有する。 - 特許庁

In a circuit substrate 100 to which the flip chip mounting of a semiconductor element 21 is carried out, at least one island-shaped conductive layer 14 is selectively arranged with a wiring layer 11a in an element mounting region on the circuit substrate 100, to which the semiconductor element 21 is fixed and an insulative resin layer 15 is arranged on the island-shaped conductive layer 14.例文帳に追加

半導体素子２１がフリップチップ実装される回路基板１００に於いて、半導体素子２１が実装される回路基板１００上の素子搭載領域内に、配線層１１ａと共に少なくとも一つの島状の導電層１４を選択的に配設し、当該島状の導電層１４上に絶縁性樹脂層１５を配設した。 - 特許庁

A substrate provided with a wiring pattern 2 which has the land part 3 is prepared and after preliminary solder 4 is provided on at least the surface of the land 3 as a preliminary solder forming method, a resist layer 5 formed of thermosetting resin, etc., is applied onto the entire surface of the substrate as a resist layer forming process and dried and half-hardened.例文帳に追加

ランド部３を有する配線パターン２が設けられた基板１を用意し、まず予備半田形成方法として、少なくともランド部３の表面に予備半田４を設けた後、レジスト層形成工程として、基板１上の全面に熱硬化性樹脂等からなるレジスト層５を塗布し、このレジスト層５を乾燥して半硬化させる。 - 特許庁

In the wiring structure of a recorder 100, a recording head 8 and a substrate terminal 10f for controlling the recording head 8 are connected through a flat cable 15 curved to project downward, and a trap 30 is formed by bending the cable at a part closer to the substrate terminal 10f side than the lowermost portion A of the flat cable 15.例文帳に追加

記録ヘッド８と、この記録ヘッド８の制御用の基板端子１０ｆとを、下に凸に湾曲させたフラットケーブル１５で接続し、このフラットケーブル１５の最下部Ａよりも前記基板端子１０ｆ側に寄った部位に当該ケーブルを折り曲げて形成したトラップ３０を備えたことを特徴とする記録装置１００の配線構造。 - 特許庁

This magnetic random access memory comprises a substrate (1), a magnetoresistive element (5) which includes a ferromagnetic layer (8) having reversible spontaneous magnetization and whose resistance changes according to the direction of the spontaneous magnetization and which is formed above the substrate (1), and wiring (1) through which a current for generating a magnetic field applied to the magnetoresistive element (5) flows.例文帳に追加

本発明による磁気ランダムアクセスメモリは，基板（１）と、反転可能な自発磁化を有する強磁性層（８）を含み，自発磁化の方向に応じて抵抗が変化し，且つ，前記基板（１）の上方に形成された磁気抵抗素子（５）と，磁気抵抗素子（５）に印加される磁場を発生する電流を流すための配線（１１）とを備えている。 - 特許庁

The build-up multilayer wiring board 7 comprises a low-temperature baked ceramic substrate 1; and a build-up layer 2 that has a structure in which a conductive layer 4 and a resin insulating layer 21 are laminated alternately, and is formed on at least one of a chip-packaging surface 18 and a ball grid junction surface 19 of the low-temperature baked ceramic substrate 1.例文帳に追加

ビルドアップ多層配線基板７は、低温焼成セラミック基板１と、導体層４及び樹脂絶縁層２１を交互に積層した構造を有し、低温焼成セラミック基板１のチップ実装面１８及びボールグリッド接合面１９のうちの少なくともいずれかの表面上に形成されたビルドアップ層２とを備える。 - 特許庁

The method comprises steps of forming a conductive pattern on a substrate surface; subjecting it to migration electrodeposition or electrocrystallizing high-temperature superconducting particulates and/or high- temperature superconducting precursor substance particulates on the superconducting pattern; and forming the superconducting wiring, by heat treating the substrate to sinter the particulates.例文帳に追加

基体表面に導電性パターンを形成する工程、前記導電性パターン上に、高温超伝導微粒子および／または高温超伝導体前駆物質微粒子を泳動電着または電析させる工程、及び前記基体を熱処理して、前記微粒子を焼結させ、超伝導配線を形成する工程を具備することを特徴とする。 - 特許庁

ELECTRO-OPTICAL COMPOSITE WIRING STRUCTURE, STRUCTURE COMPRISING OPTICAL ELEMENT MOUNTING SUBSTRATE, OPTICAL WAVEGUIDE LAYER, AND OPTICAL PATH CONVERSION COMPONENT; STRUCTURE COMPRISING OPTICAL ELEMENT MOUNTING SUBSTRATE AND OPTICAL PATH CONVERSION COMPONENT; STRUCTURE COMPRISING OPTICAL PATH CONVERSION COMPONENT AND OPTICAL WAVEGUIDE LAYER; OPTICAL PATH CONVERSION COMPONENT COMPRISING ALIGNMENT STRUCTURE; AND MICRO LENS ARRAY COMPRISING ALIGNMENT STRUCTURE例文帳に追加

光電気複合配線構造体、光学素子搭載基板と光導波路層と光路変換部品とからなる構造体、光学素子搭載基板と光路変換部品とからなる構造体、光路変換部品と光導波路層とからなる構造体、位置合わせ構造を有する光路変換部品、位置合わせ構造を有するマイクロレンズアレイ - 特許庁

This ceramic substrate is provided with a via 1 for connecting between a signal wire 3 and an external lead or as transmission line for electrical connection between layers on which wiring patterns are formed and a ground conductor 2 which is disposed coaxially with the via 1 around the via 1 and has notches 9 between the layers of the ceramic substrate.例文帳に追加

セラミック基板１００の信号線３と外部リードとを接続するため、または配線パターンを形成した層間での電気的接続を行うための伝送ラインとしてのビア１と、ビア１の周囲にビア１と同軸に配置されるとともに、セラミック基板１００の各層間において切り欠き部９を有するグランド導体２を備える。 - 特許庁

The solid-state imaging apparatus is provided with a plurality of imaging pixels 20 formed in matrix on a substrate 10 and each including a photodiode 21, and a plurality sets of metal wiring 34 each formed to extend in a columnar direction on a portion between the photodiodes 21 adjacent in a row direction on a planarizing layer 41 formed on the substrate 10.例文帳に追加

固体撮像装置は、基板１０に行列状に形成され且つフォトダイオード２１を含む複数の撮像画素２０と、基板１０の上に形成された平坦化層４１の上における行方向に隣り合うフォトダイオード２１同士の間の部分に列方向に延びてそれぞれ形成された複数の金属配線３４とを備えている。 - 特許庁

A semiconductor device 10 has a trench 12 which is formed in a surface part of a silicon substrate 11 and has an isolation oxide film 13 inside, a plurality of element formation regions 10A wherein a surface of the silicon substrate 11 is divided by the trench 12, and a gate wiring 15 which extends on the trench 12 and the element formation region 10A.例文帳に追加

半導体装置１０は、シリコン基板１１の表面部分に形成され内部に素子分離酸化膜１３を有するトレンチ１２と、トレンチ１２によってシリコン基板１１の表面部分が区画された複数の素子形成領域１０Ａと、トレンチ１２及び素子形成領域１０Ａ上に延びるゲート配線１５とを有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor package substrate, which is easy to form many pins, easy to realize high density and miniaturization, having high reliability and no need for installing a stiffener, by improving a traditional semiconductor package substrate and enhancing a flatness of a multi-layer wiring structure film, and method for manufacturing a semiconductor device using the same.例文帳に追加

従来の半導体パッケージ基板を改良し、多層配線構造膜の平坦性を向上させることにより、多ピン化、高密度化及び微細化が容易で信頼性が高くスティフナを装着する必要がない新規な半導体パッケージ基板の製造方法及びそれを使用する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To fully obtain mechanical strength and electromagnetic shield effects of a metal case, without causing increase in the weight of the metal case and increase in the number of part items in a metal case for accommodating and holding a printed wiring substrate, a substrate-holding structure using this metal case, and further a manufacture for electronic equipment using this metal case.例文帳に追加

プリント配線基板を収納保持する金属ケース及びこの金属ケースを使用する基板保持構造、更には、この金属ケースを使用した電子機器の製造方法に対し、金属ケースの重量の増大や部品点数の増加を招くこと無しに、金属ケースの機械的強度及び電磁シールド効果が十分に得られるようにする。 - 特許庁

The ceramic wiring board includes an insulating substrate 3, having a plurality of laminated insulating layers containing at least ceramic particles and a conductor layer 5 on at least the surface of the substrate 3, and anisotropic particles 9, in each insulating layer, are oriented approximately in one direction, and the insulating layers intermingle with their orientation directions intersecting.例文帳に追加

少なくともセラミック粒子を含有してなる複数の絶縁層を積層した絶縁基板３と、該絶縁基板３の、少なくとも表面に導体層５を具備してなるセラミック配線基板であって、各絶縁層の異方性粒子９が略一方向に配向してなるとともに、配向方向が交差する絶縁層が混在したものである。 - 特許庁

The sensor substrate 1 and the through-hole wiring formation substrate 2 are configured by joining a first junction metal layer 18 for sealing and a second junction metal layer 28 for sealing formed on their opposite faces, and joining a first junction metal layer 19 for connection and a second junction metal layer 29 for connection formed on their opposite faces.例文帳に追加

センサ基板１と貫通孔配線形成基板２とは、互いの対向面に形成された第１の封止用接合金属層１８と第２の封止用接合金属層２８とが接合されるとともに、互いの対向面に形成された第１の接続用接合金属層１９と第２の接続用接合金属層２９とが接合されている。 - 特許庁

In this manufacturing method of this inspection probe substrate for forming projections and a wiring pattern connected to the projections on a substrate equipped with a copper foil, formation of the projection is performed by bonding an Au ball and then moving a capillary on which an Au wire is clamped, and thereafter, first plating and second plating are applied onto the projection.例文帳に追加

銅箔を備えた基板に突起と該突起に接続する配線パターンとを形成する検査用プローブ基板の製造方法において、前記突起の形成は、Ａｕボールをボンディングした後にＡｕワイヤをクランプしたキャピラリを移動することにより行ない、その後前記突起の上に第１のめっき及び第２のめっきを施したことにある。 - 特許庁

In the process for producing electric wiring, a metal layer 25 becoming a conductor is formed on a substrate layer 12, unnecessary portion 26 of the metal layer 25 is removed by laser ablation, and then the residue 27 of unnecessary portion 26 of the metal layer 25 remaining on the substrate layer 12 is removed by etching the metal layer 25 with an etchant.例文帳に追加

本発明の電気配線の製造方法は、基材層１２上に導体となる金属層２５を形成し、レーザアブレーションにより金属層２５の不要部分２６を除去した後、腐食液で金属層２５をエッチング処理することにより、レーザアブレーション後に基材層１２上に残っている金属層２５の不要部分２６の残渣２７を除去する。 - 特許庁

The semiconductor device further includes the individual wiring layers 106 of the thin films formed on a region from above the LEDs 105 of the LED epitaxial film 104 to the terminal regions 107a of the Si substrate 101, via the surface of the LED epitaxial film 104 to electrically connect the LEDs 105 to the terminal regions 107a of the Si substrate 101.例文帳に追加

半導体装置はさらに、ＬＥＤエピタキシャルフィルム１０４のＬＥＤ１０５上からＬＥＤエピタキシャルフィルム１０４の表面を経てＳｉ基板１０１の端子領域１０７ａに至る領域に形成され、ＬＥＤ１０５とＳｉ基板１０１の端子領域１０７ａとを電気的に接続する薄膜の個別配線層１０６を有する。 - 特許庁

This semiconductor device has a through electrode 5 which is so formed as to penetrate a semiconductor substrate 6, a conductor pad 14 formed on the through electrode 5 and composed of a conductor electrically connected to the through electrode 5, and a wiring layer 3 formed on the surface of the semiconductor substrate 6 and electrically connected with the conductor pad 14.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板６を貫通して形成された貫通電極５と、貫通電極５の上に形成され、貫通電極５と電気的に接続する導電体からなる導電体パッド１４と、半導体基板６の表面に形成され、導電体パッド１４と電気的に接続する配線層３とを備える。 - 特許庁

In a tuner having a tuner circuit 2 and a control circuit 3, connected to the tuner circuit 2, formed on a main substrate 1 in multi-layered structure, the tuner circuit 2 and control circuit 3 are connected to an internal-layer wiring pattern 6 through connection holes 4 and 5 of via and through holes, a blind via hole, and an inner via hole bored in the main substrate 1.例文帳に追加

チューナ回路２と、チューナ回路２に接続する制御回路３とを多層構造のメイン基板１に形成したチューナにおいて、前記チューナ回路２と前記制御回路３との接続を、メイン基板１に設けたビア、スルーホール、ブラインドバイアホール、インナーバイアホールの接続穴４，５を介して、内層配線パターン６に接続することより行う。 - 特許庁

When the interface substrate 2 is mounted in a rack, upper and lower or more pins 7, 8 for confirming mounting of a plurality of connecting pins of the substrate 2 are surely inserted, and only after a wiring 6 and the pins 7, 8 for confirming mounting are constituted at a conducting route for confirming the mounting from a CPU 5, the CPU 5 recognizes the mounting.例文帳に追加

インタフェース基板２をラックに搭載する場合、インタフェース基板２の複数の接続ピンのうち、上下もしくはそれ以上の実装確認用のピン７，８が確実に挿入され、ＣＰＵ部５から配線６および実装確認用のピン７，８をつなぐ実装確認用の導通経路が構成された後でないと、ＣＰＵ部５は、実装と認識しない。 - 特許庁

The semiconductor device 200 comprises a semiconductor substrate (non-illustrated), a second insulating film between wires 216 that is provided on the semiconductor substrate and is composed of ladder type siloxane hydride, a second protection film 217 provided on the second insulating film between wires 216, and upper layer wiring 270 formed in the second insulating film between wires 216 and the second protection film 217.例文帳に追加

半導体装置２００は、半導体基板（不図示）と、半導体基板上に設けられ、梯子型水素化シロキサンにより構成された第二配線間絶縁膜２１６と、第二配線間絶縁膜２１６上に設けられた第二保護膜２１７と、第二配線間絶縁膜２１６および第二保護膜２１７中に形成された上層配線２７０と、を含む。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive resin composition excellent in adhesiveness to a copper substrate and excellent also in heat resistance and properties of a cured film; a method for producing a relief pattern using the same and having good adhesiveness to a substrate; and electronic components having an interlayer insulation film or a surface protection film and constituting a semiconductor device or a multilayer wiring board with high reliability.例文帳に追加

銅基板との接着性に優れ、耐熱性、硬化膜特性に優れるポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた、基板との接着性良好なレリーフパターンの製造方法、層間絶縁膜又は表面保護膜を有する、信頼性の高い半導体装置や多層配線板となる電子部品を提供する。 - 特許庁

When the heaters are energized with appropriate currents, the heaters generate heat sufficient to weaken the bonded joints of the adhesive and makes the peeling or removal of the module 1 or element from the printed wiring board easier without weakening the bonded joints from among many layers in the laminated substrate 9 nor the bonded joint of the module 1 or element to the substrate 9.例文帳に追加

適当な電流で付勢されたとき、ヒータは接着剤接着部を弱化させるのに十分な熱を発生させ、積層基体の多数の層の接着部を弱化させることなく又は基体に対する多重チップモジュール素子の接着部を弱化させることなく、印刷配線板からの多重チップモジュールの引き剥がし、取り外しを可能にする。 - 特許庁

A printed-wiring board is manufactured by forming an interlayer insulation layer 3 on both the sides of a substrate 1 by a rotor coater 4, where the substrate 1 has a surface-side conductor circuit 21 on the surface 11 and at the same time a backside conductor circuit 22 on the backside 12 and has a smaller area of the surface-side conductor circuit 21 than that of the backside conductor circuit 21.例文帳に追加

表側面１１に表側導体回路２１を有すると共に裏側面１２に裏側導体回路２２を有し，かつ裏側導体回路２２の面積が表側導体回路２１の面積よりも小さい基板１の両面に，ロールコーター４によって層間絶縁層３を両面同時に形成することにより，プリント配線板を製造する方法。 - 特許庁

The silicon mold 18 having a flow property is supplied to the front surface of the substrate overhanging part 2c and thereafter, the substrates 2a and 2b are inclined at an angle θ, by which the silicon mold 18 is fluidized toward the region bended with a pair of the substrates 2a and 2b and all of the wiring 15 on the substrate overhanging part 2c are coated with a uniformly thin thickness.例文帳に追加

基板張出し部２ｃの表面に流動性を有するシリコンモールド１８を供給し、その後、基板２ａ及び２ｂを角度θで傾斜させることにより、一対の基板２ａ，２ｂが貼り合わされている領域へ向けてシリコンモールド１８を流動させて、基板張出し部２ｃ上の配線１５の全てを均一な薄い厚さで被覆する。 - 特許庁

A semiconductor element 8 is die-attached to a die pad 12, a bonding pad 20 is connected with a wiring pattern 5 on a substrate with a wire 7, a through-hole 11 is made with the die pad 12, and the die pad 12 is coupled thermally with a heat dissipation plane 3, being sandwiched by interior substrates 2 and a heat dissipation region 4 on the rear surface of the substrate.例文帳に追加

半導体素子８がダイパッド１２にダイアタッチされており、ワイヤー７によってボンディングパッド２０と基板上の配線パターン５とを結線し、ダイパッド１２中にスルーホール１１を形成し、内装基板２によって挟まれている放熱プレーン３および基板裏面の放熱領域４とダイパッド１２とが熱的に接続されている構造とした。 - 特許庁

The substrate 1 for mounting a light emitting element is equipped with a light reflecting layer 3 and transparent insulating layer 4 formed on an insulating layer 2 in order, a mounting portion 5a for the light emitting element 6 formed on the transparent insulating layer 4, and a wiring conductor 5 formed from the surrounding of the mounting portion 5a to the side surface or lower surface of the insulating substrate 2.例文帳に追加

発光素子搭載用基板１は、絶縁基板２の上面に順次形成された光反射層３および透明絶縁層４と、透明絶縁層４上に形成された発光素子６の搭載部５ａと、搭載部５ａの周辺から絶縁基板２の側面または下面にかけて形成された配線導体５とを具備している。 - 特許庁

To provide a composition for pattern formation having good sensitivity and tenting strength, excellent in adhesion to a substrate such as a substrate for printed wiring formation, also having good strippability from a support and good resolution, and enabling a high-definition pattern to be formed, and to provide a pattern forming material obtained by using the composition and a pattern forming method using the pattern forming material.例文帳に追加

感度、テンティング強度が良好であるのみならず、プリント配線形成用基板等の基体との密着性に優れ、支持体からの剥離性、及び解像度が良好で、高精細なパターンを形成可能なパターン形成用組成物及びこれを用いたパターン形成材料、及び該パターン形成材料を用いたパターン形成方法の提供。 - 特許庁

A terminal part 223A formed at a short-side part of a tape carrier package 22 joined with a long side of a projection area 26A of the glass substrate 26 of a liquid crystal panel 21 and a connection terminal part, 31 arranged at a long-side part of a projection area 25A of the glass substrate 25 are joined from the same direction by one flexible printed wiring board 23.例文帳に追加

液晶表示パネル２１におけるガラス基板２６の突出領域２６Ａの長辺に接合したテープキャリアパッケージ２２の短辺部に形成した端子部２２３Ａと、ガラス基板２５の突出領域２５Ａの長辺部に配置した接続端子部３１と、を１つのフレキシブルプリント配線板２３で同方向から接合させる。 - 特許庁

Since an active surface 4f of the substrate 4a can be protected against flaws or contamination only by forming a protective layer 4c on the active surface 4f of the substrate 4a having a wiring pattern 4b or the like formed, a troublesome process of packaging substrates one by one and then packing or the like is not necessary, and automatic packing can be done in a conveyer-line method.例文帳に追加

配線パターン４ｂ等が形成された基板４ａの能動面４ｆに保護層４ｃを形成するだけで当該基板４ａの能動面４ｆを傷や汚染から保護することができるので、基板を一つ一つパッケージしてから梱包する等の煩雑な工程は必要なく、流れ作業で自動的に梱包を行うことができる。 - 特許庁

To uniformly make flatness in the total surface of a semiconductor substrate, and attain uniform polishing up to in the vicinity of a wafer edge, in a polishing device or a polishing pad for use in a mechanical flatting process smoothing by polishing a surface of an insulation layer or metal wiring formed on the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の上に形成された絶縁層または金属配線の表面を研磨により平滑にする機械的な平坦化工程で使用するための研磨装置または研磨パッドにおいて、半導体基板全面が均一に平坦化されまたウェーハエッジ近くまで均一な研磨が達成できる技術を提供するものである。 - 特許庁

The dummy bumps 16 abutting on a main body substrate 10 are formed in the case of abutting the bumps 13 on the wiring terminals made of the same material as that of the bumps 13 against a liquid crystal driver chip 12 and then the abutting status of the bumps 13 is detected from the backside of the main body substrate so as to discriminate the acceptability of the abutting status of the bumps 13.例文帳に追加

液晶ドライバチップ１２に、バンプ１３と同一材質からなり配線端子１４に対するバンプ１３の当接時に本体基板１０に当接されるダミーバンプ１６を形成し、本体基板１０の裏側よりダミーバンプ１６の当接状態を検知する事により、配線端子１４とバンプ１３の当接状態の良否を判別する。 - 特許庁

A wiring 6 is arranged from a semiconductor chip 1 to first and second pad parts 5A and 5B, respectively arranged adjacent to two facing sides of the rear surface of a substrate 3, so that the signal output from the semiconductor chip 1 or the like arranged on the surface of the substrate 3 reaches the first and second pad parts, substantially at the same time.例文帳に追加

本発明の代表的な発明では、基板３表面に配置された半導体チップ１等から出力された信号が、基板３裏面の対向する２辺近傍にそれぞれ配置された第１及び第２のパッド部５Ａ，５Ｂに実質的に同時に到達するように、半導体チップ１から第１及び第２のパッド部までの配線６が配置される。 - 特許庁

The printed wiring board 1 includes a metallic substrate 2, an insulating layer 3 formed on the surface of the metallic substrate 2, an adhesive layer 6 formed on the surface of the insulating layer 3 and composed of polyimide resin having a glass transition temperature of 20 to 300°C and thermoplasticity, and a metallic foil layer 8 formed on the surface of the adhesive layer 6.例文帳に追加

本発明のプリント配線板１は、金属基板２と、金属基板２の表面上に設けられた絶縁層３と、絶縁層３の表面上に設けられ、ガラス転移温度が２０℃〜３００℃であって熱可塑性を有するポリイミド樹脂により形成された接着層６と、接着層６の表面上に設けられた金属箔層８とを備えている。 - 特許庁

In the liquid crystal device which has a peripheral circuit (12) for driving pixels formed on one substrate (10) constituting the liquid crystal device, a sealant (14) containing a spacer material (13) is formed on the peripheral circuit arranged around the pixel area and a wiring pattern for leading-out, and a counter substrate (20) is stuck together.例文帳に追加

液晶装置を構成する一方の基板（１０）の上に画素を駆動するための周辺回路（１２）が形成された液晶装置において、画素領域の周囲に配置された周辺回路および引き出し用の配線パターンの上に、スペーサ材（１３）を含んだシール材（１４）を形成して対向基板（２０）を貼り合わせるようにした。 - 特許庁

The semiconductor device has: a semiconductor substrate having a semiconductor component on the surface; an interlayer dielectric including a wiring structure formed on the semiconductor substrate; a metal ring formed within the interlayer dielectric; and an air gap formed in a region on one side of the metal ring within the interlayer dielectric.例文帳に追加

本発明の実施の形態による半導体装置は、表面に半導体素子を有する半導体基板と、前記半導体基板上に形成された配線構造を含む層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜内に形成されたメタルリングと、前記層間絶縁膜の前記メタルリングの片側の領域に形成されたエアギャップと、を有する。 - 特許庁

The wiring substrate manufacturing method includes a step for forming a flow path by sealing a groove formed to a resin substrate with a sealing member and a step for depositing a conductive metal on the wall face of the flow path by filling a conductive metal-containing liquid into the flow path.例文帳に追加

樹脂基板に形成された溝を封止部材により封止することで流路を形成する工程と、前記流路に導電性金属含有液体を充填し、前記流路の壁面に導電性金属を付着させる工程を含むことを特徴とする配線基板の製造方法を提供することにより前記課題を解決する。 - 特許庁

The method of manufacturing the multilayer printed wiring board comprises the processes of mounting the chip type resistor on an inner layer substrate, with a support body on the upper side and a resistor on the land side; stacking an interlayer insulation layer on the inner layer substrate; polishing the laminate; and forming a conductor layer on the polished laminate via an insulation layer.例文帳に追加

支持体を上側、抵抗体をランド側にしてチップ型抵抗体を内層基板に実装する工程と；前記内層基板に層間絶縁層を積層する工程と；前記積層板を研磨する工程と；前記研磨後の積層板に絶縁層を介在せしめて導体層を形成する工程とを有する多層プリント配線板の製造方法。 - 特許庁