「wiring substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(163ページ目) - Weblio英語例文検索

A first metal film composing a main wiring section is formed on a given substrate (step S1), and a second metal film is formed thereon that contains impurity elements such as Ti and Zr contributing to enhanced electromigration immunity (step S2).例文帳に追加

所定基板上に配線の主要部を構成する第１の金属膜を形成し（ステップＳ１）、その上にエレクトロマイグレーション耐性向上に寄与するＴｉ，Ｚｒ等の不純物元素を含む第２の金属膜を形成する（ステップＳ２）。 - 特許庁

By electrically connecting the disconnected signal lines through a transparent electrode for color filter electrodeposition formation, the trace of rescue wiring which is not related with the display on the array substrate becomes unnecessary, and effective display area can be enlarged.例文帳に追加

断線した信号線をカラーフィルタ電着形成用透明電極を介して電気的に接続することにより、アレイ基板上の表示に関与しないレスキュー配線のトレースが不要となり有効表示領域を大きくすることができる。 - 特許庁

The wiring circuit substrate includes an insulating film made of a polyimide obtained by the condensation polymerization of a 2,2'-dichloro-4,4',5,5'-biphenyl tetrapod carboxylic acid dianhydride and an aromatic diamine.例文帳に追加

本発明によれば、２，２’−ジクロロ−４，４’，５，５’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミンとを重縮合して得られるポリイミドからなる絶縁膜を金属箔上に有することを特徴とする配線回路基板が提供される。 - 特許庁

The method of designing the semiconductor integrated circuit layout includes arranging a plurality of dummy diffusion patterns in a substrate area and right below the wire of a first wiring layer among automatically arranged wires.例文帳に追加

本発明の半導体集積回路レイアウト設計方法は、自動配置配線のうちの第１配線層の配線に対して、基板領域にて且つ上記配線の直下にて、複数のダミー拡散パターンを配置することを特徴とする。 - 特許庁

The method of manufacturing the wiring structure includes an etching step to selectively etch a first cap film and a step to form a second cap film made of SiOC or SiO_2 to cover the upper surface of a semiconductor substrate.例文帳に追加

また、かかる配線構造の製造方法が、第１キャップ膜を選択的にエッチングするエッチング工程と、半導体基板の上面を覆うように、ＳｉＯＣまたはＳｉＯ_２からなる第２キャップ膜を形成する工程とを含む。 - 特許庁

When the dispersion is used for forming wiring of an electric circuit on a polyimide flexible substrate by printing, heat treatment at the temperature of glass transition point of polyimide or lower is suitable for a coating film formed by printing.例文帳に追加

この分散体を用い、印刷によってポリイミドのフレキシブル基板に電気回路の配線を形成するときには、印刷によって形成された塗膜を、ポリイミドのガラス転移点以下の温度で熱処理することが好適である。 - 特許庁

Consequently, a predetermined pattern having the second conductive plating film is formed in the detection region of the substrate, and a predetermined pattern having the first conductive plating film and second conductive plating film is formed in the wiring region.例文帳に追加

これにより該基板の検出領域内に第２導電性めっき膜を具えた所定パターンを形成し、配線領域内には第１導電性めっき膜と第２導電性めっき膜を具えた所定パターンを形成する。 - 特許庁

Hereby, a projection area of a main surface conductor pattern is extended without restricting by the wiring pattern, and a heat flow from the semiconductor chip is widely dispersed in a surface direction of the surface direction for intending lowering of heat resistance of the insulating substrate.例文帳に追加

これにより、配線用パターンに規制されることなく主面導体パターンの投影面積を拡張し、半導体チップからの熱流束を基板の面方向に広く分散させて絶縁基板の熱抵抗低化が図れる。 - 特許庁

This printed wiring board 2 is provided with a substrate 4 provided with a plurality of internal conductor layers 5a, 5b and an insulating layer 6 interposed between the conductor layers 5a, 5b, and at least one connection terminal 10 for electrically connecting a part between the internal conductor layers.例文帳に追加

プリント配線板2は、複数の内部導体層5a,5bと、これら導体層の間に介在された絶縁層6とを有する基板4と、内部導体層間を電気的に接続する少なくとも一つの接続端子10とを具備している。 - 特許庁

To provide an FFS mode liquid crystal display device in which no metal wiring is exposed on an edge of an array substrate, in which electrostatic breakdown is prevented from occurring, and which has a flattened film to reduce occurrence of rubbing unevenness in rubbing.例文帳に追加

アレイ基板の端部に金属配線が露出しておらず、静電気破壊を未然に防ぎ、且つラビング時にラビングムラの発生が少なくなるようにした平坦化膜を有するＦＦＳモードの液晶表示装置を提供すること。 - 特許庁

These pins 30, 31 are inserted into vias 11, 13 of an opposing sub-assembly 2, and the pins are positioned, and thus, a substrate excellent in interlayer alignment accuracy of the sub-assembly wiring boards 1, 2 can be manufactured.例文帳に追加

これらのピン３０、３１を、対向するサブアセンブリ配線板２のビア１１、１３にそれぞれ挿入して位置決めすることで、サブアセンブリ配線板１及び２の層間位置合わせ精度が優れた基板を製作することができる。 - 特許庁

Since Cu wiring layers 300A and 300B are provided on a Cu substrate 3 which consists of Cu with good heat dissipation through an insulating layer 301 and a reflector part 30 is formed by press working, it has good light reflectivity.例文帳に追加

放熱性の良好なＣｕからなるＣｕ基板３に絶縁層３０１を介してＣｕ配線層３００Ａ、３００Ｂを設け、プレス加工によってリフレクタ部３０を形成しているので、良好な光反射性を有する。 - 特許庁

In a multilayer of metal wiring layers present on the semiconductor substrate, there are formed metal wirings M1a, M1b connected with gates G of the MOS transistors Tn1a, Tn1b and are formed metal wirings M2a, M2b connected with gates G of the MOS transistors Tn2a, Tn2b wherethrough respective input signals of the operational amplifier are inputted.例文帳に追加

その半導体基板上における多層のメタル配線層には、ＭＯＳトランジスタＴｎ１ａ，Ｔｎ１ｂ，Ｔｎ２ａ，Ｔｎ２ｂのゲート電極Ｇにつながるメタル配線Ｍ１ａ，Ｍ１ｂ，Ｍ２ａ，Ｍ２ｂが形成されており、入力信号がそれらメタル配線Ｍ１ａ，Ｍ１ｂ，Ｍ２ａ，Ｍ２ｂを介して入力される。 - 特許庁

To provide a method and instrument by which the depth of the groove of an insulating material formed on a substrate can be measured accurately without being affected by an underlying wiring structure and a technology by which the height of a formed step or the thickness of a formed film can be measured.例文帳に追加

半導体基板上に形成される絶縁体の溝の深さを、下部配線構造の影響を受けずに正確に測定できる方法と装置、および、形成された段差や膜厚を測定する技術を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for forming electric wiring or an electrode for a liquid crystal display, which is made from a copper thin film, is superior in adhesiveness to the surface of a glass substrate and does not have such a thermal defect as a hillock and a void.例文帳に追加

ガラス基板表面に対する密着性に優れ、さらにヒロックおよびボイドなどの熱欠陥が発生することのない銅薄膜からなる液晶表示装置用配線および電極の形成方法を提供する。 - 特許庁

The printed wiring substrate with a BGA package mounted thereon has high junction strength to peeling due to external force, by providing an extension line 4 with a pad 3 and a through hole 2 linearly in almost the same line width as a pad diameter.例文帳に追加

本発明のＢＧＡパッケージを実装するプリント配線基板は、引き出し線４がパッド３とスルーホール２をパッド径と略同じ線幅で且つ、直線に設けられることで外力による剥がれに対して高い接合強度を有している。 - 特許庁

Then, the substrate 100 is loaded into an electroplating apparatus such that the contact layer 150 is in contact with a cathode electrode 540, and the metal seed layer 140 is electroplated to form a metal wiring layer on the metal containing layer 130.例文帳に追加

基板１００を電解メッキ設備に装着して、接触層１５０とカソード電極５４０とを接続し、金属シード層１４０に対して電解メッキを遂行し、金属含有層１３０上に金属配線層を形成する。 - 特許庁

To prevent rise of a resistance value after aging test by preventing void from remaining in a connection material when an electronic element such as a bare IC chip is mounted on a wiring circuit substrate by a liquid or paste- like connecting material.例文帳に追加

液状もしくはペースト状の接続材料でベアＩＣチップ等の電子素子を配線回路基板へ実装する際に、接続材料中にボイドを残存させず、従ってエージング試験後の抵抗値上昇を招かないようにする。 - 特許庁

To provide a plating method capable of applying defectless sound metallic plating having convenience for use equal to that of wafer base electroless plating in particular, e.g. on the surface of a substrate having fine recessed parts or the like for wiring.例文帳に追加

特に水系無電解めっきに相当する使い勝手を有し、例えば配線用の微細な凹部等を有する基板の表面に欠陥のない健全な金属めっきを施すことができるようにしためっき方法を提供する。 - 特許庁

Even if the cracks generated in one of the tops 23a, 23b grow towards into a flexible wiring substrate 5 and an invalid part 16, they are prevented by the stopper members 73, 74 and grow along the cut-off line 83.例文帳に追加

頂点２３ａ、２３ｂのいずれか一方に発生した亀裂が、フレキシブル配線板５内や無効部分１６内に向けて成長しようとしても、ストッパ部材７３、７４によって阻止され、亀裂は切取線８３に沿って成長する。 - 特許庁

In addition, mountability is improved even if an area (width) of the conductive region is small by a configuration such that an electrode provided on one principal plane of the substrate is to be a multilayered structure that is connected to an external connection electrode through a wiring layer.例文帳に追加

また、基板の一主面側に設ける電極を多層構造として配線層を介して外部接続電極に接続する構成とすることにより、導電領域の面積（幅）が小さくても実装性が向上する。 - 特許庁

An electric short circuit between connection pads 3 of the wiring substrate 6 due to a solder bridge can be prevented and bonding assisting agent such as flux used to connect the connection pads 3 by the conductor bumps 7 can effectively be washed.例文帳に追加

半田ブリッジによる配線基板６の接続パッド３間の電気的な短絡を防ぐことができるとともに、導体バンプ７による接続の際に用いるフラックス等の接着助剤を効果的に洗浄することができる。 - 特許庁

A laminate comprising a lower layer side insulator thin film, a conductive thin film and an upper layer side insulator thin film is arranged on an upper face part of the substrate 1, and a wiring pattern 22 of the fixed electrodes is formed of the conductive thin film.例文帳に追加

基板１の上面部に、下層側絶縁体薄膜と導電性薄膜と上層側絶縁体薄膜との積層体が配置され、導電性薄膜により固定電極の配線パターン２２が形成されている。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device comprises the steps of: epitaxially growing an epitaxial semiconductor layer 4 on a semiconductor substrate; forming a photoelectric conversion part on the epitaxial semiconductor layer 4; forming a wiring layer on the epitaxial semiconductor layer 4 after forming the photoelectric conversion part; bonding a supporting base 23 onto the wiring layer; and etching the semiconductor substrate from the opposite surface side of the bonded surface after the bonding.例文帳に追加

実施形態の半導体装置の製造方法は、半導体基板の上にエピタキシャル半導体層４をエピタキシャル成長させる工程と、前記エピタキシャル半導体層４に光電変換部を形成する工程と、前記光電変換部の形成後に、前記エピタキシャル半導体層４の上に配線層を形成する工程と、前記配線層の上に支持基盤２３を接合する工程と、前記接合の後に、前記半導体基板を前記接合とは反対面側からエッチングする工程を含む。 - 特許庁

In a multilayer wiring substrate having a first multilayer wiring structure 10 including first wirings 13 and 16 and first via wirings 12 and 15 formed on a first side where a semiconductor chip is packaged, and a second multilayer wiring structure 30 including second wirings 32 and 35 and second via wirings 34PG and 34S, the second wirings are formed to be thicker than the first wirings.例文帳に追加

半導体チップが実装される第１の側に形成された、第１の配線１３，１６と第１のビア配線１２，１５を含む第１の多層配線構造１０と、前記第１の側と反対側の第２の側に形成された、第２の配線３２，３５と第２のビア配線３４ＰＧ，３４Ｓを含む第２の多層配線構造３０とを有する、多層配線基板であって、前記第２の配線は、前記第１の配線より厚くなるよう形成されていることを特徴とする多層配線基板。 - 特許庁

To aim at improving an insulation reliability by reducing defects by a mutual action with element electrodes when wiring is formed in an electron source substrate formation wherein numerous electron emitting elements are wired, into a simple matrix and enable to obtain an image with a high quality by a large-scale and high-density pixel arrangement in an image forming device using that electron source substrate.例文帳に追加

多数の電子放出素子を単純マトリクス配線した電子源基板形成において、素子電極との相互作用による配線形成時の欠陥を低減しての絶縁信頼性の向上を図り、その電子源基板を用いる画像形成装置において、大型でより高密度な画素配列による高品位な画像を得られるようにする。 - 特許庁

The sensor substrate 1 and the through-hole wiring substrate 2 are connected with a first connecting metal layer 18 and a second connecting metal layer 28 for shielding formed on each facing surface, and also the first connecting metal layer 19 and the second connecting metal layer 29 formed on each facing surface are connected.例文帳に追加

センサ基板１と貫通孔配線形成基板２とは、互いの対向面に形成された第１の封止用接合金属層１８と第２の封止用接合金属層２８とが接合されるとともに、互いの対向面に形成された第１の接続用接合金属層１９と第２の接続用接合金属層２９とが接合されている。 - 特許庁

The semiconductor device has a semiconductor substrate 10 containing an integrated circuit 12 and having electrodes 14 electrically connected to the integrated circuit 12 on its outermost surface, a resin layer 20 formed on the substrate 10 and having recessed sections 33 and projecting sections 35 on its surface, and a plurality of wiring 30 formed on the surface of the resin layer 20.例文帳に追加

半導体装置は、内部に集積回路１２を有し、集積回路１２に電気的に接続された電極１４を最表面に有する半導体基板１０と、半導体基板１０上に形成された表面に凹部３３と凸部３５とを有する樹脂層２０と、樹脂層２０の表面に形成された複数の配線３０とを有する。 - 特許庁

Since the drain electrode 9 is extended in a branch form in the area between the gate electrode 2a and the pixel electrode 10 where no wiring or an electrode pattern has conventionally existed, it is possible to reduce the light passing through the array substrate in the neighborhood of the TFT, and reduce the quantity of light reflected by the counter electrode of the filter substrate.例文帳に追加

従来、配線又は電極パターンのなかったゲート電極２ａと画素電極１０の間の領域にドレイン電極９が枝状に延長されているため、ＴＦＴ近傍においてアレイ基板を通過する光を減少させて、フィルタ基板の対向電極により反射される光の量を低減することができる。 - 特許庁

The aluminum wiring forming method for the substrate for the TFT LCD includes a step to vapor deposit a molybdenum layer on a substrate raw material under an atmosphere in which precursor gases of either one or more impurities selected from a group comprising oxygen, nitrogen, carbon and so on are present, and a step to vapor deposit an aluminum layer on the molybdenum layer.例文帳に追加

本発明によるＴＦＴ ＬＣＤ基板のアルミニウム配線方法は、酸素、窒素、炭素などからなる群より選択されるいずれか一つ以上の不純物の前駆体ガスが存在する雰囲気下で基板素材上にモリブデン層を蒸着する段階と、前記モリブデン層の上にアルミニウム層を蒸着する段階とを含む。 - 特許庁

In a flow sensor wherein a flow rate detector 30 and a heater 40 are provided on the diaphragm 10 having a membrane structure formed on the cavity part 1a of a semiconductive substrate 1 and a fluid temperature detector 20 is provided on the semiconductive substrate 1, grooves 21 are formed on both sides of the wiring pattern of the fluid temperature detector 20.例文帳に追加

半導体基板１の空洞部１ａ上に薄膜構造のダイアフラム１０を形成し、そのダイアフラム１０に流量検出体３０、ヒータ４０を設けるとともに、半導体基板１上に流体温度検出体２０を設けてなるフローセンサにおいて、流体温度検出体２０の配線パターンの両側に溝２１を形成した。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor substrate 10 containing an integrated circuit 12 and an electrode 14 connected thereto; a resin layer 20 formed on the surface of the semiconductor substrate 10 on which the electrode 14 is formed, around the electrode 14; and a wiring layer 30, containing a land 32 on the resin layer 20, which is electrically connected to the electrode 14.例文帳に追加

半導体装置は、集積回路１２と集積回路１２に電気的に接続された電極１４とを有する半導体基板１０と、半導体基板１０の電極１４が形成された面に、電極１４を避けて形成された樹脂層２０と、電極１４に電気的に接続され、樹脂層２０上にランド３２を有する配線層３０と、を含む。 - 特許庁

The removal processing of a conductive wiring material of a substrate surface is performed by an electrolytic processing using an ion exchanger 48d or 48e, and thereafter the removal processing of a barrier layer of the substrate surface is performed by an electrolytic processing using an ion exchanger 48f which is different from an ion exchanger 48d or 48e or by an electrolytic processing using an electrolyte.例文帳に追加

イオン交換体４８ｄまたは４８ｅを用いた電解加工で基板表面の導電性配線材料の除去加工を行い、しかる後、イオン交換体４８ｄまたは４８ｅとは異なるイオン交換体４８ｆを用いた電解加工、または電解液を用いた電解加工で基板表面のバリア層の除去加工を行う。 - 特許庁

The semiconductor device includes a semiconductor substrate 10 having an integrated circuit 12 formed thereon and having an electrode 14 electrically connected to the integrated circuit 12; a resin layer 20 formed on the surface of the semiconductor substrate 10 where the electrode 14 is formed; and a wiring 30 electrically connected to the electrode 14 and formed on the resin layer 20.例文帳に追加

半導体装置は、集積回路１２が形成され、集積回路１２に電気的に接続された電極１４を有する半導体基板１０と、半導体基板１０の電極１４が形成された面に形成された樹脂層２０と、電極１４に電気的に接続され、樹脂層２０の上に形成された配線３０と、を含む。 - 特許庁

The integrated circuit chip 10 comprises a semiconductor substrate 11 having cell regions A_cell1, A_cell2 and a peripheral region A_peri, a chip pad wiring pattern 12 formed on the substrate 11, a protective film 16 covering the pattern 12, and relocated chip pads 17 connected to the pattern 12 and formed on the regions A_cell1, A_cell2.例文帳に追加

集積回路チップ１０は、セル領域Ａ_cell1、Ａ_cell2と周辺領域Ａ__periを有する半導体基板１１と、半導体基板１１上に形成されたチップパッド配線パターン１２と、チップパッド配線パターン１２を覆う保護膜１６と、チップパッド配線パターン１２と接続されセル領域Ａ_cell1、Ａ_cell2上に形成された再配置チップパッド１７とを備える。 - 特許庁

The writing head 3 for forming an electrostatic latent image on an image carrier 2 is manufactured by forming writing electrodes 3b and 3b' and wiring parts 9 and 9' on a filmlike substrate 3a and then bending it at such a position Y'-Y' as the writing electrodes are arranged on one side of the filmlike substrate.例文帳に追加

像担持体２上に静電潜像を形成する書込ヘッド３の製造方法において、フィルム状基板３ａ上に書込電極３ｂ、３ｂ′と該書込電極に配線する配線部９、９′を形成した後に、前記書込電極がフィルム状基板の一方の面に配置される位置Ｙ′−Ｙ′で折り曲げて書込ヘッドを製造する。 - 特許庁

The capacitive pressure sensor detects the variation of capacitance between a diaphragm 15 formed as a part of a semiconductor substrate 11 and an electrode film 17 formed on an insulating member 13 so as to be disposed opposite the diaphragm, and includes first and second diffusion wiring layers 21 and 23 separately provided on the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板１１の一部分として形成されたダイアフラム１５と、絶縁性部材１３上にダイアフラムと対向して設けられた電極膜１７との間の静電容量変化を検出する静電容量型圧力センサであって、半導体基板にそれぞれ離間して設けられた第１及び第２拡散配線層２１及び２３を具える。 - 特許庁

The bonding strength between the top surface of the bump and the wiring electrode of the substrate, and the contact resistance are prevented by securing the bonding area between the top surface of the bump and the electrode of the substrate by forming the bump in the state, where a part of a surface protecting film 10 for protecting the electrode 9 of the semiconductor on which the bump is formed, is left.例文帳に追加

バンプが形成される半導体素子の電極９を保護する表面保護膜１０を一部残存させた状態でバンプを形成することで、バンプの先端面と基板の電極との接合面積を確保し、バンプ先端面と基板の配線電極との接合強度の低下および接触抵抗の低下を防止する。 - 特許庁

To obtain a package for containing a semiconductor element in which the basic body of a semiconductor device is hardly warped when a heat sink, i.e., an Al plate, for mounting the semiconductor device is warped thermally and thereby the substrate for mounting a semiconductor element placed on the upper surface of the basic body is not cracked thus preventing the wiring of circuit formed on the mounting substrate from being broken by cracking.例文帳に追加

半導体装置を搭載するヒートシンクとしてのＡｌ板が熱で反った場合、半導体装置の基体に反りが殆ど発生せず、その結果基体上面に載置された半導体素子の搭載用基板にクラックが発生せず、また搭載用基板に形成された回路配線がクラックにより断線しないようにすること。 - 特許庁

The semiconductor element of the present invention includes a semiconductor substrate 1; an interlayer insulating film 2 and 3 in which a damascine pattern is formed on the semiconductor substrate 1; a diffusion prevention film 4 which is formed in the damascene pattern and is made of CoFeB which is a ternary system material; a seed film 5 which is formed on the diffusion prevention; and copper wiring 7 which is filled on the seed film.例文帳に追加

本発明は、半導体基板１；前記半導体基板１上にダマシンパターンが形成された層間絶縁膜２、３；前記ダマシンパターン内に形成され、三元系物質であるＣｏＦｅＢからなる拡散防止膜４；前記拡散防止膜上に形成されるシード膜５；及び、前記シード膜上に充填される銅配線７を含む。 - 特許庁

The flexible printed wiring board 1 is configured such that a conductor line 20 (21, 22 and 23) for coil formation is linearly provided on a substrate 10, and leader lines 21a, 22a and 23a for forming a coil terminal portion are provided continuously on the conductor line 20 while extended from both ends of the conductor lines 20 to an end of the substrate 10.例文帳に追加

基板１０上に、コイル形成用の導体ライン２０（２１、２２、２３）を直線状に設けると共に、該導体ライン２０に連続して、コイル端子部を形成するための引き出しライン２１ａ、２２ａ、２３ａを、前記導体ライン２０の両端から前記基板１０の端部まで延長して設けてあるフレキシブルプリント配線板１である。 - 特許庁

The organic EL panel includes: a translucent supporting substrate; a plurality of light emitting parts S1-S8 on which a first electrode, an organic light emitting layer, and a second electrode are laminated; and a plurality of wiring parts L1 to L8 formed on the supporting substrate and supplying a current to each of the light emitting parts S1-S8.例文帳に追加

透光性の支持基板と、前記支持基板上に透光性の第一電極と有機発光層と第二電極とを積層形成してなる複数の発光部Ｓ１〜Ｓ８と、前記支持基板上に形成され各発光部Ｓ１〜Ｓ８に個別に電流を供給する複数の配線部Ｌ１〜Ｌ８と、を備える有機ＥＬパネルである。 - 特許庁

A semiconductor device 1 is equipped with a semiconductor substrate 11 which has an integrated circuit on the side of a principal surface 11a, wiring 23 and an electrode 25 which are formed on an insulator film 14 covering a passivation film 13, a light-shielding sealing layer 26 covering other than the electrode 25, and a heat spreader 30 which is disposed on a rear surface 11b of the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

半導体装置１が、集積回路を主面１１ａ側に有した半導体基板１１と、パッシベーション膜１３上の被覆した絶縁膜１４上に形成された配線２３、及び電極２５と、電極２５以外を覆う遮光性の封止層２６と、半導体基板１１の裏面１１ｂに設けられたヒートスプレッダ３０と、を備える。 - 特許庁

The source electrode Ts (or the wiring layer L2 formed integrally with the source electrode Ts) of a thin film transistor TFT provided on an insulating substrate 11 and a transparent electrode ELP provided on an interlayer insulating film 13 covering the thin film transistor TFT are electrically connected via a conductive layer Lm provided on the substrate 11.例文帳に追加

絶縁性の基板１１上に設けられる薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極Ｔｓ（又は、ソース電極Ｔｓと一体的に形成された配線層Ｌ２）と、該薄膜トランジスタＴＦＴを被覆する層間絶縁膜１３上に設けられる透明電極ＥＬＰとが、基板１１上に設けられた導電層Ｌｍを介して、電気的に接続されている。 - 特許庁

To provide an electrostatic capacitance-type input device, a method of manufacturing the electrostatic capacitance-type input device and an electro-optical device with an input function capable of electrically connecting a common flexible wiring substrate to an electrode for position detection and a shield electrode that are provided at mutually opposite sides of a substrate for an input device.例文帳に追加

入力装置用基板に対して互いに反対側に設けられた位置検出用電極およびシールド電極に対して共通のフレキシブル配線基板を電気的に接続することのできる静電容量型入力装置、静電容量型入力装置の製造方法、および入力機能付き電気光学装置を提供すること。 - 特許庁