「wiring substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(55ページ目) - Weblio英語例文検索

The three-dimensional substrate comprises: an insulating substrate at least the surface of which exhibits insulation properties; and a circuit including a first wiring layer formed on the surface of the insulating substrate, an electrodeposition coating film formed on the first wiring layer and having a certain film thickness, and a second wiring layer formed on the surface of the insulating substrate where the electrodeposition coating film is formed.例文帳に追加

そこで本発明の立体基板は、少なくとも表面が絶縁性を呈する絶縁性基体と、絶縁性基体表面に形成された第１の配線層と、第１の配線層上に形成され、一定の膜厚を有する電着塗装膜と、電着塗装膜の形成された絶縁性基体表面に形成された第２の配線層とを含む回路部と、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

The wiring board comprises a semiconductor substrate, a wiring part 4 provided on one surface of the semiconductor substrate and having a linearly extending region, a land part 5 provided on the one surface of the semiconductor substrate and connected to one end part of the region of the wiring part, and a protrusion part 6 provided on the one surface of the semiconductor substrate and locally formed from the land part in the same plane.例文帳に追加

配線基板は、半導体基板と、半導体基板の一面側に配され直線状に延びる部位を有する配線部４と、半導体基板の一面側に配され配線部の部位の一端部と接続したランド部５と、半導体基板の一面側に配され、面内においてランド部から局所的に配される凸部６と、を備えていることを特徴とする。 - 特許庁

To obtain a ceramic multilayer wiring board having a high substrate strength and a low dielectric loss by relieving generation of stress due to difference in thermal expansion or in firing shrinkage between an insulation substrate and an inner wiring circuit layer, in the multilayer wiring substrate formed by simultaneously firing with the insulation substrate comprising an aluminous ceramics containing high amount of alumina.例文帳に追加

高アルミナ含有量のアルミナ質セラミックスを絶縁基板とし、この絶縁基板と同時焼成によって形成された内部配線回路層を有する多層配線基板において、絶縁基板と内部配線回路層との熱膨張差や焼成収縮差などに起因する応力の発生を緩和し、高い基板強度と低誘電損失を備えたセラミック多層配線基板を得る。 - 特許庁

In a method of manufacturing the semiconductor chip with a penetrating wiring, an element wiring layer 21 is formed on the front surface side of a substrate 20 or a wafer at first and the upper side of the element wiring layer 21 is covered by a protective layer 22 having an opening.例文帳に追加

貫通配線付き半導体チップの製造方法では、先ず、ウェハである基板２０の表面側に素子配線層２１を形成し、開口部を有する保護層２２によって素子配線層２１上を被覆する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a wiring board in which a build-up wiring layer is formed on a temporary substrate in a peelable state such that the wiring board can be manufactured with good reliability at low cost without any trouble.例文帳に追加

本発明は、仮基板上に剥離できる状態でビルドアップ配線層を形成する配線基板の製造方法で、何ら不具合の発生なく、信頼性よく低コストで製造できる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a substrate which can control the reduction of the wiring width of copper wiring, when carrying out the etching removal of weld slag copper or weld slag nickel of a seed layer, in fine wire copper wiring formation by a semi additive method.例文帳に追加

セミアディティブ法での細線銅配線形成において、シード層のスパッタ銅またはスパッタニッケルをエッチング除去する際に、銅配線の配線幅の減少を抑制できる基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a damascene wiring having no occurrence of a drawback such as a void in wiring formation and capable of reducing signal delay, for forming a wiring pattern on a substrate by a damascene method.例文帳に追加

ダマシン法により基板に配線パターンを形成する配線形成方法であって、配線形成時にボイド等の不具合発生が無く、信号遅延を低減することのできるダマシン配線の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing process of a liquid injection head in which wiring of a circuit board and an electric conduction pad of a wiring substrate can be joined good and which can inhibit birth with poor connection between these wiring and the electric conduction pad.例文帳に追加

回路基板の配線と配線基板の導電パッドとを良好に接合でき、これら配線と導電パッドとの接続不良の発生を防止することができる液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a laminate for a wiring board, which includes metal wiring formed on a substrate and having a thickness of nano level, can reduce the size of a device, has excellent conductivity and is manufactured easily; and to provide a wiring board.例文帳に追加

基板上に形成された金属配線の厚さが、ナノレベルであり、小デバイス化が可能であるとともに、導電性に優れ、かつその製造も簡便である、配線基板用積層体、及び配線基板を提供する。 - 特許庁

To provide a wiring board in which a thin film wiring conductor is deposited from a surface of a ceramic substrate to an end face of a through conductor, and swelling in a thin film wiring conductor is suppressed, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

セラミック基板の表面から貫通導体の端面にかけて薄膜配線導体が被着されてなり、薄膜配線導体における膨れが抑制された配線基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for achieving a high density packaging of wiring patterns through the electrical characteristics improved by preventing signal reflection or noise that occurs because of the unnecessary parts of wiring patterns when wiring patterns are formed on a substrate by electroplating.例文帳に追加

電解めっきを利用して基板に配線パターンを形成する場合に、配線パターンの不要部分による信号の反射やノイズを防止して電気的特性を改善し、配線パターンの配置を高密度化を図る。 - 特許庁

The first trunk wiring 25 and the second trunk wiring 26 are connected to a counter electrode connecting part 20 formed in supplementary capacitive wiring 14 in the side of the active matrix substrate 12 at two or more places through electrically conductive members 25.例文帳に追加

第１幹配線２５および第２幹配線２６は、導電部材２４を介して、アクティブマトリクス基板１２側の補助容量配線１４に形成される対向電極接続部２０に複数箇所で接続される。 - 特許庁

This TEG wiring structure is constituted, such that an electrode formed in a substrate containing an insulating film of one layer or more, an actual wiring electrically connected to the electrode, and a dummy wiring electrically isolated from the electrode, are deployed.例文帳に追加

ＴＥＧ配線構造において、１層以上の絶縁膜を含む基板に形成された電極と、電極に電気的に導通する実配線に加え、電極とは電気的に分離された模擬配線と配置する。 - 特許庁

The wiring member is used which includes copper wiring formed on a substrate and a copper-alloy thin film formed on the copper wiring to have a film thickness of 50 to 200 nm and containing ≥50 wt.% of aluminum.例文帳に追加

基板上に形成される銅配線と、銅配線上に５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の膜厚で形成される５０重量％以上のアルミニウムを含有する銅合金薄膜と、を具備する配線部材を用いる。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor device comprises a process of forming the wiring layer on a semiconductor substrate, a process of patterning the wiring layer, and a process of covering the wiring layer with a protective insulating film.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上に配線層を形成する工程と；前記配線層をパターニングする工程と；前記配線層を保護絶縁膜で覆う工程とを含む。 - 特許庁

Upon manufacturing a semiconductor device, when a metallic wiring line 12 is formed on a first interlayer insulating film on a semiconductor substrate 54 by plasma etching, charges are stored not only the wiring line 12 but also on a metal wiring line 10.例文帳に追加

製造時に、半導体基板５４上の第１の層間絶縁膜の上に金属配線１２などをプラズマエッチングにより形成する際、金属配線１２とともに金属配線１０にも電荷が蓄積する。 - 特許庁

A p^+-diffusion layer 7 is arranged in the n-well 2 near a portion wherein directions of the VDD wiring 1 and the substrate bias VDD2 wiring 5 intersect, and electrically connected to the VDD wiring 1 via a contact.例文帳に追加

Ｐ＋拡散層７が、ＶＤＤ配線１と基板バイアスＶＤＤ２配線５方向が交差する部分の近傍におけるＮウェル２内に配され、ＶＤＤ配線１とコンタクトを介して電気的に接続される。 - 特許庁

For the wiring on the wafer cutting line provided with the sensor part, the diffused resistance wiring 33 and 34 are used in the substrate, and the problem of chipping defects are solved by eliminating the wiring of metal films.例文帳に追加

また前記センサ部を有するウェハの切断線上の配線には基板内部に設けた拡散抵抗配線３３、３４を用い、金属薄膜による配線を追放することで切断時のチッピング不良を解決する。 - 特許庁

As for the semiconductor wiring where the Cu wiring containing Ti is embedded in a recessed part formed at an insulating film on a semiconductor substrate, a TiC layer may be formed between the insulating film and the Cu wiring.例文帳に追加

半導体基板上の絶縁膜に設けられた凹部に、Ｔｉを含有するＣｕ配線が埋め込まれた半導体配線であり、前記絶縁膜と前記Ｃｕ配線の間に、ＴｉＣ層を形成すればよい。 - 特許庁

This polishing composition is used for polishing a wiring structure which is composed of an insulating layer having a wiring trench on a substrate, a conductive layer embedded in the wiring trench and a barrier layer between the insulating layer and the conductive layer.例文帳に追加

この研磨用組成物は、基板上に配線溝を有する絶縁層、配線溝に埋設される導体層、及び絶縁層と導体層との間のバリア層を備えた配線構造体の研磨に使用される。 - 特許庁

To provide a multilayer wiring board suited for improving a quality such as electrical characteristics of a build-up layer in the multilayer wiring board which does not have a core substrate and makes the build-up layer into wiring multilayer.例文帳に追加

コア基板を有さず、ビルドアップ層を多層配線層とする多層配線基板において、そのビルドアップ層の電気的特性などの品質向上に適した多層配線基板を提供することを目的とする。 - 特許庁

A first electrode extraction wiring 12 and a second electrode extraction wiring 13 are formed on a transparent glass substrate 11, and an anode electrode 14 connected to the first electrode extraction wiring 12 is formed.例文帳に追加

透明ガラス基板１１上に第１の電極取り出し配線１２および第２の電極取り出し配線１３が形成され、第１の電極取り出し配線１２に接続する陽極電極１４が形成される。 - 特許庁

The circuit substrate includes a wiring 122 laid in a peripheral region, an insulating part covering the wiring 122, and a conductive overhang part 126 connected to the wiring 122 and overhanging outward over the sealing material 310.例文帳に追加

回路基板は、周辺領域に設けられた配線１２２と、配線１２２を覆う絶縁部と、配線１２２に接続されシール３１０よりも外側へ張り出した導電性の張り出し部１２６と、を含んで構成されている。 - 特許庁

A member in which a wiring pattern has been formed by applying the coating composition containing the organic conductive material to the plastic substrate is prepared, and the wiring pattern is annealed by irradiating at least the wiring pattern with electromagnetic waves, to form wiring made of the organic conductive material.例文帳に追加

プラスチック基板上に有機導電性材料を含む塗布組成物が塗布されて配線パターンが形成された部材を準備し、少なくとも前記配線パターンに電磁波を照射してアニールし、有機導電性材料からなる配線を形成する。 - 特許庁

A plurality of X-direction wiring 20 and a plurality of Y- direction wiring crossing each other and plural electron emitting elements 18 connected to each crossing part of the X-direction wiring and the Y-direction wiring are provided on a back substrate 12.例文帳に追加

背面基板１２上に、互いに交差して設けられた複数のＸ方向配線２０および複数のＹ方向配線２２と、それぞれＸ方向配線とＹ方向配線との交差部に接続された複数の電子放出素子１８と、が設けられている。 - 特許庁

To provide an FET and a semiconductor device having the FET wherein the heat radiating quality of the heat generated from the FET is improved, and the connections are facilitated whereby a wiring disposed on the side of the substrate of the FET is coupled to the source wiring, the gate wiring, and the drain wiring of the FET.例文帳に追加

ＦＥＴから発生する熱の放熱性を向上させるとともに、基板側に配された配線とＦＥＴのソース配線、ゲート配線、ドレイン配線との接続を容易としたＦＥＴおよびそのＦＥＴを備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

In the wiring structure, wide portion (wiring portion 22) of wiring formed on a substrate is electrically connected to connection pads (e.g. OLB pads 4) for external connection through contact holes formed on an insulating film 23 formed on the wiring.例文帳に追加

基板上に形成された配線の幅広部分（配線部２２）において、配線上に形成された絶縁膜２３に設けられたコンタクトホールを介して外部接続用の接続パッド（例えばＯＬＢパッド４）との電気的接続が図られてなる配線構造である。 - 特許庁

To provide a connection structure of a printed wiring board capable of easily obtaining fully high connection strength by electrically connecting a flying lead of one printed wiring board to conductor wiring (substrate pad) of the other printed wiring board.例文帳に追加

一方のプリント配線板のフライングリードと他方のプリント配線板の導体配線（基板パッド）とを電気的に接続しながら十分高い接続強度を簡単に得ることができる、プリント配線板の接続構造およびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The gate wiring 24 made of polysilicon is formed on a semiconductor substrate 10 including the trench 22 for gate wiring inside, so even if overetching is caused during the formation of the wiring contact trench 26, the metal wiring 27 never comes into contact with a semiconductor layer 11.例文帳に追加

このゲート配線用トレンチ２２内を含む半導体基板１０上にポリシリコンからなるゲート配線２４を形成しているため、配線コンタクトトレンチ２６形成時にオーバーエッチングが生じても金属配線２７は半導体層１１と接触することがない。 - 特許庁

In this wiring substrate having a wiring member 30 in which the insulating layers including the wiring layers are laminated and the reinforcement layer 50 provided in the peripheral part of connection pads 18 on the wiring member 30, a plurality of recessed and projecting stripes 50a are provided in the reinforcement layer 50.例文帳に追加

配線層を含む絶縁層が積層された配線部材３０と、配線部材３０上の接続パッド１８部周辺に設けられた補強層５０とを有した配線基板において、補強層５０に複数の凹凸条部５０ａを設ける。 - 特許庁

In particular, on a liquid crystal device, a wiring pattern, having two or more resistors having a plurality of routes in which at least any one of wiring width or wiring length is different, is formed between the pair of the pieces of the outside connection wiring on the lower side substrate.例文帳に追加

特に、この液晶装置では、下側基板上の一対の外部接続用配線の間には配線幅若しくは配線長の少なくともいずれか一方が異なる複数の経路を有する２つ以上の抵抗体を有する配線パターンが形成されている。 - 特許庁

To provide a wiring circuit substrate capable of preventing the separation of a metal support substrate by improving the adhesiveness of the metal support substrate with a simple configuration at the end rim of an opening formed on the metal support substrate.例文帳に追加

簡易な構成により、金属支持基板に形成される開口部の端縁において、金属支持基板の密着性を向上させることにより、金属支持基板の剥離を防止することのできる配線回路基板を提供すること。 - 特許庁

The base substrate 1 for the flexible printed-wiring board comprises at a predetermined part of the base substrate a distortion detection part 3 deformable independently from the base substrate with at least a part being connected to the base substrate.例文帳に追加

フレキシブルプリント配線板用ベース基板１であって、上記ベース基板の所定箇所に、少なくとも一部が上記ベース基板に接続するとともに、上記ベース基板から独立して変形しうる歪検出部３を設けて構成される。 - 特許庁

To provide a low resistance wiring layer structure that is not only high in adhesion with respect to a base substrate of a semiconductor substrate or a glass substrate, but is also superior in diffusion barrier characteristics to the base substrate, as well as, in resistance to hydrogen plasma, and to provide a process for manufacture thereof.例文帳に追加

半導体基板又はガラス基板の下地基板に対する密着性が高く、下地基板への拡散バリア性に優れ、かつ水素プラズマ耐性に優れた低抵抗な配線層構造、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The silicon substrate, the metal substrate or the glass substrate is capable of being applied with high-temperature treatment for crystallizing a high dielectric body and, therefore, the big capacity passive elements are formed on the interposer or the substrate or the re-wiring on the mounting chips.例文帳に追加

シリコン基板、金属基板又はガラス基板は高誘電体の結晶化のための高温処理が可能であるため、インターポーザである基板上に又は搭載チップの再配線上に大容量の受動素子を形成する。 - 特許庁

The resin wiring substrate 40 has a substrate principal surface 41, a substrate rear surface 42, and substrate side surfaces 43, and forming a rectangular shape having four sides in plan view, and includes a stacked structure of resin insulating layers 53 and 54 and a conductor layer 55.例文帳に追加

樹脂配線基板４０は、基板主面４１、基板裏面４２及び基板側面４３を有するとともに、四辺を有する平面視矩形状をなし、樹脂絶縁層５３，５４及び導体層５５を積層した構造を有する。 - 特許庁

The signal having been input into the wiring 266 on the TFT substrate 260 sequentially passes through wiring 286 of a fourth drain COF 244, a pass-through circuit 294 of a fourth drain driver element 254 and wiring 288 of the fourth drain COF 244, and is input into the wiring 232 of the printed wiring board 230 on the right side.例文帳に追加

ＴＦＴ基板２６０上の配線２６６に入力された信号は、第４ドレインＣＯＦ２４４の配線２８６、第４ドレインドライバ素子２５４の通過回路２９４、第４ドレインＣＯＦ２４４の配線２８８を順に通り、右側プリント配線基板２３０の配線２３２に入力される。 - 特許庁

Accordingly, the jig for an operation check is electrically connected not only with a printed wiring of a printed circuit board 12 through the input-output printed wiring 28, but also with both a printed wiring of a printed circuit board 14 and a printed wiring of a printed circuit board 16 through printed wiring for substrate interconnection 24, 26.例文帳に追加

これにより、動作確認用治具は、入出力プリント配線２８を介してプリント配線板１２のプリント配線と電気的に接続されると共に、基板間接続用プリント配線２４、２６を介してプリント配線板１４のプリント配線及びプリント配線板１６のプリント配線と電気的に接続される。 - 特許庁

There is provided an electric circuit pattern, which comprises an interlayer insulating film 8 formed on a semiconductor substrate 9, a comb wiring 1 formed on the interlayer insulating film 8, the wiring 1 including a comb teeth wiring section 4 and a comb handgrip section 5, and a floating wiring 2 disposed between the adjacent comb teeth wiring section 4.例文帳に追加

半導体基板９上に形成された層間絶縁膜８と、層間絶縁膜８上に形成された、くし歯配線部４とくし柄部５を有するくし型配線１と、層間絶縁膜８上に形成され、隣接するくし歯配線部４の間に配置されたフローティング配線２とを備えた電気回路パターンを有する。 - 特許庁

A semiconductor device 200 has the electric fuse 100 including: an upper-layer fuse wiring 112 formed on a substrate (not shown); a lower-layer fuse wiring 122; and a via 130 which is connected to one end of the upper-layer fuse wiring 112 and connects the upper-layer fuse wiring 112 and the lower-layer fuse wiring 122.例文帳に追加

半導体装置２００は、基板（不図示）上に形成された上層ヒューズ配線１１２、下層ヒューズ配線１２２、および上層ヒューズ配線１１２の一端と接続され、上層ヒューズ配線１１２と下層ヒューズ配線１２２とを接続するビア１３０から構成される電気ヒューズ１００を含む。 - 特許庁

On at least one side with respect to an extending direction of signal wiring (101) on a surface of a substrate, an observation pad (105) is provided at a position spaced apart from the signal wiring (101) and the signal wiring (101) is connected with the observation pad (105) via fine wiring (107) for pad connection narrower than the width of the signal wiring.例文帳に追加

基板表面の信号配線（１０１）の延在方向に対して少なくとも一側の、前記信号配線（１０１）と離間した位置に、観測パッド（１０５）を備え、信号配線（１０１）と観測パッド（１０５）を前記信号配線の幅よりも細いパッド接続用細配線（１０７）で接続する。 - 特許庁

A silicon wiring substrate 100 as a large chip is provided with a power source connecting wiring layer 220 formed of power source supply wiring for separately supplying a power source voltage to bare chips IP 10-30 as small chips, a signal wiring layer 230, and connecting pad electrodes 111, etc., connected to each wiring.例文帳に追加

大チップであるシリコン配線基板１００は、小チップであるベアチップＩＰ１０〜３０に電源電圧を個別に供給するための電源供給用配線からなる電源接続用配線層２２０と、信号用配線層２３０と、各配線に接続される接続用パッド電極１１１，…とを備えている。 - 特許庁

To provide a multiple patterning wiring substrate the matrix substrate of which is formed by a sintered body of a non-metallic inorganic material and which is cut with excellent workability while suppressing the occurrence of troubles such as chipping by means of the dicing machining of the matrix substrate at the boundary of a wiring substrate region.例文帳に追加

非金属無機材料の焼結体で母基板が形成された多数個取り配線基板であって、配線基板領域の境界において母基板をダイシング加工により、チッピング等の不具合の発生を抑制しながら、作業性を良好として切断することが可能な多数個取り配線基板を提供する。 - 特許庁

In the IC device adapter 10, as the flat substrate 14 capable of constituting the printed wiring substrate is adopted, a problem of flexure to be generated when molding which is included in the support composed of a resin molded product is excluded, and the thickness of the substrate 14 can be decreased as much as possible down to a level which can be realized as the printed wiring substrate.例文帳に追加

ＩＣデバイスアダプタ１０では、プリント配線板を構成可能な平坦な基板１４を採用したので、従来の樹脂モールド品からなる支持体が有していた成形時に生じ得る撓みの問題を排除して、基板１４の厚みを、プリント配線板として実現可能な水準まで可及的に削減できる。 - 特許庁

The liquid crystal panel comprises a first substrate 3 disposed in the display screen side and a second substrate 4 disposed in a non-display screen side; wherein the second substrate 4 has a wiring layer 17 having light shielding property, and the wiring layer 17 is extended to the outer rim of the second substrate 4.例文帳に追加

本発明の液晶パネルは、表示面側に配置された第１の基板３と、非表示面側に配置された第２の基板４とを備え、第２の基板４は、遮光性を有する配線層１７を備えるとともに、当該配線層１７を第２の基板４の外縁部まで延ばして形成した構成となっている。 - 特許庁