「contact region」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

The oxide film 13 in a memory section however is formed, in contact with the lower surface of the first diffusion region 22, in the region below the gate electrode 21 and the first diffusion region 22.例文帳に追加

一方、メモリ部の埋め込み酸化膜１３は、第１の拡散領域２２の下面に接してゲート電極２１及び第１の拡散領域２２の下方の領域に形成されている。 - 特許庁

An N^+-type semiconductor region 7 for ohmic contact and a P^+-type semiconductor region 8 for discharging small carriers are formed on the other main surface 11 of a semiconductor region 1.例文帳に追加

半導体領域１の他方の主面１１側にオーミックコンタクト用のＮ^＋型半導体領域７と少数キャリア排出用のＰ^＋型半導体領域８とが形成されている。 - 特許庁

In this case, pressure distribution of the contact nip part has the maximum value of the contact pressure in the upstream and downstream of the contact nip part, and has two-peak pressure distribution having the region of the low contact pressure in the center of the nip center part.例文帳に追加

このとき、該当接ニップ部の圧分布は、該当接ニップ部の上流と下流に当接圧の極大値をもち、該当接ニップ中央部では当接圧の低い領域をもつ２ピーク圧分布を有する。 - 特許庁

The second region 104b is in contact with the photodetector 120 and has a higher resistance than the first region 104a has.例文帳に追加

この第２領域１０４ｂは光検出部１２０に接しており、第２領域１０４ｂは第１領域１０４ａよりも高抵抗である。 - 特許庁

The n^+-embedded layer 20 is in contact with the bottom face of the n-type dopant region 121 and is formed deeper than the n-type dopant region 121.例文帳に追加

ｎ^+埋め込み層２０は、ｎ型不純物領域１２１の底面に接して、ｎ型不純物領域１２１よりも深く形成されている。 - 特許庁

A connection region A3 conductively connected to the outside 41 in the conductive film becomes a region not overlapping with an opening in the contact hole H2.例文帳に追加

導電膜において外部４１に導通接続される接続領域Ａ３が、コンタクトホールＨ２の開口と重ならない領域になっている。 - 特許庁

After a color filter layer 27 is formed by coloring a resin layer 30, the region of the color filter layer 27 except for the contact hole region 32 is exposed to light.例文帳に追加

樹脂層３０を着色してカラーフィルタ層２７形成後、カラーフィルタ層２７のコンタクトホール領域３２を除く領域を露光する。 - 特許庁

A contact wiring 120, for electrically connecting one of the n^+-type source/drain region to one of the p^+-type source/drain region, is formed.例文帳に追加

ｎ^+ 型ソース／ドレイン領域の一方とｐ^+ 型ソース／ドレイン領域の一方とを電気的に接続するコンタクト配線１２０が形成されている。 - 特許庁

The source metal is brought into contact with a polysilicon region of a TMBS portion, by extending the polysilicon outside an active region of the TMBS portion.例文帳に追加

（ＴＭＢＳ）部のポリシリコン領域に対するソース金属のコンタクトは、（ＴＭＢＳ）部の活性領域外へのポリシリコンの延長よって行なわれる。 - 特許庁

The center of each column region 220 and the center of each base contact region 404 fall on the center line between the two trench gates 230.例文帳に追加

複数のコラム領域２２０の中心と、ベースコンタクト領域４０４の中心は、２つのトレンチゲート２３０の相互間の中心と重なっている。 - 特許庁

Next, exposure with a laser is performed to the neighboring region of a position where a separation claw 48 comes into contact with the photoreceptor, and surface potential VT of the region is V_T.例文帳に追加

次に、剥離爪４８が感光体に接する位置の近傍領域にレーザー露光を行い、該領域の表面電位をＶ_Ｔとする。 - 特許庁

To reduce the number of contact holes required for conduction with the source region or the drain region of a semiconductor layer, and to realize closest packed arrangement.例文帳に追加

半導体層のソース領域又はドレイン領域と導通するために必要なコンタクトホールの数を減らし、最密充填配置をすること。 - 特許庁

The contact surfaces of a p-type high-concentration semiconductor region 10 and an n-type high-concentration buffer region 12 with each other are formed so that they may become uneven and their areas become larger.例文帳に追加

ｐ型高濃度半導体領域１０とｎ型高濃度バッファ領域１２との接面が凹凸状になるように形成する。 - 特許庁

A contact plug 16A is formed in an interlayer insulating film 15A on a source region or a drain region of a first MOS type transistor.例文帳に追加

第１ＭＯＳ型トランジスタのソース領域またはドレイン領域上の層間絶縁膜１５Ａ内にはコンタクトプラグ１６Ａが形成されている。 - 特許庁

A channel region 52 having gate electrode 32 brought in a Schottky- contact therewith is not separated by the transistors 6 and 7 and formed as a common continuous region.例文帳に追加

ゲート電極３２がショットキー接触するチャネル領域５２は各トランジスタ６、７で分離せず、連続した共通の領域で構成する。 - 特許庁

By high integration, the contact margins on both sides of the gate line in the active region are increased without reducing the gate resistance on the field region.例文帳に追加

高集積化によってフィールド領域上のゲート抵抗を減少させず、アクティブ領域での前記ゲートライン両側のコンタクトマージンが増加する。 - 特許庁

A contact plug 16C is formed at the interlayer insulating film 15A on the source region or the drain region of a second MOS type transistor.例文帳に追加

第２ＭＯＳ型トランジスタのソース領域またはドレイン領域上の層間絶縁膜１５Ａ内にはコンタクトプラグ１６Ｃが形成されている。 - 特許庁

A contact region (20) laterally adjacent the active region (18) comprises a nitride semiconductor material and a first conductive first dopant.例文帳に追加

コンタクト領域（２０）は、活性領域（１８）の横に隣接し、窒化物半導体材料及び第１導電性タイプの第１ドーパントを含んで成る。 - 特許庁

To prevent matching displacement of a bit line contact isolation region from a bit line diffusion layer in a bit line backing region of a virtual ground type memory cell array.例文帳に追加

仮想接地式メモリセルアレイのビット線裏打ち領域において、ビット線コンタクト分離領域とビット線拡散層との合わせズレを防ぐ。 - 特許庁

The p-type MOS transistor has an active region STP surrounded by an element isolation region 3, where a width Xb in the longitudinal direction of a gate in a contact not-forming region Wb is narrower than a width Xa in the longitudinal direction of the gate on a contact forming region Wa with a contact plug 10a formed in the breadthwise direction of the gate.例文帳に追加

Ｐ型ＭＯＳトランジスタは、素子分離領域３に囲まれた活性領域ＳＴＰが、ゲート幅方向において、コンタクトプラグ１０ａが形成されるコンタクト形成領域Ｗａにおけるゲート長方向の幅Ｘａに比べて、非コンタクト形成領域Ｗｂにおけるゲート長方向の幅Ｘｂが狭くなっている。 - 特許庁

The abutment (1) has at the top a support region intended for receiving a prosthetic build-up construction and at the bottom an implant contact region intended for insertion into a receiving hole of an implant, whereby the abutment (1) has between the support region and the implant contact region a soft tissue contact surface (11).例文帳に追加

前記橋脚歯（１）は、上部に、補綴構築構造物を受け取ることを意図した支持領域を有し、そして底部に、インプラントの受け入れ孔内に挿入することを意図したインプラント接触領域を有し、それにより、前記橋脚歯（１）が、前記支持領域と前記インプラント接触領域と間に軟組織接触面（１１）を含む。 - 特許庁

An upper electrode is formed over a heavily-doped region (source region or drain region), and a contact hole penetrating an interlayer insulating film is formed so as to overlap a region, where the upper electrode and the high-concentration impurity region overlap.例文帳に追加

高濃度不純物領域（ソース領域又はドレイン領域）の上に上部電極を形成し、層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールを上部電極と高濃度不純物領域（ソース領域又はドレイン領域）とが積層された領域と重なる位置に形成する。 - 特許庁

This power MOS 100 is a vertical device for low breakdown voltage use, and is provided with an n-type source region 14, a p-type body region 8, a p-type body contact region 10, an n-type drift region 6 and an n-type drain region 4 inside a semiconductor substrate 2.例文帳に追加

パワーＭＯＳ１００は、半導体基板２内に、ｎ型のソース領域１４と、ｐ型のボディ領域８と、ｐ型のボディコンタクト領域１０と、ｎ型のドリフト領域６と、ｎ型のドレイン領域４を備えており、縦型の低耐圧用デバイスである。 - 特許庁

Thus, a contact area with a base metal layer 14 can be increased and contact resistance with the electrical connection region 111 becomes small.例文帳に追加

これにより、下地用金属層１４との接触面積を増やすことができ、電気的接続領域１１１との接触抵抗は小さくなる。 - 特許庁

The bump 21 is interlocked with a portion of a fuzz button connection to increase the physically the contact surface region between a contact pad 20 and the fuzz button.例文帳に追加

バンプ２１は、ファズ・ボタン接続の部分と連動し、コンタクト・パッド２０とファズ・ボタンとの間の物理的接触表面領域を増大させる。 - 特許庁

In a contact region of a yoke 11 in contact with its external surface with a holder 30, resin inflow ports 27 connected to the hollow of the yoke 11 are formed.例文帳に追加

ヨーク１１の外面におけるホルダ３０との接触領域に、ヨーク１１の中空内に連通する樹脂流入孔２７を形成した。 - 特許庁

The color filter layer 27 is developed to remove the unexposed contact hole region 32 to form the contact hole 28 in the array substrate 10.例文帳に追加

次にカラーフィルタ層２７を現像して未露光部のコンタクトホール領域３２を除去して、アレイ基板１０上にコンタクトホール２８を形成する。 - 特許庁

To secure high sliding contact while avoiding use of lead in relation to a sliding contact region of an object component for forming a lubricating surface in a compressor.例文帳に追加

圧縮機における潤滑面形成対象部品の摺接領域に関し、鉛の使用を回避しながら良好な摺接性を確保する。 - 特許庁

To form a film for lubrication more improving slide contact ability in a slide contact region of the film forming objective part for lubrication in a compressor.例文帳に追加

圧縮機における潤滑用皮膜形成対象部品の摺接領域の摺接性を一層向上した潤滑用皮膜を形成する。 - 特許庁

An n-type contact layer 27 coming into contact with an electrode 22 has an opening 27A bored in a region opposed to at least the electrode 21.例文帳に追加

電極２２に接するｎ型コンタクト層２７において、少なくとも電極２１との対向領域に開口２７Ａが設けられている。 - 特許庁

A vertical diode is provided in a lower region of the contact hole, and a bottom electrode is provided above the vertical diode in the contact hole.例文帳に追加

前記コンタクトホールの下部領域内に垂直ダイオードが設けられ、前記垂直ダイオード上の前記コンタクトホール内に下部電極が設けられる。 - 特許庁

To reduce contact resistance (injection resistance) to a channel region while ensuring the film quality of an organic semiconductor layer, in a top contact structure.例文帳に追加

トップコンタクト構造において、有機半導体層の膜質を確保しつつチャネル領域に対するコンタクト抵抗（注入抵抗）の低減を図る。 - 特許庁

Energy irradiation is performed on the exposed contact region, and a low resistivity-ohmic contact metal 51 is deposited on the portion onto which energy irradiation is performed.例文帳に追加

露出させた接触領域にエネルギー照射を行い、エネルギー照射を行った部分に低抵抗のオーム接触金属５１を堆積する。 - 特許庁

A universal contact 16 is electrically connected to the source region 3 via the salicide layer 7 exposed on the side surface of the universal contact hole 10.例文帳に追加

ユニバーサルコンタクト１６は、ユニバーサルコンタクトホール１０の側面に露出するサリサイド層７を介してソース領域３に電気的に接続されている。 - 特許庁

To provide an apparatus for evaluating electric characteristics which can bring a plurality of metallic probes into contact with a very small region by a low contact resistance.例文帳に追加

低接触抵抗で極微小領域に複数の金属探針を接触させることができる電気特性評価装置を提供する。 - 特許庁

A gate electrode 3c is provided with a dummy gate contact region 8 arranged on an isolation region 4 between an n-channel transistor MN1 and a p-channel transistor MP1 such that it corresponds with the gate contact region 7a of a gate electrode 3b.例文帳に追加

ゲート電極３ｂのゲートコンタクト領域７ａに対応するようにして、ｎチャネル型トランジスタＭＮ１とｐチャネル型トランジスタＭＰ１との間の素子分離領域４上に配置されたタミーゲートコンタクト領域８をゲート電極３ｃに設ける。 - 特許庁

In this case, in a region where the flyback diode 24 of the reverse conducting semiconductor device 10 is formed, a body contact region 34 operates as an anode, a drift contact region 40 operates as a cathode, and a current 106 flows from the anode to the cathode.例文帳に追加

この場合、逆導通半導体装置１０の還流ダイオード２４が形成されている領域では、ボディコンタクト領域３４がアノードとして作動し、ドリフトコンタクト領域４０がカソードとして作動し、アノードからカソードへと電流１０６が流れる。 - 特許庁

The break down voltage of a body contact diode region 13, in which a body contact region 12 and n-type semiconductor layer 3 form a pn junction, is smaller than that of a MOSFET region 14 forming a MOSFET structure.例文帳に追加

ボディコンタクト領域１２とｎ形半導体層３とでｐｎ接合が形成されたダイオード構造を構成するボディコンタクトダイオード領域１３の耐圧を、ＭＯＳＦＥＴ構造が構成されたＭＯＳＦＥＴ領域１４の耐圧よりも小さくしてある。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a contact point of a first conductive type region can be formed by using a metallic material having a contact resistivity lower with a second conductive type region than with the first conductive type region, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

第１導電型領域とよりも第２導電型領域とのほうが低いコンタクト抵抗率となる金属材料を用いて第１導電型領域の接点を形成することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A transistor 10 comprising an active region having a channel layer, with source and drain electrodes 20, 22 formed in contact with the active region and a gate 24 formed between the source and drain electrodes and in contact with the active region.例文帳に追加

トランジスタ１０は、チャネル層を有する活性領域を含み、この活性領域と接触してソースおよびドレイン電極２０，２２が形成され、このソース電極とドレイン電極との間にあって活性領域と接触したゲート２４が形成される。 - 特許庁

Then the contact plug 17 is formed across an internal surface of the contact trench 11 and the surface 31 of the epitaxial layer 3, and brought into contact with the source region 9 on respective surfaces.例文帳に追加

そして、コンタクトトレンチ１１の内面とエピタキシャル層３の表面３１とに跨るように、コンタクトプラグ１７を形成し、上記各面におけるソース領域９にコンタクトさせる。 - 特許庁

Furthermore, this light emitter is provided with a p-type electrode 109 to contact with a ptype diffused region 107 and an n-side electrode 110 to contact with the n-type diffused region 120, on the surface side of the semiconductor substrate 100.例文帳に追加

さらに、半導体基板１００の表面側に、ｐ型拡散領域１０７にコンタクトするｐ側電極１０９と、ｎ型拡散領域１２０にコンタクトするｎ側電極１１０を設ける。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device brought into contact with both an n-type SiC region and a p-type SiC region, and suppressing the increase of a contact resistance due to an oxidation.例文帳に追加

ｎ型ＳｉＣ領域とｐ型ＳｉＣ領域との両方と接触可能であり、かつ酸化による接触抵抗の増加を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Wear of the magnetic tape 1 in the magnetic head non-contact region 18 is suppressed and wear of the magnetic head in a magnetic head contact region 17 can be suppressed without performing special treatment.例文帳に追加

磁気ヘッド非接触領域１８において磁気テープ１の摩耗を抑制すると共に、磁気ヘッド接触領域１７においては特別な処理を施すことなく磁気ヘッドの摩耗を抑制することができる。 - 特許庁

On the conductor patterns 21a and 21b, there are formed a region where the conductor patterns 21a and 21b and the solder resist get into contact and a region where the substrate 20 and the solder resist are directly brought into contact through the opening 24.例文帳に追加

導体パターン２１ａ、２１ｂでは、導体パターン２１ａ、２１ｂとソルダレジストが接触する領域と開口部２４を介して基材２０とソルダレジストが直接接触する領域が形成される。 - 特許庁