「contact region」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

An upper contact surface 5 of the cutting portion and an upper contact surface of a clamping arm are adapted for mutual contact in the region between the line of symmetry S of the cutting portion and a cutting edge 11 and for the application of the clamping force of the clamping arm to the contact region.例文帳に追加

切削部の上側の接触面（５）と締付けアームの上側の接触面とは、切削部の対称線Ｓと切削エッジ（１１）の間の範囲において相互に接触し、そこに締付けアームの締付け力が加わるよう、互いに適合されている。 - 特許庁

Impurities for forming a contact impurity region are introduced in such a state that a cylindrical polysilicon layer is formed on the internal wall of a contact hole or a silicon layer is formed on the bottom of the contact hole, whereby the contact impurity region can be reduced in width.例文帳に追加

コンタクト不純物領域を形成するための不純物を、コンタクトホールの内壁に筒状ポリシリコン層を形成した状態、またはコンタクトホールの底部にシリコン層を形成した状態で行ない、コンタクト不純物領域の横幅をより小さくする。 - 特許庁

An overcurrent does not flow between source/drain region of the transistor as protective circuit, but comes into contact with the part of the well region of first conductive type intruding the well region of second conductive region with a depletion layer being extending from the drain region, and flows between the drain region and the part intruding the well region of second conductive type.例文帳に追加

過電流は保護回路のトランジスタのソース／ドレイン領域間を流れずに、ドレイン領域から空乏層が延びて第１導電型ウエル領域の第２導電型ウエル領域に入り込んだ部分に接触して、ドレイン領域と第２導電型ウエル領域に入り込んだ部分との間を流れるようになる。 - 特許庁

To form an arbitrary contact area for the contact area between a conductive material filled into a connection hole formed on an insulating film on a diffusion region, or the like and the diffusion region, or the like.例文帳に追加

拡散領域等の上の絶縁膜に形成された接続孔に充填された導電材料と、拡散領域等との接触面積について、任意の接触面積を形成する。 - 特許庁

Each of the plurality of pads has: a probing region R3 with which the probe is brought into contact; and a plurality of contact parts which are superimposed on the probing region and are protruded to the upward direction of the substrate.例文帳に追加

複数のパッドは、プローブが接触されるプロービング領域Ｒ３と、プロービング領域に重ねられ、基板上方に向かって突出した複数の接触部と、をそれぞれ有している。 - 特許庁

Then the connecting hole 8 is formed in the laminated film 10 on the contact region 2a, and at the same time, dummy connection holes 9 are formed in the laminated film 10 on the non-contact region 2b.例文帳に追加

次に、コンタクト領域２ａ上の積層膜１０に接続孔８を形成するのと同時に、非コンタクト領域２ｂ上の積層膜１０にダミー接続孔９を形成する。 - 特許庁

The gate insulating film 21 is equipped with a first contact hole 21a which exposes a part of a source region 40, and a second contact hole 21b which exposes a part of a source region 41.例文帳に追加

ゲート絶縁膜２１は、ソース領域４０の一部を露出させる第１のコンタクトホール２１ａ及びドレイン領域４１の一部を露出させる第２のコンタクトホール２１ｂを有する。 - 特許庁

The hole selectively passing film 43 has: a first partial region 42 which comes into contact with the heterojunction layer 27; and a second partial region 44 which comes into contact with the electrode for hole discharge 46.例文帳に追加

正孔選択通過膜４３は、へテロ接合層２７に接触する第１部分領域４２と正孔排出用電極４６に接触する第２部分領域４４を有している。 - 特許庁

Positive potential PVdd is supplied to the source region 55 via a contact C1, and the drain region 56 is connected to the anode of an organic EL element 14 via a contact C2.例文帳に追加

ソース領域５５は、コンタクトＣ１を介して正電位ＰＶｄｄが供給されており、ドレイン領域５６はコンタクトＣ２を介して有機ＥＬ素子１４のアノードに接続されている。 - 特許庁

An opening to expose a contact region 103 is formed by etching an insulating layer 106 after the insulating layer 106 is formed on an object 100 having the contact region 103.例文帳に追加

コンタクト領域１０３を有する対象体１００上に絶縁層１０６を形成した後、絶縁層１０６をエッチングしてコンタクト領域１０３を露出させる開口を形成する。 - 特許庁

To provide a catheter with ablation and potential sensing capabilities that is adapted for outer circumferential contact with an opening of a tubular region and inner circumferential contact within the tubular region.例文帳に追加

管状領域の開口部との外側の円周の接触と、管状領域内の内側の円周の接触に適合した、焼灼及び電位感知能力を有するカテーテルを提供する。 - 特許庁

To prevent a high electric field from being applied to the gate insulating film between a buried gate contact region and a MOS gate electrode, in a field-effect transistor which has a buried contact region.例文帳に追加

埋込ゲートコンタクト領域を有する電界効果トランジスタにおいて、埋込ゲートコンタクト領域とＭＯＳゲート電極との間のゲート絶縁膜に高電界が印加されるのを防止する。 - 特許庁

The detecting means judges that the components have entered their contact region based on the position data, and the retracting direction is indicated on the indicators 21-30 of the component to be retracted from the contact region.例文帳に追加

この位置データを基に構成要素同士が接触領域に入ったことを判断し、接触領域から退避動作を行う構成要素の表示器21〜30に退避方向を表示する。 - 特許庁

More specifically, a barrier metal 12a is arranged on the surface of the p-type region 4b so that the contact parts of the collector electrode 12 and the p-type region 4b come into Schottky contact reliably.例文帳に追加

具体的には、コレクタ電極１２とｐ型領域４ｂとの接触部位が確実にショットキー接触となるように、ｐ型領域４ｂの表面上にバリア金属１２ａを配置する。 - 特許庁

By a reduction in the width of the contact impurity region, the contact impurity region can be restrained from approaching the gate structure of the peripheral MOS transistor, and the source/drain regions of the peripheral MOS transistor can be restrained from increasing in effective impurity concentration.例文帳に追加

この横幅の減少により、コンタクト不純物領域がゲート構造に接近するのを抑え、周辺ＭＯＳトランジスタの実効的ソース、ドレイン濃度の上昇を抑える。 - 特許庁

At end and middle portions of the source region 14 in the interlayer insulating film, contact holes designating a plurality of contact region 20 arranged with a predetermined spacing are formed.例文帳に追加

層間絶縁膜には、ソース領域１４の端部および中間部に、所定の間隔を開けて配置された複数のコンタクト領域２０を規定するコンタクト孔が形成されている。 - 特許庁

In the semiconductor device 1, a body region 22 of an N^- type, a drain region 23a and a source region 23b of a P^+ type, and a body contact region 24 of an N^+ type disposed on the side of the source region 23b in the view from the body region 22 are formed inside the silicon layer 13 of the SOI substrate 10.例文帳に追加

半導体装置１においては、ＳＯＩ基板１０のシリコン層１３内に、Ｎ^−型のボディ領域２２、Ｐ^＋型のドレイン領域２３ａ及びソース領域２３ｂ、ボディ領域２２から見てソース領域２３ｂ側に配置されたＮ^＋型のボディコンタクト領域２４が形成されている。 - 特許庁

Further, the semiconductor device includes a channel stopper region (N-type channel stopper region 9) which is a first conductivity type, and has a higher impurity concentration than the impurity region and comes into contact with a bottom surface of the element isolation region 6 and a low-concentration diffusion region adjoining the element isolation region 6.例文帳に追加

更に、第１導電型であり、不純物領域よりも不純物濃度が高く、素子分離領域６の底面と、素子分離領域６に隣接する低濃度拡散領域の各々とに接しているチャネルストッパー領域（Ｎ型チャネルストッパー領域９）を有する。 - 特許庁

The drift distance between the n^++-type drain region 4 and p^+-type well region 5 in the body contact diode region 13 is set shorter than the distance between the n^++-type drain region 4 and p^+-type well region 5 in the MOSFET region 14.例文帳に追加

ボディコンタクトダイオード領域１３におけるｎ^＋＋形ドレイン領域４とｐ^＋形ウェル領域５との間のドリフト距離がＭＯＳＦＥＴ領域１４におけるｎ^＋＋形ドレイン領域４とｐ^＋形ウェル領域５との間のドリフト距離よりも短く設定してある。 - 特許庁

The junction barrier region includes: a first silicon carbide region having a first doping concentration in the drift region of the diode; and a second silicon carbide region disposed between the first silicon carbide region and a Schottky contact of the Schottky diode, in the drift region.例文帳に追加

この接合障壁領域は、ダイオードのドリフト領域内にあって第１のドーピング濃度を有する第１の炭化シリコン領域と、ドリフト領域内にあって、第１の炭化シリコン領域とショットキーダイオードのショットキーコンタクトとの間に配置された第２の炭化シリコン領域とを含む。 - 特許庁

Thus, the body contact region 9 and the channel forming region 4p are connected electrically mutually via the channel stopper layer 30.例文帳に追加

これにより、ボディコンタクト領域９とチャネル形成領域４ｐとは、チャネルストッパ層３０を介して互いに電気的に接続されている。 - 特許庁

A p^+-type body contact region 6 and an n^+-type source region 7 are formed separately on a surface layer of the p-type base layer 5.例文帳に追加

ｐ型ベース層５の表面層には、ｐ^+型ボディコンタクト領域６とｎ^+型ソース領域７が互いに離れて設けられている。 - 特許庁

A circumference contact region 35 is formed at least in a part by the surface side of the semiconductor layer 30 of the adjacent region 84.例文帳に追加

周辺領域８４の半導体層３０の表面側の少なくとも一部には、周辺コンタクト領域３５が形成されている。 - 特許庁

An edge suction section 71 made of a porous member is provided at an outside-installation region 12 in contact with an installation region 11 of the workpiece W.例文帳に追加

被処理物Ｗの設置領域１１に接する設置外領域１２には、多孔部材からなる端吸引部７１を設ける。 - 特許庁

In addition, a diffusion region 5 and a piezoresistive element 7 in contact with the diffusion region 5 are formed in the polysilicon film 3.例文帳に追加

また、ポリシリコン膜３中には、拡散領域５と、その拡散領域５と接触するようにピエゾ抵抗素子７が形成される。 - 特許庁

Contact holes CH which reach the source region SO and the drain region DR of the transistor are formed in an interlayer insulating film II.例文帳に追加

層間絶縁膜ＩＩにトランジスタのソース領域ＳＯおよびドレイン領域ＤＲの各々に達するコンタクトホールＣＨが形成される。 - 特許庁

On the bonding pad 200, a recess 202 for indicating the boundary between the bonding region P1 and the test probe contact region P2 is formed.例文帳に追加

ボンディングパッド２００には、ボンディング領域Ｐ１と試験用プローブ接触領域Ｐ２との境界を表す凹部２０２が形成されている。 - 特許庁

The source/drain forming processing of an n channel MOS transistor is used to form an emitter region 82 and a collector contact region 84.例文帳に追加

ＮチャンネルＭＯＳ型トランジスタのソース・ドレイン形成処理を流用してエミッタ領域８２及びコレクタコンタクト領域８４を形成する。 - 特許庁

(1) The fuel cell separator has the different dispersion of the thickness of a separator 18 in a contact region 40 and an adhesion region 41 of an MEA.例文帳に追加

（１）セパレータ１８の厚さのばらつきを、ＭＥＡ当接領域４０と接着領域４１とで異ならせた燃料電池セパレータ。 - 特許庁

A well contact and well wiring for applying well potential to a pixel region of an amplification type solid-state image sensor are provided in the pixel region.例文帳に追加

増幅型固体撮像装置の画素領域のウエル電位を与えるためのウエルコンタクトおよびウエル配線を画素領域内に設ける。 - 特許庁

The display input device is configured to move and display while fingertip contact is detected on a display unit composed of the touch display panel, a contact object present in a contact region where the contact is detected out of the contact region, and move and display an adjacent object adjacent to the contact object so as to be pushed out by the movement of the contact object.例文帳に追加

表示入力装置は、タッチディスプレイパネルで構成される表示部上で指先の接触を検出しているときに、接触が検出された接触範囲に存在する接触オブジェクトを接触範囲外に移動して表示させるとともに、接触オブジェクトに隣接する隣接オブジェクトを、接触オブジェクトの移動により押し出される方向に移動させて表示させる。 - 特許庁

The model creating means degenerates the temporary region to acquire a separating point in separating the temporary region and peripheral information on the vicinity of the separating point and obtains a virtual contact point Tk of the part where the subject region Br1 makes contact with the other region Vr1 in the temporary region KR from the acquired separating point and the peripheral information.例文帳に追加

モデル作成手段は、暫定領域を縮退させて、暫定領域が分断される際の分断点と分断点近傍の周辺情報とを取得し、これらに基づいて暫定領域ＫＲにおいて対象領域Ｂｒ１と他の領域Ｖｒ１とが接触する部分の仮想的な接触点Ｔｋを取得する。 - 特許庁

The CMOS image element includes a semiconductor substrate including an element isolation region and an active region, plural gate electrodes formed at predetermined portions in the active region, and a gate electrode contact for transferring external signals to a predetermined portion in the active region, and the gate electrode contact overlaps the active region.例文帳に追加

素子分離領域及びアクティブ領域を含む半導体基板、前記アクティブ領域の所定部分に形成される複数のゲート電極、及び前記ゲート電極それぞれに外部信号を伝達するゲート電極コンタクトを含み、前記ゲート電極コンタクトは、アクティブ領域とオーバーラップされるように形成されるＣＭＯＳイメージ素子。 - 特許庁

The device is also provided with: the liner film 122 which covers the gate electrode 103, the source region and the drain region 105, and applies stress to the channel region; and a contact plug 111 connected to the gate electrode 103, the source region, or the drain region 105.例文帳に追加

更に、ゲート電極１０３、ソース領域及びドレイン領域１０５を覆い、チャネル領域に応力を印加するライナー膜１２２と、ゲート電極１０３、ソース領域又はドレイン領域１０５に接続されるコンタクトプラグ１１１とを備える。 - 特許庁

A boron photodiode region 135 is formed in a region selected in a semiconductor substrate 100, and an As photodiode region 145 is formed beneath the boron photodiode region 135 so as to come into contact with an interface of the boron photodiode region 135.例文帳に追加

半導体基板１００の選択された領域にボロンフォトダイオード領域１３５が形成され、このボロンフォトダイオード領域１３５の界面と接するようにボロンフォトダイオード領域１３５の下部にＡｓフォトダイオード領域１４５が形成される。 - 特許庁

Thus, a contact part to a source electrode 9 in the second region 4b of the n^+type source region 4 is prevented from disappearing, to suppress increase in contact resistance between the n^+ type source region 4 and the source electrode 9.例文帳に追加

したがって、ｎ^+型ソース領域４の第２領域４ｂのうちのソース電極９とのコンタクト部が消失することを防止でき、ｎ^+型ソース領域４とソース電極９とのコンタクト抵抗の増大を抑制することが可能となる。 - 特許庁

When automatically detecting, as a lesion part, a region at which a thickness of the epithelial layer of the inner wall portion is a value that is greater than a predetermined threshold value, the threshold value is changed in accordance with the contact region or non-contact region of the sheath (steps S306 and S308).例文帳に追加

内壁部の上皮層の厚みが所定の閾値より大きい領域を病変部として自動検出する際に、その閾値がシースの接触領域か非接触領域かによって変更される（ステップＳ３０６、Ｓ３０８）。 - 特許庁

The one main electrode 8 is in contact with the front surface of the first semiconductor region 4 and is in contact with the second semiconductor region 6 at the more internal side than an external edge 6b of the loop formed by the second semiconductor region 6.例文帳に追加

一方の主電極８が、第１半導体領域４の表面に接触しているとともに、第２半導体領域６が形成するループの外縁６ｂよりも内側で第２半導体領域６に接触している。 - 特許庁

A body contact diode region 13 constituting a diode structure where the body contact region 12 and the n-type semiconductor layer 3 form a pn junction, and an MOSFET region 14 where MOSFET structure is formed are also provided.例文帳に追加

ボディコンタクト領域１２とｎ形半導体層３とでｐｎ接合が形成されたダイオード構造を構成するボディコンタクトダイオード領域１３と、ＭＯＳＦＥＴ構造が構成されたＭＯＳＦＥＴ領域１４とを有する。 - 特許庁

A side of a contact C_FD side of both the gate electrodes G_1 and G_2 or either of them protrudes on a boundary (broken line) between the FD region and the element isolation region to a side where the contact C_FD exists more than the other parts in contact with the FD region.例文帳に追加

ゲート電極Ｇ_１，Ｇ_２の双方または何れか一方におけるコンタクトＣ_ＦＤ側の辺は、ＦＤ領域と素子分離領域との境界線（破線）上において、ＦＤ領域に接する他の部分と比べて、コンタクトＣ_ＦＤが存在する側へ突出している。 - 特許庁

The lubricating oil repelled by the oil-repellent treatment portion 4 is positively supplied to the contact region 3 and the lubricating oil is contained in the contact region 3 by the oil-repellent treatment portion 4 to promote the effect of maintaining the lubricating oil and resultant oil film in the contact region 3.例文帳に追加

撥油処理部４で押しのけられた潤滑油が接触部３に積極的に供給され、また接触部３からの潤滑油の逃げが撥油処理部４で阻止されるので、接触部３に潤滑油およびそれによる油膜を維持させる効果が促進される。 - 特許庁

A first bit line contact 14A connected to the element region 11 is formed at the opposite end to the capacitor contact 13 on the element region 11 with respect to the first word line 12A, and a second bit line contact connected to the element region 11 is formed at an end opposite to the capacitor contact 13 on the element region 11 with respect to the second word line 12B.例文帳に追加

素子領域１１上における、第１のワード線１２Ａに対してキャパシタコンタクト１３と反対側の端部には、素子領域１１と接続された第１のビット線コンタクト１４Ａが形成され、第２のワード線１２Ａに対してキャパシタコンタクト１３と反対側の端部には、素子領域１１と接続された第２のビット線コンタクト１４Ｂが形成されている。 - 特許庁

To obtain a contact structure capable of achieving a high frequency band region, a large number of pin counts, high contact performance, and high reliability.例文帳に追加

高周波帯域、高いピンカウント数、高いコンタクトパフォーマンスそして高い信頼性を達成することできる、コンタクトストラクチャを提供する。 - 特許庁

Since an n+ type contact region 2 is formed, a contact resistance is improved for reduced on- resistance of a device.例文帳に追加

更に、ｎ＋型コンタクト領域２が形成されていることによりコンタクト抵抗が改善されており、素子のオン抵抗が低減されている。 - 特許庁

The convex part 35 of the axial part 12 and the concave part of the hub wheel 1 are brought into dose contact in their entire contact region to form a concavo-convex fitting structure.例文帳に追加

軸部１２の凸部３５とハブ輪１の凹部との嵌合接触部位全域が密着する凹凸嵌合構造を構成する。 - 特許庁