「contact region」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

A P-type buried layer 36 is formed in contact with the deep well region 16 below of the deep well region 16.例文帳に追加

ディープウェル領域１６の下方には、ディープウェル領域１６に接して、Ｐ型の埋込層３６が形成されている。 - 特許庁

A memory array region 401 and a control region 402 are placed such that the two regions are in contact with each other and have a convex shape when viewed from above.例文帳に追加

メモリアレイ領域４０１と制御領域４０２が接し、かつ平面から見て凸形状で配置されている。 - 特許庁

The first region A1 and the second region A2 come into contact with each other via a container body 12 serving as a gas permeable member.例文帳に追加

第１領域Ａ１と、第２領域Ａ２は、ガス透過性部材としての容器本体１２を介して接している。 - 特許庁

The p-type well region W20 contains a first and second drive transistors Q3, Q4, and a well contact region 16d.例文帳に追加

ｐ型ウエル領域Ｗ２０は、第１および第２駆動トランジスタＱ３，Ｑ４と、ウエルコンタクト領域１６ｄとを含む。 - 特許庁

The contact hole L' covers a region above the first conductor path 40 and a region above the substrate 10 adjacent thereto.例文帳に追加

コンタクトホールＬ′は、第１の導体路４０の上の領域とそれに隣接する基板１０の上の領域をカバーしている。 - 特許庁

The semiconductor structure further includes a capacitor electrode contact in the second semiconductor region and the electrically insulating region.例文帳に追加

半導体構造は、第２の半導体領域および電気絶縁領域の中にキャパシタ電極コンタクトをさらに含む。 - 特許庁

An anode electrode 14 does not contact the intermediate concentration region 30b, but contacts the high concentration region 30a.例文帳に追加

アノード電極１４は、中濃度領域３０ｂと接触しない一方で、高濃度領域３０ａと接触している。 - 特許庁

The semiconductor layer comprises a conductive MIC region corresponding to the region exposed in the source/drain contact hole.例文帳に追加

前記半導体層は、前記ソース/ドレインコンタクトホール内に露出した領域に対応する導電性MIC領域を備える。 - 特許庁

The region 11a and the region 11b may be brought into contact with each other or partly superposed.例文帳に追加

また、ガードリング領域１１ａとガードリング領域１１ｂとは、接した、あるいは部分的に重なり合って形成しても良い。 - 特許庁

The connection region 4 is one region of the contact 8 projecting from the housing 2 and connected to the electric lead 6.例文帳に追加

接続領域４は、ハウジング２から突出するコンタクト８の一領域であり、電気リード線６に接続される。 - 特許庁

An n^+ gate contact region and an n^+ source region are formed simultaneously, and the impurity distribution of them are set to be identical.例文帳に追加

また、ｎ^＋ゲートコンタクト領域とｎ^＋ソース領域を同時に形成し、両者の不純物分布を同一とする。 - 特許庁

A potential barrier region 12 is so provided as to directly or indirectly contact a region 11 containing a magnetic body.例文帳に追加

磁性体を含む領域１１と直接または間接的に接するようにポテンシャル障壁領域１２を配置する。 - 特許庁

A p-type region 6 is formed in contact with an n-type high concentration buried region 5 on an inside n-type region 3A in the region 4, and a p-type high concentration region 7 is formed on the region 6.例文帳に追加

そして、枠状トレンチ溝型絶縁領域４内の内側ｎ形領域３Ａにはｐ形領域６をｎ形高濃度埋込み領域５に接するように形成し、ｐ形領域６にはｐ形高濃度領域７を形成する。 - 特許庁

In the method for fabricating an insulated gate field effect transistor where a channel region, a source region 6, a body contact region 7, an offset region and a drain region 9 are formed on a semiconductor substrate, dosage at the time of ion implantation for forming the body contact region 7 is set less than the dosage at the time of ion implantation for forming the source region 6 and the drain region 9.例文帳に追加

半導体基板にチャネル領域、ソース領域６、ボディコンタクト領域７、オフセット領域およびドレイン領域９を形成する絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造方法において、ボディコンタクト領域７形成のためのイオン注入時のドーズ量を、ソース領域６およびドレイン領域９形成のためのイオン注入時のドーズ量より少なくする。 - 特許庁

A function macro 2 comprises wiring layers 5 and 6 of two or more layers allocated in a connection pin region 1, and a via contact 4 allocated in a region except for a region (contact inhibited region) 3 which is extended from the connection region 1 and the end part of the connection pin region 1 by a specified distance determined by a design rule.例文帳に追加

機能マクロ２は、接続ピン領域１に配置された２層以上の配線層５、６と、接続ピン領域１及び接続ピン領域１の端部からデザインルールから定まる所定の距離だけ広げた領域（コンタクト禁止領域）３以外の領域に配置されたヴィアコンタクト４とを有する。 - 特許庁

A base contact 4 is provided at an approximate center of a base region 3, and an emitter contact 6 is provided so as to surround the base contact 4 into a U-shape or a C-shape.例文帳に追加

ベース領域３の略中央にベースコンタクト４を設け、このベースコンタクト４をコ字状又はＣ字状に取り囲むエミッタコンタクト６を設ける。 - 特許庁

The contact plug 9c is formed simultaneously with a contact plug 9b connected to wiring 4b, and a contact plug 9a connected to a source/drain region 6.例文帳に追加

コンタクトプラグ９ｃは、配線４ｂに接続されるコンタクトプラグ９ｂと、ソース／ドレイン領域６に接続されるコンタクトプラグ９ａと同時に形成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device capable of increasing the contact area of an active region and reducing the contact resistance.例文帳に追加

活性領域の接触面積を増大でき、コンタクト抵抗を低減可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A second contact 31C short in a transversal direction and long in a longitudinal direction is arranged in a base contact region 31.例文帳に追加

ベースコンタクト領域３１には横方向に短く縦方向に長い第２の配線コンタクト部３１Ｃが配置される。 - 特許庁

The contact detector 18 is a planar sensor outputting a two-dimensional image indicating a contact region of the hand 36.例文帳に追加

接触検出器１８は手３６の接触領域を表す二次元画像を出力する面状のセンサである。 - 特許庁

A relatively wide contact region of an ITO layer 35 exists on a passivation film 33 around a contact window 8.例文帳に追加

コンタクト窓８の周囲のパッシベーション膜３３上にＩＴＯ層３５の比較的広い接触領域が存在している。 - 特許庁

Further, a body contact region 10 is formed such that the surface provides a portion of a bottom surface 13 of the contact trench 11.例文帳に追加

また、表面がコンタクトトレンチ１１の底面１３の一部を提供するようにボディコンタクト領域１０を形成する。 - 特許庁

Each thin film transistor 110 comprises: a drain contact structure D; a source contact structure S; and an organic semiconductor region 115 arranged between the source contact structure and the drain contact structure.例文帳に追加

各薄膜トランジスタ１１０は、ドレインコンタクト構造Ｄと、ソースコンタクト構造Ｓと、ソースコンタクト構造とドレインコンタクト構造との間に配置された有機半導体領域１１５とを含む。 - 特許庁

The width of the p-side contact layer 19 is enlarged by the regrowth region 19b, which increases the ohmic contact area between the p-side contact layer and the p-side electrode 23, and thereby decreases the contact resistance.例文帳に追加

再成長領域１９ｂによりｐ側コンタクト層１９の幅が拡大され、ｐ側電極２３とのオーミック接触面積が拡大されて、接触抵抗の低減が図られている。 - 特許庁

The insulation layer has a region 8 containing fixed charge in contact with the silicon substrate 1 and the source region 10 and also in contact with the silicon substrate 1 and the drain region 11 across the border between the substrate 1 and the region 10 and the border between the substrate 1 and the region 11.例文帳に追加

上記絶縁層は、シリコン基板１とソース領域１０との境界およびシリコン基板１とドレイン領域１１との境界を跨ぐように、シリコン基板１とソース領域１０に接すると共にシリコン基板１とドレイン領域１１に接する固定電荷を含む領域８を有する。 - 特許庁

On the upper surface of the heavily-doped drain region 7b, a contact 20 is provided, where the contact 20 mutually connects the I/O pad to the high-concentration drain region 7b.例文帳に追加

そして、高濃度ドレイン領域７ｂの上面には、入出力パッドと高濃度ドレイン領域７ｂとを互いに接続するためのコンタクト２０が設けられている。 - 特許庁

The contact region (16) has a surface exposed by the gap (14).例文帳に追加

そして、接触領域（１６）は、空隙（１４）によって露出される表面を有する。 - 特許庁

A portion where the heavily doped region 22 is in contact with the channel layer 7 functions as a diode.例文帳に追加

高濃度領域２２が、チャネル層７と接触している部分がダイオードとなる。 - 特許庁

The bottom section of the conductive region 42 is brought into contact with the drain layer 12 in advance.例文帳に追加

導電領域４２の底部はドレイン層１２と接触するようにしておく。 - 特許庁

The contact 107 is not formed in the high-density P-type diffusion region 106.例文帳に追加

前記高濃度Ｐ型拡散領域１０６には、コンタクト１０７は形成されない。 - 特許庁

An injection barrier 5 is formed between the contact 4 and the active region 23.例文帳に追加

注入障壁５がコンタクト部４と活性領域２３の間に形成される。 - 特許庁

When forming a contact group on a second surface of a board, a region corresponding to a periphery of a dimensional profile of an integrated circuit die is formed as a region that does not have any contact.例文帳に追加

基板の第２の面に接点群を形成する際において、集積回路ダイの寸法プロファイルの周辺に対応する領域については、接点のない領域とする。 - 特許庁

The gate contact electrode 21 is arranged in contact with the first p-type region 16, to overlap the whole thereof with the first p-type region 16 in top view.例文帳に追加

ゲートコンタクト電極２１は、平面的に見てその全体が第１のｐ型領域１６に重なるように、第１のｐ型領域１６に接触して配置されている。 - 特許庁

The source electrode 28 is connected only with either of the first contact region or the second contact region on an arbitrary cross section vertical to a length direction of the gate electrode 11.例文帳に追加

ソース電極28は、ゲート電極11の長手方向に垂直な任意の断面において、第1のコンタクト領域と第2のコンタクト領域のいずれか一方のみと接続される。 - 特許庁

A first wiring contact 410C is arranged in the emitter region 41 and a first wiring contact 421C is arranged in the emitter region 42, respectively.例文帳に追加

エミッタ領域４１には第１の配線コンタクト部４１０Ｃ及び４１１Ｃが、エミッタ領域４２には第１の配線コンタクト部４２０Ｃ及び４２１Ｃがそれぞれ配置される。 - 特許庁

To form a desired electric connection part between a contact region on a semiconductor chip and a corresponding contact region on a chip carrier by a reliable method.例文帳に追加

半導体チップ上の接触領域とチップキャリア上の対応する接触領域との間に所望する電気的な接続部を極めて信頼できる方法で実現すること。 - 特許庁

This prevents the ohmic resistance between a contact region and metal wiring from increasing, even if a metal wiring is formed on the contact region without deteriorating a ferroelectric body.例文帳に追加

これにより、強誘電体が劣化することなく、かつ、コンタクト領域上に金属配線を形成したとしても、両者間のオーミック抵抗が大きくなることを防止できる。 - 特許庁

More specifically, the trench has the taper surface at an opening edge, and the contact surface of a source region and a source electrode filled in the taper surface constitutes a source contact region.例文帳に追加

すなわち、トレンチは開口縁でテーパ面を有し、ソース領域とこのテーパ面に充填されるソース電極との接触面がソースコンタクト領域を構成する。 - 特許庁

A package of laminated dies 21 and 29 comprises a printed circuit board 20 having a contact region of the upper surface and a landing pad 33 that surrounds the contact region.例文帳に追加

積層されたダイ２１，２９のパッケージは、上面の接触領域と該接触領域を取り囲む着陸パッド３３とを含むプリント基板２０を備えている。 - 特許庁

In the wide region 31, the contact layer 19 has the same width as the ridge 20.例文帳に追加

広領域３１では、コンタクト層１９の幅はリッジ部２０と同じ幅とする。 - 特許庁

The test piece S can be heated to a prescribed temperature by a main heater 3 of a non-contact type located in the deformation region and sub-heaters 4L, 4R of a contact type located in a non-deformation region.例文帳に追加

試料Sは、その変形領域に位置する非接触式のメインヒータ3と、非変形領域に位置する接触式のサブヒータ4L、4Rで所定温度に加熱できる。 - 特許庁

The first region and the second region substantially and simultaneously contact with an oral cavity when consumed and the calcium ions mutually reacts with the phosphate ions by the contact.例文帳に追加

当該第１部位及び当該第２部位は、消費された時に実質的に同時に口腔と接触し、それによりカルシウムイオンとリン酸イオンが互いに反応する。 - 特許庁

An upper edge of the widened region is smoothly connected to a lower edge of the contact section.例文帳に追加

拡径部はその上端部において接点部の下端部と滑らかに繋がっている。 - 特許庁

Suitably, a projection is added to the glass pane contact region of the trapezoidal metal B.例文帳に追加

なお、好適には台形状の金具Ｂのガラス板接触域に突起を付設する。 - 特許庁

The second conductor path 60 is formed within the contact hole L' stepwise from a contact region 70 with the first conductor path 40 toward the substrate 10 positioned under the region 70.例文帳に追加

第２の導体路６０はコンタクトホールＬ′内で、第１の導体路４０との接触領域７０からその下に位置する基板１０へ向かって段階づけられている。 - 特許庁