「contact region」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

After this, contact plugs are formed, with which the junction region openings are filled.例文帳に追加

以後、接合領域開口部を満たすコンタクトプラグを形成する。 - 特許庁

A contact region 8 is formed in a rectangular form in such a structure.例文帳に追加

この構造において、コンタクト領域８を矩形状に形成する。 - 特許庁

Silicide layers 5a are disposed on the bit line contact region 9a.例文帳に追加

ビット線コンタクト領域９ａ上にはシリサイド層５ａを有する。 - 特許庁

SELECTIVE REJECTION OF TOUCH CONTACT IN EDGE REGION OF TOUCH SURFACE例文帳に追加

タッチ表面の端部領域におけるタッチ接触の選択的拒否 - 特許庁

The contact region 110 has a sticking force to the skin.例文帳に追加

接触領域１１０は、皮膚に対する付着力を有している。 - 特許庁

The distance from a first interface 6 at which the anode region 4 and the high resistance region 8 are in contact with each other through a second interface 12 at which the cathode region 15 and the high resistance region 8 are in contact with each other is 50 μm or greater.例文帳に追加

アノード領域４と高抵抗領域８が接する第１界面６からカソード領域１５と高抵抗領域８が接する第２界面１２までの距離は５０μｍ以上である。 - 特許庁

At the lower part of a boundary part of the base contact region 14, an N-type region 21 having the same conductivity type as an emitter region 13 is formed in such a manner as to surround the base contact region 14.例文帳に追加

ベースコンタクト領域１４の境界部の下方には、エミッタ領域１３と同じ導電型を有するＮ型領域２１がベースコンタクト領域１４を包囲するように形成されている。 - 特許庁

The contact elements 18 and 34 have a first end region 20, contact areas 30 and 36 for electrical contact with a plug 10 and a second end region 24.例文帳に追加

前記接点要素１８，３４は、第１の端部領域２０と、プラグ１０との電気的接触のための接触領域３０，３６と、第２の端部領域２４とを備えている。 - 特許庁

A source electrode 11 is so formed as to contact with the p^+ high-concentration contact region 6 formed on the side wall of the second trench 5 and further to contact with the n^+ source region 4.例文帳に追加

第２トレンチ５の側壁に形成されたｐ^+高濃度コンタクト領域６に接し、かつｎ^+ソース領域４に接するように、ソース電極１１を形成する。 - 特許庁

The relay assembly is furthermore provided with a movable contact 12 having a second contact surface for demarcating a contact region which abuts with the first contact surface.例文帳に追加

リレー組立体は、さらに、第１の接触面と当接する接触領域を画定する第２の接触面を有する可動コンタクト１２も備える。 - 特許庁

A base contact region 4 and an n-type emitter region 7 are arranged selectively in the surface of the region 3 respectively, and the region 4 and the region 7 are arranged without a direct contact.例文帳に追加

そして、Ｐ型ベース領域３の表面内には、ベースコンタクト領域４およびＮ型エミッタ領域７が、それぞれ選択的に配設され、ベースコンタクト領域４およびＮ型エミッタ領域７とは直接接触することなく配設されている。 - 特許庁

The dummy contact portion 9a is located on the collector region 6 side rather than on the depletion region 21 side in the base region 3b between the emitter region 5 and the collector region 6.例文帳に追加

このダミーコンタクト部９ａは、エミッタ領域５とコレクタ領域６との間のベース領域３ｂのうち、空乏層領域２１よりもコレクタ領域６側の領域に配置する。 - 特許庁

In this emitter region 4, the base region 3 is exposed in this emitter region 4, and the emitter electrode 6 is provided so as to contact with a base region 4b exposed in the emitter region 4.例文帳に追加

このエミッタ領域４内にベース領域４を露出させ、エミッタ電極６がそのエミッタ領域４内に露出するベース領域４ｂにもコンタクトするように設けられている。 - 特許庁

Each transistor 21 includes a first ohmic contact region 115 and a second ohmic contact region 119 formed in a region demarcated by crossing of each conductive line 8 and each function line 7, and a channel region demarcated by the first ohmic contact region 115 and the second ohmic contact region 119 in the semiconductor layer.例文帳に追加

各トランジスタ２１は、各導電線８と各機能線７との交差によって画定される領域に形成された第１のオーミックコンタクト領域１１５、第２のオーミックコンタクト領域１１９および前記半導体層中において前記第１のオーミックコンタクト領域１１５および前記第２のオーミックコンタクト領域１１９によって画定されたチャネル領域含む。 - 特許庁

The gravity center of the driving force generating region is closer to the contact part 13b' than the contact part 13a' in the contact electrode 13.例文帳に追加

駆動力発生領域の重心は、コンタクト電極１３における接触部１３ａ’よりも接触部１３ｂ’に近い。 - 特許庁

A field effect transistor 10 comprises a source ohmic contact 12, a drain ohmic contact 14, a gate contact 16, and an active region 18.例文帳に追加

電界効果トランジスタ１０は、ソースオーミックコンタクト１２と、ドレインオーミックコンタクト１４、ゲートコンタクト１６、および活性領域１８を含む。 - 特許庁

The contact for the shield electrode and the contact for the p-type well region in the same pixel are formed of a common contact.例文帳に追加

同一画素内のシールド電極用のコンタクト部とＰ型ウェル領域用のコンタクト部を共用コンタクト部によって形成する。 - 特許庁

The first contact section 82 is arranged so that a region where the substrate is brought into contact with the first contact section 82 is not overlapped with a region where the substrate is brought into contact with the second contact section when the rotation angle position is within the prescribed range.例文帳に追加

第１の接触部８２は、回転角度位置が所定範囲内のとき、基板が第１の接触部８２に接触する領域が、基板が第２の接触部に接触する領域と重ならないように設けられている。 - 特許庁

A P type body contact region 9 is formed to penetrate the source region 8 in the thickness direction.例文帳に追加

また、ソース領域８を厚さ方向に貫通して、Ｐ型のボディコンタクト領域９が形成されている。 - 特許庁

The anode region 38 and the circumference contact region 35 are electrically connected to an anode electrode 52.例文帳に追加

アノード領域３８及び周辺コンタクト領域３５は、アノード電極５２に電気的に接続している。 - 特許庁

A p^+-region 24 and an n^+-region 25 of the optical sensor 7 are formed of polysilicon with small contact resistance.例文帳に追加

コンタクト抵抗の小さいポリシリコンで光センサ７のｐ^＋領域24およびｎ^＋領域25を形成する。 - 特許庁

The non- light emitting region 220 has a contact region 111 electrically connected to the resonator 120.例文帳に追加

非発光領域２２０は、共振器１２０と電気的に接続されるコンタクト領域１１１を含む。 - 特許庁

To miniaturize a semiconductor device provided with a protection element having an emitter diffusion region, a base contact region and a collector contact region and with a bonding pad which is electrically connected to the collector contact region.例文帳に追加

本発明は、エミッタ拡散領域、ベースコンタクト領域、及びコレクタコンタクト領域を有する保護素子と、コレクタコンタクト領域と電気的に接続されるボンディングパッドとを備えた半導体装置に関し、半導体装置の小型化を図ることを課題とする。 - 特許庁

A first contact portion 21a where an emitter electrode is brought into contact with the emitter region 15 is formed wide in a cross bar-like portion 15b of the emitter region 15, while a second contact portion 21b where the emitter electrode is brought into contact with the P-channel region 14 is formed smaller in width than the first contact portion 21a.例文帳に追加

エミッタ電極がエミッタ領域15と接触する第１のコンタクト部21ａは、エミッタ領域15のクロスバー状部15ｂに幅広に設けられ、エミッタ電極がＰチャネル領域14と接触する第２のコンタクト部21ｂは、第１のコンタクト部21ａより幅が狭く形成されている。 - 特許庁

In the region 26, a gate contact region 29 of a J-FET element is formed concurrently with the formation of a base region 28 of an NPN transistor.例文帳に追加

ＮＰＮトランジスタのベース領域２８を形成すると同時的にＪ−ＦＥＴ素子のゲートコンタクト領域２９を形成する。 - 特許庁

A gate contact region 29 of a J-FET element in the region 26 is formed simultaneously with the formation of a base region 28 of an NPN transistor.例文帳に追加

ＮＰＮトランジスタのベース領域２８を形成すると同時的にＪ−ＦＥＴ素子のゲートコンタクト領域２９を形成する。 - 特許庁

The body contact region 21 and the body region are electrically connected via an SOI layer (well region) below the partial trench separation insulating film 8.例文帳に追加

ボディコンタクト領域２１とボディ領域とは、部分トレンチ分離絶縁膜８下のＳＯＩ層（ウエル領域）を介して電気的に繋がる。 - 特許庁

A body contact region 155a is provided in a region, located near the outside of the partial isolation region and on the extension line of the gate electrode.例文帳に追加

部分分離領域の外部近傍で、しかもゲート電極の延長上に位置する領域にボディコンタクト領域１５５ａを設ける。 - 特許庁

In a base contact region 14 formed on the surface of a base region 12, a base electrode 15 is jointed to a base region 12.例文帳に追加

ベース領域１２の表面に設定されたベースコンタクト領域１４において、ベース電極１５がベース領域１２に接合されている。 - 特許庁

The region 22 is provided in contact with the region 21 at the position in the opposite side of the electrode 51 at least for the region 21.例文帳に追加

領域２２は、少なくとも領域２１に対して電極５１とは反対側の位置に、領域２１に接触して設けられている。 - 特許庁

To enable a p-type SiC region in a fine contact window to have a low contact resistance ρc.例文帳に追加

微細なコンタクト・ウインドウの内部において、ｐ型ＳｉＣ領域への低いコンタクト抵抗ρｃを実現する。 - 特許庁

The first contact pad 126 is electrically connected to a first contact region 116a of a substrate 100.例文帳に追加

第１コンタクトパッド１２６は、基板１００の第１コンタクト領域１１６ａと電気的に接続される。 - 特許庁

Furthermore, because the electric parts 3 are in a fitting region of the socket contact 4 and a pin contact 14, they are housed compactly.例文帳に追加

また、電気部品３は、ソケットコンタクト４とピンコンタクト14の嵌合部位にあるのでコンパクトに納まる。 - 特許庁

The touch input part 21 has a contact region with a length capable of optionally changing a finger contact position.例文帳に追加

タッチ入力部２１は、手指の接触位置を任意に変更できる長さの接触領域を有する。 - 特許庁

The contact hole 2 and the common wiring are arranged by surrounding the circumference of a display region, and the row control circuit is arranged to be divided into the outside of the contact hole to the display region between the contact hole and the display region.例文帳に追加

コンタクトホール２と共通配線は表示領域の周囲を囲んで配置され、列制御回路はコンタクトホールと表示領域の間と、表示領域に対してコンタクトホールの外側とに分割されて配置される。 - 特許庁

The region extends beyond an area underlying the top contact.例文帳に追加

その領域は、上部接触子の下に位置する領域以上に広がる。 - 特許庁

A contact to the n-type diffusion region is formed in the insulation layer.例文帳に追加

絶縁層に、ｎ型拡散領域に到達するコンタクトを形成する。 - 特許庁

The first body region 12 is brought into contact with the side of the trench gate 30.例文帳に追加

第１ボディ領域１２は、トレンチゲート３０の側面に接している。 - 特許庁

The device includes a source electrode in contact with a source region of the MOSFET, a control electrode in a base region, and an SBD electrode in contact with the SBD.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴのソース領域に接するソース電極と、ベース領域に制御電極と、ＳＢＤに接するＳＢＤ電極とを備える。 - 特許庁

PLUG CONNECTOR AND METHOD OF INSULATING CONNECTION REGION OF CONTACT OF PLUG CONNECTOR例文帳に追加

プラグコネクタ、及びプラグコネクタのコンタクトの接続領域を絶縁する方法 - 特許庁

The bottom section of the conductive region 26a is brought into contact with the drain layer 12.例文帳に追加

導電領域２６ａの底部はドレイン層１２と接触させる。 - 特許庁

The mechanism for add-on weights includes at least one add-on weight having a first region of contact and a second region of contact.例文帳に追加

付加式ウェイトのための機能は、第１の接触領域と第２の接触領域とを有する少なくとも１つの付加式ウェイトを含む。 - 特許庁

The region 21 is provided in contact with the end of the electrode 51.例文帳に追加

領域２１は、電極５１の端部に接触して設けられている。 - 特許庁

An anode electrode 2 is provided, where the anode electrode 2 is subjected to Schottky contact to the third semiconductor region 9, and is subjected to low-resistance contact to the fourth semiconductor region.例文帳に追加

第３の半導体領域９にショットキ接触し、第４の半導体領域に低抵抗接触するアノ−ド電極２を設ける。 - 特許庁

An emitter electrode 102 is in contact with the n^+-type emitter region 122.例文帳に追加

エミッタ電極１０２は、ｎ^＋型エミッタ領域１２２に接している。 - 特許庁