「contact region」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

Breakdown strength of the body contact diode region 13 is set lower than that of the MOSFET region 14.例文帳に追加

ボディコンタクトダイオード領域１３の耐圧をＭＯＳＦＥＴ領域１４の耐圧よりも小さく設定してある。 - 特許庁

A source 16c of one drive transistor and the well contact region 16d share one contact part 80.例文帳に追加

一方の駆動トランジスタのソース１６ｃと、ウエルコンタクト領域１６ｄとは、一つのコンタクト部８０を共用している。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that enables increase in area of contact between a source region and a contact plug.例文帳に追加

ソース領域とコンタクトプラグとの接触面積を増大させることのできる半導体装置を提供すること。 - 特許庁

In a protruded end region of the piston rod, the supporting member is put in contact with the first contact face in the axial direction.例文帳に追加

ピストンロッドの突出端領域で，支持部材を軸線方向から第１接触面に接触させる。 - 特許庁

The doped region in contact with an arbitrary connection terminal is in contact with only one of the channel forming regions.例文帳に追加

任意の接続端子に接する不純物領域は、チャネル形成領域のいずれか１つとのみ接している。 - 特許庁

The first region (A-A') includes a first lateral face on the first contact side and a second lateral face on the second contact side.例文帳に追加

第１領域（Ａ−Ａ’）は、第１コンタクト側の第１側面と、第２コンタクト側の第２側面とを含む。 - 特許庁

To provide a boundary contact for concatenating a contact region and a conductive layer using a silicide, and its manufacturing method.例文帳に追加

シリサイドを使用してコンタクト領域と導電層を連接する境界コンタクトとその製造方法の提供。 - 特許庁

In the implantation process, the impurity is implanted in at least one of the first conductivity type region and the second conductivity type region so that the first conductivity type region and the shared contact plug come into ohmic-contact with each other and the second conductivity type region and the shared contact plug come into ohmic-contact with each other.例文帳に追加

前記注入工程では、前記第１導電型領域と前記シェアードコンタクトプラグとがオーミック接触し、かつ前記第２導電型領域と前記シェアードコンタクトプラグとがオーミック接触するように、前記第１導電型領域および前記第２導電型領域の少なくとも一方に対して不純物を注入する。 - 特許庁

A contact region 19 of an end surface 17 of the first pin 3 makes contact with a sheave surface of a pulley around a contact central point F as its center.例文帳に追加

第１のピン３の端面１７の接触領域１９は、接触中心点Ｆを中心としてプーリのシーブ面に接触する。 - 特許庁

At least either of a contact region with the source lead electrode in the source region or a contact region with the drain lead electrode in the drain region is covered with a conductive light shielding film piece (501 or 502).例文帳に追加

ソース領域におけるソース引き出し電極とのコンタクト領域及びドレイン領域におけるドレイン引き出し電極とのコンタクト領域のうち少なくとも一方は、導電性の遮光膜片（５０１、５０２）で覆われている。 - 特許庁

The second electrode includes a pad portion provided on a non-formation region of the second contact sublayer, and a narrow-line portion having a first region extending on the second contact sublayer and a second region provided in the non-formation region.例文帳に追加

第２電極は、第２コンタクト層の非形成領域の上に設けられたパッド部と、第２コンタクト層の上に延在する第１領域および非形成領域に設けられた第２領域を有する細線部と、を有する。 - 特許庁

The front region F is to be in contact with the surface of wearer's skin on the abdominal side.例文帳に追加

前方領域Ｆは、着用者の腹側の肌表面に接触する。 - 特許庁

To alleviate an electric field applied between a contact and an element region to prevent dielectric breakdown.例文帳に追加

コンタクトと素子領域間にかかる電界を緩和し絶縁破壊を防ぐ。 - 特許庁

The first semiconductor region 14 is brought into contact with the side of the trench gate 30.例文帳に追加

第１半導体領域１４は、トレンチゲート３０の側面に接している。 - 特許庁

Then each diffusion region, contact holes, and electrode wiring are formed.例文帳に追加

各拡散領域を形成し、コンタクトホールを形成し、電極配線を形成する。 - 特許庁

Unit pressure is applied to an arbitrary unit region of a contact surface with a material.例文帳に追加

材料が接触する面の任意の単位領域に単位圧力をかける。 - 特許庁

The rear region R is to be in contact with the surface of the wearer's skin on the hip side.例文帳に追加

後方領域Ｒは、着用者の尻側の肌表面に接触する。 - 特許庁

It has a collector electrode 9 formed in contact with the n^- region 2c.例文帳に追加

ｎ^-領域２ｃに接するように形成されたコレクタ電極９を備える。 - 特許庁

It has an emitter electrode 7 formed in contact with the n^- region 2a.例文帳に追加

ｎ^-領域２ａに接するように形成されたエミッタ電極７を備える。 - 特許庁

To prevent generation of leakage current between a contact and a substrate in an element isolation region.例文帳に追加

素子分離領域におけるコンタクトと基板間リークの発生を防止する。 - 特許庁

The etching control layer is utilized for changing the depth of contact, thus achieving the resistor polysilicon layer having the plurality of different resistance values even in the small element region.例文帳に追加

そのエッチングコントロール層を利用してコンタクトの深さを変える。 - 特許庁

This thin film transistor includes, on a substrate, a gate electrode layer, a semiconductor layer, a gate insulating layer formed between the gate electrode layer and the semiconductor layer, a source region and a drain region in contact with the semiconductor layer, a source electrode in contact with the source region, and a drain electrode in contact with the drain region.例文帳に追加

基板上に、ゲート電極層と、半導体層と、ゲート電極層及び半導体層の間に設けられるゲート絶縁層と、半導体層に接するソース領域及びドレイン領域と、ソース領域に接するソース電極と、ドレイン領域に接するドレイン電極とを有する。 - 特許庁

On the basis of the contact information of a touch pad 16 detected by a detection part 17, the vertical contact width D of a contact region is calculated by a contact width calculation part 31, and the central coordinates y of the contact region are calculated by a central coordinate calculation part 32.例文帳に追加

検出部１７で検出されたタッチパッド１６の接触情報に基づき、接触幅計算部３１で接触領域の上下方向の接触幅Ｄを算出し、中心座標計算部３２で接触領域の中心座標ｙを算出する。 - 特許庁

To avoid the damage within an element region in formation of a contact, and also to process a cell region and a control system circuit region around a cell into gates at the same time.例文帳に追加

コンタクトの形成における素子領域内のダメージを回避するとともに、セル領域とセル周辺制御系回路領域とを同時にゲート加工できる。 - 特許庁

The SOI active region is electrically connected to the external body contact through a semiconductor region under the partially isolated region and is capable of eliminating the floating body effects.例文帳に追加

ＳＯＩ活性領域は部分分離領域下の半導体領域を通して、外部のボディコンタクトと電気的に接続され、フローティングボディ効果を除去できる。 - 特許庁

Further, boron, etc. are selectively injected into the p-well region 23 from the direction vertical to the surface of the substrate to form p^+-well contact region by activating the p-well region 23.例文帳に追加

基板表面の鉛直方向からｐウェル領域２３に選択的にホウ素等を注入し、活性化させてｐ^+ウェルコンタクト領域を形成する。 - 特許庁

The third region 22 is in contact with a filed plate 21 which extends in both sides of the third region 22 in the direction of a wall surface and the direction of the third region 22.例文帳に追加

この第３の領域は、壁面の方向および第３の領域の方向に第３の領域の両側に延びるフィールド・プレートと接触する。 - 特許庁

In the transistor 40, a high concentration collector region 42 and a base region 43 are in contact with a low concentration collector region 41 formed in the semiconductor layer 23.例文帳に追加

トランジスタ４０では、高濃度コレクタ領域４２及びベース領域４３が、半導体層２３に設けられた低濃度コレクタ領域４１に接する。 - 特許庁

An epitaxial layer 3 has an N-type region 4 formed at its base portion, and a P-type body region 5 is formed to be in contact with the N^--type region 4.例文帳に追加

エピタキシャル層３には、その基層部にＮ^-型領域４が形成され、Ｐ型のボディ領域５がＮ^-型領域４に接して形成されている。 - 特許庁

A source electrode 8 is formed over the n+ type source region 3 and the p+ type base contact region 9 in the p type well region 4.例文帳に追加

ｎ^+形ソース領域３とｐ形ウェル領域４におけるｐ^+形ベースコンタクト領域９とに跨る形でソース電極８が形成されている。 - 特許庁

This second region 104a is in contact with the photodetection section 120, and the resistance of the second region 104b is higher than that of the first region 104a.例文帳に追加

この第２領域１０４ｂは光検出部１２０に接しており、第２領域１０４ｂは第１領域１０４ａよりも高抵抗である。 - 特許庁

A body trigger bias is provided to the TFT body through a dopant in the body contact region and a different impurity in the source region and the drain region.例文帳に追加

ボディコンタクト領域中のド—パンとソース領域中およびドレイン領域の異なった不純物とを通じて、ボディトリガバイアスがＴＦＴ本体に提供される。 - 特許庁

The n^+ emitter region 104, the p-channel region 103, and the p^+ emitter region 100 are brought into contact with an emitter electrode 109.例文帳に追加

そして，ｎ^＋エミッタ領域１０４とｐチャネル領域１０３とｐ^＋ エミッタ領域１００とのいずれもがエミッタ電極１０９に接するようにした。 - 特許庁

A source electrode 8 is so formed as to bridge between the n+ type source region 3 and a p+ type base contact region 9 in the p-type well region 4.例文帳に追加

ｎ^+形ソース領域３とｐ形ウェル領域４におけるｐ形ベースコンタクト領域９とに跨る形でソース電極８が形成されている。 - 特許庁

The heat-radiating region 13 is connected only to the channel proximity region 8, and is insulated from the ballast resistor regions 11 and the contact forming region 10.例文帳に追加

放熱領域１３はチャネル近接領域８のみに接続し、バラスト抵抗領域１１及びコンタクト形成領域１０に対しては絶縁する。 - 特許庁

The first mirror 11 is roughly divided into a first region R1 in contact with the active layer 12, and a second region R2 located below the first region R1.例文帳に追加

第１ミラー１１は、活性層１２に接する第１領域Ｒ１と、第１領域Ｒ１の下方に位置する第２領域Ｒ２とに大別される。 - 特許庁

A contact hole 10 is formed in the P^+ diffusion layer which is in common with the source region, and the gate region and the drain region are arranged concentrically.例文帳に追加

また、Ｐ^＋拡散層にはソース領域と共通にコンタクトホール１０が形成され、ゲート領域とドレイン領域とは同心円状に配置される。 - 特許庁

An ESD protective device in a region B is provided with a p^+-type contact region 16E and an n^+-type source region 17E on the surface of a p-type base layer 14.例文帳に追加

領域ＢのＥＳＤ保護素子は、ｐ型ベース層１４の表面にｐ＋型コンタクト領域１６Ｅ及びｎ＋型ソース領域１７Ｅを備えている。 - 特許庁

Further, a contact 20 which connects a pixel electrode 18 and a TFT of a TFT layer 12 to each other is arranged in a boundary region between the reflection region and a transmission region.例文帳に追加

また、反射領域と透過領域との境界領域に画素電極１８とＴＦＴ層１２のＴＦＴとを接続するコンタクト２０を配置する。 - 特許庁

Thus it is possible to reduce a substrate-floating effect even if the gate electrode is microstructured, because the body-contact region is provided to draw excess carriers generated in the channel region through the body-contact region.例文帳に追加

このように、ボディコンタクト領域を設け、当該領域を介してチャネル領域に生じた過剰キャリアを引き抜くことで、ゲート電極を微細化しても、基板浮遊効果を低減することができる。 - 特許庁

The body potential is fixed surely, by avoiding the introduction of the impurities of the reverse conductivity to the body contact region into the passage parts 5e and 5b connecting the body contact region with a well region.例文帳に追加

ボディコンタクト領域とウェル領域とを接続する通路部５ｅ，５ｂにボディコンタクト領域とは逆導電型の不純物が導入されるのを回避することにより、ボディ電位が確実に固定される。 - 特許庁

A part of the bit-line sharing cell plate 16 is formed directly on a source/drain region 27, and a region where the bit-line sharing cell plate 16 comes into contact with the source/drain region 27 forms a bit-line contact.例文帳に追加

そして、ビット線兼用セルプレート１６の一部がソース／ドレイン領域２７上に直接形成され、ビット線兼用セルプレート１６とソース／ドレイン領域２７とが接する領域がビット線コンタクトとなる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method therefor, in which the contact resistance of a storage node contact is reduced by forming a heavily-doped region in a prescribed region of the source region of an access transistor.例文帳に追加

アクセストランジスタのソース領域の所定領域へ高濃度の不純物領域が形成され、かつ、記憶ノードコンタクトにおけるコンタクト抵抗が低減する半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

A high-concentration cathode region 24 is formed on a surface of the low-concentration cathode region 10, in a direction extending from the high-concentration contact region 16 to the center of the light reception region 14.例文帳に追加

高濃度カソード領域２４は、低濃度カソード領域１０の表層に、高濃度カソードコンタクト領域１６から受光領域１４の中心に延びる方向に形成される。 - 特許庁

A junction forming region which comes into contact with a drain region and forms a PN junction therewith is formed between the drain region of a MOS structure and an element isolating region surrounding the MOS structure.例文帳に追加

ＭＯＳ構造のドレイン領域とＭＯＳ構造を囲む素子分離領域との間にドレイン領域に接してこれとＰＮ接合を形成する接合形成領域を形成する。 - 特許庁