「contact region」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

In figure (a), the red filter and the cyan filter are arranged so as to be in contact with each other in a region out of the dots.例文帳に追加

（ａ）では、赤フィルタとシアンフィルタがドット外でぴったり接するように配置した。 - 特許庁

A part of the layer 14 is removed by etching to expose a contact region.例文帳に追加

パッシベーション層１４の一部をエッチングにより除去して接触領域を露出させる。 - 特許庁

The hot wind spray plate 46 and the frame 47 have no region where they are in direct contact with each other.例文帳に追加

温風吹付板４６とフレーム４７が直接接触している領域はない。 - 特許庁

The second contact 42 is formed except a region above the first conductive layer 20.例文帳に追加

第２コンタクト４２は、第１導電層２１の上方を除く領域に形成されている。 - 特許庁

In the region 11, a contact hole 21 is formed in the electrode 15.例文帳に追加

素子分離領域１１において、ゲート電極１５上には、コンタクトホール２１が形成される。 - 特許庁

The electrode for contact is connected to the drain region of a semiconductor layer via the drain electrode.例文帳に追加

コンタクト用電極は、ドレイン電極により半導体層のドレイン領域と接続される。 - 特許庁

The contact layer 56 is also formed between the source region 54 and the source electrode 58.例文帳に追加

コンタクト層５６は、ソース領域５４とソース電極５８の間にも形成されている。 - 特許庁

A second electrode 12 is in contact with the outside p^+-type semiconductor region 17.例文帳に追加

外側Ｐ^＋型半導体領域１７には第２の電極１２を接触させない。 - 特許庁

POWER SEMICONDUCTOR COMPONENT HAVING TRENCH-TYPE SECOND CONTACT REGION, AND PRODUCING METHOD THEREOF例文帳に追加

トレンチ型第２接触領域を備えているパワー半導体コンポーネントとその生成方法 - 特許庁

The pad contact hole passes a region between the circuit patterns and exposes the semiconductor substrate.例文帳に追加

パッドコンタクトホールは配線パターン間の領域を過ぎて半導体基板を露出させる。 - 特許庁

A drain electrode 12 is formed in contact with the surface of the p diffusion region 6.例文帳に追加

ｐ拡散領域６の表面と接触してドレイン電極１２が形成される。 - 特許庁

A p^+ contact region 6 is formed on the surface layer of a p-type silicon carbide epitaxial layer 3.例文帳に追加

ｐ型炭化珪素エピタキシャル層３の表面層に、ｐ^+コンタクト領域６を形成する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SELF-ALIGNING JUNCTION REGION CONTACT HOLE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

自己整列した接合領域コンタクトホールを有する半導体装置及びその製造方法 - 特許庁

A P-electrode 4 is formed on a prescribed region of the P-contact layer 18.例文帳に追加

ｐ−コンタクト層１８の所定領域上にはｐ電極４が形成されている。 - 特許庁

In addition, each diffusion region, contact holes, and polysilicon electrodes 31-34 are formed.例文帳に追加

各拡散領域を形成し、コンタクトホールを形成し、ポリシリコン電極３１〜３４を形成する。 - 特許庁

The rear face of the transistor formed substrate 10 is smooth and has a contact region.例文帳に追加

トランジスタ形成基板１０の裏面は平滑であり、かつ裏面にコンタクト領域を有する。 - 特許庁

The CNT region 14 is allowed to come directly into contact with the upper surface of the waveguide 131.例文帳に追加

ＣＮＴ領域１４は、導波路１３１上面に直接、接触している。 - 特許庁

A control part expands a recognition region including the contact position to a predetermined range when the detection part detects the contact.例文帳に追加

制御部は、検出部が接触を検出時にその接触位置を含む認識領域を、所定の範囲まで拡大させる。 - 特許庁

A universal contact 13 is electrically connected to the source region 3 exposed on the bottom surface peripheral portion of the universal contact hole 7.例文帳に追加

ユニバーサルコンタクト１３はユニバーサルコンタクトホール７底面周縁部に露出するソース領域３に電気的に接続されている。 - 特許庁

At this moment, a P^+-type carrier-extracted layer 24 connected to the trench contact 23 is formed in a region just under the trench contact 23.例文帳に追加

このとき、トレンチコンタクト２３の直下域内に、トレンチコンタクト２３に接続されたＰ^＋型のキャリア抜き層２４を形成する。 - 特許庁

A source electrode 13 comes into contact with n+ source regions 7a and 7b and a p+ body region 8 through contact holes 12.例文帳に追加

ソース電極１３はコンタクトホール１２を通してｎ^+ 型ソース領域７ａ，７ｂおよびボディーｐ^+ 型領域８と接している。 - 特許庁

Then, the plurality of contact trenches are buried and a first electrode is formed so as to come into contact with the impurity region.例文帳に追加

次いで、前記複数のコンタクトトレンチを埋設し、前記不純物領域と接触するようにして第１の電極を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of increasing the contact area between a source region and a contact plug.例文帳に追加

本発明の目的は、ソース領域とコンタクトプラグとの接触面積の増大を図ることができる、半導体装置を提供する。 - 特許庁

Thereafter, an unnecessary part as the stopper during contact etching except for a contact region is removed by photolithography and dry etching.例文帳に追加

その後、コンタクト領域以外のコンタクトエッチング時のストッパとして不要な部分をフォトリソグラフィ及びドライエッチングによって除去する。 - 特許庁

A source 16c of the first drive transistor Q3 and the first well contact region 16d share a first contact part 80.例文帳に追加

第１駆動トランジスタＱ３のソース１６ｃと、第１ウエルコンタクト領域１６ｄとは、第１コンタクト部８０を共用している。 - 特許庁

In the element isolation region of the SOI substrate 1, a body region 15 which comes into contact with the side face of the region 11 is formed inside the silicon layer 4.例文帳に追加

ＳＯＩ基板１の素子形成領域において、シリコン層４内には、不純物拡散領域１１の側面に接触するボディ領域１５が形成されている。 - 特許庁

Also, in the view from the short side direction, the shape of the body contact region 24 is an L shape, and an extension part 24b advances to the region right below the extension part 22b of the body region 22.例文帳に追加

また、短辺方向から見て、ボディコンタクト領域２４の形状はＬ字状であり、延出部２４ｂはボディ領域２２の延出部２２ｂの直下域に進入している。 - 特許庁

In the sidewall 21, a region from the region in contact with the gas diffusion electrode layer GDL to the bottom surface 22 and the bottom surface 22 are configured by a hydrophilic region.例文帳に追加

側壁２１において、ガス拡散電極層ＧＤＬに接する領域から底面２２に達する領域及び底面２２は親水性領域により構成されている。 - 特許庁

Within a range wherein the cathode region comes into contact with the insulating film, a high-concentration region is formed, which has a higher n-type impurity concentration than the cathode region at the periphery thereof.例文帳に追加

カソード領域の絶縁膜に接する範囲内には、その周囲のカソード領域よりもｎ型不純物濃度が高い高濃度領域が形成されている。 - 特許庁

A substrate potential contact region 9b having an N type impurity concentration higher than that of the substrate potential region 11b is formed in the substantial potential region 11b.例文帳に追加

基板電位用領域１１ｂ、基板電位用領域１１ｂよりも濃いＮ型不純物濃度をもつ基板電位用コンタクト領域９ｂが形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of avoiding characteristic fluctuation due to presence of a contact region between a device-isolation region and an active region, and to provide a method for fabricating the same.例文帳に追加

素子分離領域とアクティブ領域との接触領域の存在による特性変動を回避可能な半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the cathode film 3, a part in contact with the n^--single crystal silicon substrate 1 becomes an n^+ buffer region 7 having high density, and a p base region 6 is formed adjacently to this region.例文帳に追加

また、カソード膜３において、ｎ^-単結晶シリコン基板１と接触する部分が高濃度のｎ^+バッファ領域７となり、その隣にｐベース領域６を形成する。 - 特許庁

To control leak current flowing through a substrate in formation of a contact hole in a boundary region between an active region and an element isolation region in the substrate.例文帳に追加

基板の内部であって、活性領域と素子分離領域との境界領域にコンタクトホールが形成された場合に、基板に流れるリーク電流を抑制できるようにする。 - 特許庁

The resistive breakdown region 8 includes an N-type semiconductor region in contact with the drain region 6 at a predetermined distance apart from the well part immediately below the gate electrode 4.例文帳に追加

抵抗性降伏領域８はドレイン領域６に接し、ゲート電極４直下のウェル部分と所定の距離だけ離れたＮ型半導体領域からなる。 - 特許庁

Then, a portion near an STI2 in the heavily-doped drain region 7b comes into direct contact with a substrate region 1a, without going though the lightly- doped drain region 6b.例文帳に追加

そして、高濃度ドレイン領域７ｂのうちＳＴＩ２に近い部分は、低濃度ドレイン領域７ｂを介することなく直接基板領域１ａに接している。 - 特許庁

In the portion of each P well 4 sandwiched between one N+ region 13 and the other N+ region 13, a P+ region 5 as a contact region to maintain the P well 4 at a predetermined potential is formed so as to contact the surface of the P well 4.例文帳に追加

一方のＮ+領域１３と他方のＮ+領域１３とによって挟まれたＰウェル４の部分には、Ｐウェル４を所定の電位に固定するためのコンタクト領域としてＰ+領域５が、Ｐウェル４の表面に接触するように形成されている。 - 特許庁

Moreover, since the upper surface of a dielectric film (32) being in contact with the lower surface of wiring (34) of a peripheral circuit region, extends to a memory cell region so as to be in contact with the side of the capacitor (33), a step height between the peripheral circuit region and the memory cell region is remarkably reduced.例文帳に追加

また、周辺回路領域の配線（３４）の下面に接している絶縁膜（３２）の上面がメモリセル領域に延在して、キャパシタ（３３）の側部に接しているため、周辺回路領域とメモリセル領域の間の段差は著しく減少する。 - 特許庁

A main electrode 8 on the side of the first semiconductor region is in contact with a surface of the first semiconductor region 4 and also in contact with a surface of the second semiconductor region 6 inside an outer edge of the loop that the second semiconductor region 6 forms.例文帳に追加

第１半導体領域側の主電極８が、第１半導体領域４の表面に接触しているとともに、第２半導体領域６が形成するループの外縁よりも内側で第２半導体領域６の表面に接触している。 - 特許庁

The protective film 35 has a separable portion 37 at a border position between a display region protective part 35a covering a display region 33a of the main body 33 and a bezel contact region protective part 35b covering a bezel contact region 33b of the main body 33.例文帳に追加

保護フィルム３５のうち、本体部３３における表示領域３３ａを覆う表示領域保護部３５ａと、本体部３３におけるベゼル当接領域３３ｂを覆うベゼル当接領域保護部３５ｂとの境界位置には、分離可能部３７が設けられている。 - 特許庁

A body region is formed in the single crystal Si layer below the gate electrode, a body contact region 26 joined to the body region for electrical connection is formed in the single crystal Si layer, and one portion of the body contact region is positioned at the lower portion of the hammer head.例文帳に追加

ゲート電極下の単結晶Ｓｉ層にはボディー領域が形成され、ボディー領域に繋げられ電気的に接続されたボディーコンタクト領域２６が単結晶Ｓｉ層に形成され、ボディーコンタクト領域の一部は前記ハンマーヘッド部分の下方に位置する。 - 特許庁

After a plurality of rows of contact nodes 22 are alternately formed on a memory substrate at a predetermined interval, a plurality of capacitor plates 50 are erected in a region ranging from the region with the contact nodes 22 formed to the region with no contact nodes 22 formed on the memory substrate in the direction parallel to the lengthwise direction of the contact nodes 22.例文帳に追加

メモリ基板上に複数列のコンタクトノード２２を所定の間隔で交互に形成させた後、複数のキャパシター用電極板５０を該コンタクトノード２２の名がて方向と平行する方向且つ、メモリ基板におけるコンタクトノード２２形成域からコンタクトノード２２非形成域までの領域に立設させる。 - 特許庁

In this case, the contact head has a probe contact capable of coming into contact with a specimen electrically, and the position of the probe contact arranged in a probe region 12 is determined by at least a guidance element 9 belong to the contact head.例文帳に追加

この場合、コンタクトヘッドは、被検体と電気的に接触可能なプローブ接点を有し、プローブ領域12に配分されたプローブ接点の位置が、コンタクトヘッドに属する少なくとも1つの案内要素9によって決められている。 - 特許庁

A contact hole 18 is bored in the interlayer insulating film 17, a groove 19 is cut in the region of the film 17 which includes the contact hole 18, and a contact plug 21 is filled in the contact hole 18 and the groove 19.例文帳に追加

層間絶縁膜１７にコンタクト孔１８を形成し、更にコンタクト孔１８の領域を含む溝１９を形成して、コンタクト孔１８及び溝１９にコンタクトプラグ２１を埋め込む。 - 特許庁

The contact 2 is detachably inserted into the chamber 7 in the longitudinal direction and a has a pressure contact end 8, a contact end 9 on the opposite side to the pressure contact end 8, and a central region 10 arranged between them.例文帳に追加

コンタクト２は、縦方向の室７内に取外し可能に挿入され、圧接端８、圧接端８の反対側の接触端９、及びこれらの間に配置された中央領域１０を具備する。 - 特許庁

In an RESURF-MOSFET 100 with an RESURF region 110 functioning as a field buffering region, atoms having n-type conductivity and nitrogen atoms are contained in at least one of the RESURF region 110, an n^+ type contact region 104s functioning as a source contact and an n^+ type contact region 104d functioning as a drain contact.例文帳に追加

電界緩和領域として機能するＲＥＳＵＲＦ領域１１０を備えたＲＥＳＵＲＦ−ＭＯＳＦＥＴ１００において、ＲＥＳＵＲＦ領域１１０と、ソース用コンタクトとして機能するｎ^＋型コンタクト領域１０４ｓと、ドレイン用コンタクトとして機能するｎ^＋型コンタクト領域１０４ｄとのうち少なくとも１つに、ｎ型の導電性を有する原子と窒素原子とを不純物として含ませる。 - 特許庁