「contact region」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

Thereafter, heat treatment is performed to cause shrinkage of the contact liner 513 in the N-channel region 201 to form an n-channel contact liner 518, and to cause expansion of the contact liner 513 in the P-channel region 202 to form a p-channel contact liner 519.例文帳に追加

その後、熱処理を加えてＮチャネル領域２０１内のコンタクトライナー５１３を収縮させてｎチャネルコンタクトライナー５１８を形成し、Ｐチャネル領域２０２内のコンタクトライナー５１３を膨張させてｐチャネルコンタクトライナー５１９を形成する。 - 特許庁

Further, a contact 20 which connects a pixel electrode 18 and a TFT of a TFT layer 12 to each other is arranged in a boundary region between the reflection region and a transmission region to eliminate adverse influence of the contact 20.例文帳に追加

また、反射領域と透過領域との境界領域に画素電極１８とＴＦＴ層１２のＴＦＴとを接続するコンタクト２０を配置することによって、コンタクト２０による悪影響を防止する。 - 特許庁

The anode region 18 surrounds part of the active region 4b, the cathode region 16 is brought into contact with the outer periphery of the anode region 18 and the outer periphery of the cathode region 16 is surrounded by the active region 4b in a plan view in the semiconductor substrate 13.例文帳に追加

半導体基板１３を平面視したときに、アノード領域１８は、活性領域４ｂの一部を囲んでおり、カソード領域１６は、アノード領域１８の外周に接しており、カソード領域１６の外周が活性領域４ｂによって囲まれている。 - 特許庁

The first core layer in a third region A3 disposed on the opposite side from the second region about the first region as a reference and coming into contact with the first region is removed to expose the end surface of the first core layer at a border between the first region and third region.例文帳に追加

第１の領域を基準として第２の領域とは反対側に配置され、第１の領域に接する第３の領域Ａ３内の第１のコア層を除去し、第１の領域と第３の領域との境界に第１のコア層の端面を露出させる。 - 特許庁

A semiconductor layer 1 has a first non-diffusion region 12 and a second non-diffusion region 13 respectively in contact with one width-direction end and the other width-direction end of a diffusion region 11 involving a source region 1s, a channel region 1ch and a drain region 1d.例文帳に追加

半導体層１は、ソース領域１ｓ、チャネル領域１ｃｈおよびドレイン領域１ｄを含む拡散領域１１の幅方向の一方端および他方端にそれぞれ接する第１非拡散領域１２および第２非拡散領域１３を有する。 - 特許庁

A region where an As ion implantation region 13 and a P ion implantation region 14 mixedly exist becomes an effective region of the resistor device, and contact regions 151, 152 are formed only in the portion of the As ion implantation region 13.例文帳に追加

Ａｓイオン注入領域１３とＰイオン注入領域１４の混在している領域が抵抗素子の有効領域となり、Ａｓイオン注入領域１３のみの部分でコンタクト領域１５１，１５２が形成されている。 - 特許庁

On this cathode film 24, a portion in contact with the n^--single crystal silicon substrate 29 is formed as a high-density n^+ buffer region 25, a p-base region 27 is formed next to this buffer region and an n^+ source region 26 is further formed next to this base region.例文帳に追加

このカソード膜２４において、ｎ^-単結晶シリコン基板２９と接触する部分が高濃度のｎ^+バッファ領域２５となり、その隣にｐベース領域２７を形成し、さらにその隣にｎ^+ソース領域２６を形成する。 - 特許庁

By the sound shielding material 15, a region in which the vibrating region of the surface material 3 does not contact with the outer surface of the room can be formed.例文帳に追加

この遮音材１５により、面材３の振動領域が室外表面と接しない領域を形成することができる。 - 特許庁

A base region 28 for an NPN transistor, and a gate contact region 29 for a J-FET element are formed simultaneously.例文帳に追加

ＮＰＮトランジスタのベース領域２８を形成すると同時的にＪ−ＦＥＴ素子のゲートコンタクト領域２９を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device where contact with a source region and a drain region of a thin film transistor is ensured.例文帳に追加

本発明は、薄膜トランジスタのソース領域やドレイン領域へのコンタクトを確実にした半導体装置を提供するものである。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that ensures contact to a source region and a drain region of a thin-film transistor.例文帳に追加

本発明は、薄膜トランジスタのソース領域やドレイン領域へのコンタクトを確実にした半導体装置を提供するものである。 - 特許庁

The dummy gate electrode 16c is electrically connected to a p-type impurity region 19 of the substrate contact region Rsub.例文帳に追加

そして、ダミーゲート電極１６ｃを基板コンタクト領域ＲｓｕｂのＰ型不純物領域１９と電気的に接続する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein contact with the source region and the drain region of a thin film transistor surely is ensured.例文帳に追加

本発明は、薄膜トランジスタのソース領域やドレイン領域へのコンタクトを確実にした半導体装置を提供するものである。 - 特許庁

Moreover, in the second region 3b, a contact plug 4 is made to connect the source/drain region 2 with the source/drain wiring is made.例文帳に追加

また、第２部分３ｂには、ソース・ドレイン領域２とソース・ドレイン配線とを接続するためのコンタクトプラグ４が形成されている。 - 特許庁

A P-type substrate contact region 115a is formed under a diffusion layer of the N-type low concentration source region 105b.例文帳に追加

また、Ｎ型低濃度ソース領域１０５ｂの拡散層の下側にＰ型基板コンタクト領域１１５ａが形成されている。 - 特許庁

A radius of the large diametrical region 62 is larger than length of a radius of the contact region 61 with thickness of the carrier belt 8 added to it.例文帳に追加

大径領域６２の半径は、当接領域６１の半径に搬送ベルト８の厚さ分を加えた長さよりも大きい。 - 特許庁

An electric conduction region (13) comprising a sensor element surface (14) and an electric contact surface (15) is placed together with an insulating region (17).例文帳に追加

センサーエレメント表面（１４）と電気接触面（１５）を有する電気伝導領域（１３）が、絶縁領域（１７）とともにある。 - 特許庁

An n+ type contact region 2 is formed on the side surface of the trench 22 which leads to the n+ type source region 104.例文帳に追加

トレンチ溝２２の側面には、ｎ＋型コンタクト領域２が形成され、これはｎ＋型ソース領域１０４に繋がっている。 - 特許庁

The guard ring region 11a is formed so that its end is brought into contact with a main junction region 12 and to have the same depth.例文帳に追加

ガードリング領域１１ａを、その端部が主接合領域１２と接するようにかつ同じ深さを持つように形成する。 - 特許庁

Since a contact hole 11 is moved into a trench separation region 8 due to misalignment, the trench separation region 8 is also etched.例文帳に追加

アライメントずれによってコンタクト孔１１がトレンチ分離領域８にかかっているため、トレンチ分離領域８もエッチングされる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is surely in contact with a source region and a drain region of a thin film transistor.例文帳に追加

本発明は、薄膜トランジスタのソース領域やドレイン領域へのコンタクトを確実にした半導体装置を提供するものである。 - 特許庁

Trenches 6 that contact the n^+ source region 4, and penetrate the p-well regions 3 to reach the n^- drift region 2 are provided.例文帳に追加

また、ｎ^+ソース領域４に接し、かつｐウェル領域３を貫通し、ｎ^-ドリフト領域２に達するトレンチ６が設けられている。 - 特許庁

Then, ion implantation and thermal treatment (annealing) are executed through the contact hole 7, and a source region 8 and a drain region 9 are formed.例文帳に追加

次に、コンタクトホール７を介してイオン注入・熱処理（アニーリング）し、ソース領域８及びドレイン領域９を形成する。 - 特許庁

A base electrode 5 and an emitter electrode 6 are provided in contact with the respective base region 3 and emitter region 4.例文帳に追加

このベース領域３およびエミッタ領域４にそれぞれコンタクトしてベース電極５およびエミッタ電極６が設けられている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device where contact with a source region and a drain region of a thin film transistor surely is ensured.例文帳に追加

本発明は、薄膜トランジスタのソース領域やドレイン領域へのコンタクトを確実にした半導体装置を提供するものである。 - 特許庁

Then, contact holes 4 are formed which are extended through the n^+-type region 18 to the middle in the thickness direction of the channel region 14.例文帳に追加

次に、Ｎ^＋領域１８を貫通してチャネル領域１４の厚さ方向途中に至るコンタクトホール４が形成される。 - 特許庁

Then, a mask layer 41 having an opening 40 is so formed on the region surrounded by the gate contact region 29 as to form an N-type channel region 33 and a top gate region 34 through the opening 40.例文帳に追加

ゲートコンタクト領域２９で囲まれた領域上に、開口部４０を有するマスク層４１を形成し、該開口部４０を通してＮ型のチャネル領域３３とトップゲート領域３４を形成する。 - 特許庁

The impurity region Ap for the function element is electrically connected to the impurity region An for the power supply potential through the conductive layer PCL for contact formed straddling the impurity region Ap for the function element and the impurity region An for the power supply potential.例文帳に追加

上記機能素子用不純物領域Ａｐと電源電位用不純物領域Ａｎとをまたぐように形成されるコンタクト用導電層ＰＣＬを通じて電気的に接続される。 - 特許庁

A region in contact with the bump within the conductive layer has a flat central region 12a and an outer region 12b forming a tilt, and the tilt has a negative angle toward the central region.例文帳に追加

前記導電層のうち、前記バンプと接する領域は、平坦な中央域１２ａと、傾斜をなす外領域１２ｂとから構成され、前記傾斜は、前記中央域に向けて負の角度を有する。 - 特許庁

A mask layer having an opening is formed on a region surrounded by the gate contact region 29, and an N-type channel region 33 and a top gate region 34 are formed through the opening.例文帳に追加

ゲートコンタクト領域２９で囲まれた領域上に、開口部４０を有するマスク層４１を形成し、該開口部４０を通してＮ型のチャネル領域３３とトップゲート領域３４を形成する。 - 特許庁

Then, when a first region R1 is brought into contact with the first region L1 as indicated by Mark 5B, slipping is generated between the first region R1 and the first region L1, and the container 20 stops rotating.例文帳に追加

そして符号５Ｂに示すように、第１領域Ｒ１が第１領域Ｌ１に接触すると、第１領域Ｒ１と第１領域Ｌ１との間で滑りが生じ、容器２０は回転を停止する。 - 特許庁

An n-type semiconductor layer 3, p^+-well region 5, n^++-type source region 6, p^++-type base contact region 7 are formed surrounding the n^++-type drain region 4 in a flat plane.例文帳に追加

平面形状において、ｎ形半導体層３、ｐ^＋形ウェル領域５、ｎ^＋＋形ソース領域６、ｐ^＋＋形ベースコンタクト領域７がｎ^＋＋形ドレイン領域４を囲むように形成されている。 - 特許庁

In an element formation region 9 surrounded by the deep trench 6, a P type drain buffer region 10, a drain contact region 11 and a drift region 12 are formed in the top layer of the epitaxial layer 5.例文帳に追加

ディープトレンチ６に取り囲まれる素子形成領域９には、エピタキシャル層５の表層部に、Ｐ型のドレインバッファ領域１０、ドレインコンタクト領域１１およびドリフト領域１２が形成されている。 - 特許庁

At a part where the source region NS and the source region PS adjoin each other, one contact hole 291 is formed and the source region NS and the source region PS are connected with a capacitor electrode 29 simultaneously.例文帳に追加

ソース領域ＮＳとソース領域ＰＳとの隣接部分には、１つのコンタクトホール２９１が形成されて、ソース領域ＮＳとソース領域ＰＳとが、同時に容量電極２９と接続されている。 - 特許庁

Additionally, an n diffusion region 4 is formed adjacent to the p diffusion region 3, and a source electrode 11 is formed in contact with both the surfaces of the n diffusion region 4 and the p diffusion region 3.例文帳に追加

また、ｐ拡散領域３と隣接してｎ拡散領域４が形成され、このｎ拡散領域４とｐ拡散領域３との双方の表面に接触してソース電極１１が形成される。 - 特許庁

After that, when a second region R2 is brought into contact with the second region L2 as indicated by Mark 5D, slipping is generated between the second region R2 and the second region L2, and the container 20 stops rotating.例文帳に追加

その後、符号５Ｄに示すように、第２領域Ｒ２が第２領域Ｌ２に接触すると、第２領域Ｒ２と第２領域Ｌ２との間で滑りが生じ容器２０は回転を停止する。 - 特許庁

When a channel region is not formed immediately under the gate electrode 7, the entire N^- type drain region 1 is depleted by a contact between the N^- type drain region 1 and the hetero semiconductor region 4.例文帳に追加

ゲート電極７直下にチャネル領域が形成されないときに、Ｎ^-型ドレイン領域１がヘテロ半導体領域４と接することによりＮ^-型ドレイン領域１の全域が空乏化される。 - 特許庁

A semi-insulative region 6c is formed at a region directly below or almost immediately below a contact 7c in a pn junction surface 20 between a first conductivity type region 5 and a second conductivity type region 8.例文帳に追加

第一導電型領域５と第二導電型領域８とのｐｎ接合面２０内の、コンタクト部７ｃの直下領域又は概ね直下領域に半絶縁性領域６ｃを備える。 - 特許庁

At least part of a contact between a first chip region and a second chip region is positioned so as to function as a heat shield between the first chip region and the second chip region.例文帳に追加

第１のチップ領域と第２のチップ領域との間のコンタクトの少なくとも一部が、第１のチップ領域と第２のチップ領域との間で熱遮蔽部として機能するように配置される構成。 - 特許庁

The first contact C1 is provided in the active region SDG, having a width wider than that of the wiring M2 farther inside by a margin Z of the first contact and the active region, and a contact plug 6 is buried at an opening part.例文帳に追加

第１のコンタクトＣ１は、配線Ｍ２よりも幅の広い活性領域ＳＤＧ内に、第１のコンタクトと活性領域との余裕Ｚだけ内側に設けられ、開口部にコンタクトプラグ６が埋設されている。 - 特許庁

The electrical fuse 101 is configured so that the silicide layer 104, after disconnection, is excluded from a region right under the second metal contact 112 and from a region between the second metal contact 112 and the first metal contact 108.例文帳に追加

電気ヒューズ１０１は、切断後に、シリサイド層１０４が、第２の金属コンタクト１１２直下および第２の金属コンタクト１１２と第１の金属コンタクト１０８との間の領域に存在しない構成となる。 - 特許庁

An embedded base contact 128 is formed, and a base 138 is formed in a well region.例文帳に追加

埋込みベース接点１２８が形成され、ベース１３８が井戸領域に形成される。 - 特許庁

JOINING DEVICE FOR APPLYING ADHESIVE TO BACK OR CONTACT REGION OF PASSING BOOK BLOCK例文帳に追加

通過するブックブロックの背部または接触領域に接着剤を塗布する接合装置 - 特許庁

A silicon oxide film is formed in a contact region of a silicon substrate by a LOCOS method first.例文帳に追加

まず、ＬＯＣＯＳ法によりシリコン基板のコンタクト領域に酸化シリコン膜を形成する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING CONTACT PAD ESPECIALLY TO TRANSISTOR ELECTRODE IN IC REGION例文帳に追加

集積回路の領域に、特にトランジスタの電極にコンタクト・パッドを生成するための方法 - 特許庁