「contact region」に関連した英語例文の一覧と使い方(48ページ目) - Weblio英語例文検索

Since the lead wire 46 is connected to the lead wire connection part 17 of the lead frame 10 before the lead frame 10 is arranged in an insulating contact member 82 in the manufacturing method of a total region air-fuel ratio sensor 2, the lead frame 10 is not concealed in the insulating contact member 82 in the connection work of the lead wire 46 and the lead frame 10.例文帳に追加

全領域空燃比センサ２の製造工程では、リードフレーム１０を絶縁コンタクト部材８２の内部に配置する前に、リード線４６をリードフレーム１０のリード線接続部１７に接続するため、リード線４６とリードフレーム１０との接続作業において、リードフレーム１０が絶縁コンタクト部材８２の内部に隠れない。 - 特許庁

For the logic part of a logic-DRAM mixed LSI, a plurality of contact holes 11a-11c, which reach the n+-type semiconductor layer constituting a source, and a plurality of contact holes 11d-11f, which reach the n+-type semiconductor region constituting a drain, are opened in the insulating layer made on the gate electrode 5 of a MISFET.例文帳に追加

ロジック−ＤＲＡＭ混載ＬＳＩのロジック部は、ＭＩＳＦＥＴのゲート電極５の上層に形成された絶縁層に、ソースを構成するｎ^+型半導体領域に達する複数のコンタクトホール１１ａ〜１１ｃと、ドレインを構成するｎ^+型半導体領域に達する複数のコンタクトホール１１ｄ〜１１ｆとが開孔される。 - 特許庁

Considering that a quadrupedal animal is likely to move in a direction where the head region exists rather than a middle part, when at least the part of the move prediction area, arranged in the direction toward which the quadrupedal animal moves, is overlapped with the first contact determining area, there is a good possibility that the vehicle and the object contact is high.例文帳に追加

四足動物が移動する方向は、胴部に対して頭部が存在している側である可能性が高いことに鑑みて、四足動物が移動する方向に設けられる移動推定領域の少なくとも一部が第１の接触判定領域に重なれば、車両と対象物とが接触する可能性が高い。 - 特許庁

In the diaper 1, the side flaps 6 of the front girth region 2 are formed from a composite nonwoven fabric 17 wherein a first fiber nonwoven fabric positioned on a skin non-contact side and a second fiber nonwoven fabric positioned on a skin contact side are overlapped with each other and the coefficient of dynamic friction of the first fiber nonwoven fabric is higher than that of the second fiber nonwoven fabric.例文帳に追加

おむつ１では、前胴周り域２のサイドフラップ６が肌非当接側に位置する第１繊維不織布と肌当接側に位置する第２繊維不織布とを重ね合わせた複合不織布１７から形成され、第１繊維不織布の動摩擦係数が第２繊維不織布の動摩擦係数よりも高い。 - 特許庁

The insulation eliminating contact part 104 and the connector body 106 are substantially flush with each other and both of them are parallel with a plane on which the holding region 102 is formed.例文帳に追加

第３のビームは、２本の保持ビームに実質的にに平行に配設されており、標準的な垂直力と、その上に形成された接触界面領域上に選択的に金メッキを施した接触面を提供する。 - 特許庁

A contact area can be increased by forming a silicide layer 9 divided into stripes in order to reduce an interface resistance between a source/ drain resistance, particularly between the silicide layer 9 and impurity diffusing region 8.例文帳に追加

ソース／ドレイン抵抗とくにシリサイド層９と不純物拡散領域８部分との界面抵抗を低減させるためにシリサイド層９をストライプ状に分割して形成することにより接触面積を増大させる。 - 特許庁

A mesh 7 is disposed in the tank 1 so that the solid salt does not come into direct contact with a concentration sensor 8, which is installed together with a water level sensor 9 in the region surrounded by the mesh 7.例文帳に追加

固形状の塩と濃度センサ８とが直に接触しないようにするためにメッシュ７が塩水槽１内に設置され、このメッシュ７で囲まれた領域内に濃度センサ８と水位センサ９とが設けられている。 - 特許庁

An excess region 10b in which a device 10a installed in the periphery of the surface of a workpiece 10 is not formed is held in contact by means of an annular holding face 21a installed in the holder 21 of a holding means 20.例文帳に追加

保持手段２０の保持部２１に設けられた環状の保持面２１ａにより、ワーク１０の表面の周縁部に設けられたデバイス１０ａが形成されていない余剰領域１０ｂを接触保持する。 - 特許庁

To solve the problem, wherein conventional methods of manufacturing a semiconductor element invite high manufacturing cost related to a mask or reticles and failures in adjustment between photolithographic processes of a capacitor, an active region, a transistor and a bit line contact.例文帳に追加

従来の半導体素子の形成方法では、マスクまたはレチクルに関連する高製造コストを招き、コンデンサ、活動領域、トランジスタおよびビット線コンタクトのフォトリソグラフィープロセスの間で調整不良が生じる。 - 特許庁

Thereafter, the transfer layer remaining on the transfer unnecessary region to become foil burr 3 or bridge 4 is brought into contact with a low temperature fluid using liquid nitrogen or the like to be made fragile and broken to be removed.例文帳に追加

この後、転写不要領域上に残留して箔バリ３やブリッジ４となった転写層を、液体窒素等を用いた低温流体に接触させて冷却し脆化させ、そして破断させて除去する。 - 特許庁

An alternating current signal is applied between the electrodes 11a and 11b, and the contact of the tip of the finger with the device worn thereon with any other body region causes a current flow through a current measurement point of the current sensor 13.例文帳に追加

電極１１ａ，１１ｂ間には、交流信号が印加されており、本装置が装着された指の先端が、他の身体部位に接触すると、電流センサ１３による電流計測地点には、電流が流れる。 - 特許庁

The Hall element 20 is covered with a thin first insulating film 13, and on the thin first insulating film 13, a first metal layer 15 covering a region 11A between the pair of contact parts 12A, 12B is formed.例文帳に追加

ホール素子２０は薄い第１の絶縁膜１３に覆われており、その第１の絶縁膜１３上には、１対のコンタクト部１２Ａ，１２Ｂの間の領域１１Ａを覆う第１の金属層１５が形成されている。 - 特許庁

Each trench 5 extends in the column direction Y and a plurality of arcuate parts 11 are connected to meander such that a fixed clearance D is provided between adjoining trenches 5 and between the trench 5 and the body contact region 9.例文帳に追加

各トレンチ５は、列方向Ｙに延び、隣り合うトレンチ５間およびボディコンタクト領域９との間にそれぞれ一定間隔Ｄが生じるように、複数の弧状部１１を連結した蛇行状をなしている。 - 特許庁

A bonding region (62) of each lead is urged downward, by engaging a tool (60) with a contact (54) on a chip, while a first or base end (38) of the lead is attached to and held by a dielectric layer structure.例文帳に追加

各リードのボンディング領域（６２）は、ツール（６０）をチップの接点（５４）と係合させることにより下方へ付勢され、一方、リードの第１の端部即ち基端部（３８）は誘電体層構造体に取着保持される。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit by which unwanted contacts are reduced, a region of metal wires required for a dual via is secured easily, issues about contact in semiconductor manufacturing processes are solved, and increase in the resistance value is suppressed.例文帳に追加

不要なコンタクトを減らして、デュアルビアに必要な金属線の領域確保を容易にし、半導体製造工程におけるコンタクトイシューを解決し、抵抗値の増加を抑える半導体集積回路を提供する。 - 特許庁

In the p-type channel FET region 3, a buffer layer 15 being in contact with a bottom surface of a channel layer 16 has a single-layer structure which is constituted of only a second buffer layer 15B having a wider bandgap than the channel layer 16.例文帳に追加

ｐ型チャネルＦＥＴ領域３において、チャネル層１６の下面に接するバッファ層１５が、チャネル層１６よりも広いバンドギャップを有する第２バッファ層１５Ｂだけで構成された単層構造となっている。 - 特許庁

In the disc wheel having a disc 12 being fixed to an axle hub and a rim 2 for supporting a tire, a rubber elastic body 3 is mounted on the working face region with which the axle hub is brought into contact.例文帳に追加

車軸ハブに固着されるディスク１と、タイヤを支承するリム２とを備えたディスクホイールにおいて、ディスク１の、前記車軸ハブが当接される当たり面領域にゴム弾性体３が装着されている。 - 特許庁

In the wiring of a pixel position disposed on the right side (+X side) from the center of the imaging region, a contact part 31 and a wiring 32 are disposed on the right side and a vertical signal line 28 is disposed on the left side.例文帳に追加

また、撮像領域の中心から右側（＋Ｘ側）に配置される画素位置の配線では、コンタクト部３１及び配線３２が右側に配置され、垂直信号線２８が左側に配置されている。 - 特許庁

On the other hand, a current which flows in the axial direction of the current transformer is generated in the K-domain, and a large current value is measured when a finger fitted to the detector is in contact with the other body region.例文帳に追加

一方、検知装置装着指が他の身体部位に接触されている場合には、領域Ｋに、電流トランスの軸方向を流れる電流が発生し、電流計測値が大きな値を採ることになる。 - 特許庁

A lens array 11 is positioned in an optical axis direction, in such a manner that a lens forming surface is fixed to the region being not in contact with the first surface A of the holder 12, of the main surface of the frame-like metal plate 10.例文帳に追加

レンズアレイ１１は、レンズ成形面が枠状金属板１０の主面のうち、ホルダ１２の第一面Ａと当接していない領域に固定されることによって光軸方向に対して位置決めされている。 - 特許庁

The film mask 1 is scanned by the imaging part 3 while the periphery of the scanning position on the film mask 1 is closely brought into contact with the placing table 2 to photograph the inspection region of the film mask 1.例文帳に追加

走査位置の近傍に噴出された空気により、フィルムマスク１上の走査位置周辺を載置テーブル２に密着させながら、撮像部３によりフィルムマスク１を走査してフィルムマスク１の検査領域を撮像する。 - 特許庁

Accordingly, when the laser beam L is emitted, a surface 11a of the resin member 11 and a surface 12a of the resin member 12 closely contact with each other at the jointing-scheduled region 13 and are jointed to each other by intermolecular force.例文帳に追加

従って、レーザ光Ｌが照射された際に、樹脂部材１１の表面１１ａと樹脂部材１２の表面１２ａとが接合予定領域１３において密着し、分子間力によって接合される。 - 特許庁

Each of the contact pieces 14 extends in a projecting curve at the opposite surface 20a on the corresponding main sidewall 20, is connected at one end thereof to an upper end region of the main sidewall 20, and is connected at the other end thereof to the bottom wall 19.例文帳に追加

各接触子１４は、対応の主側壁２０の対向面２０ａ上に凸状に湾曲して延び、一端で主側壁２０の上端領域に連結されるとともに他端で底壁１８に連結される。 - 特許庁

The superposed part 12 has, in a region including a part to be welded (planned welding zone), a curved section 22 in which the upper and lower plates 30, 40 are bent in a ridge shape in a close contact state to each other.例文帳に追加

その重ね合わせ部１２は、溶接しようとする部位（溶接予定部位）を包含する部分に、上板３０と下板４０とが互いに密接した状態で畝状に湾曲した湾曲部２２を有する。 - 特許庁

The release projection 21 is formed to be higher than the operation projection 28, and the release projection 21 pushes up the control pin 29 to bring the control pin 29 and the operation projection 28 in non-contact in a region where both of them are overlapped.例文帳に追加

解除突起２１は操作突起２８よりも高く形成し、両者がオーバーラップする領域では解除突起２１が制御ピン２９を押し上げて制御ピン２９と操作突起２８を非接触にする。 - 特許庁

To restrain removal of an isolation insulating film of a memory cell array region in an MOS-type semiconductor memory device, set an overlap between an isolation insulating film and a contact pad minimum, and restrain increase of a chip area.例文帳に追加

ＭＯＳ型半導体記憶装置においてメモリセルアレイ領域の素子分離絶縁膜が掘れるのを抑制し、素子分離絶縁膜とコンタクトパッドとのオーバーラップを最少に設定し、チップ面積の増大を抑制する。 - 特許庁

To reduce the aspect ratio of a contact hole formed in an insulating layer in the forming region of a transfer device, in a substrate on which two kinds of semiconductor devices of the transfer device and a film forming device are formed in a mixed state.例文帳に追加

転写デバイスおよび成膜デバイスの２種類の半導体デバイスが混在して形成される基板上において、転写デバイスの形成領域の絶縁層に形成されるコンタクトホールのアスペクト比を抑制する。 - 特許庁

The gate insulator 10 has a thick film portion 24 thicker than a part above the channel region in the gate-length direction at least in part where the gate insulator is in contact with the boundary surface of the body layer 4 at the end in the gate-width direction.例文帳に追加

また、ゲート絶縁膜１０は、ゲート幅方向端部におけるボディ層４の境界面と接する少なくとも一部に、ゲート長方向のチャネル領域上部よりも膜厚が厚い厚膜部２４を有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film semiconductor device which makes it possible to form a good silicide/silicon interface, to form a low resistance source, drain region, and a contact, and to form an abrupt impurity distribution.例文帳に追加

良好なシリサイド／シリコン界面の形成、低抵抗のソース・ドレイン領域及びコンタクトの形成、及び急峻な不純物分布の形成を可能とする薄膜半導体素子を製造する方法を提供する。 - 特許庁

A part of an insulating layer 25 defining a contact region between the second conductive layer 24 and the piezoelectric material layer 23 is interposed between the second pad 24c and the piezoelectric material layer 23 in the thickness direction of the device substrate 10.例文帳に追加

第２導電層２４と圧電材料層２３との接触領域を規定する絶縁層２５の一部が、デバイス基板１０の厚み方向において第２パッド２４ｃと圧電材料層２３との間に介在している。 - 特許庁

To provide a multiple layer pipe for transportation of a liquid especially a gasoline made by using a polyamide as a base with each layer formed in order as shown below from the outside to the inside in the radius direction in which the layers are adhered each other at the contact region.例文帳に追加

外側から内側へ向かって半径方向に下記層を下記順序で有し、各層は各接触領域で互いに接着しているポリアミドをベースにした流体輸送、特にガソリン輸送用多層管。 - 特許庁

In the wiring of a pixel positiondisposed on the left side (-X side) from the center of the imaging region, a contact part 31 and a wiring 32 are disposed on the left side, and a vertical signal line 28 is disposed on the right side.例文帳に追加

そして、撮像領域の中心から左側（−Ｘ側）に配置される画素位置の配線では、コンタクト部３１及び配線３２が左側に配置され、垂直信号線２８が右側に配置されている。 - 特許庁

A heat conducting member having higher thermal conductivity than that of a material constituting a reticle 10 is disposed in contact with a transparent substrate 12 of the reticle 10 in an exposure light irradiation region irradiated with the exposure light to expose a wafer.例文帳に追加

ウエハを露光する露光光により照射される露光光照射領域に、レチクル１０を形成する材質よりも熱伝導率の高い熱伝導部材を、レチクル１０の透明基板１２に密着して設置する。 - 特許庁

Thus, the bump 4a penetrates the insulating layer 7, and the plastic region 4b on the tip part is plastic deformed at a contact surface with the electrode 2a, so that the bump 4a and the electrode 2a are electrically connected.例文帳に追加

これにより、突起部４ａが絶縁層７を貫通するとともに、先端部の塑性領域４ｂが電極２ａとの接触面で塑性変形し、突起部４ａと電極２ａとが電気的に接続される。 - 特許庁

Laser beam from a laser beam generating element 10 is emitted from the distal end of an optical conductor 13 to an irradiated region 20 without contact via an optical conductor 11 and a hand-piece 12, etc., and the laser beam reflected from the distal end of the optical conductor 13 is detected by a reflected laser beam detecting means 15.例文帳に追加

レーザ光発生素子１０からのレーザ光は、光導体１１，ハンドピース１２等を通り、光導体１３の先端から、被照射部位２０に対して非接触にて照射される。 - 特許庁

The fluid channel region 12a intermittently or directly coming into contact with the heat source 30 is provided with at least two heat exchange regions 13a, 13b partitioned in the circulation direction of a fluid.例文帳に追加

熱源３０に間欠的に又は直接的に接触された流体チャネル領域１２ａには、流体の流通方向に区画形成された少なくとも２つの熱交換領域１３ａ，１３ｂが設けられている。 - 特許庁

When the device body 10 of the socket structure is positioned to the second positioning part 73 of the containing region 71, a protruding part 6 provided to the bottom part of a socket body 2 is pressed into a hole of the contact board 21.例文帳に追加

ソケット構造の装置本体１０が、収納領域７１の第２の位置決め部７３に位置決めされると、ソケット本体２の底部に設けられている凸部６が、接点ボード２１の穴に圧入される。 - 特許庁

A high temperature cooling circuit 2 is disposed in a region close to a molded product contact face 4, and steam at a temperature not lower than a glass transition point of the resin is made to flow through the high temperature cooling circuit 2 before injection of the resin.例文帳に追加

成形品接触面４と近い部分に高温度冷却回路２を配置し、樹脂を射出するより前に高温度冷却回路２に樹脂のガラス転移点以上である温度のスチームを流す。 - 特許庁

In the wiping, the tip of main wiper located in the position separated from the surface of conveyance belt comes into contact with the clean region, thereafter the tip concerned is made to move relatively while contacting the surface of the conveyance belt.例文帳に追加

ワイピングでは、搬送ベルトの表面から離隔した位置にあるメインワイパの先端をクリーン領域に接触させた後、当該先端を搬送ベルトの表面に接触させながら相対的に移動させる。 - 特許庁

At least a part 332b of the region which is not in contact with a power generation body 111 of a recessed molded part in the lower film 332 is formed beforehand in a shape swollen to the outside direction of the battery, initially before reduced-pressure sealing.例文帳に追加

下部フィルム３３２における凹型成形部の発電体１１１と接しない領域の少なくとも一部３３２ｂを、減圧封止前の当初、電池外側方向に膨らんだ形状に予め成形する。 - 特許庁

Since the contact conductors 15 and 16 for connecting the wiring layers separated by two layers or longer are arranged in one direction, a forbidden region 17 formed at the intermediate wiring layer L2 is reduced.例文帳に追加

本発明によれば、２層以上離れた配線層間を接続するコンタクト導体１５，１６が一方向に配列されていることから、中間の配線層Ｌ２に形成される禁止領域１７が小さくなる。 - 特許庁

A ZnO film 8 being a solid-phase diffusion source is formed on an entire surface on a p-type GaN contact layer 7, and thereafter a SiO_2 film 20 being a diffusion suppression film is formed in a predetermined region on the ZnO film 8.例文帳に追加

ｐ型ＧａＮコンタクト層７上の全面に固相拡散源であるＺｎＯ膜８を形成した後、ＺｎＯ膜８上の所定領域に拡散抑制膜であるＳｉＯ_２膜２０を形成する。 - 特許庁

In other words, dummy contact holes Dc are formed along the scanning line 83 as a first light shielding film in a dummy region and take on the role of reducing the strength of a foundation insulating film 12 in the vicinity of the scanning line 83.例文帳に追加

換言すれば、ダミーコンタクトホールＤｃは、ダミー領域における第１遮光膜としての走査線８３に沿って形成されており、走査線８３近傍の下地絶縁膜１２の強度を下げる役割を荷っている。 - 特許庁

An ohmic contact is secured by forming the electrode 20 on the n-type nitride semiconductor layer 26, and a pn junction is short-circuited by interposing the low resistance region 24 to suppress the rise of operation voltage.例文帳に追加

ｎ型窒化物系半導体層２６上に電極２０を形成することでオーミックコンタクトを確保し、低抵抗領域２４を介在させることでｐｎ接合をショートさせ、動作電圧の上昇を抑制する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of so forming the connection surface of a connection electrode that it does not lie off the formation region of metal wiring in a contact for conductive connection between wires.例文帳に追加

配線間を導通接続するコンタクト部において、接続電極の接続面が金属配線の形成領域からはみ出ることなく形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁