「cell selection」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

In a phase change memory cell MC, a write voltage is transmitted from a write voltage generation circuit 24 to a bit line BL to which a selection memory cell MC is connected, and then a word line WL is driven to a selection state to supply a write current to the memory cell.例文帳に追加

相変化メモリセル（ＭＣ）において、選択メモリセル（ＭＣ）が接続されるビット線（ＢＬ）に、書込電圧を書込電圧発生回路（２４）から伝達した後、ワード線（ＷＬ）を選択状態へ駆動し、書込電流をメモリセルに供給する。 - 特許庁

Then the downlink scheduler 20 uses a coding frame selection stage 36 to encode a data cell from a cell switch 22 and transmits the coded data cell to a downlink modulator 24 via the selected retail connection.例文帳に追加

そして、ダウンリンク・スケジューラ２０は、セル・スイッチ２２からのデータ・セルをにコーディング・フレーム選択ステージ３６でコーディングし、そして、選択されたレテイル接続を介してダウンリンク変調器２４に送る。 - 特許庁

The gate wirings (PGo, PGe) of the selection transistors of the memory cells are arranged corresponding to each memory cell line.例文帳に追加

メモリセルの選択トランジスタのゲート配線（ＰＧｏ，ＰＧｅ）は、各メモリセル行に対応して配置される。 - 特許庁

In a mobile communication system of the invention, a mobile terminal determines mobile state information indicating the mobile state of the mobile terminal based on the number of times of cell selection performed in a certain period, and performs cell selection based on the mobile state information and a parameter for controlling cell selection notified by a base station.例文帳に追加

本発明に係る移動体通信システムにおいて、移動端末はある一定期間にセル選択を行ったセル選択回数に基づいて移動端末の移動状態を示す移動状態情報を決定し、この移動状態情報と基地局から通知されたセル選択を制御するパラメータに基づいてセル選択を行う。 - 特許庁

The transistor for selection selects (n) pieces (n≥2) of the same column out of the plurality of cell transistors.例文帳に追加

上記選択用トランジスタは、上記複数のセルトランジスタのうちの同一列のｎ個（ｎ≧２）を選択する。 - 特許庁

To reduce a layout area of a memory cell comprising two selection transistors and one resistive storage element.例文帳に追加

２つの選択トランジスタと１つの抵抗性記憶素子から成るメモリセルのレイアウト面積を縮小する。 - 特許庁

A memory layer selection part 26 selects one of the two memory cell arrays of different types.例文帳に追加

メモリ層選択部２６は、互いに異なる種類の２つのメモリセルアレイのいずれか一方を選択する。 - 特許庁

The pointer P is moved into the input cell 31, and the right button is clicked to display a command selection box 31B.例文帳に追加

入力セル３１内にポインタＰを移動して右クリックし、コマンド選択ボックス３１Ｂを表示する。 - 特許庁

Each memory cell includes two memory elements connected to the coincidence line, and a selection line connected there.例文帳に追加

各メモリ・セルは、一致ラインに結合された二つのメモリ素子と、そこに結合された選択ラインとを含む。 - 特許庁

Each of the reading selection gates 65 is disposed outside from the bit line driver 50 for the memory cell array 10.例文帳に追加

読出選択ゲート６５は、メモリセルアレイ１０に対して、ビット線ドライバ５０よりも外側に配置される。 - 特許庁

The rewritable non-volatile memory cell 1 has a selection transistor 10 and a data storage element 20.例文帳に追加

書換え可能な不揮発性メモリセル１は、選択トランジスタ１０とデータ記憶素子２０とを備えている。 - 特許庁

On a gate of read selection switch SW of the reference cell, a read word line RWL(ref) is connected.例文帳に追加

レファレンスセルのリード選択スイッチＳＷのゲートには、リードワード線ＲＷＬ（ｒｅｆ）が接続される。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device is provided with a memory cell array 2, selection parts 3 and 4, and writing parts 5 and 6.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、メモリセルアレイ２と、選択部３，４と、書込み部５、６とを具備する。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory device in which deterioration in data of a non-selection cell can be suppressed.例文帳に追加

非選択セルのデータ劣化を抑制することを可能とした強誘電体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

In a memory cell array, memory cells in which a ferroelectric capacitor and a selection transistor are connected in series are arranged.例文帳に追加

メモリセルアレイは、誘電体キャパシタと選択トランジスタを直列接続してなるメモリセルを配列してなる。 - 特許庁

A synthesis/copy processing section 302 applies selection synthesis processing or copy processing to a read ATM cell.例文帳に追加

合成／コピー処理部３０２は、読み出されたＡＴＭセルの選択合成処理またはコピー処理を行う。 - 特許庁

The first electrode 6 is formed simultaneously with a gate electrode 4 of a MISFET Qs for memory cell selection.例文帳に追加

第１電極６は、メモリセル選択用ＭＩＳＦＥＴＱｓのゲート電極４と同時に形成される。 - 特許庁

In preferable embodiment, when distance between the selection cell transistor and the circuit (10) generating program voltage is a first distance, a source potential of the selection cell transistor is made to be a first potential, when it is a second distance being longer than the first distance, a source potential of the selection cell transistor is controlled to the second potential being lower than the first potential.例文帳に追加

好ましい実施例では，選択セルトランジスタとプログラム電圧発生回路(10)との間が第１の距離の時に，当該選択セルトランジスタのソース電位を第１の電位にし，第１の距離より長い第２の距離の時に，選択セルトランジスタのソース電位を第１の電位より低い第２の電位に制御する。 - 特許庁

The selection of the first load is performed within a range needing no large-scaled solar cell 3.例文帳に追加

なお、第１負荷の選定にあたっては、大型の太陽電池３が必要とならない範囲に止める。 - 特許庁

That is, an address comparator circuit 3 and a column decoder 4 or the like (a selection means) are used to select the memory cell whose address is stored in the register 1 to be a start memory cell for the succeeding verification.例文帳に追加

更に、この記憶手段にアドレスが記憶されたメモリセルを次のプログラムベリファイにおける開始メモリセルとする選択手段が設けられている。 - 特許庁

A memory cell 51 has at least a memory capacitor 52 and a selection transistor 12 which are intrinsically formed in a region of a rectangular cell region 59.例文帳に追加

該メモリセル５１は、少なくとも本質的に矩形セル領域５９の領域内に形成される記憶コンデンサ５２および選択トランジスタ１２を有する。 - 特許庁

To provide a MRAM memory cell array in which writing having high stability and reliability is realized suppressing a semi-selection error of the memory cell to the minimum.例文帳に追加

メモリセルの半選択エラーを最小限に抑えつつ、安定性および信頼性の高い書き込みを実現したＭＲＡＭメモリセルアレイを提供すること。 - 特許庁

Further, the nonvolatile semiconductor storage device includes a cell transistor CT formed in the element region 10 and a selection transistor ST for selecting the cell transistor CT.例文帳に追加

また、素子領域１０に形成されたセルトランジスタＣＴとこのセルトランジスタＣＴを選択するための選択トランジスタＳＴとを含むメモリセルＭＣを備える。 - 特許庁

DYE-SENSITIZED SOLAR CELL, CELL DESIGN SYSTEM BASED ON SELECTION METHOD OF SENSITIZED DYE, AND ESTIMATION METHOD OF PHOTOINDUCED ELECTRON TRANSFER SPEED AT SEMICONDUCTOR INTERFACE例文帳に追加

色素増感太陽電池、増感色素の選定方法および半導体界面での光誘起電子移動速度の推定方法に基づく電池設計システム - 特許庁

After an initial layout (S20), an integrated circuit evaluation circuit step S30, a change cell selection step S40 and a cell performance change step S50 are repeatedly executed.例文帳に追加

初期レイアウト（Ｓ２０）後、集積回路評価工程Ｓ３０、変更セル選択工程Ｓ４０およびセル性能変更工程Ｓ５０を繰り返し実行する。 - 特許庁

To reduce power consumption of a mobile terminal by reducing an opportunity for a mobile terminal to receive notification information of a new cell by suppressing cell re-selection.例文帳に追加

セル再選択を抑制することで、移動端末が新たなセルの報知情報を受信する機会を削減し、移動端末の消費電力を削減する。 - 特許庁

A routing control part 8 restores the specific VC inputted from the ATM cell selection part 2 to a flow of an IP packet, after that routes it and makes it into the ATM cell again.例文帳に追加

ルーティング制御部８はＡＴＭセル選択部２から入力された特定ＶＣからＩＰパケットのフローに復元後、ルーティングし、再ＡＴＭセル化する。 - 特許庁

To provide a recirculation washing apparatus of blood cell by a magnetic blood cell selection apparatus relating to recirculation washing apparatus using a rotary membrane filter.例文帳に追加

回転膜濾過器を使用して行う血球の再循環洗浄に関し、磁気血球選択装置による血球の再循環洗浄装置を提供する。 - 特許庁

At read, data lines LIO and LIOr are connected respectively to a selection memory cell and the dummy cell, and an operation current of a differential amplifier 60 is caused to flow.例文帳に追加

データ読出時に、データ線ＬＩＯおよびＬＩＯｒは、選択メモリセルおよびダミーセルとそれぞれ接続されて、差動増幅器６０の動作電流を流される。 - 特許庁

Gates of the read selection switches SW of the dummy cells are also connected to the read word lines RWL(i), RWL(ref), but the dummy cell does not function as the memory cell since the read selection switches and MTJ (Magnetic Tunnel Junction) elements MTJ are being cut off.例文帳に追加

リードワード線ＲＷＬ（ｉ），ＲＷＬ（ｒｅｆ）には、ダミーセルのリード選択スイッチＳＷのゲートも接続されるが、ダミーセルは、リード選択スイッチＳＷとＭＴＪ素子ＭＴＪとが切断されているため、メモリセルとして機能しない。 - 特許庁

The dummy cells having the low threshold value voltage and located adjacent to a selection memory cell column are selected and source side local bit lines (SLB0 to SLB3) of the selection memory cell are coupled to global bit lines (GBLm1 to GBL3) through the dummy cells.例文帳に追加

選択メモリセル列に隣接する低しきい値電圧のダミーセルを選択し、その選択メモリセルのソース側ローカルビット線（ＳＬＢ０−ＳＬＢ３）をダミーセルを介してグローバルビット線（ＧＢＬｍ１−ＧＢＬ３）に結合する。 - 特許庁

The number of cell re-selection measurements (Proposal) is proportional to the length of the DRX period, whereby, during a longer DRX period, the higher number of cell re-selection measurements is performed than during a shorter DRX period.例文帳に追加

セル再選択測定の回数(提案)はＤＲＸ期間の長さに比例し、それによって短いＤＲＸ期間中より長いＤＲＸ期間中により多くのセル再選択測定が実行される。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory in which quick access can be performed at the time of read-out and write-in preventing that data is disturbed in a cell of a non-selection sector at the time of programming in a selection cell or the time of erasure.例文帳に追加

選択セルでのプログラム又は消去時に非選択セクタのセルにてデータがディスターブされることを回避しながら、読み出し・書き込み時に高速アクセス可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device is provided with an auxiliary current source (10) in parallel to a selection memory cell (MC), current change for a sense amplifier (16) of a reading circuit (6) is accelerated, and a rise in a bit line potential to which the selection memory cell is connected is suppressed.例文帳に追加

選択メモリセル（ＭＣ）と並列に補助電流源（１０）を設け、読出回路（６）のセンスアンプ（１６）に対する電流変化を加速し、かつ選択メモリセルが接続するビット線電位の上昇を抑制する。 - 特許庁

A mobile station 30 judges whether to perform cell re-selection processing according to the intermittent reception result of a control signal, and judges whether to perform cell re-selection processing according to the continuous reception result of the control signal.例文帳に追加

移動局３０は、制御信号の間欠受信結果に応じてセル再選択処理を行うか否かを判定し、制御信号の連続受信結果に応じてセル再選択処理を行うか否かを判定する。 - 特許庁

In the same way, high speed read-out can be performed by making control gate voltage of a memory cell and selection gate voltage of the selection transistor different voltage also for DINOR, AND, NOR type cells and a NAND type cell to which one memory cell is connected.例文帳に追加

ＤＩＮＯＲ、ＡＮＤ、ＮＯＲ型セル及び１個のメモリセルを接続したＮＡＮＤ型セルに対しても、メモリセルの制御ゲート電圧と選択トランジスタの選択ゲートの電圧とを異なる電圧にすれば、同様に高速読み出しを可能にすることができる。 - 特許庁

Magnitude of voltage between a gate and a source of the selection MOS transistor of a memory cell connected to a selection word line is lowered than power source voltage by controlling voltage of a selection word line WL during read-out operation.例文帳に追加

読み出し動作時における選択ワード線ＷＬの電圧を制御することにより、選択ワード線に接続するメモリセルの選択ＭＯＳトランジスタのゲート・ソース間電圧の大きさを電源電圧よりも低くする。 - 特許庁

A nonvolatile semiconductor memory device related to one embodiment includes: a memory cell array; a plurality of memory strings; a drain side selection transistor; a source side selection transistor; a plurality of word lines; a plurality of bit lines; a source line; a drain side selection gate line; a source side selection gate line; and a controlling circuit.例文帳に追加

一態様に係る不揮発性半導体記憶装置は、メモリセルアレイ、複数のメモリストリング、ドレイン側選択トランジスタ、ソース側選択トランジスタ、複数のワード線、複数のビット線、ソース線、ドレイン側選択ゲート線、ソース側選択ゲート線、及び制御回路を有する。 - 特許庁

As a result, a criterion of the selection of a cell by a mobile station 103 is changed or a criterion of handover by the mobile station 103 is changed, and a cell is selected by avoiding a cell whose load is increased and the handover to a surrounding cell is executed.例文帳に追加

この結果、移動局１０３がセルを選択する際の基準が変わり、あるいはハンドオーバする基準が変更されて、負荷が増大したセルを避けてセルの選択が行われたり、周辺のセルへのハンドオーバが実行される。 - 特許庁

A bit line connected with a selection memory cell selected by the selection block address and a bit line in the dummy block are connected respectively to differential input terminals of the sense amplifier circuit 9.例文帳に追加

選択ブロックアドレスで選択される選択メモリセルが接続するビット線と、ダミーブロック内のビット線を夫々センスアンプ回路９の差動入力端子に接続する。 - 特許庁

Thereby, a spare column selection line SCSL and a normal column selection line CSL can be selected simultaneously, an inverse data pattern can be written in an adjacent memory cell.例文帳に追加

これにより、スペアコラム選択線ＳＣＳＬと同時に正規のコラム選択線ＣＳＬを選択することができ、隣接するメモリセルに逆データパターンを書込むことが可能となる。 - 特許庁

The improvement of program disturbance of the non-selection cell can be achieved by biasing a voltage of a non-selection word line WLn+1 to a slightly negative voltage such as -1 V.例文帳に追加

非選択セルのプログラムディスターブの改善は、非選択ワード線ＷＬｎ＋１を−１Ｖのような僅かに負の電圧にバイアスすることによって得ることができる。 - 特許庁

The selection control section 110a makes the power selection section 111 perform such switching if a voltage of the power to the organic EL cell 10 is larger than a first reference value.例文帳に追加

選択制御部１１０ａは、有機ＥＬセル１０への電力の電圧が第１基準値より大きい場合に、電力選択部１１１に前記切り替えを行わせる。 - 特許庁

A test circuit 10 including a fuse for cut off test (parity fuse) 11 is provided in a redundant memory cell selection decoder 20.例文帳に追加

冗長メモリセル選択デコーダ２０に、切断試験用ヒューズ（パリティ・ヒューズ）１１を含むテスト回路１０を設ける。 - 特許庁

To remakably reduce a time required from collection of a cancer cell upto selection of an optimum anti-cancer drug.例文帳に追加

ガン細胞を採取してから、最適の抗ガン剤の選択ができるまでの所要時間を大幅に短縮する。 - 特許庁