「diffusion transistor」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor integrated circuit device includes a semiconductor substrate; a transistor including gate wiring 220 extending in one direction and formed on the semiconductor substrate, and a source/drain region formed in the semiconductor substrate so as to be aligned to the gate wiring 220; and a diffusion preventing metal pattern 432a extending in the same direction as that of the gate wiring and formed on the gate wiring, and shielding the ions diffused on the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体集積回路装置は、半導体基板、半導体基板上に一方向に延びて形成されたゲート配線２２０とゲート配線に整列して半導体基板内に形成されたソース/ドレーン領域を含むトランジスタ、ゲート配線上にゲート配線と同一方向に延びて形成され、半導体基板に拡散されるイオンを遮断する拡散防止メタルパターン４３２ａを含む。 - 特許庁

The MOS transistor 100, 100a, 100b formed on a semiconductor substrate 90, and having a drain region 20 and a backgate region 40 comprising different conductive type diffusion layers 21, 22, 41 and 42 is characterized in that the drain region 20 and the backgate region 40 are arranged adjacent to each other, and have a region with a PN-junction formed on the adjacent surface.例文帳に追加

半導体基板９０に形成され、異なる導電型の拡散層２１、２２、４１、４２からなるドレイン領域２０とバックゲート領域４０とを有するＭＯＳトランジスタ１００，１００ａ、１００ｂであって、 前記ドレイン領域２０と前記バックゲート領域４０とが隣接して配置され、隣接面にＰＮ接合が形成された領域を有することを特徴とする。 - 特許庁

This manufacturing method contains a step in which the impurities are selectively introduced at a first concentration, into a region for nonvolatile memory cells 20R and a region for the electrostatic discharge damage countermeasure transistors 10R in the semiconductor substrate 1, and thereby the tunnel diffusion layer 24 is formed; and at the same time, a source region 11 and a drain region 12 of the electrostatic discharge damage action transistor are formed.例文帳に追加

この製造方法は、半導体基板１において不揮発性メモリセル用領域２０Ｒおよび静電破壊対策トランジスタ用領域１０Ｒに第１濃度で不純物を選択的に導入することによって、トンネル拡散層２４を形成し、同時に静電破壊対策トランジスタのソース領域１１およびドレイン領域１２を形成する工程を含む。 - 特許庁

The semiconductor device includes: an MOS transistor whose drain region is an impurity diffusion region formed in the first region of the SOI substrate with an active layer insulated and separated from a support substrate by a buried oxide film and separated into a plurality of regions including the first and the second regions by a field oxide film having a thickness reaching the buried oxide film; and a first wiring layer.例文帳に追加

半導体装置は、埋め込み酸化膜によって支持基板から絶縁分離されるとともに、埋め込み酸化膜にまで達する厚さを有するフィールド酸化膜によって、第１および第２の領域を含む複数の領域に分離された活性層を有するＳＯＩ基板の、第１の領域に形成された不純物拡散領域をドレイン領域とするＭＯＳトランジスタと、第１の配線層とを有する。 - 特許庁

To carry out a desired circuit connection in a subsequent wiring forming step and enhance a yield of a semiconductor product in such a manner that, even when a finished dimension of a wiring layer or a diffusion layer fluctuates because of exposure variations and etching variations in a production process, a characteristic fluctuation of a transistor because of its fluctuation is corrected or a decrease in an operating allowance of an internal circuit is prevented.例文帳に追加

製造プロセスでの露光ばらつき、エッチングばらつきによって配線層あるいは拡散層の仕上がり寸法が変動した場合でも、その変動によるトランジスタの特性変動を補正する、あるいは内部回路の動作余裕の減少を防止するように、以後の配線形成工程で所望の回路接続を行うことができ、半導体製品の歩留まりを向上させることができる。 - 特許庁