「etch」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

Fluorocarbon gas such as C2F6 gas or C4F8 gas, is introduced through a gas introduction port 8 into the inside of the reaction chamber, and high frequency power is applied to an antenna coil 3 by a first high frequency power source 5, to produce a plasma 17 and etch the substrate 9.例文帳に追加

ガス導入口８より反応室内部にＣ_2 Ｆ_6 ガス，Ｃ_4 Ｆ_8 ガス等のフロロカーボン系ガスを導入し、第１高周波電源５によりアンテナコイル３に高周波電力を印加して、プラズマ１７を生成し、基板９をエッチングする。 - 特許庁

Then, by performing etch back or chemical- mechanical polishing for the electrode pad 4a and the protective film 5, a part of the protective film 5 is also removed so that the electrode pad 4a and the protecting film 5 become approximately the same hight, and the difference in the heights of the protective films is eliminated.例文帳に追加

そして電極パッド４ａと保護膜５とをエッチバックあるいはケミカルメカニカルポリッシュすることで、電極パッド４ａと保護膜５をほぼ同一高さになるように保護膜５の一部も除去して保護膜５の段差をなくす。 - 特許庁

An n-type contact layer 11, an n-type clad layer 12, an active layer 13, and a p-type first clad layer 14A are formed on a substrate 10, and then an etch stopper layer 19 is formed on the p-type first clad layer 14A.例文帳に追加

基板１０の上にｎ型コンタクト層１１、ｎ型クラッド層１２、活性層１３およびｐ型第１クラッド層１４Ａを形成したのち、このｐ型第１クラッド層１４Ａ上にエッチングストップ層１９を形成する。 - 特許庁

To provide an etching solution which can etch a stacked metallic film mainly composed of a molybdenum-based metal and an aluminum-based metal by one operation, and can control a cone angle into 20 to 70 degrees by controlling an etched amount of the side face of each film.例文帳に追加

モリブデン系金属とアルミニウム系金属を主成分とした金属積層膜を一括エッチング可能で各膜のサイドエッチング量を抑制し、テーパー角度を２０〜７０度に制御可能な優れたエッチング液を提供すること。 - 特許庁

To provide a substrate peripheral processing device and a substrate peripheral processing method which can achieve properly etch-remove a copper film from the substrate peripheral portion corresponding to states of an etching solution and to provide a substrate peripheral processing device and a method which do not need to prepare a plurality of recipes corresponding to the thickness of the copper thin films.例文帳に追加

エッチング液の状態に応じた適切な処理を行って、基板の周縁部の銅膜を良好にエッチング除去することができる基板周縁処理装置および基板周縁処理方法を提供する。 - 特許庁

A first to a third film 111, 112, 113 and a resist layer 114 are formed on a substrate 101, then a pattern having a sparse part R1 and a dense part R2 is formed on the resist layer to etch the third film.例文帳に追加

基板１０１上に、第１から第３の膜１１１，１１２，１１３およびレジスト層１１４を形成した後、疎部Ｒ１と密部Ｒ２が存在するパターンを前記レジスト層に形成して前記第３の膜をエッチングする。 - 特許庁

The TMR element 60a is provided with a side etch structure having a cut-in formed on the side wall of the tunnel insulating layer 66 in the pin layer 65, the tunnel layer 66, and the free layer 67 having the same plane configuration respectively.例文帳に追加

ＴＭＲ素子６０ａは、それぞれ同一平面形状を有するピン層６５、トンネル絶縁層６６およびフリー層６７において、トンネル絶縁層６６の側壁に切れ込みを形成したサイドエッチ構造を有している。 - 特許庁

This golf club shaft formed by laminating a plurality of carbon fiber reinforced resin layers includes at least one metal sheet layer, and the metal sheet layer is composed of a metal sheet performed with chemical etch processing.例文帳に追加

炭素繊維強化樹脂層を複数積層してなるゴルフクラブシャフトであって、金属シート層を少なくとも１層含んでなり、金属シート層はケミカルエッチング処理された金属シートにより構成されていることを含む、ゴルフクラブシャフト。 - 特許庁

To etch source/drain electrode layers without damaging an active layer due to over etching, or the like including the scraping of the active layer in patterning by one etching in a state where the electrodes are in contact with the active layer.例文帳に追加

電極と活性層が接する状態における一方のエッチングによるパターニングにおいて、活性層を削るなどのオーバーエッチ等によるダメージを活性層に生ずること無くソース／ドレイン電極層のエッチングを行うこと。 - 特許庁

The bottom gate TFT structure of a channel and etch type is adopted, and the patterning of a source area 119 and a drain area 120 and the patterning of source wiring 121 and a pixel electrode 122 are performed by the same photomask.例文帳に追加

本発明では、チャネル・エッチ型のボトムゲートＴＦＴ構造を採用し、ソース領域１１９及びドレイン領域１２０のパターニングとソース配線１２１及び画素電極１２２のパターニングを同じフォトマスクで行うことを特徴とする。 - 特許庁

The method of manufacturing the wiring structure includes an etching step to selectively etch a first cap film and a step to form a second cap film made of SiOC or SiO_2 to cover the upper surface of a semiconductor substrate.例文帳に追加

また、かかる配線構造の製造方法が、第１キャップ膜を選択的にエッチングするエッチング工程と、半導体基板の上面を覆うように、ＳｉＯＣまたはＳｉＯ_２からなる第２キャップ膜を形成する工程とを含む。 - 特許庁

Since the upper face of a p-AlInAs clad layer 7 is directly covered by a p-InGaAsP etch-stopper layer 8, the p-AlInAs clad layer 7 is not exposed to atmospheric air during processing, therefore no reliability problem due to oxidation of the p-AlInAs clad layer 7 occurs.例文帳に追加

p-AlInAsクラッド層７の直上はp-InGaAsPエッチングストッパ層８に覆われているため、p-AlInAsクラッド層７がプロセス途中で大気中に露出することがないので、p-AlInAsクラッド層７の酸化に起因する信頼性の問題は発生しない。 - 特許庁

To obtain a method for manufacturing a semiconductor device which can prevent variations in the thickness of an interlayer insulating film during formation of a multi-layered wiring structure, by a resist etch back process to thereby obtain a semiconductor device having a stable capacity between wiring layers.例文帳に追加

多層配線構造のレジストエッチバックによる形成プロセスにおいて、層間絶縁膜厚の変動を防ぎ、配線層間容量の安定した半導体装置が得られる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To etch each section of a substrate uniformly and precisely in an etching device in which a number of metering nozzle rows 2 are arranged on the upper-surface side of a path 1 of conveyance, and a suction pipe 3 is provided between the metering nozzle rows 2.例文帳に追加

搬送路１の上面側に多数の定量ノズル列２を配置すると共に、各定量ノズル列2間に吸引パイプ３を設けたエッチング装置において、基板各部のエッチングを均一に且つ高精度に行うこと。 - 特許庁

The surface of an SiC substrate is flattened, by giving a gas cluster ion beam step by step that has two kinds of etching effects with different etching speeds to etch the surface thereof, and then another gas cluster ion beam, made mainly of oxygen gas is applied thereto.例文帳に追加

エッチング速度がそれぞれ異なる２種類のエッチング効果を持ったガスクラスターイオンビームを段階的に照射してＳｉＣ基板表面をエッチングしつつ平坦化した後、酸素ガスを主成分としたガスクラスターイオンビームを照射する。 - 特許庁

A plasma etch treatment apparatus is provided with an internal chamber on its upper part, and it is also provided with a plasma treatment vessel 2 made of electrically conductive material, an upper electrode 12 arranged on the upper part of the internal chamber, and an observation tube 100 mounted to the upper electrode 12.例文帳に追加

プラズマエッチング処理装置は、上部に内部チャンバを有し、導電性材料から成るプラズマ処理容器２と、内部チャンバ内の上部に配置された上部電極１２と、上部電極１２に設けられた内視筒１００とを備える。 - 特許庁

To provide a washing method of a substrate and a substrate washing device which do not over-etch a thin insulating film, a lower film, inappropriately by effectively removing an etching residue and a metal polymer formed in a patterned metal surface on the substrate.例文帳に追加

基板上にパターン化された金属の表面に形成されたエッチング残留物や金属ポリマを効果的に除去し、下部膜である薄い絶縁膜を不適切にエッチングし過ぎない基板の洗浄方法及び基板洗浄装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of nondestructively and optically discriminating a lower layer resist material which is hardly to cause side etch before etching when etching a lower layer resist, to provide an apparatus for the method, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device using this method.例文帳に追加

下層レジストをエッチングする際、サイドエッチの発生しにくい下層レジスト材料を、エッチング前に非破壊で光学的に見分ける方法およびそのための装置、ならびにこの方法を使用する半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a high reliability that can improve a step coverage property of an upper conductive layer (metal wiring) by performing an etchback or an Ar sputter etch on the entire surface of the interlayer insulating film again after a W plug is formed in a contact hole.例文帳に追加

コンタクトホールへのＷプラグ形成後に、再度、層間絶縁膜全面エッチバック又は、Ａｒスパッタエッチを施すことにより、上層導電層（メタル配線）の段差被覆性の向上を図り得る、信頼性の高い半導体装置を提供する。 - 特許庁

The first resist pattern is used as an etching mask to etch the insulating film under the condition that deposits are formed on a width-direction center part of the plane pattern part, long in the one direction, of the first opening, thereby forming a first groove corresponding to the first opening.例文帳に追加

第１のレジストパターンをエッチングマスクとして、第１の開口の一方向に長い平面パターン部の幅方向の中央部に、堆積物が堆積する条件で、絶縁膜をエッチングすることによって、開口に対応する第１の溝を形成する。 - 特許庁

To provide a method for extending the life of an etching solution so that the etching solution is not deteriorated and can etch an article in a nearly fresh condition, by incessantly regenerating trivalent cerium contained in the etching solution which continues etching, into tetravalent cerium during etching.例文帳に追加

エッチング中のエッチング液に含まれる３価のセリウムを、エッチング中に絶えず４価のセリウムに再生し、新しいエッチング液に近い状態でエッチングが行われ、液劣化が起きないように上記のエッチング液を長寿命化する方法の提供。 - 特許庁

A plurality of etch pits are formed on the sapphire substrate, which is doped with chromium or chromium and titanium, to form the LED by growing a GaN system semiconductor crystal layer while the fluorescent body is installed at least on the LED or the side surface of the same.例文帳に追加

クロムまたはクロム及びチタンをドープしたサファイア基板上に複数のエッチピットを形成し、ＧａＮ系の半導体結晶層を成長させてＬＥＤを作成し、該ＬＥＤの少なくとも上部または側面部に蛍光体を設置する。 - 特許庁

This Si wafer 10 is set to a wet etching device, and etching chemical dropped onto the rear of the Si wafer 10 is turned to the surface side of the Si wafer 10, so as to etch off the polycrystalline silicon film 28 covering the edge region at the surface.例文帳に追加

このＳｉウェーハ１０をウェットエッチング装置にセットし、Ｓｉウェーハ１０裏面上に滴下したエッチング薬液をＳｉウェーハ１０表面側に回り込ませて、表面のエッジ領域を被覆している多結晶シリコン膜２８をエッチング除去する。 - 特許庁

This method comprises a step for forming a liquid film 134 on a substrate and a step for laser energy irradiation from a laser 10 through the film 134 so as to etch a substrate surface, and an etched material is removed by vaporization of the film from the substrate surface during the etching.例文帳に追加

基板上での液体膜１３４の形成と、基板表面をエッチングするための該膜１３４を通じたレーザ１０からのレーザエネルギ照射を含み、エッチングされた物質は前記エッチングの間に該膜の気化により基板表面から除去される。 - 特許庁

To prevent fuse attack (Attack) by considering an etch rate due to the plasma density of a semiconductor element to rearrange a fuse box and uniformly forming a residual oxide film (Rox; Remain Oxide) with respect to the fuse box of the semiconductor element.例文帳に追加

半導体素子のヒューズボックスに関し、半導体素子のプラズマ密度によるエッチング率を考慮してヒューズボックスを再配置し、残留酸化膜（Rox；Remain Oxide）が均一に形成されるようにすることにより、ヒューズアタック（Attack）を防止することができるようにすること。 - 特許庁

The method of ion beam etching includes a step of oppositely disposing a mask member 20 having an opening 21 formed to define the working region of an ITO (indium tin oxide) film 12 on a substrate 10 to be processed, and illuminating an ion beam IB to the ITO film 12 via the mask member 20 to etch the ITO film 12.例文帳に追加

ＩＴＯ膜１２の加工領域を定める開口２１が形成されたマスク部材２０を被処理基板１０上に対向配置し、マスク部材２０を介してＩＴＯ膜１２にイオンビームＩＢを照射しエッチングする。 - 特許庁

Thereafter the thin insulation film 11 of about 10-60 nm is formed so as to block the void 7 on the whole face, etch back is performed on the whole face, and a side wall 12 comprising the thin film 11 is formed on only the side wall of the contact holes 8, 8a, 8b.例文帳に追加

その後、全面にボイド７を塞ぐように、約１０〜６０ｎｍの薄い絶縁膜１１を形成し、全面にエッチバックを行い、コンタクトホール８，８ａ，８ｂ内の側壁にのみ薄い絶縁膜１１からなるサイドウォール１２を形成する。 - 特許庁

The quartz is grown by using a quartz seed 20 prepared by cutting out from artificial quartz having not more than 30 etch channels/cm^2, heat treating the cut piece at a temperature lower than the α-β transition temperature of the quartz and eliminating a processed layer produced upon cutting out the quartz seed 20.例文帳に追加

エッチチャンネルが３０本／ｃｍ^２以下の人工水晶から切り出され、水晶のα−β転移温度未満で加熱処理し、水晶種子２０の切り出し時に生じた加工層を除去した水晶種子２０を用いて育成する。 - 特許庁

Here, the slice etching processing is to etch the first film (211) more gently, in other words, more mildly than normal wet etching and dry etching by bringing an etchant into contact with the first film (211) from on the first film (211).例文帳に追加

尚、スライスエッチング処理とは、第１膜（２１１）上から第１膜（２１１）にエッチング液を接触させることによって、通常のウェットエッチング法及びドライエッチング法に比べて、緩やかに、言い換えれば、マイルドに第１膜（２１１）をエッチング処理することをいう。 - 特許庁

Then, a second nitride film 7 which is harder to etch than the oxide film 4 is formed on the oxide film 4, and all the surface of the laminate is etched back as far as the GaAs substrate 2 to form a second opening 8 with the second nitride film 7 left on the side of the opening 8.例文帳に追加

次に、酸化膜４上に酸化膜４よりもエッチングされにくい第２の窒化膜７を形成し、側面に第２の窒化膜７を残した状態で、ＧａＡｓ基板２に達するまで全面をエッチバックして第２の開口部８形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method which includes an etch-back process that prevents the generation of the etching residue of a tungsten film or a titanium nitride film at the time of forming a tungsten plug having a small plug loss and hence can make stable etching possible with less wiring defect.例文帳に追加

プラグロスの小さいタングステンプラグを形成する際に、タングステン膜または窒化チタン膜のエッチング残渣の発生を防止し、配線不良が少なく安定したエッチングを可能にするエッチバック工程を備えた半導体装置の製造方法の提供。 - 特許庁

To etch a reflection preventing film and an interlayer insulating film by one time of an etching treatment and to prevent the interlayer insulating film from being damaged in a high etching rate upon the dry etching of the interlayer insulating film on the upper surface of which the reflection preventing film is formed.例文帳に追加

上面に反射防止膜を形成した層間絶縁膜をドライエッチングする場合に、一回のエッチング処理で反射防止膜及び層間絶縁膜をエッチングでき、高いエッチングレートで層間絶縁膜にダメージを与えないようにする。 - 特許庁

To provide a method which can stably etch without adopting the above-mentioned remedy without changing the etching speed even when a basic etchant is used repeatedly when a silicon is anisotropically etched by using the basic etchant.例文帳に追加

塩基性エッチング液を用いてシリコンの異方性エッチングを行うに際して、エッチング液を繰り返し使用してもエッチング速度が変動せず、上記のような対策を採ることなく安定してエッチングを行うことのできる方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a composition for etching that can selectively etch hafnium compounds such as hafnium silicate and hafnium aluminate without damaging semiconductor materials such as silicon oxide and can be used safely because of its flame retardancy, and to provide a processing method for the etching.例文帳に追加

酸化ケイ素等の半導体材料にダメージがなく、ハフニウムシリケート、ハフニウムアルミネート等のハフニウム化合物を選択的にエッチングでき、なおかつ難燃性で安全に用いることができるエッチング用組成物及びエッチング処理方法を提供する。 - 特許庁

Then a resist film 25, which has an opening of a wiring groove pattern 33, is formed on the embedded film 22 and used as a mask to etch the embedded film 24 and interlayer insulating film 22, thereby forming a wiring groove 34 in the interlayer insulating film 22.例文帳に追加

その後、埋込膜２２上に配線溝パターン３３の開口を有するレジスト膜２５を形成し、このレジスト膜２５をマスクとして埋込膜２４及び層間絶縁膜２２をエッチングして層間絶縁膜２２に配線溝３４を形成する。 - 特許庁

In the step of cutting the pair of the inorganic substrates 10, etching liquid 58 is allowed to flow into the flow path 56 with respect to an inorganic material to etch at least one of the surfaces of the pair of the inorganic substrates 10 along the flow path 56 to form a groove 60.例文帳に追加

一対の無機基板１０を切断する工程は、流路５６に無機材料に対するエッチング液５８を侵入させ、流路５６に沿って一対の無機基板１０の少なくとも一方の面をエッチングして溝６０を形成する。 - 特許庁

To provide a copper foil with a carrier easy to handle, superior in workability of a laminating process, and of course realizing a high bonding strength with a board and a large Ef(etch factor) value even with a fine wiring pattern having a line breadth and a pitch between wires of about 30 μm.例文帳に追加

線幅や線間ピッチが３０μm前後のファインな配線パターンの場合であっても大きいＥｆ値と、基板との高い接合強度を実現できるのは勿論のこと、取扱も容易で、積層工程の作業性に優れるキャリヤー付き銅箔を提供する。 - 特許庁

At step (j), etch agent is made to advance into the etching space 105 through the etching hole 14 and to fill the etching space 105, and a recess 13 is formed by etching a substrate 11 in the thickness direction (Z direction) from the surface opposite to the etching space 105.例文帳に追加

工程（ｊ）では、エッチング空間１０５に、エッチングホール１４を介してエッチング剤を進入させ、エッチング空間１５をエッチング剤で満たすようにして、基板１１のエッチング空間１０５に臨む表面から厚み方向（Ｚ方向）にエッチングして凹部１３を形成する。 - 特許庁

After a circular mask layer M2 having a diameter L3 smaller than the diameter of the mesa portion 18 enclosed with a groove portion 30 is disposed in a central region of the upper surface of the mesa portion 18D, the mask layer M2 is used as a mask to selectively etch a semiconductor stack structure 20D.例文帳に追加

溝部３０に囲まれたメサ部１８Ｄの直径よりも小さな直径Ｌ３の円形状のマスク層Ｍ２をメサ部１８Ｄの上面中央領域に配置したのち、マスク層Ｍ２をマスクとして、半導体積層構造２０Ｄを選択的にエッチングする。 - 特許庁

There are disposed an etch stop layer 16 containing GaAs, a first guide layer 18 containing AlGaAs, a monitor layer 20 containing GaAs, a second guide layer 22 containing AlGaAs and a guide layer 8 with a contact layer 24 containing GaAs on an optical waveguide part 6.例文帳に追加

光導波部６上には、ＧａＡｓを含むエッチストップ層１６、ＡｌＧａＡｓを含む第１ガイド層１８、ＧａＡｓを含むモニタ層２０、ＡｌＧａＡｓを含む第２ガイド層２２、及びＧａＡｓを含むコンタクト層２４を有するガイド層８が設けられる。 - 特許庁

To enhance a semiconductor device in memory capacity, to lessen a bit contact hole in an aspect ratio, and furthermore to etch the bit contact hole in a self-aligned manner, in a semiconductor device equipped with a capacitor composed of a lower and an upper capacitor electrode and a capacitor insulating film interposed between them.例文帳に追加

容量絶縁膜を介して下部容量電極と上部容量電極とが対向するキャパシタを備えた半導体装置において、記憶容量を増大させ、かつ、ビットコンタクト孔のアスペクト比を低減し、さらにビットコンタクト孔のエッチングを自己整合で行なう。 - 特許庁

The method involves a step of being required for using first and second etch mask layers, that are constructed of materials such that the second mask (formed over the first mask) can act as a mask during the patterning of the first mask (bottom mask).例文帳に追加

この方法では第１および第２のエッチングマスク層を使用することが必要であり、これらの層は、第１のマスク（下層マスク）のパターン化の際に第２のマスク（第１のマスクの上に形成される）がマスクとしての役割を果たすことができるような材料で構成される。 - 特許庁

As shown in Fig. 3, the dry etcher is equipped with an etching portion 100 which injects an etching gas to etch a film on a substrate, a transferring portion 300 which transfers the substrate treated in the etching portion 100, and a cleaning portion 200 which cleans up the substrate transferred from the transferring portion 300.例文帳に追加

エッチングガスを注入して基板上の膜をエッチングするエッチング部と、エッチング部により処理された基板を移送させる移送部と、移送部により移送された基板を洗浄する洗浄部と、を備えるエッチング部と洗浄部とを兼備したドライエッチャ。 - 特許庁

To establish the surface roughness (Rz) thereof at 0.25 μm or less, a flush etching liquid composed of a sulphuric acid with a concentration of 5-50 g/l, a hydrogen peroxide with a concentration of 10-60 g/l, and chloride ions with a concentration of 5-40 ppm, is used to flush-etch the copper plating layer.例文帳に追加

銅配線表面の表面粗さ（Ｒｚ）が０．２５μｍ以下にするには、組成が、硫酸濃度５〜５０ｇ／ｌ、過酸化水素濃度１０〜６０ｇ／ｌ、塩素濃度５〜４０ｐｐｍであるフラッシュエッチング液を使用して、銅メッキ層をフラッシュエッチングする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, capable of forming fine metal wiring with a reduced side etch amount and restraining a via hole formed on the metal wiring from running through the metal film, in the formation of the metal wiring containing Al.例文帳に追加

Ａｌを含む金属配線の形成において、サイドエッチ量を低減した微細な金属配線を形成でき、金属配線上に形成するビアホールが金属膜を突き抜けるのを抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁