「etch」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

To enhance the uniformity of etch rate by increasing the penetration speed of an etchant for exfoliation, in a method wherein a first substrate is exfoliated after a semiconductor thin film formed on the first substrate is fixed to a second substrate.例文帳に追加

第１の基板上に形成した半導体薄膜を第２の基板に固定した後、第１の基板を剥離する方法において、剥離のためのエッチング液の浸透速度を高くし、エッチング速度の均一性を高める。 - 特許庁

A shadow mask 125 is placed over the carbon layer 120 and reactive ion etch (RIE) is used to transfer holes 130 in the shadow mask 125 to the carbon layer 120, to thereby form a carbon mask.例文帳に追加

シャドウマスク１２５は、炭素層１２０の上に載置されており、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）が用いられることにより、シャドウマスク１２５のホール１３０が炭素層１２０に転写され、それにより、炭素マスクを形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nitride compound semiconductor device which employs a layer that can be subjected to wet etching as the etch stopper layer to control the structure with high accuracy in a crystal growth stage.例文帳に追加

ウエットエッチングが可能な層をエッチングストップ層として用いることにより、結晶成長段階における構造を高精度に制御することができる窒化物系化合物半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

The linear defects within the desired wafer cut from the artificial quartz crystal grown in the manner described above exist in parallel to the growth surface and therefore the artificial quartz crystal having the low etch channel density can be obtained.例文帳に追加

これより育成された人工水晶から切断される目的のウェハー内の線状欠陥は成長表面に平行に存在することから、エッチチャンネル密度の少ない人工水晶を得ることができる。 - 特許庁

Etch residues 1 formed by carrying out wet etching to the silicon substrate containing OSF are removed from or moved on the silicon substrate by carrying out brush scrubber cleaning and applying a mechanical impact to it.例文帳に追加

ＯＳＦを含むシリコン基板に湿式エッチングを行って生成されるエッチング残り１を、ブラシスクラバ洗浄を行って機械的な衝撃を加えることにより、シリコン基板から除去しまたはシリコン基板上で移動させる。 - 特許庁

An n-type buffer layer, an n-type first clad layer, an active layer, a p-type first second-clad layer, a p-type etch stop layer, a p-type second second-clad layer, and a p-type contact layer, are laminated on an n-type semiconductor substrate.例文帳に追加

ｎ型半導体基板上にｎ型バッファ層，ｎ型第１クラッド層，活性層，ｐ型の第１の第２クラッド層，ｐ型エッチストップ層，ｐ型の第２の第２クラッド層，ｐ型コンタクト層が積層されている。 - 特許庁

The SOI substrate is such that the element substrate 2 is formed on a support substrate 1 via an insulator 3 and has an etch prevention layer 7 in the side face of the insulation film 3 exposed below the edge of the periphery of the element substrate 2.例文帳に追加

支持基板１の上に絶縁物３を介して素子基板２が形成されたＳＯＩ基板であって、素子基板２の周辺の端下に露出した絶縁膜３の側面にエッチング防止層７を有する。 - 特許庁

To provide an etching component produced by wet etching after forming an etching resist pattern on a metal material, which prevents progress of side etch, that is, to provide an etching component of high aspect ratio and to provide a method for manufacturing the component.例文帳に追加

金属材料上にエッチングレジストのパターンを形成し、ウエットエッチングによって製造したエッチング部品であって、サイドエッチの進行を防いだ、即ち、高アスペクト比のエッチング部品、及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

After ions are implanted into the source and drain of the PMOS transistor, the PMOS gate structure is masked to etch the NMOS sidewall structure 102 into a reduced thickness, while leaving the PMOS sidewall structure 101 unchanged.例文帳に追加

ＰＭＯＳトランジスタのソース、ドレイン注入後、ＰＭＯＳゲート構造がマスキングされて、ＮＭＯＳ側壁構造（１０２）がエッチングされて厚みが減少する一方、ＰＭＯＳ側壁構造（１０１）は変化しないまま残る。 - 特許庁

An outside W film, having a hole pattern 5, is removed 80 to 90% by an etch back method, and then the remaining outside W film (remaining W film 7a) having a hole pattern 5 and an adhesive layer 6 are removed by a chemical-mechanical polishing method.例文帳に追加

孔パターン５の外部のＷ膜の８０〜９０％程度をエッチバック法で除去した後、孔パターン５の外部の残されたＷ膜（Ｗ残膜７ａ）および接着層６をＣＭＰ法で研磨除去する。 - 特許庁

In this inductively coupled plasma processing device, a coiled high frequency antenna 21 is installed in a housing constituting a processing chamber, and reaction gas is introduced into the processing chamber to generate a plasma to form or etch a film on a substrate in the processing chamber.例文帳に追加

従って、処理装置の大型化に伴って高周波アンテナの長さが長くなっても、アンテナ電位を均等かつ低下させることができる誘電結合プラズマ処理装置を提供することにある。 - 特許庁

The substrate 1 is entered into a gas furnace, then, etching gas and carrier gas are supplied into the furnace to etch the exposed surface in the trench 4 by the degree of several nm-1 μm and obtain the exposed surface in the trench 4 as a clean surface.例文帳に追加

この基板１をガス炉内に入れ、炉内にエッチングガスおよびキャリアガスを供給して、トレンチ４内の露出面を数ｎｍ〜１μｍ程度エッチングし、トレンチ４内の露出面を清浄表面とする。 - 特許庁

Then, with an interface 812 between the first portion 808 and a second portion 810 as an etch stop plane, the second portion 810 is removed and the first portion 808 remains as a piezoelectric thin film as shown in Fig.3.例文帳に追加

すると、第１の部分８０８と第２の部分８１０との界面８１２がエッチストップ面となり、図３に示すように、第２の部分８１０が除去され第１の部分８０８が圧電体薄膜として残存する。 - 特許庁

To solve the problem of the characteristics of a thin-film transistor becoming ununiform, because the amount of regression due to the side-etch varies when a Mo-W alloy film which is to become the gate of the thin-film transistor is processed with wet-etching method which ensures superior productivity.例文帳に追加

薄膜トランジスタのゲートとなるＭｏ−Ｗ合金膜を、生産性に優れるウェットエッチ法により加工すると、サイドエッチによる後退量が変動するため、薄膜トランジスタの特性が不均一になる。 - 特許庁

This is immersed in a bath tank in which an Na0H solution is housed to etch the diffraction effect layer 4 of the part exposed from the absent part of the heat-resistant mask layer 5 and an adhesive layer 6 is subsequently formed to manufacture the transfer sheet.例文帳に追加

これをＮａＯＨ溶液が入った浴槽に浸して上記耐熱マスク層５不存在部から露出した部分の回折効果層４をエッチングした後、接着層６を形成して、転写シートを製造する。 - 特許庁

Moreover, the nickel-chromium seed layer, which may be exposed on the air bearing surface (ABS) of the write head, has an etch rate similar to other materials found in the ABS, thereby avoiding pole tip protrusion during later processing.例文帳に追加

また、書き込みヘッドのエアベアリング面（ＡＢＳ）上に露出されてよいニッケル−クロムシード層は、ＡＢＳに見られる他の材料と同様なエッチング速度を有し、これにより後の処理中の磁極先端突起を回避する。 - 特許庁

The semiconductor device is manufactured by a method of having the steps of: implanting P and O into a SiN layer; and reacting P and O implanted into the SiN layer with H_2O to etch the SiN layer.例文帳に追加

ＳｉＮ層にＰおよびＯを注入する工程と、前記ＳｉＮ層に注入されたＰおよびＯをＨ_2Ｏと反応させ、前記ＳｉＮ層をエッチングする工程とを有する方法により、半導体装置を製造する。 - 特許庁

To etch a metal film such as an aluminum film and an aluminum alloy film with good controllability while preventing or inhibiting the occurrence of resist bleeding, thereby producing a metal film having an intended tapered shape and excellent flatness.例文帳に追加

アルミニウム膜やアルミニウム合金膜などの金属膜を制御性よく、かつ、レジスト滲みの発生を抑制、防止しつつエッチングし、意図するテーパー形状と、優れた平坦性を有する金属膜を得ることができるようにする。 - 特許庁

Then, the introduction of the raw material gases is stopped, and an etching gas is introduced into the crucible 4 through the gas-feeding pipe 13 to etch the growing crystal 20 in a growing atmosphere until the observed defect D appears.例文帳に追加

その後、原料ガスの導入を停止するとともにガス導入管１３を通してエッチングガスをルツボ４内に導入して、観察した欠陥Ｄの発生以前まで成長結晶２０を成長環境下でエッチングする。 - 特許庁

A processing gas including C4F8, CO, and Ar is introduced into the processing chamber 102 of an etching device 300 and then plasma is produced to etch a SiO2 film layer formed on a wafer W on a bottom electrode 106.例文帳に追加

エッチング装置３００の処理室１０２内にＣ_4Ｆ_8とＣＯとＡｒから成る処理ガスを導入した後にプラズマを生成し，下部電極１０６上のウェハＷに形成されたＳｉＯ_2膜層２０２をエッチングする。 - 特許庁

Furthermore, the surface layer part of the joint silicon single crystal thin film 5, stuck on the first substrate 7, is etched back upto an etch-stop layer 6' that is formed based on the ion implantation layer 6, through this peeling operation.例文帳に追加

そして、この剥離により第一基板７上に貼り合わされた結合シリコン単結晶薄膜５表層部を、エッチストップ用イオン注入層６に基づいて形成されたエッチストップ層６’までエッチバックする。 - 特許庁

In order to reduce the accumulation and increase the average etch rate, the side wall protecting attachment is made thinner periodically by forming a second plasma using a mixture containing silane and a second fluorine-contained gas.例文帳に追加

この蓄積を減らし、平均エッチング速度を増大させるために、側壁保護付着物を、シランと第２のフッ素含有ガスとを含む混合物を用いて第２のプラズマを形成することによって定期的に薄くする。 - 特許庁

A metal is vapor-deposited on a polymer substrate and heat- treated to form a metal layer, and after a photoresist is applied to the metal layer, lithography is performed to etch the metal layer to obtain the polymer substrate microelectrode.例文帳に追加

ポリマー基板に金属を蒸着し、熱処理することにより得られる金属層上にフォトレジストを塗布した後、リソグラフィーを行い、金属をエッチングすることを特徴とするポリマー基板マイクロ電極とする。 - 特許庁

To stably carry out a uniform a wet-etching for a silver or silver alloy thin film layer by suppressing the occurrence of etch residual dross in a silver or silver alloy and suppressing the occurrence of side etching caused by over etching.例文帳に追加

銀又は銀合金薄膜層のウエットエッチングに当たり、銀又は銀合金のエッチング残渣の発生を抑制すると共に、オーバーエッチングによるサイドエチングの発生を抑制し、均一なエッチングを安定して行う。 - 特許庁

The mask pattern to etch the film to be etched is formed by etching the organic film of the multilayer resist along the resist pattern using a plasma obtained by making a process gas containing carbon dioxide and hydrogen into the plasma.例文帳に追加

前記複数層レジストの前記有機膜を、二酸化炭素と水素とを含む処理ガスをプラズマ化して得たプラズマにより前記レジストパターンに沿ってエッチングして、前記被エッチング膜をエッチングするためのマスクパターンを形成する。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition which enables formation of a resist pattern excellent in sensitivity, resolution, line width roughness (LWR) and etch resistance, and a method of forming resist patterns using the radiation-sensitive resin composition.例文帳に追加

感度、解像性、ＬＷＲ及び耐エッチング性に優れるレジストパターンを形成可能な感放射線性樹脂組成物並びにこの感放射線性樹脂組成物を用いたレジストパターンの形成方法の提供。 - 特許庁

To generate active species necessary for etching and to etch a silicon oxide film while maintaining a former selectivity, since it is anticipated that PFC (perfluorocarbon) and HFC (hydrofluorocarbon) as an etching gas of the silicon oxide film or a silicon nitride film will be limited to use or will become unavailable in the future due to environmental regulations.例文帳に追加

シリコン酸化膜やシリコン窒化膜のエッチングガスである、ＰＦＣ（パーフルオロカーボン）、ＨＦＣ（ハイドロフルオロカーボン）は環境規制により、今後使用が制限もしくは入手が困難なことが予想される。 - 特許庁

The growth member 7 is subjected to wet etching to etch the buffer layer 2 from end parts of each growth portion 9, and then, a group III nitride single crystal is grown on the seed crystal film 3 by a flux method.例文帳に追加

育成用部材７をウエットエッチングに供することによってバッファ層２を育成部９の端面からエッチングし、次いでＩＩＩ族窒化物単結晶を種結晶膜３上にフラックス法によって育成する。 - 特許庁

The forming method for the reflection preventing structure comprises etching a base material layer together with particles using the particles arranged on the base material and harder to etch than the base material, as a mask and stopping etching work before the particles disappear.例文帳に追加

基材層上に配置された、基材よりもエッチングされにくい粒子をマスクとして、粒子と共に基材層をエッチングし、かつ粒子が消失する前にエッチング加工を停止する反射防止構造の形成方法。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an aluminum foil for an electrode of an electrolytic capacitor adapted to form generative nuclei of etch pits on the foil most effectively in view of improving the etching characteristics, so as to increase the static capacity.例文帳に追加

エッチング特性の向上という観点から箔を最も効果的にエッチングピットの発生核を形成させて静電容量を増大しうる電解コンデンサ電極用アルミニウム箔の製造方法を提供する。 - 特許庁

The fabrication method of the thin film transistor includes the steps of: forming a gate electrode with a first mask; forming an active pattern and a photoresist pattern with a second mask; ashing the photoresist pattern based on a predetermined width of an etch stopper; forming the etch stopper by patterning an insulating layer underlying the ashed photoresist pattern; and forming a source electrode and a drain electrode with a third mask.例文帳に追加

本発明による薄膜トランジスタの製造方法は、第１マスクでゲート電極を形成する段階と、第２マスクでアクティブパターンとフォトレジストパターンを形成する段階と、エッチストッパーの幅に対応する幅だけ前記フォトレジストパターンをアッシングする段階と、前記アッシングされたフォトレジストパターン下部の絶縁膜をパターニングしてエッチストッパーを形成する段階と、第３マスクでソース電極とドレイン電極を形成する段階と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

In this way, the remaining light absorbing layer 113 is used as a mask to etch the first layer 101, thereby processing the first layer 101 into a desired site and shape without using a conventional photolithographic technique.例文帳に追加

残存する光吸収層１１３をマスクとして用いて、第１の層１０１をエッチングすることにより、従来のフォトリソグラフィー技術を用いずとも、第１の層１０１を所望の場所及び形状に加工することができる。 - 特許庁

Second feeding nozzles of washing solution for feeding a solution to remove slurry from the peripheries of the upper and lower surfaces of the wafer W and to etch an unnecessary thin film of the peripheries are provided to the peripheries.例文帳に追加

また、ウエハＷの上面および下面の周縁部に、その周縁部からスラリーを除去したり、その周縁部の不要な薄膜をエッチングしたりするための液を供給するための第２洗浄液供給ノズルが設けられている。 - 特許庁

After the etch stopping film 5 exposed to the bottom of the groove by the additional etching is removed, the interlayer dielectric 4 exposed to the bottom of the groove by etching back is etched by a specified thickness to bury a wiring metal 10 in the hole and the groove.例文帳に追加

追加のエッチングにより溝底部に露出したエッチング阻止膜５を除去した後、エッチバックにより溝底部に露出した層間絶縁膜４を所定の厚さだけエッチングし、ホールおよび溝に配線金属１０を埋め込む。 - 特許庁

The concentration of chlorine gas around the peripheral edge of the wafer 20 is controlled to a high concentration by controlling an exhaust speed of an exhausting apparatus and the peripheral edge of the wafer 20 is covered with the chlorine gas plasma P2 to etch and remove the unnecessary object stuck thereon.例文帳に追加

排気装置による排気速度を調節して、ウェハー２０の周縁部で塩素ガスの濃度を高く制御し、この塩素ガスのプラズマＰ２でウェハー２０の周縁部を包み込み、そこに付着した不要物をエッチング除去する。 - 特許庁

An etch resistant heater for use in a wafer processing assembly has a superior ramp rate of at least 20°C per minute, maximum temperature difference across the surface (for example, >100°C over 300 mm), and at least one electrode.例文帳に追加

ウェーハ処理アセンブリ中で使用され、少なくとも１分につき２０℃の優れた温度上昇率と、表面にわたる最大温度差（例えば＞３００ｍｍにわたり１００℃）と、少なくとも１個の電極とを有する耐腐食性ヒータ。 - 特許庁

To provide an etching composition for an aluminum-containing material with which high etching precision, particularly, high linear working precision can be obtained without causing pitting corrosion while a high etching speed (high etch rate) is held in etching for an aluminum-containing material.例文帳に追加

アルミニウム含有材料のエッチングにおいて、高エッチングスピード（高エッチレート）を維持したまま、孔食を生じず、高エッチング精度、特に高直線加工精度を得ることのできるアルミニウム含有材料用エッチング組成物を提供すること。 - 特許庁

Thermosetting, bottom-applied polymeric anti-reflective coatings exhibiting high optical density, rapid plasma etch rates, high solubility in preferred coating solvents, excellent feature coverage, and improved stability in solution are disclosed.例文帳に追加

高い光学密度、迅速なプラズマエッチ速度、好ましい溶媒における高い溶解性、優秀な像被覆面積、および改良された溶媒中安定性を示す、熱硬化性下層適用性ポリマー抗反射コーティングについて記載する。 - 特許庁

The yttria sintered compact is manufactured by dipping yttria sintered compact after being worked into the aqueous solution of the acids of one or more kinds selected from hydrochloric acid, hydrochloric acid hyper hydrate, hydrofluoric acid, nitric acid and fluoronitric acid to etch the surface of the yttria sintered compact.例文帳に追加

イットリア焼結体は、イットリア焼結体を加工した後に塩酸、塩酸過水、ふっ酸、硝酸、ふっ硝酸から選ばれる１種以上の酸水溶液に浸漬せしめ、イットリア焼結体の表面をエッチングして製造される。 - 特許庁

A resist film 11 is masked to selectively etch the plasma oxidation film 10, and a support member 17 for excessive grinding prevention being a support for the excessive grinding during the chemical and mechanical grinding in the neighborhood of the recess part 4 being a photograph associated mark part is left.例文帳に追加

レジスト膜１１をマスクにして、プラズマ酸化膜１０を選択的にエッチングし、写真関連マーク部である凹部４の近傍に、化学的機械的研磨時の過研磨に対する支えとなる過研磨防止用支え部材１７を残す。 - 特許庁

In a method, while being cooled, a silicon wafer 3 with an oxide film is brought into contact with hydrogen fluoride gas, and hereby condensation (not including a silicon oxide component) is generated on a wafer surface, to thereby etch an oxide film on the silicon wafer surface.例文帳に追加

酸化膜付きシリコンウェーハ３を冷却しつつ、フッ化水素ガスと接触させることによりウェーハ表面に結露（但しシリコン酸化成分を含まない）を発生させることによって、シリコンウェーハ表面の酸化膜をエッチングする方法。 - 特許庁

After a capacitive element and a resistance element are formed from the same polycrystal silicon on an active region and on an element isolation region, respectively, a substrate surface is polished by CMP or etch back with being planarized until reaching an intended film thickness of a resistor.例文帳に追加

容量素子をアクティブ領域上、抵抗素子を素子分離領域上に同一の多結晶シリコンで形成した後、ＣＭＰやエッチバック等で、所望の抵抗体の膜厚になるまで、基板表面を平坦化させながら削る。 - 特許庁

To provide an etchant composition for a conductive film which can efficiently etch a conductive film, which does not produce residues after etching, which can suppress foaming at etching, and which is excellent in terms of etching workability.例文帳に追加

導電膜を効率よくエッチングすることが可能で、しかも、エッチング後に残渣を生じることがなく、かつ、エッチング時の発泡を抑制することが可能でエッチング作業性にも優れた導電膜用エッチング液組成物を提供する。 - 特許庁

To provide an etching method of a resin film which is possible to anisotropically etch the film in a short time to a thickness direction and to obtain a nice etching shape and uniformly neat etching.例文帳に追加

本発明は、短時間でエッチングされる膜の厚さ方向に対して異方的にエッチングすることができ、かつ、エッチング形状がきれいで均一に整ったエッチングをすることができる樹脂膜のエッチング方法を提供するものである。 - 特許庁

To provide a method for forming copper wiring in a semiconductor element, capable of improving the electrical characteristic and reliability of the copper wiring by preventing infiltration of an organic solvent or an etch gas or the like into a porous low dielectric film.例文帳に追加

多孔性低誘電膜内への有機溶剤またはエッチングガスなどの浸透を防止して銅配線の電気的特性及び信頼性を向上させることが可能な半導体素子の銅配線形成方法を提供する。 - 特許庁