「etch」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

This ceramics member is provided with substrate wherein first ceramics material is used as the main component, and a covering layer which covers the surface of the substrate which surface faces the inside of the reaction vessel and in which second ceramics material whose plasma etch-proof property is higher than that of the first ceramics material is made the main component.例文帳に追加

第１のセラミックス材を主成分とする基材と、基材の反応容器内に面した表面を被覆し、第１のセラミックス材より耐プラズマエッチング性が高い第２のセラミックス材を主成分とする被覆層とを有するセラミックス部材である。 - 特許庁

In the contacting of a word line with an upper-layer metal wiring, a polysilicon region 100-2 including the contact (for example, 12_2) is formed under the polysilicon for forming the word line (for example, 10_2) to adopt the poly-silicon region 100-2 as an etch-stop layer used, when the contact 12_2 is formed.例文帳に追加

ワード線と上層の金属配線とのコンタクト部においては、ワード線（たとえば１０＿２）を形成するポリシリコンの下部に、コンタクト部（たとえば１２＿２）を包含するポリシリコン領域１００＿２が、コンタクトを形成する際のエッチングストップ層として形成される。 - 特許庁

Then, lamination films (33D, 34B and 35B) are patterned, and these are used as a mask to etch the upper conductor film 35A, the ferroelectric film 34A, and the lower conductor films (33A, 33B and 33C), thereby forming the ferroelectric capacitor 30.例文帳に追加

次に、積層構造膜（３３Ｄ、３４Ｂ及び３５Ｂ）をパターニングし、これをマスクとして用いつつ、上部導電体膜３５Ａと強誘電体膜３４Ａと下部導電体膜（３３Ａ、３３Ｂ及び３３Ｃ）とをエッチングすることで強誘電体キャパシタ３０を形成する。 - 特許庁

Next, an etching solution, for example a solvent of coating solution, is supplied to the rotating wafer from a solvent supplying nozzle 40 to etch the coating film, and thereafter the coating solution is supplied to the wafer from the coating solution supplying nozzle, to form a flat coating film on the surface of the wafer.例文帳に追加

次に、回転するウエハに対して溶剤供給ノズル４０からエッチング液例えば塗布液の溶剤を供給して、塗布膜をエッチングした後、ウエハに対して塗布液供給ノズルから塗布液を供給し、ウエハの表面に平坦状の塗布膜を形成する。 - 特許庁

To obtain a wet-cleaning apparatus and wet-etching method, that can reduce fluctuation in product characteristics by making uniform the amount of etching in a wafer, when using etching liquid, such as a fluoric acid to etch a wafer an oxide film in wet cleaning treatment and the like.例文帳に追加

ウェット洗浄処理においてフッ酸等のエッチング液を用いて酸化膜等のウエハをエッチングする際にウエハ内でのエッチング量の均一化を図ることで、製品特性のばらつきの低減化を図ることができるウェット洗浄装置およびウェットエッチング方法を得る。 - 特許庁

To provide a composition for etching, wherein it gives no damage to a semiconductor material, such as silicon oxide, and it can selectively etch a hafnium compound, such as hafnium silicate and hafnium aluminate, and further, it prevents the sticking of etched hafnium, and moreover, it is flame-resistant and can be used safely.例文帳に追加

酸化ケイ素等の半導体材料にダメージがなく、ハフニウムシリケート、ハフニウムアルミネート等のハフニウム化合物を選択的にエッチングでき、なおかつエッチングしたハフニウムの付着を防止すると共に難燃性で安全に用いることができるエッチング用組成物を提供する。 - 特許庁

A hard mask 12a in which a stopper film 7a, a silicon oxide film 8a, and a reflection preventing film 11a are sequentially laminated is formed on a metal wiring layer 6 containing aluminum, and is used as a mask to etch the metal wiring layer 6 so that metal wiring 6a is formed.例文帳に追加

アルミニウムを含む金属配線層６の上に、ストッパー膜７ａ、シリコン酸化膜８ａ、反射防止膜１１ａを順次積層したハードマスク１２ａを形成し、これをマスクとして金属配線層６をエッチングして、金属配線６ａを形成するようにした。 - 特許庁

The surface layer of Dy and Sc comprising high-k materials gets chlorinated (brominated) during exposure to the Cl or Br comprising plasma, and can be removed after etch by a water rinse.例文帳に追加

Ｄｙ及びＳｃの塩化物は揮発性を有さないが、それらは水溶性を有するので、Ｄｙ及びＳｃ含有高ｋ材料の表面層は、Ｃｌ若しくはＢｒ含有プラズマをさらす間に塩化物化（臭化物化）され、エッチング後ウォータリンスにより取り除くことができる。 - 特許庁

When dry etching of indium phosphide is performed, dry etching is performed by using etching gas including chlorine atoms and oxygen atoms, etch rate of indium phosphide gallium is reduced, selectivity of indium phosphide and indium phosphide gallium is increased, and microfabrication of an element is performed.例文帳に追加

燐化インジウムのドライエッチングを実施するときに塩素原子と酸素原子を含んだエッチングガスを用いてドライエッチングし、燐化インジウムガリウムのエッチング速度を低下させ、燐化インジウムと燐化インジウムガリウムの選択比を向上させ、素子の微細加工を行うことで解決できる。 - 特許庁

A fluoride ion produced by the reaction of the metal complex ion with water can etch the surface of the phosphor particle to remove defective parts on the surface of the phosphor particle and disintegrate phosphor particles forming aggregates by necking.例文帳に追加

金属錯イオンが水と反応して生成されるフッ化物イオンが蛍光体粒子の表面にエッチング作用し、蛍光体粒子の表面の欠陥部分を除去することができると共に、ネッキングして凝集体となっている蛍光体粒子を解離させることができる。 - 特許庁

The method for removing a material selected from a group consisting of photoresist, etch residue, BARC and combinations of these, from a substrate includes applying the above described formulation to the substrate to remove the material from the substrate.例文帳に追加

本発明はフォトレジスト、エッチ残留物、ＢＡＲＣ及びそれらの組合せからなる群から選択した材料を基材から除去する方法であって、材料を基材から除去するために、上記に記載された、配合物を基材に適用することを含む方法でもある。 - 特許庁

The etching composition contains 12 to 30 mass percent of hydrochloric acid, 1 to 15 mass percent of acetic acid, 0.1 to 5 mass percent of silver nitrate, aluminum nitrate, etc. as an additive agent and extra-pure water and is useful as an etching composition to etch a transparent conductive film stably.例文帳に追加

エッチング組成物は、塩酸１２〜３０質量％、酢酸１〜１５質量％、添加剤として硝酸銀、硝酸アルミニウム等０．１〜５質量％及び超純水を含み、透明導電膜安定的に蝕刻するエッチング組成物として有用である。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device includes a step of forming an organic bottom anti-reflective coating over an etch target layer, a step of forming a photoresist pattern over the organic bottom anti-reflective coating, and a step of etching the organic bottom anti-reflective coating using a sulfur-containing gas.例文帳に追加

被エッチング層上に有機反射防止膜を形成するステップと、該有機反射防止膜上に感光膜パターンを形成するステップと、硫黄が含有されたガスを用いて、前記有機反射防止膜をエッチングするステップとを含むことを特徴とする。 - 特許庁

This processing method comprises forming a primary through- hole 20 in a metal substrate 10, making an etchant flow from one open side to the other open side of the primary through-hole 20, then flow from the other open side to the one open side, to etch the hole isotropically.例文帳に追加

加工先穴２０が形成された金属基板１０を用意して、その加工先穴２０の一方の開口部側から他方の開口部側にエッチャントを流し、次に、他方の開口部側から一方の開口部側にエッチャントを流して等方性エッチングを行う。 - 特許庁

Removing from the first portion of the cavity the sacrificial material underlying the device structure by introducing the release etchant from the back side of the substrate via the second portion of the cavity allows the release etch to be performed without exposing the device structure to the release etchant.例文帳に追加

基板の背面から空洞の第２の部分を介してリリースエッチャントを導入することによって、デバイス構造の下に位置する犠牲材料を空洞の第１の部分から除去することで、デバイス構造がリリースエッチャントに曝されることなくリリースエッチングを行うことができる。 - 特許庁

By conducting a process of partially forming a mask on the surface of a substrate and a process of forming concave portions by etch-removing a portion of the surface of the substrate which is not covered with the mask by a dry etching method in this order, concave-convex portions are formed on the surface of the substrate.例文帳に追加

基板の表面に部分的にマスクを形成する工程と、ドライエッチング法を用いて前記基板の表面の前記マスクに覆われていない部分をエッチング除去して凹部を形成する工程とを、この順に行うことにより、基板の表面に凹凸部を設ける。 - 特許庁

To provide a method for controlling the critical dimension (CD) of etch features in an etching layer in a stack formed by a patterned photoresist mask, an intermediate mask layer disposed below the photoresist mask, a functionalized organic mask layer disposed below the intermediate mask layer, and an etching layer disposed below the functionalized organic mask layer.例文帳に追加

パターンつきフォトレジストマスクと、その下に配された中間マスク層と、その下に配された機能性有機質マスク層と、その下に配されたエッチング層とによって形成されるスタックにおいてエッチング層内のエッチング構成の限界寸法を制御するための方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device avoiding the problem of causing etch stop owing to reduced aperture diameters and the problem of increased contact resistance owing to reduced contact areas caused by the tapered bottom part in the case of forming a through hole by dry-etching a thick insulating film.例文帳に追加

厚い絶縁膜をドライエッチングしてスルーホールなどを形成する場合、開口径が小さくなるとエッチング停止が生じる問題や底部ほど先細りして接触面積が小さくなり接触抵抗が増大する問題を回避する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

An insulating film is processed by etch back, a sidewall insulating film 24 is formed on the sidewall of a light-shielding film 23 covering a transfer electrode 21 in a self-aligned manner, and then an opening 23a is formed in the light-shielding film 23 by etching while the sidewall insulating film 24 and a resist film 26 are used as a mask.例文帳に追加

エッチバックにより絶縁膜を加工して、転送電極２１を被覆する遮光膜２３の側壁に自己整合的にサイドウォール絶縁膜２４を形成し、当該サイドウォール絶縁膜２４とレジスト膜２６をマスクとしたエッチングにより、遮光膜２３に開口部２３ａを形成する。 - 特許庁

The etching method performed by forming a film 2 to be etched on a substrate 1, forming the resist on the film 2 to be etched, exposing and developing the resist to form a resist pattern 3, generating plasma with an etching gas containing halogen and using the resist pattern 3 as a mask to etch the film 2 to be etched is used.例文帳に追加

基板１上に被エッチング膜２を形成し、被エッチング膜２上にレジストを形成し、レジストに対し露光及び現像を行ってレジストパターン３を形成し、ハロゲンを含むエッチングガスによりプラズマを発生させてレジストパターン３をマスクとして被エッチング膜２をエッチングするエッチング方法を用いる。 - 特許庁

The method of manufacturing the ceramic substrate comprises: the steps of subjecting a photosensitive ceramic green sheet containing inorganic particles and a photosensitive organic ingredient to a treatment combining specific heat treatment and exposure conditions; and then developing the photosensitive ceramic green sheet to obtain the ceramic substrate having the half-etch structure.例文帳に追加

セラミックス基板の製造方法であって、無機粉末と感光性有機成分を含む感光性セラミックスグリーンシートに特定の熱処理と露光条件を組み合わせた処理を行い、次いで、感光性セラミックスグリーンシートを現像し、ハーフエッチ構造を有するセラミックス基板の製造方法。 - 特許庁

In a semiconductor device formed on a GaAs substrate 1, a base to which an emitter electrode 9 contacts uses an n-GaAsNSb layer 8, and hence if the dry etching method using a chloric gas as an etching gas is applied to etch, there is no fear of impeding the etching reaction at all.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１上に形成された半導体装置に於いて、エミッタ電極９がコンタクトする下地がｎ−ＧａＡｓＮＳｂ層８になっているので、塩素系ガスをエッチング・ガスとするドライ・エッチング法を適用してエッチングを行なっても、エッチング反応が阻害されるおそれは皆無である。 - 特許庁

The Zn-doped group 3B nitride crystal has specific resistance of not less than 1×10^2 Ω cm, Zn concentration of from 1.0×10^18 to 2×10^19 atoms/cm^3 in the group 3B nitride crystal, and etch pit density of not more than 5×10^6/cm^2.例文帳に追加

本発明のＺｎドープ３Ｂ族窒化物結晶は、比抵抗が１×１０^2Ω・ｃｍ以上、３Ｂ族窒化物結晶中のＺｎ濃度が１．０×１０^18ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3以上２×１０^19ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3以下、エッチピット密度が５×１０^6／ｃｍ^2以下のものである。 - 特許庁

The method of detecting the defect of the silicon carbide single crystal is characterized in etching the n-type silicon carbide single crystal with an etchant prepared by adding at least one kind among Na_2O_2, BaO_2, NaNO_3, and KNO_3 to molten KOH, and detecting the defect of the crystal from a formed etch pit.例文帳に追加

溶融ＫＯＨにＮａ_２Ｏ_２，ＢａＯ_２，ＮａＮＯ_３，ＫＮＯ_３の少なくとも１種を添加したエッチング液によりｎ型炭化珪素単結晶をエッチングし、形成されたエッチピットにより結晶の欠陥を検出することを特徴とする炭化珪素単結晶の欠陥検出方法。 - 特許庁

Next, the resist pattern 43 is used as a mask to etch the aluminum film 41 to expose the surface of the glass substrate 26, and a light-shielding film 27 is formed with a thickness greater than that of the aluminum film 41 at a temperature higher than the heat tolerance temperature of the resist 42 in a state where the resist pattern 43 remains on the aluminum film 41.例文帳に追加

次に、レジストパターン４３をマスクとしてアルミ膜４１をエッチングし、ガラス基板２６の表面を露呈させ、アルミ膜４１上にレジストパターン４３を残したままの状態で、アルミ膜４１よりも厚く、レジスト４２の耐熱温度よりも高温で遮光膜２７を成膜する。 - 特許庁

Further, the method comprises steps of generating plasma in the chamber by a plasma generating means by introducing gas for etching into the chamber, and increasing plasma density in the chamber by the high plasma density means to etch the Al thin film by the use of the density-increased plasma.例文帳に追加

更に、チャンバーにエッチング用ガスを導入しながら、プラズマ発生手段によってチャンバー内にプラズマを発生させ、プラズマ高密度化手段によって、チャンバー内のプラズマの密度を向上させることで、この密度が向上されたプラズマを用いてＡｌ薄膜をエッチングするようにした。 - 特許庁

The manufacturing method of the silicon wafer includes a process to lap a wafer cut down from a silicon single crystal ingot, a process to print a laser mark with a depth of no smaller than 10 μm on the rear surface of the lapped wafer, a process to etch the wafer wherein the laser mark has been printed.例文帳に追加

本発明によるシリコンウェーハの製造方法は、シリコン単結晶インゴットから切り出されたウェーハをラッピングする工程と、ラッピングされたウェーハの裏面に深さ１０μｍ以上のレーザマークを印字する工程と、レーザマークが印字された前記ウェーハをエッチングする工程を有している。 - 特許庁

Emitting a laser beam to the semiconductor device through the glass mask 13 can etch parts other than the characters and the symbol, provide stamped contents that can easily be viewed, and make the depth of the etched parts shallow to realize the stamping method causing no problem from the standpoint of quality.例文帳に追加

ガラスマスク１３を介して、レーザー光を半導体装置に照射することにより、文字、記号以外の部分が、食刻され捺印内容が見やすくなるとともに、食刻部の深さも浅くすることができ品質の面においても問題のない捺印方法が実現できる。 - 特許庁

To provide a dry etching method of gallium nitride based compound semiconductor such that a smooth etched-surface still can be obtained in a lower degree of vacuum (high pressure) of 10^-3 Pa order, and which can further make aluminum oxide etch, such as a sapphire substrate or an alumina substrate.例文帳に追加

10^-3Paオーダーという比較的低い真空度（高い圧力）でも平滑なエッチング面が得られるような窒化ガリウム系化合物半導体のドライエッチング方法であって、更にサファイア基板やアルミナ基板といったアルミ酸化物までエッチング可能なドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

An etch-stopping layer 6', which is higher in oxygen concentration than its peripheral area is formed in a second single-crystal silicon substrate 1, by forming an ion-implanted layer 6 for stopping etching through ion implantation and performing an oxygen diffusing step of making oxygen diffuse toward the ion-implanted layer 6.例文帳に追加

第二シリコン単結晶基板１中に、イオン打ち込み法によりエッチストップ用イオン注入層６を形成し、次いでエッチストップ用イオン注入層６に向けて酸素を拡散させる酸素拡散工程を行なって、周囲部分よりも酸素濃度が高いエッチストップ層６’を形成する。 - 特許庁

A method is provided which is employed to treat onychomycosis one or more small orifices bored to cross over the whole of a nail plate or etch it, for instance, by using of a pulse laser beam, and a composition containing an antifungal such as terbinafine administrated to the nail.例文帳に追加

全体の爪甲を横切るか爪甲をエッチングする、一つもしくはそれ以上の小さいオリフィスを例えばパルスレーザービームにより形成し、そして例えば抗真菌剤を、例えばテルビナフィンを、含有する組成物を爪に投与することにより、爪甲真菌症を処置する方法を提供する。 - 特許庁

After that, a second insulating film is deposited, a sidewall is formed on a sidewall of the upper electrode by etching the whole surface of the second insulating film, and since the dielectrics film which becomes a capacitance region in the self-aligned manner is worked, side etch and etching damages can be prevented from entering the dielectrics film, directly below an edge of the upper electrode.例文帳に追加

その後、第２の絶縁膜を堆積して全面エッチングにより上部電極の側壁にサイドウォールを形成後、自己整合的に容量領域となる誘電体膜を加工するので、上部電極のエッジ直下の誘電体膜にサイドエッチやエッチングダメージが入ることを防止できる。 - 特許庁

To provide a master plate for a deep-etch plate type offset printing which is excellent in reproducibility and enables attainment of a minute and highly precise image and a manufacturing method thereof and also to provide a forming method of a film circuit having high reproducibility and enabling attainment of a minute and highly precise circuit pattern.例文帳に追加

再現性がよく、微細で精度の高い画像が得られる平凹版型のオフセット印刷用マスター版およびその製造方法を提供するとともに、このマスター版を用いて、再現性の高い、微細で高精度の回路パターンが得られる膜回路の形成方法を提供する。 - 特許庁

The surfaces of super-abrasive grains 1 are covered with metal covering layers 11 consisting of copper, and a chemical agent such as Mech-Etch Bond (trade mark) is applied to the surface of each covering layer 11 followed by a chemical etching process so that a surface is formed where a number of micro-projections 11a remain.例文帳に追加

超砥粒１の表面を銅からなる金属被覆層１１で被覆し、金属被覆層１１の表面にメックエッチボンド（商標）等の薬剤を塗布して化学的にエッチング処理し、多数の微細な突起１１ａ…の残存した表面を形成して金属被覆砥粒１０を構成する。 - 特許庁

A very deep etch pit 1b is formed in the position corresponding to a leak portion by performing molten KOH etching and the like after Al ion implantation and activation annealing, based on findings that a dislocation causing leak such as a drain leak of a vertical MOSFET is a threading screw dislocation.例文帳に追加

縦型ＭＯＳＦＥＴのドレインリークなどのリークを引き起こす転位は貫通らせん転位であるということに基づき、Ａｌイオンの注入および活性化アニール後に溶融ＫＯＨエッチング等を行うことにより、リーク部に相当する場所に非常に深いエッチピット１ｂを形成する。 - 特許庁

An etching stoppage layer is formed between regions having two gains top and bottom and material quality having an etching rate different from that of the gain region is used as the etching stoppage layer, thereby enabling to selectively etch only the top gain region to form a cyclic diffraction grating having a uniform depth.例文帳に追加

エッチング停止層を上下2つの利得を有する領域の間に形成し、且つ、エッチング停止層として利得領域とエッチングレートが異なる材質を用いることで、選択的に上側の利得領域のみをエッチングし、一様な深さをもつ周期的な回折格子を形成することが可能となる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the periphery of an upper layer metal film of multilayer metal films formed on an electrode is prevented from turning up or being separated by the side etch of the lower layer metal film, and to provide a method of manufacturing such a semiconductor device.例文帳に追加

本発明は、電極上に形成された複層金属膜のうちの下層金属膜のサイドエッチによる上層金属膜周辺の捲れや剥がれを防止し、電極の保護を目的とした半導体装置及びそのような半導体装置の製造方法を提供することを課題する。 - 特許庁

Subsequently, inert gas is introduced into the working chamber 11 to obtain a non-reactive atmosphere, and synchrotron light is irradiated from a synchrotron light device 15 against the compound semiconductor S to etch a predetermined place on the compound semiconductor S under a condition that a negative potential is preferably biased on the compound semiconductor S.例文帳に追加

次いで、加工室１１内に不活性ガスを導入して非反応性雰囲気にし、好ましくは化合物半導体Ｓに負電位をバイアスした状態で、シンクロトロン光装置１５よりシンクロトロン光を照射し、化合物半導体Ｓの所定の箇所をエッチングする。 - 特許庁

To provide a technology of uniformizing an etching state in the middle and the surrounding part of a tape by carrying a flexible board at etching without causing deflection corresponding to the flexibility of the flexible board, and uniformly and efficiently spraying etching liquid to the flexible board so as to etch the flexible board without leaving fatigued etching liquid.例文帳に追加

フレキシブル基板の柔軟性に対応し、エッチング時のフレキシブル基板を撓みなく搬送することにより、エッチング液をフレキシブル基板に均一に効率よく噴射し、疲労したエッチング液を残留させることなくエッチングし、テープ中央部と周辺部でのエッチング状態を均一にすること。 - 特許庁

SiO_2 or the like is arranged apart from a floating plane, and coil resistance and TRP (thermal protrusion) by environment temperature of the perpendicular magnetic head are reduced in addition to easiness of working a slider by using a low resistance coil 8 adopting physical etching such as dry-etch and forming the floating plane with alumina.例文帳に追加

ＳｉＯ_２等は浮上面から離して配置し、かつ、ドライエッチ等の物理エッチングを適用した低抵抗コイル８とし、浮上面はアルミナとすることにより、スライダー加工を容易にしするのに加えて、垂直磁気ヘッドのコイル抵抗および環境温度によるＴＰＲ（サーマルプロトリュージョン）を低減した。 - 特許庁

To ensure through passage of a contact regardless of the disturbance such as aged changes, etc., by seeing that etch stop does not occur, suppressing the fluctuation of the contact form such as a taper angle, etc., and further, preventing excessive overetching, in a semiconductor manufacturing device which performs the dry etching for forming a minute contact hole.例文帳に追加

微細なコンタクトホールを形成するためのドライエッチングを行う半導体製造装置において、“エッチストップ”が生じないようにし、また、テーパー角などコンタクト形状の変動を抑制し、さらに、過度のオーバーエッチングを防ぎ、経時変化等の外乱に関わらずコンタクトの抜け性を確保する。 - 特許庁

The entire surface is coated with an organic coating film 20, such as resist by rotary coating and inside the hole for connection hole, the organic coating film 20 is left by a method such as full etch back, so that the surface of the organic coating film 20 can be higher than the lower surface of the second wiring correspondent inter-layer insulating film.例文帳に追加

回転塗布法により全面にレジスト等の有機塗布膜２０を塗布し、全面エッチバック等の方法により接続孔用の穴１３内で、有機塗布膜２０表面が第２配線対応層間絶縁膜下面よりも上になるように有機塗布膜２０を残す。 - 特許庁

This manufacturing method of a semiconductor device including a pattern forming method forms a second thin film on the side wall of a first thin film, and carries out the high precision etch back of the tip of the second thin film formed on that side wall to align the tip according to a planarizing process so that the tip does not become uneven.例文帳に追加

パターン形成方法を含む半導体装置の製造方法として、第１の薄膜の側壁に第２の薄膜を形成し、その側壁に形成された第２の薄膜の先端部が不均一にならないように、平坦化法により、精度良くエッチバックして揃える。 - 特許庁

While sustaining discharge, second etching is supplied into the reaction chamber at a flow rate in the range of ±10% that of the first etching gas and at a gas pressure in the range of ±50% that of the first etching gas and plasma is generated in order to etch the insulating film 3.例文帳に追加

放電を継続した状態で、反応室内に、ガス流量が第１のエッチングガスのガス流量の−１０％〜＋１０％、ガス圧力が第１のエッチングガスのガス圧力の−５０％〜＋５０％である第２のエッチングガスを供給し、プラズマを生成して絶縁膜３をエッチングする。 - 特許庁

This manufacturing method of a nitride semiconductor laser device comprises a step to etch the back surface (nitride surface) of an n-type GaN substrate 1 having wurtzite structure by RIE method, and then, a step to form an n-electrode 8 on the back surface (nitride surface) of the etched n-type GaN substrate 1.例文帳に追加

この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法は、ウルツ鉱構造を有するｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）をＲＩＥ法によりエッチングする工程と、その後、エッチングされたｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）上に、ｎ側電極８を形成する工程とを備えている。 - 特許庁