「etch」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

It is made possible to gradually etch the feature of the high aspect ratio such that it is adapted to a depth desired for both high and low feature density regions on a substrate and the limit size of a vertical profile without generating a defect and/or the overetching of a lower layer using the flat and uniform passivation layer.例文帳に追加

平坦で均一なパッシベーション層により、欠陥及び／又は下層のオーバーエッチングを起こすことなく、高アスペクト比のフィーチャを、基板上の高及び低フィーチャ密度領域の双方に所望の深さ及び垂直プロファイルの限界寸法に適した形で徐々にエッチングすることが可能となる。 - 特許庁

To provide an etching liquid for metals such as iron based metals and copper based metals with which an etching component with a high etch factor shape having high precision, high definition, and a fine pitch can be produced though it has been impossible with an etching liquid consisting of cupric chloride and ferric chloride and/or an additive added thereto.例文帳に追加

鉄系金属、銅系金属等の金属用のエッチング液において、塩化第二銅、塩化第二鉄、及び／またはそれらに添加剤を加えたエッチング液では不可能であった高エッチファクター形状の、高精度、高精細、ファインピッチのエッチング部品の製造を可能にするエッチング液を提供する。 - 特許庁

The spacer layer has a relatively low refractive index, images the convex-shaped surface by treating a selective and isotropic etching through an opening in an etch mask, and forms an interface together with the convex-shaped lower side surface of the micro lens after the micro lens substance is adhesively formed conformably.例文帳に追加

スペーサー層は比較的低い屈折率を有しており、エッチマスクにおける開口を介して選択的な等方的エッチング処理して凸状表面を画定し、それは、その後のマイクロレンズ物質のコンフォーマルな付着形成の後に、マイクロレンズの凸状下側表面と共に界面を形成する。 - 特許庁

A resist film 53 is used as a mask to etch the shifter film 52 by reactive ion etching using CF_4+O_2 gas for MoSiO and MoSION or using Cl_2CO_2 gas for CrO and CrON to form a light transmitting portion 852 corresponding to an auxiliary measurement pattern.例文帳に追加

レジスト膜５２をマスクにして、ＭｏＳｉＯとＭｏＳｉＯＮとに対してはＣＦ_4＋Ｏ_2ガス、ＣｒＯとＣｒＯＮとに対してはＣＬ_2ＣＯ_2ガスを用いた反応性イオンエッチングにより、シフタ膜５２のエッチングを行ない、補助測定パターンに対応する光透過部８５２を形成する。 - 特許庁

Also, in a doped silicon oxide or doped silicon nitride or any other doped structure, the presence of a dopant can be used for measuring a signal (marking) associated with the dopant as an etch stop, or in other cases, for achieving control during etching.例文帳に追加

また、ドープ型酸化シリコンまたはドープ型窒化シリコンまたはその他のドープ型構造では、ドーパントが存在することを利用して、このドーパントに関連する信号（目印）をエッチング・ストップとして測定することができ、またはその他の場合にはエッチング中の制御を実現することができる。 - 特許庁

The method comprises the steps of making an inorganic thin film deposited on a substrate, forming a hemispherical photoresist pattern on the inorganic thin film, and forming a microlens of the hemispherical inorganic thin film by carrying out a whole surface etch back process for the inorganic thin film.例文帳に追加

基板上に無機物薄膜を蒸着するステップと、前記無機物薄膜上に半球状のフォトレジストパターンを形成するステップと、前記無機物薄膜に全面エッチバック工程を行い半球状無機物薄膜のマイクロレンズを形成するステップとを有することを特徴とする。 - 特許庁

To stably and uniformly etch an organic film by reducing RIE Lag when etching the organic film and by keeping suitable amount of etching even if holes having different diameters or wiring grooves having different widths are mixedly provided.例文帳に追加

有機膜に対してエッチングを行なう場合に、ＲＩＥ Ｌａｇを小さくして、異なる径を有する孔又は異なる幅を有する配線溝が混在する場合でも、エッチング量が過不足にならないようにして、有機膜に対して安定且つ均一にエッチングを行なえるようにする。 - 特許庁

The incombustible etching composition containing a fluoride, phosphoric acid, and bromide and/or chloride can selectively etch hafnium silicate, hafnium silicate nitride, hafnium aluminate, hafnium aluminate-hafnium silicate nitride, etc., without giving any damage to another semiconductor material, such as the oxidized silicon etc.例文帳に追加

フッ化物、リン酸、さらに臭化物及び／又は塩化物を含んでなるエッチング用組成物では、酸化ケイ素等の他の半導体材料にダメージを与えることなく、ハフニウムシリケート、窒化ハフニウムシリケート、ハフニウムアルミネート、窒化ハフニウムアルミネートハフニウムシリケート、ハフニウムアルミネート等を選択的にエッチングできるとともに、不燃性である。 - 特許庁

To provide an etchant for copper oxide and an etching method, wherein when copper oxide, particularly CuO (II), as a thermal reaction type resist material is exposed to a laser beam, the etchant can selectively etch the exposed and unexposed parts thereof.例文帳に追加

熱反応型レジスト材料として銅の酸化物を用いてレーザー光で露光した場合、特に、ＣｕＯ(ＩＩ)を熱反応型レジスト材料として、その露光・未露光部を選択的にエッチングすることのできる酸化銅用エッチング液及びエッチング方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The titanium removing solution is an aqueous solution of ≤pH 5 comprising a fluorine compound and metallic ions having reduction force, and can etch titanium by the fluorine compound at high speed while exhibiting the corrosion inhibition effect of the other metals by the metallic ions having reduction force.例文帳に追加

チタン剥離液を、フッ素化合物および還元力をもつ金属イオンを含有したｐＨ５以下の水溶液とし、還元力をもつ金属イオンによる他の金属の腐食抑制効果を発現させながら、フッ素化合物によりチタンを高いエッチング速度でエッチングすることを可能とする。 - 特許庁

The etching apparatus comprises a holding and driving mechanism 1 to drive a semiconductor wafer to rotate in the circumferential direction by vertically holding the wafer, and an etching vessel 21 to contain etchant and etch the circumferential edge of the semiconductor wafer to be driven to rotate with the holding and driving mechanism by soaking the wafer into the etchant.例文帳に追加

半導体ウエハをほぼ垂直に保持して周方向に回転駆動する保持駆動機構１と、エッチング液が収容されるとともに保持駆動機構によって回転駆動される上記半導体ウエハの周縁部が上記エッチング液に浸漬してエッチングされるエッチング槽２１とを具備する。 - 特許庁

To provide a method of forming a film by MOCVD method of a PZT capacitance comprising various superior ferroelectric characteristics on an Ru lower electrode which is easy to etch and to specify an Ru-PZT interface structure obtained by the method so as to be applied to a ferroelectric memory device.例文帳に追加

本発明は、エッチングがし易いＲｕ下部電極上において優れた強誘電体諸特性をもつＰＺＴ容量のＭＯＣＶＤ法による成膜方法を示すと共に、これによって得られるＲｕとＰＺＴ界面構造を特定し、かつ強誘電体メモリデバイスに適用する。 - 特許庁

To provide a semiconductor optical integrated element which is composed of a semiconductor laser and semiconductor optical modulator integrated on one substrate using an Al-based semiconductor material, wherein the effects of oxidation and side etch of the Al-based semiconductor material are suppressed, and reflection and dispersion in the BJ (butt-joint) surface are suppressed.例文帳に追加

Ａｌ系半導体材料を用いて同一の基板上に集積した半導体レーザ及び半導体光変調器であって、Ａｌ系半導体材料の酸化とサイドエッチの影響を抑制し、ＢＪ結合面の反射や散乱を抑えた半導体光集積素子を提供する。 - 特許庁

Furthermore the polycrystalline silicon film 77 and the granular silicon crystal 76 are removed from the top surface of the silicon oxide film 50 by etch-back, and the electrode of a DRAM(dynamic random access memory) data storage capacitor device is composed of a polycrystalline silicon film 77 and a granular silicon crystal 76.例文帳に追加

さらにシリコン酸化膜５０上面の多結晶シリコン膜７７および粒状シリコン結晶７６をエッチバックして除去し、多結晶シリコン膜７７および粒状シリコン結晶７６からなるＤＲＡＭの情報蓄積用容量素子を構成する下部電極を形成する。 - 特許庁

This arrangement sufficiently prevents etch-back and excessive protrusion of the glass cloth from the wall surface of the via hole and achieves highly reliable via, particularly, in a small via hole having a top diameter of ≤75 μm.例文帳に追加

かかる構成の採用により、エッチバック現象及びビアホール壁面からのガラスクロスの過大な突出を共に十分に抑制でき、信頼性の高いビアを形成することができ、特に、トップ径７５μｍ以下というような小径のビアホールに対しても高信頼性のビアを形成することができる。 - 特許庁

The silicon ring having an inner step 14 for supporting a material under etching opposite to an upper electrode plate in a plasma etcher has an etch-durable film 24 formed on at least the supporting surface 21 of the inner step 14 of the ring.例文帳に追加

プラズマエッチング装置内で上部電極板と相対向する位置に設置される被エッチング物を支持するための内段１４を有するシリコン製リングにおいて、前記シリコン製リングの内段１４の少なくとも支持面２１に耐エッチング性被膜２４を形成したことを特徴とする。 - 特許庁

In this production method, a surface of an insulation layer is smoothed and, thereby, the insulation layer is stabilized by perceiving a surface active agent and utilizing the effect of the surface active agent in order to etch the insulation layer with excellent working precision on the production of wiring-integrated suspension.例文帳に追加

本発明は、配線一体型サスペンションを製造するにあたり、絶縁層を加工精度よくエッチングするために、界面活性剤に着目し、この効果により、絶縁層表面を滑らかにすることで絶縁層の安定した製造方法を確立したものである。 - 特許庁

High-frequency power sources 17, 19 are operated via a control signal from a control system 100 to form high-frequency induction plasma (ICP) in the chamber 13, while alternating-current bias voltage is applied to the susceptor 11 to dry etch the compound semiconductor layer 20a.例文帳に追加

また、制御系１００の制御信号により高周波電源１７及び１９を運転し、チャンバ１３内に高周波誘導プラズマ（ＩＣＰ）を形成せしめると共にサセプタ１１に交流バイアス電圧を印加することにより、化合物半導体層２０ａのドライエッチングを行う。 - 特許庁

The invention relates to a method to etch the substrate on the surface of which two or more masks are formed, wherein multiple etching liquids suitable for respective membranes of the masks are prepared in advance and are discharged continuously in a switching manner.例文帳に追加

上記課題を解決するためのエッチング方法は、表面に２種以上のマスクが形成された被処理部材のエッチングを行う方法であって、各マスクの膜質に対応した複数のエッチング液を予め用意し、前記複数のエッチング液を連続して切り替えて吐出することを特徴とする。 - 特許庁

To provide an etching agent in which the problem of instability of etch rate is solved by adding an additive for prevention of secular change to an etching agent for a copper lamination film composed of copper or copper/ titanium or the like for a component material for electronic equipment and also to provide a method for manufacturing a base material for electronic equipment by the use of the etching agent.例文帳に追加

本発明は、電子機器用素子材料の銅又は銅／チタンなどの銅積層膜のエッチング剤に経時変化防止用添加剤を添加してエッチング率の不安定性を解決したエッチング剤及びこれを用いた電子機器用基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

Similarly in correcting a black defect, an etching source material in a liquid state is supplied from the probe of a scanning probe microscope onto only the black defect region by a similar method to Dip-Pen Nanolithography, and an ion beam or an electron beam is supplied to etch to correct the black defect.例文帳に追加

黒欠陥修正の場合も同様に、走査プローブ顕微鏡の探針から液体状のエッチング原料をＤｉｐ−Ｐｅｎ Ｎａｎｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙと同様な方法で黒欠陥領域上のみに供給し、イオンビームや電子ビームを供給してエッチングを行い黒欠陥を修正する。 - 特許庁

Since the pressure chamber 18 and the interconnecting holes 34 and 35 are formed individually with etching liquids which can etch only one of the first layer 15a and the second layer 15b, respectively, a pressure chamber 18 and interconnecting holes 34 and 35 can be formed with a high accuracy in the depth direction.例文帳に追加

第１の層１５ａ及び第２の層１５ｂには、それぞれ一方の層のみをエッチング可能なエッチング液によるエッチングで圧力室１８及び連通孔３４，３５が各々個別に形成されるので、深さ方向精度が高い圧力室１８及び連通孔３４，３５を形成することができる。 - 特許庁

After a gate electrode or a dummy gate electrode 11 for forming the gate electrode is patterned, an insulation film 29 is deposited, and after the upper part of the gate electrode or the dummy electrode is exposed by an etch-back, a first sidewall 22 is provided there, and successively, gate sidewalls 20, 21 are provided by performing an etching-back.例文帳に追加

ゲート電極またはゲート電極を形成するためのダミーゲート電極１１をパターニング後、絶縁膜２０を堆積し、エッチバックによりゲート電極またはダミーゲート電極の上部を露出させたのち、ここに第一の側壁２２を設け、続いてエッチバックを行うことにより、ゲートサイドウォール２０、２１を設ける。 - 特許庁

To provide a photosensitive resist solution which can etch fine and high-density conductor circuits by forming an etching resist layer free of tack on a coating film by using a dipping process, and to provide a method for manufacturing a printed circuit board having the fine and high-density conductor circuits by using the resist solution.例文帳に追加

ディップ法を用いて塗膜にタックのないエッチングレジスト層を形成し、微細で高密度の導体回路をエッチング加工できる感光性レジスト液を提供し、該レジスト液を用い微細で高密度の導体回路を有するプリント配線基板の製造方法を提供することを課題とするものである。 - 特許庁

In a method for analyzing the surface layer of the silicon wafer, the analyzing surface of the silicon wafer is made close to and face the liquid surface of the silicon solution made of a mixed liquid of fluorine and nitric acid under normal temperatures so as to etch the surface layer section of the silicon wafer, and the etching liquid is collected for analysis.例文帳に追加

シリコンウェーハの分析面を、フッ酸と硝酸の混合液からなるシリコン溶解液の液面に、常温下で近接させて対面させることによってシリコンウェーハの表層部をエッチングし、そのエッチング液を回収して分析することを特徴とするシリコンウェーハの表層分析方法である。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which an overlay vernier can be formed without performing additional drain key open mask and drain key open etch processes by forming a step in a semiconductor substrate when the overlay vernier is formed and forming a hard mask having a stack layer formed thereon so that the shape of the step can be maintained.例文帳に追加

オーバーレイバーニア形成時に半導体基板に段差を形成し、段差の形態が維持され得るように上部に積層膜を形成してハードマスクを形成することで、ドレインキーオープンマスク工程とドレインキーオープンエッチ工程を別途設けるずとも、オーバーレイバーニアの形成が可能な半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The plasma etching method is to etch the base material to be processed by repeating alternately the deposition step S09 by a deposition gas and the etching step S11 by an etching gas, and intervenes an exhaust process providing exhaust steps S10, S13 for exhausting a process gas once when the process gas is switched.例文帳に追加

このプラズマエッチング法は、デポジッションガスによるデポジッション工程Ｓ０９とエッチングガスによるエッチング工程Ｓ１１とを交互に繰り返すことで被加工基材をエッチングするものであり、プロセスガスを切り替える際に一旦そのプロセスガスを排気する排気工程Ｓ１０，Ｓ１３を設けた排気工程を介在させた。 - 特許庁

To provide a printed circuit board for an electronic component package and a manufacturing method thereof capable of strengthening the adhesiveness of wire bonding without erosion caused in the conductor of the printed circuit board for the electronic component package, when the lead wirings used for electrolytic plating are removed by an etch back process.例文帳に追加

電解めっきの際に使用するリード配線をエッチバック工程により除去する際に、電子部品パッケージ用のプリント配線板の導体部が浸食されることがなく、ワイヤーボンディングの密着性を強固なものとすることができる電子部品パッケージ用プリント配線板及びその製造方法の提供。 - 特許庁

In the manufacturing method of the discrete track medium, a projecting magnetic pattern is formed on a substrate, a non-magnetic body is film-deposited so as to fill a recessed part between the magnetic patterns and an operation for etch-back of the non-magnetic body is repeated twice or more by rotating the substrate in its surface by an angle smaller than one rotation.例文帳に追加

基板上に凸状の磁性パターンを形成し、前記磁性パターン間の凹部を充填するように非磁性体を成膜し、前記非磁性体をエッチバックする操作を、前記基板を面内で１回転未満の角度だけ回転させて２回以上繰り返すことを含むディスクリートトラック媒体の製造方法。 - 特許庁

When insulting films 33 and 32 above a first layer wiring 26 wherein an air gap 28 is formed in a space area are etched to form a wiring groove 38, an alumina mask 34 whose selection ratio is large relative to the insulating films 33 and 32 is used to dry-etch the insulating films 32 and 33 and form the wiring groove 38 with high accuracy.例文帳に追加

スペース領域に空隙２８が形成された第１層配線２６の上部の絶縁膜３３、３２をエッチングして配線溝３８を形成する際、絶縁膜３３、３２に対する選択比が高いアルミナマスク３４を使って絶縁膜３３、３２をドライエッチングすることにより、配線溝３８を高い精度で形成する。 - 特許庁

To provide an etchant that can etch a fine pattern without generating bubbles during etching at room temperature, can be easily removed by washing with water when it becomes no more necessary after etching, and can achieve an extremely precise pattern of a transparent conductive film without residual etching portions and overetched portions while having excellent electric properties, and also to provide a method of etching.例文帳に追加

常温にて、エッチングの際に、泡立ちがなくて微細パターンのエッチング入り、およびエッチング後、不要になったエッチング液の水洗浄除性が優れており、エッチング残り、およびオーバーエッチングのない高微細精度の電気特性が優れた透明導電膜のパターンが得られるエッチング液およびエッチング方法を提供すること。 - 特許庁

A method of applying anisotropic plasma etching to a silicon-on-insulator substrate wherein undercutting is substantially eliminated by utilizing, as a finishing etch step, a reactive ion etching process wherein ion density is reduced in order to limit ion charging within recesses of various sizes so that uniform etching can be performed in a vertical direction.例文帳に追加

垂直方向に一様なエッチングを行うように様々なサイズの凹部内のイオン充電を制限するためにイオン密度が低減される反応性イオン・エッチング工程を仕上げエッチング段階として使用することによってアンダカットが実質的になくなる、シリコン・オン・インシュレータ基板に異方性プラズマ・エッチングを施す方法を開示する。 - 特許庁

The method for etching the high dielectric film uses a mask made of an inorganic material and a mixed gas of an inert gas with a fluorine gas or a gas of fluorine compound gas as an etching gas, where the mixed gas is doped with an oxygen gas, to etch the high dielectric film.例文帳に追加

高誘電体膜をエッチングする際、無機材料からなるマスクを用いると共に、フッ素ガス又はフッ素化合物からなるガスと不活性ガスとの混合ガスをエッチングガスとして用いる高誘電体膜のエッチング方法であって、前記混合ガスに、酸素ガスを添加して、前記高誘電体膜をエッチングすることを特徴とする。 - 特許庁

HF (hydrogen fluoride) gas is supplied to a wafer W having a thermal oxidation film 72, a BPSG (boron phosphorous silicate glass) film 75 and a deposit film 76 to etch the BPSG film 75 and the deposit film 76 selectively by hydrofluoric acid while residue 41 consisting of H_2SiF_6 generated upon the etching is decomposed into HF and SiF_4 through heating.例文帳に追加

熱酸化膜７２、ＢＰＳＧ膜７５やデポ膜７６を有するウエハＷに向けてＨＦガスを供給して、ＢＰＳＧ膜７５やデポ膜７６をフッ酸により選択的にエッチングし、該エッチングの際に発生するＨ_２ＳｉＦ_６からなる残留物４１を加熱によってＨＦとＳｉＦ_４に分解する。 - 特許庁

In this way, since the etching process is performed in a condition where the cover rinse part CL is provided to the substrate-end surface side of the hardly soluble layer UL and the exposed base layer DL is protected, only the hardly soluble layer UL formed at the surface edge part TR of the substrate W is selectively etch-removed.例文帳に追加

このように難溶性層ＵＬの基板端面側にカバーリンス部ＣＬを設けて露出した下地層ＤＬを保護した状態でエッチング処理を行っているため、基板Ｗの表面周縁部ＴＲに形成された難溶性層ＵＬのみを選択的にエッチング除去することができる。 - 特許庁

Then, by removing the SOG film 26 formed on the upper surface of the drive circuit part 60 by etch-back, a level difference between the upper surface of the drive circuit part 60 and the insulating substrate 10 is mitigated, and the disconnection of the wiring layer 30 near the bottom part of the drive circuit part 60 is prevented.例文帳に追加

そして、さらに駆動回路部６０の上面に形成されたＳＯＧ膜２６をエッチバックすることによって除去することによって駆動回路部６０の上面と絶縁性基板１０との間の段差を緩和し、駆動回路部６０の底部近傍で配線層３０が断線することを防止する。 - 特許庁

In a dry etching apparatus, high frequency electric power is applied to upper and lower electrodes 2, 4 from high frequency power sources 7, 10 to generate plasma and etch an object 3 on the electrode in a vacuum chamber 1 into which a process gas is introduced via a gas inlet 5 and the interior of which is maintained for a specific pressure by an exhaust unit 11.例文帳に追加

ドライエッチング装置において、ガス導入部５からプロセスガスの導入および排気手段１１により所定圧力に維持した真空処理室１内で上下の電極２、４に高周波電源７、１０より高周波電力を印加してプラズマを発生させ、電極上の被処理物３をエッチング処理する。 - 特許庁

According to a first aspect, a method of manufacturing the thin-film solar cell of the present invention comprises a step of using a difference in etching speed between an amorphous layer and a crystalline layer to etch part of a photoelectric conversion layer, and to create a texture during formation of a photoelectric conversion layer of a silicon thin-film solar cell.例文帳に追加

本発明の薄膜太陽電池の製造方法は、第１の局面によれば、シリコン薄膜太陽電池の光電変換層形成時に、非晶質層と結晶層のエッチング速度の違いを利用して光電変換層の一部をエッチングし、テクスチャを作成する工程を備えることを特徴とする。 - 特許庁

The glass substrate for the FPD, on whose substrate a prescribed pattern is formed, is manufactured by forming a coating layer 2 on a part of the surface of a glass substrate 1, then treating the coated glass substrate 1 with an etching solution containing hydrofluoric acid so as to etch the glass surface except the part where the coating layer has been formed, and removing the coating layer.例文帳に追加

ガラス基板１の表面の一部に被覆層２を形成し、フッ酸を含有するエッチング液で処理することにより、被覆層が形成された部分以外のガラスの表面をエッチングし、その後被覆層を除去することにより、基板表面が所定の形状にパターニングされたＦＰＤ用ガラス基板を製造する。 - 特許庁

Furthermore, after forming a resist pattern on the piezoelectric substrate, the lower layer electrode film, the upper layer electrode film, and the coating electrode film are sequentially formed and an anisotropic dry etching is applied to the element 1 to etch only the upper side of the coating electrode film and then the resist is exfoliated to obtain an electrode structure where the coated electrode film is formed on the side faces only.例文帳に追加

また、圧電基板にレジストパターンを形成した後、下層電極膜、上層電極膜、被覆電極膜を順に形成し、次いで、異方性ドライエッチングによって、被覆電極膜の上面のみをエッチングし、その後、レジストを剥離して、側面部のみに被覆電極膜が形成された電極構造を得る。 - 特許庁

The manufacturing method for this compound semiconductor equipment comprises a process of letting silica of 1×10^16 cm^-3 to 8×10^17 cm^-3 contained in a first semiconductor layer 25 composed of p-type nitride compound or a first semiconductor layer 26 composed of i-type nitride compound, each of which contains magnesium, and then process to etch the first semiconductor layers 25 and 26.例文帳に追加

化合物半導体装置の製造方法は、マグネシウムを含有する、ｐ型若しくはｉ型の窒化物系化合物からなる第１半導体層２５、２６に１×１０^16ｃｍ^-3〜８×１０^17ｃｍ^-3の珪素を含有させる工程と、その後、第１半導体層２５、２６をエッチングする工程とを具備する。 - 特許庁

In the production method for an electronic circuit board, a thin film substrate conductive layer 2 and a thin film substrate conductive layer 3 formed on an insulation board 1 are selectively etched with the etchant by spraying so as to form a circuit wiring 6A having a stable shape without causing side etch.例文帳に追加

そして本発明の電子回路基板の製造方法では、このエッチング液を用い、スプレー法で、絶縁基板１上に形成されている薄膜下地導電層２及び薄膜下地導電層３を選択的にエッチングし、サイドエッチのない、形状の安定した回路配線６Ａを形成するようにしている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, whereby if an antireflection film is removed by an etch back step, connection holes of adequate shapes can be formed by additionally forming a second antireflection film, to prevent the halation under question especially at wiring isolation regions before forming the connection holes.例文帳に追加

エッチバック工程によって反射防止膜が除去されてしまっても、接続孔形成前に第２の反射防止膜を追加形成させることで、特に配線孤立部で問題であったハレーションを防いで、適正形状の接続孔を形成することができる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The method is used to manufacture the inductor element 300, and it includes a step to etch a semiconductor substrate 110 to form a pillar-shaped part 140 wherein a face parallel to the semiconductor substrate 110 in the surface direction is apart from its periphery and a step to form an Au layer 320 on the surface of the pillar-shaped part 140.例文帳に追加

インダクタ素子３００の製造方法であって、半導体基板１１０をエッチングすることにより、半導体基板１１０の面方向に平行な面が周囲から離間した柱状部１４０を形成する工程と、柱状部１４０の表面にＡｕ層３２０を形成する工程とを含む。 - 特許庁

The method of treating the surface of the substrate is used for detecting foreign materials on the surface of the semiconductor substrate, and comprises steps of isotropically oxidizing the surface 11a of the substrate so as to reduce the scattered light, and isotropically etch-removing an oxide film 12 formed by oxidation.例文帳に追加

半導体基板表面の異物検出に用いるための基板の表面処理方法であって、散乱光を減少させるために、基板表面１１ａを等方的に酸化させる工程と、酸化によって形成された酸化膜１２を等方的にエッチング除去する工程とによって表面処理する。 - 特許庁