「formation region」に関連した英語例文の一覧と使い方(24ページ目) - Weblio英語例文検索

In the second region B, the second insulating layer 112 is selectively removed, and the silicon monocrystalline layer (including 121, 123) on the first insulating layer 111 is used for the substantial device formation.例文帳に追加

第２領域Ｂは、第２の絶縁層１１２が選択的に除去され、第１の絶縁層１１１上のシリコン単結晶層（１２１、１２３を含む）が実質的なデバイス形成に用いられる。 - 特許庁

To utilize a preheating region being used for preheating a thermal head in a process preceding image formation and discarded as a cutting strip in a printer for forming an image using the thermal head.例文帳に追加

サーマルヘッドを用いて画像を形成するプリンタにおいて、画像を形成する前行程でサーマルヘッドを予熱する際に使用され、切断片として廃棄される予熱領域を有効利用できるようにする。 - 特許庁

Functions or the like of elements at formation of the electron emission part by forming treatment are checked by the pattern of the element electrodes and the conductive thin film formed outside the region forming the electron emission element group.例文帳に追加

この電子放出素子群形成領域の外側に形成した素子電極，導電性薄膜パターンにて、フォーミング処理によって電子放出部を形成した際の素子の機能等をチェックする。 - 特許庁

In the semiconductor device, a silicon oxide film 42 for dielectric films in the capacitor 3 is formed on a p-type diffusion layer 41 for the lower electrode of the capacitor at the formation region of the capacitor 3.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、キャパシタ３の形成領域において、キャパシタの下部電極用のＰ型の拡散層４１上には、キャパシタ３の誘電膜用のシリコン酸化膜４２が形成されている。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering electrode whereby a target is used efficiently with no localized eroded region arising in the target even if a magnet unit and the target are moved relative to one another during film formation.例文帳に追加

成膜時に磁石ユニットとターゲットとを相対移動させても、ターゲットに局所的な侵食領域が生じることがなく、ターゲットの利用効率が良いマグネトロンスパッタ電極を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which impurities for obtaining one conductivity can be prevented from going through a gate electrode constituted of a semiconductor, and from spreading to a channel formation region.例文帳に追加

半導体で構成されたゲート電極中から、一導電型を付与する不純物がゲート電極を突き抜け、チャネル形成領域に拡散してしまうことを防ぐ半導体装置を提供する。 - 特許庁

A base layer 4 is selectively formed on a substrate 1, and an AlGaAs emitter layer 5 with an opening part in a base electrode formation region is selectively formed on the base layer 4.例文帳に追加

基板１の上にはベース層４が選択的に形成されており、このベース層４の上にベース電極形成領域に開口部を有するＡｌＧａＡｓエミッタ層５が選択的に形成されている。 - 特許庁

The photo diode formation region PD includes a first portion having a plurality of extended parts EX, and a second portion disposed outside thereof in a plan view to the surface of the plurality of the receiving elements.例文帳に追加

フォトダイオード形成領域ＰＤは、複数の受光素子の表面に対して平面視したときに、複数の延出部ＥＸを有する第１の部分と、その外側に配置された第２部分とを含む。 - 特許庁

A first MIS transistor formed in a low-voltage transistor formation region A includes a gate insulating film 5, and a first gate electrode composed of a metal film 6 and a polycrystalline silicon film 9.例文帳に追加

低電圧系トランジスタ形成領域Ａに形成された第１のＭＩＳ型トランジスタは、ゲート絶縁膜５と、金属膜６及び多結晶シリコン膜９からなる第１のゲート電極とを含む。 - 特許庁

On the Internet, we will enhance the connectivity of consumers and business in Asia, a region with potential as a consumer market through the formation of the "Asia Electronic Distribution Area" with the goal of vitalizing Asia and Japan.例文帳に追加

また、消費市場として有望なアジアにおいて、「アジア電子流通圏」を整備し、アジアにおける消費者と事業者のつながりを強化することで、アジア及び日本の活性化を実現する。 - 経済産業省

Consequently, a suitability for miniaturization, a high productivity, and a damageless feature can be simultanesouly realized; and the functional film (such as the PZT film 206) can be processed along the region of no formation of the projected pattern 204.例文帳に追加

これにより、微細化適正・高生産性・ダメージレス化を両立させつつ、凸状パターン２０４の非形成領域に沿った機能膜（例えばＰＺＴ膜２０６）の加工を施すことが可能となる。 - 特許庁

To provide an image forming device or the like capable of adjusting an image by suppressing the influence of an optical memory on a detection pattern formed in a non-image-formation region during image forming operation.例文帳に追加

画像形成動作中における非画像形成領域に形成される検知用パターンに、光メモリーが与える影響を抑制して画像調整可能な画像形成装置等を提供すること。 - 特許庁

To provide a printed wiring board which can secure the adhesion strength between a heat radiation pattern and an insulation substrate even if via holes to be connected to the heat radiation pattern are formed in a high concentration in a heat radiation pattern formation region.例文帳に追加

放熱パターンに接続されるビアホールを、放熱パターン形成領域内に密に形成する場合においても、放熱パターンと絶縁基板との密着強度を確保できるプリント配線板の提供。 - 特許庁

To enable minimization of the increase of the number of steps by an easy method and protection of a rear side of a semiconductor substrate from contaminated metals such as Cu, upon formation of an element isolation region by an STI(shallow trench isolation) method.例文帳に追加

ＳＴＩ法による素子分離領域を形成する際、容易な方法でかつ工程数の増加を最小限に抑え、半導体基板の裏面をＣｕ等の汚染金属から保護する。 - 特許庁

Thereby, the formation of a spike is so suppressed in the vicinity of each isolating region 3 even in forming each silicide layer 11, thus suppressing the generation of a leaking current caused by such a spike.例文帳に追加

これにより、シリサイド層１１の形成を行った場合にも、素子分離領域３の近傍でのスパイクの形成が抑えられ、そのようなスパイクに起因したリーク電流の発生が抑えられるようになる。 - 特許庁

To prevent a generation of a bird's beak on a surface of an element formation region due to a thick element isolation film formed in an element isolation region, to prevent an occurrence of a crystal defect in a semiconductor layer near an end of the element isolation film, and to reduce a stress received by the semiconductor layer, in a semiconductor device having a plurality of element formation regions and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

複数の素子分離領域で分離された複数の素子形成領域を有する半導体装置及びその製造方法において、素子分離領域に形成される膜厚の厚い素子分離膜による素子形成領域の表面のバーズビークの発生を防ぐこと、並びに素子分離膜の端部近傍の半導体層に結晶欠陥が発生することを防止し、且つ該半導体層が受けるストレスの低減を図る。 - 特許庁

The circuit board in which a plurality of wiring patterns 13 are arranged on one main surface of an insulating substrate 11 and the one main surface includes an electrode formation region 10 which turns to an electronic component installation electrode by arranging conductive adhesive agent, is characterized by including a flow prevention projection 12 of the conductive adhesive agent arranged at a part of ambients at least of an electrode formation region 10.例文帳に追加

絶縁性基板１１の一方の主面に複数の配線パターン１３が配置された回路基板であって、上記一方の主面が、導電性接着剤が配置されることにより電子部品設置用電極となる電極形成領域１０を含み、電極形成領域１０の周囲の少なくとも一部に配置された前記導電性接着剤の流れ防止突起１２を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The printing control device is equipped with a region sorting part for sorting given image data to a peripheral region and a center region, and a dot data generating part for generating dot data that shows a formation state of dots to be formed at each pixel so as to express an image represented by the image data by forming the dots to each pixel with the use of the colored ink and the improvement ink.例文帳に追加

この印刷制御装置は、与えられた画像データを周辺領域と中央領域とに区分する領域分類部と、この画像データによって表される画像を、有色インクと改善インクとを用いて各画素にドットを形成することによって表現するために各画素に形成されるべきドットの形成状態を表すドットデータを生成するドットデータ生成部とを備える。 - 特許庁

Silicon carbide semiconductor devices and methods of fabricating silicon carbide semiconductor devices are provided by successively etching a mask layer to provide windows for formation of a source region of a first conductivity type, a buried silicon carbide region of a second conductivity type opposite to the first conductivity type and a second conductivity type well region in a first conductivity type silicon carbide layer.例文帳に追加

炭化珪素半導体デバイスおよび炭化珪素半導体デバイスの製造方法が、第１の伝導型炭化珪素層の中に、第１の伝導型のソース領域、この第１の伝導型と反対の第２の伝導型の埋込み炭化珪素領域、および第２の伝導型のウェル領域を形成するための窓を設けるためにマスク層を引き続いてエッチングすることによって提供される。 - 特許庁

Each photoelectric conversion part 3 has: a photoelectric region 13 having a shape of substantially a rectangle the plane figure of which is formed by two long sides and two short sides; and a potential gradient formation region 15 for forming a potential gradient with which potential increases along a first direction from one of short sides to the other, both forming the plane figure of the photosensitive region 13.例文帳に追加

各光電変換部３は、平面形状が二つの長辺と二つの短辺とによって形作られる略矩形状を成す光感応領域１３と、光感応領域１３の平面形状を成す一方の短辺側から他方の短辺側に向かう第１の方向に沿って高くされた電位勾配を形成する電位勾配形成領域１５と、を有している。 - 特許庁

A lyophilic part 6 whose lyophilicity in relation to a liquid material for forming the three-dimensional structure is greater than that of a residual part 4b excluding the peripheral part 4a of a structure formation schedule region 4 and a surrounding region 5 surrounding the region 4 is formed in the peripheral part 4a of a substrate 2.例文帳に追加

基板２の構造体形成予定領域４の外周部分４ａに、三次元構造体を形成するための液体材料に対する親液性が、構造体形成予定領域４の外周部分４ａを除く残余の部分４ｂよりも大きく、かつ構造体形成予定領域４を囲繞する囲繞領域５よりも大きい親液部６を形成する。 - 特許庁

Short-circuiting wiring 125 is formed in a region on a wafer 120 including a dicing region 122, and respective electrode pads 103 for I/O signals of a plurality of devices arranged in a semiconductor device formation region 121 are short-circuited mutually and electrically via the short-circuiting wiring 125, thus suppressing the generation of plasma damage even if performing various kinds of plasma treatment to the wafer 120.例文帳に追加

ダイシング領域１２２を含むウエハ１２０上の領域に短絡配線１２５を形成し、半導体装置形成領域１２１内に配設される複数のデバイスの入出力信号用の各電極パッド１０３を短絡配線１２５を介して互いに電気的に短絡することにより、ウエハ１２０に対して各種プラズマ処理を行った場合にも、プラズマダメージの発生を抑制する。 - 特許庁

The color filter substrate for a liquid crystal display device comprises a black matrix which is formed on a transparent insulating substrate and demarcates a pixel region and a color filter which is formed on the pixel region and embodies RGB colors, wherein, on a prescribed region on the surface of the black matrix, an overflow prevention part for preventing an overflow from occurring upon the formation of the color filter is formed.例文帳に追加

液晶表示装置用カラーフィルター基板は、透明な絶縁基板上に形成されて画素領域を画定するブラックマトリックスと、前記画素領域に形成されてＲＧＢ色相を具現するカラーフィルターと、を含み、前記ブラックマトリックスの表面の所定領域には、前記カラーフィルターの形成時に発生するオーバーフロー（Ｏｖｅｒｆｌｏｗ）を防止するオーバーフロー防止部が形成される。 - 特許庁

When manufacturing the capacitor 1, a laminate 29 is formed first, and external electrode patterns 30, 31 are formed on the laminate 29 over a plurality of capacitor formation regions R, are electrically connected to internal electrode patterns 21, 23 in each capacitor formation region R, and are baked to external electrode layers 8, 9.例文帳に追加

コンデンサ１を製造する際には、まず、積層体２９を形成し、積層体２９上に、複数のコンデンサ形成領域Ｒに跨り、各コンデンサ形成領域Ｒ内において内部電極パターン２１，２３と電気的に接続され、焼成により外部電極層８，９となる外部電極パターン３０，３１を形成する。 - 特許庁

While forming a sidewall 107 for covering the sidewall of the gate electrode 105 by etching back the insulating film, an almost horizontal engraved surface is formed to the element formation surface in a region for forming the source and drain regions 109 of the side of the sidewall 107 by carrying out the etching removal of the element formation side of the silicon substrate 101.例文帳に追加

絶縁膜をエッチバックしてゲート電極１０５の側壁を覆うサイドウォール１０７を形成するとともに、サイドウォール１０７の側方のソース・ドレイン領域１０９が形成される領域において、シリコン基板１０１の素子形成面をエッチング除去し、素子形成面に略水平な掘り下げ面を形成する。 - 特許庁

The printing control portion 27 controls the toner image formation portion 19 to form the auxiliary toner image on the rotational photoreceptor, in the front side region from the main toner image formation position for one page, and controls the paper conveyance control portion 17 so that the paper is conveyed at an interval wherein the auxiliary toner image is directly transferred to the pressing roller 23.例文帳に追加

印刷制御部２７は、１頁分の主トナー像形成位置より前部分に補助トナー像を回転感光体に形成するようトナー像形成部１９を制御し、補助トナー像が加圧ローラ２３に直接転写される間隔を置いて用紙を搬送するよう用紙搬送制御部１７を制御する。 - 特許庁

Next, in addition to a polysilicon nitride film mask 9a covering the element formation region 1, a polysilicon side spacer 12b and a nitride film side spacer 13 are formed to cover side walls and a bottom face of the polysilicon nitride film mask 9a, the side walls 5, 5a of the element formation semiconductor layer 4, and a part of the semiconductor layer 11.例文帳に追加

次に、前記素子形成領域１を被覆するポリシリ窒化膜マスク９ａに加えて、前記ポリシリ窒化膜マスク９ａの側壁及び底面、前記素子形成半導体層４の側壁５、５ａ及び前記半導体層１１の一部を被覆するポリシリコンサイドスペーサ１２ｂ及び窒化膜サイドスペーサ１３を形成する。 - 特許庁

A density distribution region determine section repeats the formation of clusters 77g to 77n by the cluster formation section 64 and the movement of representative points 76g to 76n by the representative updating section until all the distances from the representative points 76g to 76n before updating to the representative points 76g to 76n after updating become predetermined values or smaller.例文帳に追加

濃度分布領域判断部が、更新前の代表点７６ｇ〜７６ｎから更新後の代表点７６ｇ〜７６ｎまでの距離の全てが所定値以下となるまで、クラスタ生成部６４によるクラスタ７７ｇ〜７７ｎの生成、及び、代表点更新部による代表点７６ｇ〜７６ｎの移動を繰り返す。 - 特許庁

A photothermal conversion layer 22 containing an infrared absorption material 22a is formed on the periphery of a light emitting element forming region 15, and a storage hole 22h storing a droplet of a positive-hole transport layer formation material solution and a droplet of a luminous layer formation material solution is formed in the photothermal conversion layer 22.例文帳に追加

発光素子形成領域１５の外周に赤外線吸収材料２２ａを含有する光熱変換層２２を形成し、同光熱変換層２２に正孔輸送層形成材料溶液からなる液滴と発光層形成材料溶液からなる液滴を収容する収容孔２２ｈを形成した。 - 特許庁

The method of manufacturing a high-voltage transistor having an extended drain region contains the formation of a first conductive epitaxial layer on a first conductive substrate, and the formation of a pair of spaced groove sections which form the first and second sidewall sections of the epitaxial layer, by etching the epitaxial layer.例文帳に追加

拡張ドレイン領域を有する高電圧トランジスタを作製する方法を提供は、第一の導電型である基板上に第一の導電型であるエピタキシャル層を形成し、そして、エピタキシャル層をエッチングして、エピタキシャル層の第一及び第二の側壁部を形成する一対の離間した溝部を形成することを含む。 - 特許庁

An ink wiping device 12 which carries out cleaning of the nozzles 8 and nozzle face 9 of a recording head 5 and formation of the proper meniscus is set at an outside end of a recording region which is a movable range of a carriage 4.例文帳に追加

キャリッジ４の移動可能範囲であって記録領域の外側一端には、記録ヘッド５のノズル８及びノズル面９のクリーニングや適正なメニスカスの形成をおこなうインク拭き取り装置１２が設けられている。 - 特許庁

To provide a design method capable of forming a column-beam joint structure capable of clarifying the formation of a plastic region and a collapse mechanism in a seismic loading in a column-beam joint part having a through- diaphragm.例文帳に追加

通しダイアフラムを有す柱梁接合部において、地震荷重時の塑性化領域の形成および崩壊機構が明確な柱梁接合構造を形成することができる設計方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Each of terminals 6, 7, 8 embedded in a region where formation of a weld line is predicted in the terminal embedded part 2 has respectively bent portions 6a, 7a, 8a which are bent in a direction of the terminals 3-15 paralleling each other.例文帳に追加

端子埋設部２においてウェルドラインの発生が予測される範囲に埋設される端子６，７，８のそれぞれが、端子３〜１５が並列する方向に曲がった部分６ａ，７ａ，８ａのそれぞれを含んでいる。 - 特許庁

Moreover, since the optical absorption layers 31 and 32 can be formed in the region over the one surface 24 from the other side surface 20 of the light guide plate 4, the formation range of the optical absorption layer can be made wide.例文帳に追加

また、導光板４の他方の側面２０から一方の面２４に跨る領域に光吸収層３１，３２を形成することができるため、光吸収層の形成範囲を広くすることができる。 - 特許庁

When finishing, such as formation of a punch hole, is set to recording paper on which the image data have been printed, the punch hole 82, namely finishing information, is displayed outside the recording paper region of the preview image 81.例文帳に追加

そして、この画像データを印刷した記録紙に対してパンチ穴の形成などの仕上げが設定されている場合は、プレビュー画像８１の記録紙領域外に仕上げ情報としてのパンチ穴８２が表示される。 - 特許庁

To prevent the surface of a semiconductor substrate projecting in a logic element formation region from being overetched in a manufacturing method for a semiconductor storage where a MONOS type memory element and a MOS type logic element are mixedly mounted.例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ型のメモリ素子とＭＯＳ型のロジック素子とを混載する半導体記憶装置の製造方法において、ロジック素子形成領域に出する半導体基板の表面がオーバエッチングされないようにする。 - 特許庁

A frame plate 2 comprising a porous PTFE film is sandwiched in between the mask films 11 and 12 to constitute a laminate 14, and then a colloidal particle sticking region 15 is formed through the formation of through hole 5 and submersion in catalyst liquid.例文帳に追加

多孔質ＰＴＦＥ膜からなるフレーム板２をマスク膜１１，１２により挟んで積層体１４を構成した後、貫通孔５の形成、触媒液への浸漬によるコロイド粒子付着領域１５の形成を行う。 - 特許庁

The unit transistors of the final-stage power amplifying transistors (Trg3, Trd3) are arranged, being mingled in a final output amplifying transistor formation region (PW3), alternately or in such a way as to surround each other.例文帳に追加

最終段電力増幅トランジスタ（Ｔｒｇ３，Ｔｒｄ３）の単位トランジスタについて、最終出力増幅トランジスタ形成領域（ＰＷ３）内に単位トランジスタを交互にまたは取囲むように混在して配置する。 - 特許庁

In the formation region of an electrode pad 7, N+ diffusion regions 19a, 19b, and 19c are formed on the surface of a P-type semiconductor substrate 3 so as to be separated form each other by a field oxide film 21.例文帳に追加

電極パッド７の形成領域において、Ｐ型半導体基板３の表面にフィールド酸化膜２１によって互いに分離されてＮ＋拡散領域１９ａ，１９ｂ，１９ｃが形成されている。 - 特許庁

On the formation surface of active layer, an InP embedded layer 34 is continuously provided from the side edge of the active layer in the central region to the ridge side surface, as a semiconductor laser whose band gap energy is larger than that of the active layer.例文帳に追加

活性層の形成面では、活性層よりもバンドギャップ・エネルギーの大きい半導体層として、ＩｎＰ埋め込み層３４が、中央領域の活性層の側縁からリッジ側面まで連続して設けられている。 - 特許庁

A capacitor 41 composed of a trench 13, an insulating film 14, and a conductor 16 is formed in a substrate 10, and a stepped part is provided at the upper part of an opening 50 bored in the substrate 10, and then the opening 50 is filled with insulator for the formation of an isolation region 50.例文帳に追加

基板１０内にトレンチ１３絶縁膜１４導電体１６からなるキャパシタ４１を作り、その上部を段差に開口５０して絶縁体を充填して分離領域５０を形成する。 - 特許庁

This fuel lance (7) for introducing the fuel into the gas flow in the combustor (1) of the gas turbine engine, includes a region of the lance (7) through which the fuel is introduced into the gas flow having a generally helical formation (12).例文帳に追加

本発明は、ガスタービン機関の燃料器（１）で、燃料をガス流に案内するための燃料ランス（７）に関し、燃料がガス流に案内されるランス（７）の領域は、ほぼらせん状の形状（１２）を備えている。 - 特許庁

When the touch position is out of the effective region of the operation button, an image formation control part 120 sequentially selects and displays the operation button, and at a point of time the user detaches, selection of the selected and displayed operation button is determined.例文帳に追加

タッチ位置が操作ボタンの有効領域外であれば、画像形成制御部１２０は操作ボタンを順次選択表示していき、ユーザがデタッチした時点で選択表示していた操作ボタンの選択を確定する。 - 特許庁

Each small region of a liquid crystal slit layer 300 is provided under the light emitting layer 200, has two states; a light shield state and a transparent state, and a slit processing control section 122 controls formation of a slit 310.例文帳に追加

液晶スリット層３００は発光層２００の下に設けられ各小領域が遮光状態と透明状態の２状態を備え、スリット処理制御部１２２の制御によりスリット３１０を形成する。 - 特許庁

Furthermore, the semiconductor device has a pair of diffusion regions (for example, N-type diffusion regions 5) which are formed in the element formation region 1 so as to be apart from each other in a channel-length direction D on the basis of the gate electrode 4.例文帳に追加

更に、ゲート電極４を基準としてチャネル長方向Ｄに相互に離間するように素子形成領域１に形成された一対の拡散領域（例えば、Ｎ型拡散領域５）を有する。 - 特許庁