「formation region」に関連した英語例文の一覧と使い方(34ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a process for fabricating a semiconductor device using a laser crystallization process for preventing formation of a grain boundary in the channel forming region of a TFT, significant lowering in mobility of the TFT due to the grain boundary, reduction of on current, or increase of off current, and to provide a semiconductor device fabricated by that method.例文帳に追加

ＴＦＴのチャネル形成領域に粒界が形成されるのを防ぎ、粒界によってＴＦＴの移動度が著しく低下したり、オン電流が低減したり、オフ電流が増加したりするのを防ぐことができるレーザー結晶化法を用いた、半導体装置の作製方法及び該作製方法を用いて作製された半導体装置の提供を課題とする。 - 特許庁

To provide a production method of a cubic crystal silicon carbide film which allows isotropic growth of a cubic crystal silicon carbide by maintaining such a growth rate as the lateral growth rate in lateral crystal growth is equivalent to the longitudinal growth rate, and allows formation of a cubic crystal silicon carbide film having a wider low defect region.例文帳に追加

横方向結晶成長における横方向成長速度が縦方向成長速度と同等の成長速度を維持することにより、等方的に立方晶炭化珪素を成長させることができ、より広い低欠陥領域を有する立方晶炭化珪素膜を形成させることのできる立方晶炭化珪素膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

When abnormality is found on a transfer belt, formation positions of a toner pattern and a position detection pattern are changed so that the toner pattern and the position detection pattern used for concentration detection and position detection are formed at the positions avoiding an abnormal region causing reduction in accuracy of the concentration detection and the position detection on the transfer belt.例文帳に追加

転写ベルト上に異常がある場合には、転写ベルト上における、濃度検出や位置検出の精度低下の原因となる異常領域を避けた位置に、これらの濃度検出や位置検出に用いるトナーパターンや位置検出パターンが形成されるように、これらのトナーパターンや位置検出パターンの形成位置を変更する。 - 特許庁

In n-type embedded well DNW of a semiconductor substrate 1S in a formation region of a flash memory, p-type wells HPW1-HPW3 are provided while separated from one another, and further a capacitor C, a data writing/erasing capacitor CWE and a data reading-out MIS-FETQR are arranged in the wells HPW1-HPW3, respectively.例文帳に追加

フラッシュメモリの形成領域の半導体基板１Ｓのｎ型の埋込ウエルＤＮＷ内にｐ型のウエルＨＰＷ１〜ＨＰＷ３を互いに分離した状態で設け、そのウエルＨＰＷ１〜ＨＰＷ３にそれぞれ容量部Ｃ、データ書き込み・消去用の容量部ＣＷＥおよびデータ読み出し用のＭＩＳ・ＦＥＴＱＲを配置した。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering apparatus for forming a transparent conductive film and a method for producing the transparent conductive film, in which equalization of thickness distribution and specific resistance distribution is achieved and a uniform region can be increased than before in the longitudinal direction of a target, in the film formation of the transparent conductive film using a magnetron sputtering apparatus.例文帳に追加

マグネトロンスパッタリング装置を用いた透明導電膜の成膜において、膜厚分布および比抵抗分布の均一化を可能とし、かつ、均一な領域をターゲットの長尺方向の長さに対して従来よりも拡大することを可能とする透明導電膜を成膜するためのマグネトロンスパッタリング装置および透明導電膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

This method of manufacturing the high-voltage transistor with the extended drain region comprises the formation of a first-conductivity type epitaxial layer 101 on a first-conductivity type substrate 10 and the etching of the epitaxial layer 101 to form a pair of spaced-apart trenches that define the first and second sidewall portions of the epitaxial layer 101.例文帳に追加

拡張ドレイン領域を有する高電圧トランジスタを作製する方法は、第一の導電型である基板１０上に第一の導電型であるエピタキシャル層１０１を形成し、そして、エピタキシャル層１０１をエッチングして、エピタキシャル層１０１の第一及び第二の側壁部を形成する一対の離間した溝部を形成することを含む。 - 特許庁

The coated film formation device has a spin chuck 11 prepared in an outside cup 31 and an inside cup 34 prepared so that it surrounds the lower region of a substrate W held by the spin chuck 11, and feeds a chemical to the center of the substrate W held by the spin chuck 11 and spins the wafer W, thus forming a coated film.例文帳に追加

塗布膜形成装置は外カップ３１の中に設けられたスピンチャック１１と、このスピンチャック１１に保持された基板Ｗの下方領域を囲むように設けられた内カップ３４と、を備え、スピンチャック１１に保持された基板Ｗの中心部に薬液を供給してウエハＷを回転させることにより塗布膜を形成する。 - 特許庁

This invention relates to the method of manufacturing the TAB tape provided with an insulating tape and a circuit pattern formed on the insulating tape, including the processes of: forming a sputter thin film only in a formation schedule region of the circuit pattern on the insulating tape; and forming an electric plating layer on the sputter thin film formed on the insulating tape to form the circuit pattern.例文帳に追加

絶縁性テープと、絶縁性テープ上に形成された回路パターンと、を有するＴＡＢテープの製造方法であって、絶縁性テープ上における回路パターンの形成予定領域のみにスパッタ薄膜を形成する工程と、絶縁性テープ上に形成されたスパッタ薄膜上に電気めっき層を形成して回路パターンを形成する工程と、を有する。 - 特許庁

There is provided an edge emitting semiconductor laser chip, including a support substrate (1) and an intermediate layer (2), wherein the intermediate layer (2) intermediates an adhesion between the support substrate (1) and an element structure (50) of the edge-emitting semiconductor laser chip, and at that time, the element structure (50) has an active region (5) provided for beam formation.例文帳に追加

端面発光型半導体レーザチップであって、支持基板（１）と、中間層（２）とを有し、前記中間層（２）は、支持基板（１）と端面発光型半導体レーザチップの素子構造（５０）との間の付着を媒介し、その際、該素子構造（５０）は、ビーム形成のために設けられているアクティブ領域（５）を有する、端面発光型半導体レーザチップ。 - 特許庁

Further, in the growth of the single crystal ingot, it is desirable to slow a pulling rate in starting tail formation as compared with that of the body, or to control a cooling rate from 1,050°C to 700°C to 2.5°C/min or lower in the body region to 200 mm above the boundary of the body and tail of the single crystal ingot.例文帳に追加

(2)単結晶インゴットの育成に際し、テール部形成時の引き上げ速度を直胴部の引き上げ速度より速めることがないようにすること、または、単結晶インゴットの直胴部とテール部の境界から２００mmまでの直胴部領域において、１０５０℃から７００℃までの冷却速度を２．５℃/分以下にすることが望ましい。 - 特許庁

This manufacturing method of semiconductor parts includes a process that starts the work of a semiconductor wafer, where the new element materials are subjected to film formation by using a conventional manufacturing device, and a process that cleans the region of the surface of the wafer which is in contact with the conventional manufacturing apparatus.例文帳に追加

課題を解決する半導体部品の製造方法は、新規な素子材料を成膜された半導体ウェハを、従来の製造装置を用いて着工する工程と、当該ウェハの表面であって、前記の従来の製造装置と接触する領域を洗浄する工程(以下、本発明にかかる洗浄工程という)とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

For solving the above problem, a photoelectron image formation mode by ultraviolet irradiation generation is added to an operation mode of an electron optical system, and further, an irradiated region of ultraviolet rays is displayed as a photoelectron image, and a photoelectron image and a reflected electron image are displayed in lamination on a monitor, thus a mutual position relation and a difference of size can be easily figured out.例文帳に追加

上記の課題を解決するため、電子光学系の動作モードに紫外線照射発生による光電子結像モードを付加した上、紫外線の照射領域を光電子像として表示し、光電子像と反射電子像とをモニタ上に重ねて表示することにより、相互の位置関係と大きさの差を容易に把握できるようにした。 - 特許庁

A liquid jet apparatus includes a dot data generating part which generates dot data representative of a formation state of a dot of each pixel set on the jet object, and a liquid jetting part which forms the dot by jetting a liquid onto the jet object while carrying out scanning in a scan direction of a nozzle array in a common printing region by a plurality of the number times.例文帳に追加

本発明の液体噴射装置は、噴射対象上に設定された各画素のドットの形成状態を表すドットデータを生成するドットデータ生成部と、ノズル列の走査方向への走査を共通の印刷領域において複数回行いつつ噴射対象上に液体を噴射してドットを形成する液体噴射部とを備える。 - 特許庁

The method comprises formation a film of amorphous silicon having a surface and a plurality of regions, irradiating each adjacent region of the silicon film with a first sequence of laser pulses, and in response to the first sequence of laser pulses, controlling the planarization of the silicon film surface between adjacent regions of the silicon film as the crystal grains are laterally grown.例文帳に追加

この方法は、表面と複数のエリアとを有するアモルファスシリコンの膜を形成することと、第１のレーザパルスシーケンスでシリコン膜の各隣接エリアを照射することと、第１のレーザパルスシーケンスに応答して、結晶粒が横方向に成長する際にシリコン膜の隣接エリア間にあるシリコン膜表面の平坦化を制御することとを含む。 - 特許庁

The diffusion preventing member is disposed by facing the back surface of the substrate, while being kept from coming into contact with the substrate in the thin film formation region, and has a protrusion that is protruded from each end in a width direction of the substrate in viewing from the raw material container and configured to be movable in a direction non-parallel to a conveying direction of the substrate.例文帳に追加

拡散防止部材は、薄膜形成領域において、基板の裏面と対向して、基板とは接触しないように配置され、かつ、原料容器から見て、基板の幅方向両端から突出する突出部を有し、当該突出部が、基板を搬送する方向に対し平行ではない方向に移動可能に構成されている。 - 特許庁

The imaging apparatus comprises multiple secondary image sensors arranged discretely, an image-formation optical system which forms the image of a subject, while magnifying, on the image planes of the multiple secondary image sensors, and moving means for moving the subject in order to capture the image a plurality of times while changing the division region the image of which is captured by each secondary image sensor.例文帳に追加

撮像装置が、離散的に配置された複数の２次元撮像素子と、被写体の像を拡大して前記複数の２次元撮像素子の像面に結像する結像光学系と、各２次元撮像素子で撮像する分割領域を変えながら複数回の撮像を行うために、前記被写体を移動する移動手段と、を有する。 - 特許庁

In the horn unit 40, the nozzle 56 is stored in a through hole 54b, formed at a projection 55 in the horn 50 and a through hole 54b formed so that a slit 54a crosses, and is fastened to the horn 50 by a screw 58B for fastening via a screw hole 57B, provided at the formation region of the slit 54a.例文帳に追加

ホーンユニット４０においては、ノズル５６は、ホーン５０の突出部５５に形成された貫通孔５４ｂであって、スリット５４ａが交差するように形成された貫通孔５４ｂに収容されると共に、スリット５４ａの形成領域に設けられたネジ穴５７Ｂを介して締結用ネジ５８Ｂによりホーン５０に締め付け固定される。 - 特許庁

To compensate an oxygen defect in a Ta2O5 film and to minimize the formation of an oxide film at the interface between the Ta2O5 film and an Si substrate during a heat treatment process for crystallizing the Ta2O5 film, and to minimize the diffusion of impurity elements in a channel doped region in a semiconductor device having the Ta2O5 film as a gate insulating film.例文帳に追加

Ｔａ_2 Ｏ_5 膜をゲート絶縁膜として有する半導体装置において、前記Ｔａ_2 Ｏ_5 膜中の酸素欠損を補償し、またこれを結晶化させる熱処理工程の際に前記Ｔａ_2 Ｏ_5 膜とＳｉ基板との界面において生じる酸化膜の形成を最小化し、またチャネルドープ領域中の不純物元素の拡散を最小化する。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a semiconductor device employing a laser crystallization process capable of preventing formation of a grain boundary in the channel forming region of a TFT, significant lowering in mobility of the TFT due to the grain boundary, reduction of on current and increase of off current, and to provide a semiconductor device fabricated by that method.例文帳に追加

ＴＦＴのチャネル形成領域に粒界が形成されるのを防ぎ、粒界によってＴＦＴの移動度が著しく低下したり、オン電流が低減したり、オフ電流が増加したりするのを防ぐことができるレーザー結晶化法を用いた、半導体装置の作製方法及び該作製方法を用いて作製された半導体装置の提供を課題とする。 - 特許庁

A photoelectric conversion device comprises: a light-transmitting photoelectric conversion element including an n-type semiconductor layer, an intrinsic semiconductor layer, and a p-type semiconductor layer; a voltage conversion element which overlaps with the photoelectric conversion element and which has an oxide semiconductor film in a channel formation region; and a conductive element which electrically connects the photoelectric conversion element and the voltage conversion element.例文帳に追加

透光性を有し、ｎ型半導体層、真性半導体層、及びｐ型半導体層を有する光電変換素子と、当該光電変換素子と重畳し、酸化物半導体膜をチャネル形成領域に有する電圧変換素子と、当該光電変換素子及び電圧変換素子を電気的に接続する導電素子とを有する光電変換装置に関する。 - 特許庁

In manufacture of the semiconductor device in which the oxide semiconductor is used for a channel formation region, after an oxide semiconductor film is formed, a conductive film including a metal, a metal compound, or an alloy that can absorb or adsorb moisture, a hydroxy group, or hydrogen etc., is formed to overlap with the oxide semiconductor film with an insulating film provided therebetween.例文帳に追加

酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタを有する半導体装置の作製において、酸化物半導体膜を形成した後、水分、ヒドロキシ基、または水素などを吸蔵或いは吸着することができる金属、金属化合物または合金を用いた導電膜を、絶縁膜を間に挟んで酸化物半導体膜と重なるように形成する。 - 特許庁

The dither mask 61 is generated by determining a storage element in which a plurality of threshold values should be stored by using a total evaluation value CE on condition that a dot to be formed by the preceding head PH and a dot to be formed by the following head FH are permitted to be formed on the same dot formation position in the overlap region ORA of the preceding head PH and the following head FH.例文帳に追加

先行ヘッドＰＨと後行ヘッドＦＨとのオーバーラップ領域ＯＲＡにおいて、先行ヘッドＰＨで形成されるドットと、後行ヘッドＦＨで形成されるドットとが同一のドット形成位置に形成されることを許容した条件で、総合評価値ＣＥを用いて複数の閾値を格納すべき格納要素を決定して、ディザマスク６１を生成する。 - 特許庁

A thickness of a protective oxide film is determined, so that among all the numerous kinds of polysilicon resistors, a sum of a thickness of a thermally-oxidized film generated on the polysilicon resistor by the rapid thermal oxidation and the thickness of the protective oxide film formed in a non-silicide region containing the polysilicon resistor is a thickness necessary for securing block performance as the oxide film for blocking silicide formation or larger.例文帳に追加

多種のポリシリコン抵抗体全てにおいて、急速熱酸化処理によりポリシリコン抵抗体上に生成される熱酸化膜の膜厚と、ポリシリコン抵抗体を含む非シリサイド化領域に形成された保護酸化膜の膜厚との和が、シリサイド化ブロック用酸化膜としてのブロック性能を確保するために必要な膜厚以上となるように、保護酸化膜の膜厚を決定する。 - 特許庁

The semiconductor storage device 80 includes memory transistors TR1 and TR2 which are disposed adjacently in the same element formation region and have a pair of source/drain layers 5, and ferroelectric capacitors CAP1 and CAP2 connected through a via and a barrier metal film 13 to the other one of source/drain layers 5 of the memory transistors and one of the source/drain layers 5 of the memory transistor TR2.例文帳に追加

半導体記憶装置８０は、同一素子形成領域に隣接配置される、一対のソース／ドレイン層５を有するメモリトランジスタＴＲ１及びＴＲ２と、メモリトランジスタのソース／ドレイン層５の他方とメモリトランジスタＴＲ２のソース／ドレイン層５の一方に、ビア及びバリアメタル膜１３を介して接続される強誘電体キャパシタＣＡＰ１及びＣＡＰ２とを有する。 - 特許庁

A gate insulating film is formed over a gate electrode, and a microcrystalline semiconductor film which functions as a channel formation region is formed over the gate insulating film, and a buffer layer is formed over the microcrystalline semiconductor film, and a pair of source and drain regions are formed over the buffer layer, and a pair of the source and drain electrodes in contact with the source and drain regions are formed.例文帳に追加

ゲート電極上にゲート絶縁膜が形成され、ゲート絶縁膜上にチャネル形成領域として機能する微結晶半導体膜が形成され、微結晶半導体膜上にバッファ層が形成され、バッファ層上に一対のソース領域及びドレイン領域が形成され、ソース領域及びドレイン領域に接する一対のソース電極及びドレイン電極が形成される。 - 特許庁

In manufacture of a semiconductor device having a transistor using an oxide semiconductor for a channel formation region, after an oxide semiconductor film is formed, a conductive film using metal, a metal compound, or an alloy that can absorb or adsorb moisture, a hydroxy group, or hydrogen etc., is formed so as to overlap with the oxide semiconductor film sandwiching an insulating film in between.例文帳に追加

酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタを有する半導体装置の作製において、酸化物半導体膜を形成した後、水分、ヒドロキシ基、または水素などを吸蔵或いは吸着することができる金属、金属化合物または合金を用いた導電膜を、絶縁膜を間に挟んで酸化物半導体膜と重なるように形成する。 - 特許庁

A mask material formed of an insulating film is formed on a first nitride semiconductor layer to coat a control electrode formation region, and a second nitride semiconductor layer which consists of a nitride semiconductor layer comprising at least one of iron, carbon, zinc or magnesium as impurity and does not comprise aluminum is selectively formed on the exposed first nitride semiconductor layer.例文帳に追加

第１の窒化物半導体層上に、制御電極形成領域を被覆するように絶縁膜からなるマスク材を形成し、露出する第１の窒化物半導体層上に、不純物として鉄、炭素、亜鉛あるいはマグネシウムの少なくとも１つを含む窒化物半導体層からなり、かつアルミニウムを含まない第２の窒化物半導体層を選択的に形成する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a silicon layer formed with first and second circuits including respective electrodes; an SOI chip 1 having an embedded insulating film, and a supporting substrate in which a concave portion 1d where the embedded insulating film is exposed is formed in a portion corresponding to a formation region of the first circuit; and a base silicon substrate 14 formed with a compensating oxide film 15 on the surface.例文帳に追加

半導体装置は、それぞれ電極を含む第１および第２の回路が形成されたシリコン層と、埋め込み絶縁膜と、当該埋め込み絶縁膜が露出する凹み部１ｄが前記第１の回路の形成領域に対応する部分に形成された支持基板とを有するＳＯＩチップ１と、表面に補償酸化膜１５が形成された台座シリコン基板１４とを備える。 - 特許庁

This erasing method performs writing and erasure and then writing and erasure at least once or several times, after the erasure as operation for erasure which can improves the convergence of an erasure Vth of a memory transistor, including charge storage means which are made discrete in plane in a gate insulating film interposed of a channel formation region and a gate electrode of a semiconductor.例文帳に追加

半導体のチャネル形成領域とゲート電極との間に介在するゲート絶縁膜内に平面的に離散化された電荷蓄積手段を含むメモリトランジスタに対し、その消去Ｖthの収束性向上ができる消去時のオペレーションとして、書き込み−消去、消去後に少なくとも１回の書き込み−消去、または複数回の書き込み−消去を行う。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin-film semiconductor device where a semiconductor film comprises crystal grains having excellent crystallinity and large particle size, the position of a crystal grain boundary in a channel formation region is controlled, electrical characteristics are superior, parasitic bipolar effect is inhibited, and variation in the electrical characteristics is small in the manufacturing method of the thin-film semiconductor device formed on a substrate.例文帳に追加

基板上に形成された薄膜半導体装置の製造方法において、半導体膜が結晶性の良い大粒径の結晶粒から成り、チャネル形成領域の結晶粒界の位置が制御されており、電気特性が良く、寄生バイポーラ効果が抑制されており、電気特性ばらつきの少ない薄膜半導体装置を製造する方法を提供する - 特許庁

At least in a display region 20 where a plurality of display pixels PIX (respective color pixels PXr, PXg, PXb) are two-dimensionally arranged, a partition wall layer 17 is formed to include boundary regions among the display pixels PIX, and cover regions other than EL element formation regions Rel (corresponding to application regions of an organic compound-containing liquid) of the respective display elements PIX.例文帳に追加

少なくとも、複数の表示画素ＰＩＸ（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）が２次元配列された表示領域２０において、隔壁層１７は、表示画素ＰＩＸ相互の境界領域を含み、各表示画素ＰＩＸのＥＬ素子形成領域Ｒel（有機化合物含有液の塗布領域に相当する）以外の領域を被覆するように設けられている。 - 特許庁

This pendulum device equipped with a pendulum 300 and a light source 500 lighting in response to the rocking of the pendulum 300 has a formation in which a light transmissive part 330 for transmitting light is installed on the pendulum 300 and the light source 500 emits light from behind a rocking region of the light transmissive part 330 and lights when the light transmissive part 330 passes by the front of the light source 500.例文帳に追加

振り子３００と、振り子３００の揺動に応じて点灯する光源５００とを備えた振り子装置において、振り子３００には光を透過する透光部３３０を設け、光源５００は、透光部３３０の揺動域後方から光をもたらすとともに、透光部３３０が当該光源５００の正面を通過する際に点灯する構成の振り子装置である。 - 特許庁

To conquer chipping of a resist pattern and instability of a resist pattern in a low exposure region, which become problematic when a fine pattern is formed using a laminate comprising a substrate, a photosensitive resin layer and a support layer in circuit formation for a printed wiring board, a flexible wiring board, a TAB substrate or a COF substrate, and to provide a stable fine resist pattern and a circuit.例文帳に追加

プリント配線板、フレキシブル配線板、ＴＡＢ基板、ＣＯＦ基板の回路形成において、基材と感光性樹脂層と支持体層からなる積層体をもちいてファインパターンを形成する際問題となる、レジストパターンの欠損、低露光領域下でのレジストパターンの不安定を克服し、安定したファインなレジストパターンおよび回路を提供することを目的とする。 - 特許庁

A MOS field-effect transistor is provided with a SOI substrate 30, where contact holes 13-1 and 13-2 are each bored in source/drain diffused layers 10 and 11 from above extending over an adjacent element isolation oxide film 7 so as to reach to a silicon substrate 1, and impurity ions are implanted into the exposed surface region of the silicon substrate 1 for the formation of P-N junctions.例文帳に追加

ＳＯＩ基板３０を用いたＭＯＳ型電界効果トランジスタにおいて、コンタクト孔１３−１，１３−２をソース・ドレイン拡散層１０，１１上から隣接する素子分離用の酸化膜７上に亘って、シリコン基板１に到達する深さに形成し、露出されたシリコン基板の表面領域に不純物をイオン注入してＰＮ接合を形成することを特徴としている。 - 特許庁

In the manufacturing method of a thin-film transistor, using a semiconductor thin film as a channel formation region, the semiconductor thin film is obtained by applying ultraviolet laser beams to an amorphous semiconductor thin-film having the concentrations of carbon, nitrogen, and oxygen equal to 1×1019 cm-3 or smaller and by setting the peak value of Raman shift to a move number of 515 cm-1 or smaller.例文帳に追加

本発明は、半導体薄膜をチャネル形成領域に用いた薄膜トランジスタの作製方法であって、前記半導体薄膜は、炭素、窒素および酸素の濃度がいずれも１×１０^19ｃｍ^-3以下のアモルファス半導体薄膜に紫外レーザ光を照射して、ラマンシフトのピーク値を５１５ｃｍ^-1以下の波数にせしめて得た半導体薄膜であることを特徴とするものである。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method capable of forming the film thickness of a metal silicide film formed in a source drain region to be thick without suffering from an increase of a junction leakage current even in the semiconductor device having a fully silicided gate electrode (full silicide gate electrode), and capable of forming the full silicide gate electrode and the metal silicide film in a one time silicide formation process.例文帳に追加

フルシリサイド化されたゲート電極（フルシリサイドゲート電極）を有する半導体装置であっても、接合リーク電流増大の問題なく、ソースドレイン領域に形成された金属シリサイド膜の膜厚を厚く形成することが可能であり、かつ一回のシリサイド形成工程でフルシリサイドゲート電極及び金属シリサイド膜を形成可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A combustion gas supply passage 4 is inserted into a combustion air supply passage 3 through which air is supplied to the air nozzle 3A, and a small sized auxiliary burner Aa is inserted into the combustion gas supply passage located in the combustion air supply passage, and further a combustion flame formation portion of the auxiliary burner Aa is provided on an more upper side in a gas supply direction than a combustion region.例文帳に追加

エアーノズル３Ａにエアーを供給する燃焼用空気供給路３に対して燃焼用ガス供給路４を挿入するとともに、燃焼用空気供給路内に位置する燃焼用ガス供給路内に小型の補助バーナＡａを挿入し、補助バーナＡａの燃焼炎形成部位を燃焼領域よりガス供給方向上手側に設けてある。 - 特許庁

The aqueous pigment dispersion contains a benzimidazolone pigment of which the maximum absorption wavelength λ_max of absorption spectrum in a visible light region is in the range of 400-500; the pigment is prepared by subjecting a self-dispersible colored organic pigment having a sulfo group introduced to its surface by a chemical treatment to salt formation with a basic compound such as an amine and/or an alkali metal.例文帳に追加

可視光領域における吸収スペクトルの最大吸収波長λ_ｍａｘが４００から５００の間に存在するベンズイミダゾロン顔料の水分散体において、顔料は、化学的処理により表面にスルホン酸基を導入した自己分散型カラー有機顔料を、アミン及び／又はアルカリ金属などの塩基性化合物で塩形成させたものである。 - 特許庁

Using a photoresist film 3e, which is a mask for etching/ removing a gate insulating film 7a in a formation region of a relatively thin gate insulating film, an impurity for adjusting the threshold voltage of an n- channel type field effect transistor and p-channel type field effect transistor having a relatively thin gate insulating film, is introduced in batch in a semiconductor substrate 1 exposed there.例文帳に追加

相対的に薄いゲート絶縁膜の形成領域におけるゲート絶縁膜７ａをエッチング除去するためのマスクであるフォトレジスト膜３ｅを用いて、そこから露出する半導体基板１に相対的に薄いゲート絶縁膜を持つｎチャネル型電界効果トランジスタおよびｐチャネル型電界効果トランジスタのしきい値電圧調整用の不純物を一括して導入する。 - 特許庁

The tubular body is composed by forming an SiC layer at least on the outer surface of a tubular fiber-reinforced carbonaceous base material consisting of aggregate made of ceramic fibers and carbonaceous formation filling gaps between them and diffusing silicon atoms toward the inside of the relevant fiber-reinforced carbonaceous base material from a borderline region between the fiber-reinforced carbonaceous base material and the SiC layer.例文帳に追加

セラミック繊維からなる骨材と前記セラミック繊維間に充填された炭素質とからなる管状の繊維強化炭素質基材の少なくとも外表面にＳｉＣ層が形成され、前記繊維強化炭素質基材と前記ＳｉＣ層の境界領域から当該繊維強化炭素質基材の内部に向かってケイ素原子が拡散してなる管状体。 - 特許庁

This invention relates to an optical modulation element 3 including a light intensity modulation structure SP which forms a light intensity distribution for crystallization by modulating light, and a mark formation structure MK which is provided integrally with or independently of the light intensity modulation structure, and forms a light intensity distribution including a pattern in a prescribed shape by modulating light and also indicates a predetermined position of a crystallization region.例文帳に追加

この発明は、光を変調して結晶化のための光強度分布を形成する光強度変調構造ＳＰと、光強度変調構造と一体にまたは独立に設けられ、光を変調して所定形状のパターンを含む光強度分布を形成するとともに結晶化領域の予め定められた位置を示すマーク形成構造ＭＫと、を有することを特徴とする光変調素子３に関する。 - 特許庁

Multipoint fuel which is liable to stagnate inside the circuit is uniformly cooled by the formation of continuous baffles each of which communicates with at least one separate circulating channel while the peripheral baffles are arranged in a region diametrically opposed to the circulating channels and communicate with a fuel suction chamber communicating with an injection nozzle for pilot fuel to attain uniform supply and cooling of the injector.例文帳に追加

本発明によれば、その回路の内部に滞留する傾向があるマルチポイント燃料が、連続バッフルの形成によって均一に冷却され、それぞれは、少なくとも１つの別個の循環チャネルに通じ、周囲のバッフルが循環チャネルに直径的に対向している領域に配置され、パイロット燃料用の噴射ノズルと連通する燃料吸入室に通じ、均一な供給および噴射器の冷却を達成する。 - 特許庁

The optical modulation element 3 has a light intensity modulation structure SP forming a light intensity distribution for crystallization by modulating light, and a mark formation structure MK provided integrally with or independently from the light intensity modulation structure in order to form a light intensity distribution including a predetermined pattern by modulating light and to indicate a predetermined position of a crystallization region.例文帳に追加

この発明は、光を変調して結晶化のための光強度分布を形成する光強度変調構造ＳＰと、光強度変調構造と一体にまたは独立に設けられ、光を変調して所定形状のパターンを含む光強度分布を形成するとともに結晶化領域の予め定められた位置を示すマーク形成構造ＭＫと、を有することを特徴とする光変調素子３に関する。 - 特許庁

When producing the bipolar semiconductor device formed of a silicon carbide epitaxial layer 2, grown from the surface of a silicon carbide substrate 1, at least a part of the region where electrons and positive holes recombine during applying of electric current, the surface of the silicon carbide substrate 1 is treated with hydrogen etching, and then silicon carbide is epitaxially grown from the treated surface to result in formation of the epitaxial layer 2.例文帳に追加

通電時に電子と正孔が再結合する領域の少なくとも一部を、炭化珪素基板１の表面から成長させた炭化珪素エピタキシャル層２により形成したバイポーラ型半導体装置を製造するに際し、炭化珪素基板１の表面を水素エッチングで処理した後に、この処理面から炭化珪素をエピタキシャル成長させることにより前記エピタキシャル層２を形成する。 - 特許庁

In the recording method of the optical disk 52 having a visible image recording region on a label surface, a first optical pickup 4 performs at least one of recording and reproduction of information to the information recording surface and a second optical pickup 6 performs formation of the visible image by irradiating the label surface of the optical disk 52 with a light beam.例文帳に追加

【解決手段】本発明の光ディスクの記録方法は、レーベル面に可視画像記録領域を有した光ディスク５２の記録方法であって、第１光ピックアップ４が光ディスク５２の情報記録面に対して情報の記録又は再生の少なくとも一方を行ない、第２光ピックアップ６が光ディスク５２のレーベル面に対して光ビームを照射することにより可視画像の形成を行なうことを特徴とする。 - 特許庁